| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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2SA2088U3T106 | ROHM |
 Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SA2088U3T106 | ROHM |
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 200mW Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RPI-222 | ROHM |
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM tariffCode: 85414900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Messabstand / Gabelweite: 2mm IP-Schutzart: - Betriebstemperatur, min.: -25°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Durchsteckmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: Modul Sensorausgang: Fototransistor SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Durchlassspannung: 1.3V Messmethode: - Öffnungsweite: 0.2mm Kollektorstrom Ic, max.: 30mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: - Sender/Empfänger-Abstand: 2mm Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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KTR10EZPJ681 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 680 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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RGW00TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 254W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 96A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGTH00TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGTH80TS65DGC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
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RGW80TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGWX5TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
товару немає в наявності |
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RGTV60TK65GVC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Verlustleistung: 76 Anzahl der Pins: 3 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33 Bauform - Transistor: TO-3PFM Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Betriebstemperatur, max.: 175 Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGTH80TS65GC13 | ROHM |
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 234W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 70A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGW00TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 254W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 96A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGWX5TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 348W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 132A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGWX5TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 132A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW00TS65DHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 254W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 96A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW80TS65EHRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGW80TS65HRC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Verlustleistung: 214W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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ESD18VHYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESD27VHYT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 26.41V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 29.19V isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Sperrspannung: 24V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 100W Begrenzungsspannung Vc, max.: - TVS-Polarität: Bidirektional Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 24V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Klemmspannung, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESD18VHYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 17.86V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 19.74V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW Sperrspannung: 16V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 100W Begrenzungsspannung Vc, max.: - TVS-Polarität: Bidirektional Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 16V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Klemmspannung, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESD16VHYT116 | ROHM |
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Verlustleistung Pd: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Begrenzungsspannung Vc, max.: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 12V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 |
на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESR10EZPJ114 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 110 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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R6030KNZC17 | ROHM |
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 86W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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R6030JNZC8 | ROHM |
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 30 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 93 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 Verlustleistung: 93 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESR10EZPJ305 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 3 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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KTR10EZPJ305 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 3 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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KTR10EZPJ392 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 3.9 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESR10EZPJ184 | ROHM |
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 400 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 180 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 150 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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KTR10EZPJ184 | ROHM |
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 125 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 180 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 400 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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RSF015N06TL | ROHM |
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TUMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SC5658T2LQ | ROHM |
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120 DC-Stromverstärkung hFE: 120 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 150 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 180 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6K1T2CR | ROHM |
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6X2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6Z2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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VT6K1T2CR | ROHM |
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 100 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6Z1T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 120 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 150 Bauform - Transistor: VMT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20 Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: NPN, PNP DC-Kollektorstrom: 200 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6X2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6X12T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6X12T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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VT6Z2T2R | ROHM |
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 150mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 150mW productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84B36VLFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84BFH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 36V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84B36VLT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage Bauform - Diode: SOT-23 Diodenmontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Verlustleistung: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BZX84B Betriebstemperatur, max.: 150 Zener-Spannung, nom.: 36 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84B36VLYFHT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84B Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 36V |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84B36VLT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84B36VLYT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage Diodenmontage: Oberflächenmontage SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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BZX84B36VLYT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage Bauform - Diode: SOT-23 Diodenmontage: Oberflächenmontage Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Verlustleistung: 250 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: BZX84B Betriebstemperatur, max.: 150 Zener-Spannung, nom.: 36 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESR18EZPJ2R0 | ROHM |
Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500 Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 2 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 3.2 Produktpalette: ESR Series Nennspannung: 200 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.6 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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KTR18EZPJ2R0 | ROHM |
Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216] Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250 Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 2 Betriebstemperatur, min.: -55 Widerstandstoleranz: ± 5% Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C Produktlänge: 3.2 Produktpalette: KTR Series Nennspannung: 500 Betriebstemperatur, max.: 155 Produktbreite: 1.6 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
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ESR18EZPF5R60 | ROHM |
Description: ROHM - ESR18EZPF5R60 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.6 ohm, ± 1%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 500mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 5.6ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/C Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: ESR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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RB068L100DDTE25 | ROHM |
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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RB068L100DDTE25 | ROHM |
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 110A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 790mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RGTVX6TS65DGC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 404W Bauform - Transistor: TO-247N Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A SVHC: To Be Advised |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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RB088T150HZC9 | ROHM |
Description: ROHM - RB088T150HZC9 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: ITO-220AB Durchlassstoßstrom: 50A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 880mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A SVHC: To Be Advised Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SCT2H12NZGC11 | ROHM |
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 35W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-3PFM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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KTR18EZPF1053 | ROHM |
Description: ROHM - KTR18EZPF1053 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 105 kohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216] tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Hochspannung isCanonical: Y Widerstand: 105kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Produktpalette: KTR Series productTraceability: No Nennspannung: 500V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SCR564F3TR | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.1W euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 4A Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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R6007ENJTL | ROHM |
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 54 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SCR562F3TR | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: HUML2020 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 270MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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2SCR563F3TR | ROHM |
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1W Bauform - Transistor: DFN2020 Dauerkollektorstrom: 6A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2SA2088U3T106 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SA2088U3T106 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RPI-222 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KTR10EZPJ681 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| RGW00TS65EHRC11 |
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Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTH00TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTH80TS65DGC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RGW80TS65DHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGWX5TS65EHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RGTV60TK65GVC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTH80TS65GC13 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW00TS65HRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGWX5TS65DHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGWX5TS65HRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW00TS65DHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW80TS65EHRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGW80TS65HRC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESD18VHYFHT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESD27VHYT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESD18VHYFHT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESD16VHYT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESR10EZPJ114 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| R6030KNZC17 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6030JNZC8 |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR10EZPJ305 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| KTR10EZPJ305 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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| KTR10EZPJ392 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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| ESR10EZPJ184 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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| KTR10EZPJ184 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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| RSF015N06TL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SC5658T2LQ |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику
од. на суму грн.
| VT6K1T2CR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6X2T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6Z1T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6Z2T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6K1T2CR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6Z1T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6X2T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6X12T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6X12T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| VT6Z2T2R |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84B36VLFHT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84B36VLT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84B36VLYFHT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84B36VLT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84B36VLYT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BZX84B36VLYT116 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ESR18EZPJ2R0 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - ESR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 200
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| KTR18EZPJ2R0 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 500
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - KTR18EZPJ2R0 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 2 ohm, ± 5%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 2
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 3.2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 500
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ESR18EZPF5R60 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR18EZPF5R60 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.6 ohm, ± 1%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 5.6ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - ESR18EZPF5R60 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.6 ohm, ± 1%, 500 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 5.6ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RB068L100DDTE25 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RB068L100DDTE25 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RB068L100DDTE25 - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 110A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 790mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RGTVX6TS65DGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGTVX6TS65DGC11 - IGBT, 144 A, 1.5 V, 404 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 404W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 144A
SVHC: To Be Advised
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RB088T150HZC9 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RB088T150HZC9 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ITO-220AB
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 880mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - RB088T150HZC9 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, ITO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: ITO-220AB
Durchlassstoßstrom: 50A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 880mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SCT2H12NZGC11 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
Description: ROHM - SCT2H12NZGC11 - Leistungs-MOSFET, Siliziumkarbid, n-Kanal, 3.7A, 1.7kV, 1.15 Ohm, 18V, 2.8V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KTR18EZPF1053 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR18EZPF1053 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 105 kohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 105kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: KTR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 500V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - KTR18EZPF1053 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 105 kohm, ± 1%, 250 mW, 1206 [Metrisch 3216]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochspannung
isCanonical: Y
Widerstand: 105kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: KTR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 500V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR564F3TR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SCR564F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 4A
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| R6007ENJTL |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR562F3TR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - 2SCR562F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 6 A, 1 W, HUML2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: HUML2020
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 270MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2SCR563F3TR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ROHM - 2SCR563F3TR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 6 A, 2.1 W, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: DFN2020
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)