Результат пошуку "4n04" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
70N4N040S101W HONEYWELL Category: Unclassified
Description: 70N4N040S101W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3153.18 грн
A850491714N04A A850491714N04A Amphenol Interconnect India QPL_October_3.pdf Description: CONN BACKSHELL W/CLMP SZ14 15
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Backshell, Cable Clamp
Shell Size - Insert: 14, 15
Cable Exit: 180°
Ingress Protection: Environment Resistant
Plating: Electroless Nickel
Cable Opening: 0.380" ~ 0.500" (9.65mm ~ 12.70mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3799.06 грн
10+ 3356.98 грн
25+ 3227.87 грн
BSC014N04LS BSC014N04LS Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.98 грн
10+ 103.22 грн
100+ 71.54 грн
250+ 65.93 грн
500+ 59.66 грн
1000+ 53.25 грн
5000+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.53 грн
10+ 93.78 грн
100+ 74.66 грн
500+ 59.29 грн
1000+ 50.31 грн
2000+ 47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1 Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.9 грн
10000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 11774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.19 грн
10+ 102.45 грн
100+ 70.86 грн
250+ 65.26 грн
500+ 59.66 грн
1000+ 51.09 грн
2500+ 48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSI Infineon Technologies N-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
14+44.99 грн
15+ 42 грн
100+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC014N04LSI BSC014N04LSI Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 30506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.52 грн
10+ 180.06 грн
25+ 147.8 грн
100+ 126.2 грн
250+ 119.45 грн
500+ 112.03 грн
1000+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 99506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.16 грн
10+ 176.95 грн
25+ 151.85 грн
100+ 122.83 грн
250+ 121.48 грн
500+ 107.98 грн
1000+ 90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 71843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.36 грн
10+ 114.87 грн
100+ 92.92 грн
500+ 85.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSIATMA1 Infineon Technologies BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806 Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.1 грн
10+ 99.68 грн
100+ 79.33 грн
500+ 63 грн
1000+ 53.45 грн
2000+ 50.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN-3360601.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.02 грн
10+ 93.91 грн
100+ 68.16 грн
250+ 67.49 грн
500+ 54.39 грн
1000+ 49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8 Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc014n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC054N04NS G BSC054N04NS G Infineon Technologies Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 134350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.31 грн
10+ 56.5 грн
100+ 38.2 грн
500+ 32.39 грн
1000+ 26.45 грн
2500+ 25.71 грн
10000+ 25.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 56788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.85 грн
10+ 39.04 грн
100+ 28.48 грн
500+ 25.58 грн
1000+ 23.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 30298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.7 грн
10+ 51.53 грн
100+ 40.06 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 25.96 грн
2000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+25.76 грн
10000+ 23.66 грн
25000+ 23.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+46.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826 Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 89266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.49 грн
10+ 71.7 грн
25+ 63.97 грн
100+ 54.05 грн
250+ 48.04 грн
500+ 42.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ024N04LS6ATMA1 BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ024N04LS6_DataSheet_v02_02_EN-3360757.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 8765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.89 грн
10+ 97.79 грн
100+ 67.15 грн
250+ 62.43 грн
500+ 56.69 грн
1000+ 48.59 грн
2500+ 46.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ034N04LS BSZ034N04LS Infineon Technologies Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.1 грн
10+ 66.28 грн
100+ 44.81 грн
500+ 38 грн
1000+ 30.91 грн
2500+ 29.15 грн
5000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.25 грн
10000+ 27.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083 Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.65 грн
10+ 60.46 грн
100+ 47.07 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 30.49 грн
2000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies 646217493920001bsz034n04ls_rev2.0.pdffileiddb3a304342371bb001424c3fe5bc7083folde.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.22 грн
10+ 60.3 грн
100+ 41.77 грн
500+ 36.04 грн
1000+ 29.02 грн
2500+ 28.61 грн
5000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
CS1000M-24N-04A CS1000M-24N-04A EXCELSYS / Advanced Energy en-lv-cs1000-data-sheet.pdf Description: AC/DC CONVERTER 24V 1000W
Power (Watts): 1000W
Features: Adjustable Output, PFC, PMBus™, Remote Sense, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 10.30" L x 5.00" W x 1.54" H (261.6mm x 127.0mm x 39.1mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial), Medical
Approval Agency: CSA, EN, IEC, UL
Efficiency: 94%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1; 62368-1
Current - Output 1: 41.6 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49289.97 грн
10+ 44402.27 грн
DCP4N047006ID2KSC9 DCP4N047006ID2KSC9 WIMA e_WIMA_DC_Link_MKP_4-1139924.pdf Film Capacitors DC-LINK MKP 4 7.0 F 900 VDC 17x34.5x31.5 PCM27.5
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.22 грн
10+ 235.93 грн
100+ 191.66 грн
198+ 158.59 грн
594+ 124.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
DCP4N047006ID2KSC9 WIMA e_WIMA_DC_Link_MKP_4.pdf Description: CAP FILM 7UF 10% 900VDC RAD
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive; DC Link, DC Filtering
Lead Spacing: 1.083" (27.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - DC: 900V
Height - Seated (Max): 1.358" (34.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 7 µF
ESR (Equivalent Series Resistance): 13 mOhms
Size / Dimension: 1.240" L x 0.669" W (31.50mm x 17.00mm)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.92 грн
10+ 198.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB024N04AL7 FDB024N04AL7 Fairchild Semiconductor FAIRS47112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 29849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+196.17 грн
Мінімальне замовлення: 105
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPB014N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083395.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.49 грн
10+ 108.65 грн
100+ 74.91 грн
250+ 68.84 грн
500+ 62.49 грн
800+ 53.45 грн
2400+ 50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB014N04NF2SATMA1 IPB014N04NF2SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.37 грн
10+ 98.21 грн
100+ 78.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
M85049/1714N04 M85049/1714N04 Glenair glenair_glens10041-1.pdf Circular MIL Spec Backshells STRAIGHT BACKSHELL
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+46698.39 грн
2+ 40140.67 грн
5+ 33545.74 грн
10+ 24036.15 грн
25+ 21663.31 грн
M85049/1714N04A M85049/1714N04A Amphenol Pcd Backshells_M85049_May2012-519737.pdf Circular MIL Spec Backshells 17 Backshell Env-EMI/RFI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4069.01 грн
10+ 3681.04 грн
25+ 3078.08 грн
50+ 2974.83 грн
100+ 2810.83 грн
250+ 2729.17 грн
500+ 2667.08 грн
M85049/2914N04 M85049/2914N04 Glenair as85049_29-608197.pdf Circular MIL Spec Backshells NON ENV STRN RLF BS SH SZ 14 CLMP SZ 04
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+38803.65 грн
2+ 33356 грн
5+ 27876.16 грн
10+ 19973.44 грн
25+ 18000.8 грн
M85049/2914N04 M85049/2914N04 Amphenol Pcd Backshells_M85049_May2012-519737.pdf Circular MIL Spec Backshells 29 Backshell Non Env
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2506.92 грн
10+ 2164.54 грн
25+ 1799.88 грн
50+ 1768.83 грн
100+ 1735.76 грн
250+ 1684.47 грн
500+ 1658.83 грн
M85049/3614N04 M85049/3614N04 Glenair as85049_36_and_m38999_7-608224.pdf Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+36902.99 грн
2+ 30317.57 грн
5+ 26315.86 грн
10+ 19447.04 грн
M85049/3614N04 M85049/3614N04 Amphenol Pcd Backshells_M85049_May2012-519737.pdf Circular MIL Spec Backshells 36 Backshell Non Env-EMI/RFI
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2695.09 грн
M85049/3614N04A M85049/3614N04A Glenair as85049_36_and_m38999_7-2302863.pdf Circular MIL Spec Backshells EMI/RFI NON ENV SHLL SZ14 CLMP SZ04 NI
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+41920.76 грн
2+ 36035.1 грн
5+ 30114.7 грн
10+ 21577.6 грн
25+ 19447.04 грн
NP74N04YUG-E1-AY NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np74n04yug-data-sheet Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP74N04YUG-E1-AY NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics Corporation np74n04yug-data-sheet Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G onsemi NTMFS0D4N04XM_D-3388359.pdf MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
2+203.92 грн
10+ 169.19 грн
25+ 138.35 грн
100+ 118.78 грн
250+ 112.03 грн
500+ 105.28 грн
1000+ 85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMTS0D4N04CLTXG NTMTS0D4N04CLTXG onsemi ntmts0d4n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 341 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.2 грн
10+ 334.48 грн
100+ 270.63 грн
500+ 225.76 грн
1000+ 193.3 грн
NTMTS0D4N04CTXG NTMTS0D4N04CTXG onsemi ntmts0d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMTS0D4N04CTXG NTMTS0D4N04CTXG onsemi ntmts0d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.72 грн
10+ 347.91 грн
100+ 281.44 грн
500+ 234.78 грн
1000+ 201.03 грн
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG onsemi NTMYS2D4N04C_D-2318869.pdf MOSFET 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+168.49 грн
10+ 138.15 грн
100+ 95.83 грн
250+ 95.16 грн
500+ 80.98 грн
1000+ 68.84 грн
3000+ 64.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG onsemi ntmys2d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.96 грн
10+ 125.69 грн
100+ 100.08 грн
500+ 79.47 грн
1000+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS004N04CTAG NTTFS004N04CTAG onsemi NTTFS004N04C_D-2319075.pdf MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+84.25 грн
10+ 69.62 грн
100+ 45.22 грн
500+ 38.13 грн
1000+ 28.28 грн
1500+ 22.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi nvmfws0d4n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.05 грн
10+ 264.32 грн
100+ 213.83 грн
500+ 178.37 грн
NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi NVMFWS0D4N04XM_D-3150358.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 509 A, 0.42mohm DFNW6 (Pb-Free)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+350.37 грн
10+ 290.26 грн
25+ 237.55 грн
100+ 203.81 грн
250+ 193.01 грн
500+ 181.54 грн
1000+ 155.89 грн
NVMTS0D4N04CLTXG NVMTS0D4N04CLTXG onsemi nvmts0d4n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+703.02 грн
10+ 580.18 грн
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04CTWG onsemi nvmys2d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.12 грн
10+ 82.74 грн
100+ 64.33 грн
500+ 51.17 грн
1000+ 41.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04CTWG onsemi NVMYS2D4N04C_D-2319618.pdf MOSFET Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.59 грн
10+ 90.8 грн
100+ 61.41 грн
500+ 52.03 грн
1000+ 42.38 грн
3000+ 39.88 грн
6000+ 38 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS004N04CTAG NVTFS004N04CTAG onsemi NVTFS004N04C_D-2319840.pdf MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
4+103.14 грн
10+ 83.82 грн
100+ 56.82 грн
500+ 48.12 грн
1000+ 39.14 грн
1500+ 36.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS004N04CLTWG NVTYS004N04CLTWG onsemi nvtys004n04cl-d.pdf Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.54 грн
10+ 56.59 грн
100+ 44 грн
500+ 35 грн
1000+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
WA 14N0470k BOCHEN Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 200
WA 14N0470k MYG Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
WMB014N04LG4 WMB014N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Mounting: SMD
Case: PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.45 грн
10+ 36.84 грн
24+ 35.36 грн
25+ 32.55 грн
100+ 32.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
70N4N040S101W
Виробник: HONEYWELL
Category: Unclassified
Description: 70N4N040S101W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3153.18 грн
A850491714N04A QPL_October_3.pdf
A850491714N04A
Виробник: Amphenol Interconnect India
Description: CONN BACKSHELL W/CLMP SZ14 15
Packaging: Bag
Features: Clamp Screws
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Shielded
Type: Backshell, Cable Clamp
Shell Size - Insert: 14, 15
Cable Exit: 180°
Ingress Protection: Environment Resistant
Plating: Electroless Nickel
Cable Opening: 0.380" ~ 0.500" (9.65mm ~ 12.70mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3799.06 грн
10+ 3356.98 грн
25+ 3227.87 грн
BSC014N04LS Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf
BSC014N04LS
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.98 грн
10+ 103.22 грн
100+ 71.54 грн
250+ 65.93 грн
500+ 59.66 грн
1000+ 53.25 грн
5000+ 47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.53 грн
10+ 93.78 грн
100+ 74.66 грн
500+ 59.29 грн
1000+ 50.31 грн
2000+ 47.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSATMA1 DS_BSC014N04LS_2_1.PDF?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552e99a8147f1
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+50.9 грн
10000+ 47.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSATMA1 Infineon_BSC014N04LS_DataSheet_v02_08_EN-3360750.pdf
BSC014N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 11774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.19 грн
10+ 102.45 грн
100+ 70.86 грн
250+ 65.26 грн
500+ 59.66 грн
1000+ 51.09 грн
2500+ 48.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSI
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 40; Id = 100 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4000 @ 20; Qg, нКл = 55 @ 10 В; Rds = 1,45 мОм @ 50 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; 96; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TDSON-8 FL
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.99 грн
15+ 42 грн
100+ 39 грн
Мінімальне замовлення: 14
BSC014N04LSI Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf
BSC014N04LSI
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 30506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.52 грн
10+ 180.06 грн
25+ 147.8 грн
100+ 126.2 грн
250+ 119.45 грн
500+ 112.03 грн
1000+ 95.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 Infineon_BSC014N04LSI_DataSheet_v02_04_EN-3360623.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
на замовлення 99506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.16 грн
10+ 176.95 грн
25+ 151.85 грн
100+ 122.83 грн
250+ 121.48 грн
500+ 107.98 грн
1000+ 90.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC014N04LSIATMA1 infineon-bsc014n04lsi-datasheet-v02_04-en.pdf
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 31A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+59.13 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 71843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.36 грн
10+ 114.87 грн
100+ 92.92 грн
500+ 85.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSIATMA1 BSC014N04LSI_rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043353fdc16013552fc8f274806
BSC014N04LSIATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+94.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 6850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.1 грн
10+ 99.68 грн
100+ 79.33 грн
500+ 63 грн
1000+ 53.45 грн
2000+ 50.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1 Infineon_BSC014N04LST_DataSheet_v02_03_EN-3360601.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.02 грн
10+ 93.91 грн
100+ 68.16 грн
250+ 67.49 грн
500+ 54.39 грн
1000+ 49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC014N04LSTATMA1 Infineon-BSC014N04LST-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc80160546e5cba2cb8
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8 FL
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6020 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+54.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC014N04LSTATMA1 infineon-bsc014n04lst-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC014N04LSTATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC054N04NS G Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf
BSC054N04NS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 134350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.31 грн
10+ 56.5 грн
100+ 38.2 грн
500+ 32.39 грн
1000+ 26.45 грн
2500+ 25.71 грн
10000+ 25.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC054N04NSGATMA1 Infineon_BSC054N04NSG_DS_v02_01_en-1226204.pdf
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 56788 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.85 грн
10+ 39.04 грн
100+ 28.48 грн
500+ 25.58 грн
1000+ 23.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 30298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.7 грн
10+ 51.53 грн
100+ 40.06 грн
500+ 31.87 грн
1000+ 25.96 грн
2000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC054N04NSGATMA1 BSC054N04NSG_rev1.04.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c46167a0083c
BSC054N04NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 20 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+25.76 грн
10000+ 23.66 грн
25000+ 23.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.8 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon-BSZ024N04LS6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168bd2c29ed4826
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
на замовлення 89266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.49 грн
10+ 71.7 грн
25+ 63.97 грн
100+ 54.05 грн
250+ 48.04 грн
500+ 42.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ024N04LS6ATMA1 Infineon_BSZ024N04LS6_DataSheet_v02_02_EN-3360757.pdf
BSZ024N04LS6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 8765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.89 грн
10+ 97.79 грн
100+ 67.15 грн
250+ 62.43 грн
500+ 56.69 грн
1000+ 48.59 грн
2500+ 46.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSZ034N04LS Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf
BSZ034N04LS
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.1 грн
10+ 66.28 грн
100+ 44.81 грн
500+ 38 грн
1000+ 30.91 грн
2500+ 29.15 грн
5000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+30.25 грн
10000+ 27.79 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LSATMA1 Infineon-BSZ034N04LS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424c3fe5bc7083
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.65 грн
10+ 60.46 грн
100+ 47.07 грн
500+ 37.44 грн
1000+ 30.49 грн
2000+ 28.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
BSZ034N04LSATMA1 646217493920001bsz034n04ls_rev2.0.pdffileiddb3a304342371bb001424c3fe5bc7083folde.pdf
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSZ034N04LSATMA1 Infineon_BSZ034N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360698.pdf
BSZ034N04LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 31665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.22 грн
10+ 60.3 грн
100+ 41.77 грн
500+ 36.04 грн
1000+ 29.02 грн
2500+ 28.61 грн
5000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
CS1000M-24N-04A en-lv-cs1000-data-sheet.pdf
CS1000M-24N-04A
Виробник: EXCELSYS / Advanced Energy
Description: AC/DC CONVERTER 24V 1000W
Power (Watts): 1000W
Features: Adjustable Output, PFC, PMBus™, Remote Sense, Universal Input
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 10.30" L x 5.00" W x 1.54" H (261.6mm x 127.0mm x 39.1mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 85 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial), Medical
Approval Agency: CSA, EN, IEC, UL
Efficiency: 94%
Voltage - Output 1: 24V
Part Status: Active
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 4 kV
Standard Number: 60601-1; 62368-1
Current - Output 1: 41.6 A
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+49289.97 грн
10+ 44402.27 грн
DCP4N047006ID2KSC9 e_WIMA_DC_Link_MKP_4-1139924.pdf
DCP4N047006ID2KSC9
Виробник: WIMA
Film Capacitors DC-LINK MKP 4 7.0 F 900 VDC 17x34.5x31.5 PCM27.5
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+310.22 грн
10+ 235.93 грн
100+ 191.66 грн
198+ 158.59 грн
594+ 124.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
DCP4N047006ID2KSC9 e_WIMA_DC_Link_MKP_4.pdf
Виробник: WIMA
Description: CAP FILM 7UF 10% 900VDC RAD
Packaging: Bulk
Tolerance: ±10%
Package / Case: Radial
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 105°C
Applications: Automotive; DC Link, DC Filtering
Lead Spacing: 1.083" (27.50mm)
Termination: PC Pins
Ratings: AEC-Q200
Dielectric Material: Polypropylene (PP), Metallized
Voltage Rating - DC: 900V
Height - Seated (Max): 1.358" (34.50mm)
Part Status: Active
Capacitance: 7 µF
ESR (Equivalent Series Resistance): 13 mOhms
Size / Dimension: 1.240" L x 0.669" W (31.50mm x 17.00mm)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.92 грн
10+ 198.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB024N04AL7 FAIRS47112-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDB024N04AL7
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V
на замовлення 29849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+196.17 грн
Мінімальне замовлення: 105
IPB014N04NF2SATMA1 Infineon_IPB014N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN-3083395.pdf
IPB014N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.49 грн
10+ 108.65 грн
100+ 74.91 грн
250+ 68.84 грн
500+ 62.49 грн
800+ 53.45 грн
2400+ 50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPB014N04NF2SATMA1 Infineon-IPB014N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c850f4bee01851d12b8ec6af7
IPB014N04NF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 126µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 20 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.37 грн
10+ 98.21 грн
100+ 78.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
M85049/1714N04 glenair_glens10041-1.pdf
M85049/1714N04
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells STRAIGHT BACKSHELL
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+46698.39 грн
2+ 40140.67 грн
5+ 33545.74 грн
10+ 24036.15 грн
25+ 21663.31 грн
M85049/1714N04A Backshells_M85049_May2012-519737.pdf
M85049/1714N04A
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells 17 Backshell Env-EMI/RFI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4069.01 грн
10+ 3681.04 грн
25+ 3078.08 грн
50+ 2974.83 грн
100+ 2810.83 грн
250+ 2729.17 грн
500+ 2667.08 грн
M85049/2914N04 as85049_29-608197.pdf
M85049/2914N04
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells NON ENV STRN RLF BS SH SZ 14 CLMP SZ 04
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+38803.65 грн
2+ 33356 грн
5+ 27876.16 грн
10+ 19973.44 грн
25+ 18000.8 грн
M85049/2914N04 Backshells_M85049_May2012-519737.pdf
M85049/2914N04
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells 29 Backshell Non Env
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2506.92 грн
10+ 2164.54 грн
25+ 1799.88 грн
50+ 1768.83 грн
100+ 1735.76 грн
250+ 1684.47 грн
500+ 1658.83 грн
M85049/3614N04 as85049_36_and_m38999_7-608224.pdf
M85049/3614N04
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+36902.99 грн
2+ 30317.57 грн
5+ 26315.86 грн
10+ 19447.04 грн
M85049/3614N04 Backshells_M85049_May2012-519737.pdf
M85049/3614N04
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells 36 Backshell Non Env-EMI/RFI
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2695.09 грн
M85049/3614N04A as85049_36_and_m38999_7-2302863.pdf
M85049/3614N04A
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells EMI/RFI NON ENV SHLL SZ14 CLMP SZ04 NI
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+41920.76 грн
2+ 36035.1 грн
5+ 30114.7 грн
10+ 21577.6 грн
25+ 19447.04 грн
NP74N04YUG-E1-AY np74n04yug-data-sheet
NP74N04YUG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+52.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP74N04YUG-E1-AY np74n04yug-data-sheet
NP74N04YUG-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 75A 8HSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XM_D-3388359.pdf
NTMFS0D4N04XMT1G
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6 Power MOSFET, Single, N-Channel, 40V, 0.42mohm, 509A, SO8-FL 5x6
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 266-275 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.92 грн
10+ 169.19 грн
25+ 138.35 грн
100+ 118.78 грн
250+ 112.03 грн
500+ 105.28 грн
1000+ 85.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMTS0D4N04CLTXG ntmts0d4n04cl-d.pdf
NTMTS0D4N04CLTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 341 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
на замовлення 1414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.2 грн
10+ 334.48 грн
100+ 270.63 грн
500+ 225.76 грн
1000+ 193.3 грн
NTMTS0D4N04CTXG ntmts0d4n04c-d.pdf
NTMTS0D4N04CTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTMTS0D4N04CTXG ntmts0d4n04c-d.pdf
NTMTS0D4N04CTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.72 грн
10+ 347.91 грн
100+ 281.44 грн
500+ 234.78 грн
1000+ 201.03 грн
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04C_D-2318869.pdf
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
MOSFET 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.49 грн
10+ 138.15 грн
100+ 95.83 грн
250+ 95.16 грн
500+ 80.98 грн
1000+ 68.84 грн
3000+ 64.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMYS2D4N04CTWG ntmys2d4n04c-d.pdf
NTMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.96 грн
10+ 125.69 грн
100+ 100.08 грн
500+ 79.47 грн
1000+ 67.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTTFS004N04CTAG NTTFS004N04C_D-2319075.pdf
NTTFS004N04CTAG
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.25 грн
10+ 69.62 грн
100+ 45.22 грн
500+ 38.13 грн
1000+ 28.28 грн
1500+ 22.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFWS0D4N04XMT1G nvmfws0d4n04xm-d.pdf
NVMFWS0D4N04XMT1G
Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
на замовлення 1128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.05 грн
10+ 264.32 грн
100+ 213.83 грн
500+ 178.37 грн
NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XM_D-3150358.pdf
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 509 A, 0.42mohm DFNW6 (Pb-Free)
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.37 грн
10+ 290.26 грн
25+ 237.55 грн
100+ 203.81 грн
250+ 193.01 грн
500+ 181.54 грн
1000+ 155.89 грн
NVMTS0D4N04CLTXG nvmts0d4n04cl-d.pdf
NVMTS0D4N04CLTXG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 553.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20600 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+703.02 грн
10+ 580.18 грн
NVMYS2D4N04CTWG nvmys2d4n04c-d.pdf
NVMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.12 грн
10+ 82.74 грн
100+ 64.33 грн
500+ 51.17 грн
1000+ 41.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04C_D-2319618.pdf
NVMYS2D4N04CTWG
Виробник: onsemi
MOSFET Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.59 грн
10+ 90.8 грн
100+ 61.41 грн
500+ 52.03 грн
1000+ 42.38 грн
3000+ 39.88 грн
6000+ 38 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS004N04CTAG NVTFS004N04C_D-2319840.pdf
NVTFS004N04CTAG
Виробник: onsemi
MOSFET Single N-Chn Pwr Mosfet 40V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.14 грн
10+ 83.82 грн
100+ 56.82 грн
500+ 48.12 грн
1000+ 39.14 грн
1500+ 36.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS004N04CLTWG nvtys004n04cl-d.pdf
NVTYS004N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.54 грн
10+ 56.59 грн
100+ 44 грн
500+ 35 грн
1000+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
WA 14N0470k
Виробник: BOCHEN
Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 200
WA 14N0470k
Виробник: MYG
Varistor voltage: 470V; operating voltage: 300VAC; 385VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 118.0J Varistor JVR-14N 471K WA 14N0470k
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
WMB014N04LG4
WMB014N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Mounting: SMD
Case: PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.45 грн
10+ 36.84 грн
24+ 35.36 грн
25+ 32.55 грн
100+ 32.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]