Продукція > ROHM > Всі товари виробника ROHM (22096) > Сторінка 206 з 369

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 36 72 108 144 180 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 216 252 288 324 360 369  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BH15PB1WHFV-TR BH15PB1WHFV-TR ROHM 1813098.pdf Description: ROHM - BH15PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 1.5Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BH30PB1WHFV-TR BH30PB1WHFV-TR ROHM 1813098.pdf Description: ROHM - BH30PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BH1726NUC-E2 BH1726NUC-E2 ROHM bh1726nuc-e.pdf Description: ROHM - BH1726NUC-E2 - Umgebungslicht-Fotosensor, (I2C)-Digitalausgang, 30klx Erfassungsreichweite, 2.3V-3.6V, WSON-8
tariffCode: 90278080
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Sensorausgang: Digital (I2C)
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: -nm
Bauform des Umgebungslichtsensors: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16 R6515KNX3C16 ROHM datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTL R6515KNJTL ROHM 2821285.pdf Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC914TUBTL DTC914TUBTL ROHM datasheet?p=DTC914TUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC943TUBTL DTC943TUBTL ROHM dtc943tub-e.pdf Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 400mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC923TUBTL DTC923TUBTL ROHM dtc923tub-e.pdf Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL DTA144EE3HZGTL ROHM dta144ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL DTA144EE3HZGTL ROHM dta144ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11 SCT2160KEGC11 ROHM sct2160ke-e.pdf Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ200 LTR18EZPJ200 ROHM 3980364.pdf Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU7411SG-TR BU7411SG-TR ROHM 2736351.pdf Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2SA2088U3T106 ROHM 2sa2088u3t106q-e.pdf Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2SA2088U3T106 ROHM 2sa2088u3t106q-e.pdf Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RPI-222 RPI-222 ROHM datasheet?p=RPI-222&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ681 KTR10EZPJ681 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11 RGW00TS65EHRC11 ROHM rgw00ts65ehr-e.pdf Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 RGTH00TS65DGC13 ROHM rgth00ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 RGTH80TS65DGC13 ROHM rgth80ts65dgc13-e.pdf Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 RGW80TS65DHRC11 ROHM 3204099.pdf Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11 RGWX5TS65EHRC11 ROHM rgwx5ts65ehr-e.pdf Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65GVC11 RGTV60TK65GVC11 ROHM 2644302.pdf Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13 RGTH80TS65GC13 ROHM datasheet?p=RGTH80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11 RGW00TS65HRC11 ROHM rgw00ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 RGWX5TS65DHRC11 ROHM rgwx5ts65dhr-e.pdf Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11 RGWX5TS65HRC11 ROHM datasheet?p=RGWX5TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 RGW00TS65DHRC11 ROHM rgw00ts65dhr-e.pdf Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11 RGW80TS65EHRC11 ROHM rgw80ts65ehr-e.pdf Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11 RGW80TS65HRC11 ROHM rgw80ts65hr-e.pdf Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 ESD18VHYFHT116 ROHM esd18vhyfht116-e.pdf Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD27VHYT116 ESD27VHYT116 ROHM esd27vhyt116-e.pdf Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 ESD18VHYFHT116 ROHM esd18vhyfht116-e.pdf Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD16VHYT116 ESD16VHYT116 ROHM esd16vhyt116-e.pdf Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ114 ESR10EZPJ114 ROHM esr.pdf Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17 R6030KNZC17 ROHM datasheet?p=R6030KNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8 R6030JNZC8 ROHM Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ305 ESR10EZPJ305 ROHM 3685786.pdf Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ305 KTR10EZPJ305 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ392 KTR10EZPJ392 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ184 ESR10EZPJ184 ROHM 3685786.pdf Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ184 KTR10EZPJ184 ROHM 3748846.pdf Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06TL RSF015N06TL ROHM rsf015n06tl-e.pdf Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5658T2LQ 2SC5658T2LQ ROHM ROHM-S-A0007229557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR VT6K1T2CR ROHM 2920347.pdf Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R VT6X2T2R ROHM 2920349.pdf Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R VT6Z1T2R ROHM 2920350.pdf Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R VT6Z2T2R ROHM 2644418.pdf Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR VT6K1T2CR ROHM 2920347.pdf Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R VT6Z1T2R ROHM 2920350.pdf Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R VT6X2T2R ROHM 2920349.pdf Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R VT6X12T2R ROHM ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R VT6X12T2R ROHM ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R VT6Z2T2R ROHM 2644418.pdf Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLFHT116 BZX84B36VLFHT116 ROHM 2702828.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 BZX84B36VLT116 ROHM 2702808.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYFHT116 BZX84B36VLYFHT116 ROHM bzx84b36vlyfht116-e.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 BZX84B36VLT116 ROHM 2702808.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 BZX84B36VLYT116 ROHM 3122819.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 BZX84B36VLYT116 ROHM 3122819.pdf Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BH15PB1WHFV-TR 1813098.pdf
BH15PB1WHFV-TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BH15PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 1.5Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BH30PB1WHFV-TR 1813098.pdf
BH30PB1WHFV-TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BH30PB1WHFV-TR - LDO-Festspannungsregler, 1.7V bis 5.5V, 315mV Dropout, 3Vout, 150mAout, HVSOF-5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BH1726NUC-E2 bh1726nuc-e.pdf
BH1726NUC-E2
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BH1726NUC-E2 - Umgebungslicht-Fotosensor, (I2C)-Digitalausgang, 30klx Erfassungsreichweite, 2.3V-3.6V, WSON-8
tariffCode: 90278080
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Sensorausgang: Digital (I2C)
euEccn: NLR
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: -nm
Bauform des Umgebungslichtsensors: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNX3C16 datasheet?p=R6515KNX3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6515KNX3C16
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6515KNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.315 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 161W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6515KNJTL 2821285.pdf
R6515KNJTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6515KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.28 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 15
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 184
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 184
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC914TUBTL datasheet?p=DTC914TUB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
DTC914TUBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC914TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 10 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 400
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SOT-323FL
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC943TUBTL dtc943tub-e.pdf
DTC943TUBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC943TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 400mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC923TUBTL dtc923tub-e.pdf
DTC923TUBTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTC923TUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 20 V, 400 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 820hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 400mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL dta144ee3hzgtl-e.pdf
DTA144EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTA144EE3HZGTL dta144ee3hzgtl-e.pdf
DTA144EE3HZGTL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA144EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SCT2160KEGC11 sct2160ke-e.pdf
SCT2160KEGC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCT2160KEGC11 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247N
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LTR18EZPJ200 3980364.pdf
LTR18EZPJ200
Виробник: ROHM
Description: ROHM - LTR18EZPJ200 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 20 ohm, ± 5%, 750 mW, 1206 Breit, Dickschichtwiderstand
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 Breit
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Widerstandstyp: Hochleistung
Nennleistung: 750mW
Widerstand: 20ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BU7411SG-TR 2736351.pdf
BU7411SG-TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BU7411SG-TR - Operationsverstärker, 1 Verstärker, 4 kHz, 2.4 V/ms, 1.6V bis 5.5V, SSOP, 5 Pin(s)
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2sa2088u3t106q-e.pdf
2SA2088U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2088U3T106 2sa2088u3t106q-e.pdf
2SA2088U3T106
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SA2088U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200mW
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RPI-222 datasheet?p=RPI-222&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RPI-222
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RPI-222 - FOTO-UNTERBRECHER, 2MM
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Messabstand / Gabelweite: 2mm
IP-Schutzart: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Durchlassstrom If: 50mA
Sensormontage: Durchsteckmontage
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: Modul
Sensorausgang: Fototransistor
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 1.3V
Messmethode: -
Öffnungsweite: 0.2mm
Kollektorstrom Ic, max.: 30mA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrspannung, Vr: 5V
Versorgungsspannung, max.: -
Sender/Empfänger-Abstand: 2mm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ681 3748846.pdf
KTR10EZPJ681
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ681 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 680 ohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 680
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65EHRC11 rgw00ts65ehr-e.pdf
RGW00TS65EHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65EHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH00TS65DGC13 rgth00ts65dgc13-e.pdf
RGTH00TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.6 V, 277 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65DGC13 rgth80ts65dgc13-e.pdf
RGTH80TS65DGC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65DHRC11 3204099.pdf
RGW80TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65DHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65EHRC11 rgwx5ts65ehr-e.pdf
RGWX5TS65EHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65EHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 132A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGTV60TK65GVC11 2644302.pdf
RGTV60TK65GVC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTV60TK65GVC11 - IGBT, 33 A, 1.5 V, 76 W, 650 V, TO-3PFM, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 76
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 33
Bauform - Transistor: TO-3PFM
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: Field Stop Trench RGTV Series
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGTH80TS65GC13 datasheet?p=RGTH80TS65&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGTH80TS65GC13
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGTH80TS65GC13 - IGBT, 70 A, 1.6 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65HRC11 rgw00ts65hr-e.pdf
RGW00TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65HRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65DHRC11 rgwx5ts65dhr-e.pdf
RGWX5TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65DHRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 348W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGWX5TS65HRC11 datasheet?p=RGWX5TS65HR&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGWX5TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGWX5TS65HRC11 - IGBT, 132 A, 1.5 V, 348 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 132A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW00TS65DHRC11 rgw00ts65dhr-e.pdf
RGW00TS65DHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW00TS65DHRC11 - IGBT, 96 A, 1.5 V, 254 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 96A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65EHRC11 rgw80ts65ehr-e.pdf
RGW80TS65EHRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65EHRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGW80TS65HRC11 rgw80ts65hr-e.pdf
RGW80TS65HRC11
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80TS65HRC11 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 214 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 esd18vhyfht116-e.pdf
ESD18VHYFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD27VHYT116 esd27vhyt116-e.pdf
ESD27VHYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD27VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 24 V, 225 mW
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 26.41V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 29.19V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 24V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 24V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD18VHYFHT116 esd18vhyfht116-e.pdf
ESD18VHYFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD18VHYFHT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 17.86V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 19.74V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
Sperrspannung: 16V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 100W
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Klemmspannung, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD16VHYT116 esd16vhyt116-e.pdf
ESD16VHYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESD16VHYT116 - ESD-Schutzbaustein, SOT-23, 3 Pin(s), 12 V, 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Begrenzungsspannung Vc, max.: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 12V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ114 esr.pdf
ESR10EZPJ114
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ114 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 110 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 110
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
R6030KNZC17 datasheet?p=R6030KNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
R6030KNZC17
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030KNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.13 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 86W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6030JNZC8
R6030JNZC8
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6030JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 30
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 93
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 93
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ305 3685786.pdf
ESR10EZPJ305
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ305 3748846.pdf
KTR10EZPJ305
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ305 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3 Mohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ392 3748846.pdf
KTR10EZPJ392
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ392 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 3.9 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 3.9
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESR10EZPJ184 3685786.pdf
ESR10EZPJ184
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 400 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: ESR Series
Nennspannung: 150
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KTR10EZPJ184 3748846.pdf
KTR10EZPJ184
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR10EZPJ184 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 180 kohm, ± 5%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 180
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 5%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/°C
Produktlänge: 2
Produktpalette: KTR Series
Nennspannung: 400
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 1.25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSF015N06TL rsf015n06tl-e.pdf
RSF015N06TL
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSF015N06TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, TUMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: TUMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5658T2LQ ROHM-S-A0007229557-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SC5658T2LQ
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SC5658T2LQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 150 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 150
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 180
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR 2920347.pdf
VT6K1T2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R 2920349.pdf
VT6X2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R 2920350.pdf
VT6Z1T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R 2644418.pdf
VT6Z2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VT6K1T2CR 2920347.pdf
VT6K1T2CR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6K1T2CR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z1T2R 2920350.pdf
VT6Z1T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z1T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, 120 hFE, VMT
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 150
Bauform - Transistor: VMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN, PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X2T2R 2920349.pdf
VT6X2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X2T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VT6X12T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6X12T2R ROHM-S-A0011746849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VT6X12T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6X12T2R - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VT6Z2T2R 2644418.pdf
VT6Z2T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VT6Z2T2R - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 100 mA, 150 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 120hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 350MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 150mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 150mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 100mA
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 6279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLFHT116 2702828.pdf
BZX84B36VLFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84BFH
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 2702808.pdf
BZX84B36VLT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYFHT116 bzx84b36vlyfht116-e.pdf
BZX84B36VLYFHT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYFHT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84B Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLT116 2702808.pdf
BZX84B36VLT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 3122819.pdf
BZX84B36VLYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Diodenmontage: Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84B36VLYT116 3122819.pdf
BZX84B36VLYT116
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84B36VLYT116 - Zener-Diode, 36 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
Bauform - Diode: SOT-23
Diodenmontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Verlustleistung: 250
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BZX84B
Betriebstemperatur, max.: 150
Zener-Spannung, nom.: 36
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 36 72 108 144 180 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 216 252 288 324 360 369  [ Наступна Сторінка >> ]