Результат пошуку "20n6" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP120N60EC.pdf Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.84 грн
10+ 369.54 грн
100+ 307.98 грн
500+ 255.02 грн
1000+ 229.52 грн
SC20N65C3; 20A; 650V; N-канальний; Корпус: TO-220
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.96 грн
SIHA120N60E-GE3 SIHA120N60E-GE3 Vishay Siliconix siha120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.44 грн
10+ 278.25 грн
100+ 225.11 грн
SIHB120N60E-GE3 SIHB120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb120n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.34 грн
10+ 305.02 грн
25+ 250.42 грн
100+ 214.74 грн
250+ 202.63 грн
500+ 191.18 грн
1000+ 166.27 грн
SIHB120N60E-GE3 SIHB120N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.71 грн
50+ 262.22 грн
100+ 224.76 грн
500+ 187.49 грн
SIHB120N60E-T1-GE3 SIHB120N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihb120n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.71 грн
10+ 277.82 грн
100+ 224.76 грн
SIHB120N60E-T5-GE3 SIHB120N60E-T5-GE3 Vishay Siliconix sihb120n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.71 грн
10+ 277.82 грн
100+ 224.76 грн
SIHG120N60E-GE3 SIHG120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg120n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.41 грн
10+ 342.95 грн
25+ 272.64 грн
100+ 259.85 грн
500+ 197.91 грн
SIHH120N60E-T1-GE3 SIHH120N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh120n60e.pdf MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+428.03 грн
10+ 354.56 грн
25+ 286.1 грн
100+ 249.75 грн
250+ 235.61 грн
500+ 221.47 грн
1000+ 190.51 грн
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp120n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.15 грн
50+ 257.77 грн
100+ 220.93 грн
500+ 184.3 грн
SIHP120N60E-GE3 SIHP120N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp120n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+315.72 грн
10+ 279.47 грн
25+ 216.09 грн
100+ 192.53 грн
250+ 189.16 грн
500+ 177.04 грн
1000+ 156.18 грн
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.9 грн
3+ 227.9 грн
5+ 198.45 грн
12+ 187.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+333.48 грн
3+ 284 грн
5+ 238.14 грн
12+ 224.67 грн
SPA20N60C3XKSA1 SPA20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA20N60CFD SPA20N60CFD Infineon Technologies Infineon_SPA20N60CFD_DS_v01_04_en-3360039.pdf MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP CoolMOS CFD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.03 грн
10+ 346.05 грн
25+ 268.6 грн
100+ 245.04 грн
250+ 239.65 грн
500+ 209.36 грн
5000+ 208.68 грн
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.12 грн
5+ 176.71 грн
13+ 166.89 грн
100+ 163.38 грн
250+ 160.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+284.55 грн
5+ 220.21 грн
13+ 200.27 грн
100+ 196.06 грн
250+ 192.7 грн
SPB20N60C3 SPB20N60C3 Infineon Technologies Infineon_SPB20N60C3_DS_v02_08_EN-3363677.pdf MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+395.83 грн
10+ 327.47 грн
25+ 236.28 грн
100+ 209.36 грн
250+ 196.57 грн
500+ 184.45 грн
1000+ 166.27 грн
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 Infineon Technologies spb20n60c3_rev.2.5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPB20N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e54cd49a4 Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+192.85 грн
2000+ 174.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPB20N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e54cd49a4 Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.83 грн
10+ 301.6 грн
100+ 244 грн
500+ 203.54 грн
SPB20N60S5ATMA1 SPB20N60S5ATMA1 Infineon Technologies spb20n60s5_rev.2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+179.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A20N60C3_DS_v03_02_EN-1732176.pdf MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.63 грн
10+ 349.14 грн
25+ 242.34 грн
100+ 219.45 грн
500+ 202.63 грн
1000+ 166.27 грн
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 INFINEON INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+418.36 грн
10+ 293 грн
100+ 256 грн
500+ 219.48 грн
1000+ 166.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies SPx20N60C3.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.83 грн
50+ 284.67 грн
100+ 244 грн
500+ 203.54 грн
1000+ 174.28 грн
2000+ 164.11 грн
SPP20N60C3XKSA1 SPP20N60C3XKSA1 Infineon Technologies 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP20N60CFDXKSA1 SPP20N60CFDXKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP20N60CFD_DS_v02_06_en-1994886.pdf MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.68 грн
10+ 222.18 грн
5000+ 192.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPP20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.18 грн
3+ 323.96 грн
7+ 306.43 грн
SPP20N60S5 SPP20N60S5 Infineon Technologies Infineon_SPP20N60S5_DS_v02_08_en-1227687.pdf description MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.62 грн
10+ 365.4 грн
25+ 249.75 грн
100+ 222.15 грн
250+ 221.47 грн
500+ 201.95 грн
1000+ 175.03 грн
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1 Infineon Technologies SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.77 грн
50+ 299.06 грн
100+ 256.34 грн
500+ 213.84 грн
1000+ 183.1 грн
2000+ 172.41 грн
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1 Infineon Technologies spp20n60s5_rev.2.8.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5XKSA1 Infineon SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+330.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.01 грн
3+ 280.49 грн
9+ 265.06 грн
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPx20N65C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+484.81 грн
3+ 349.53 грн
9+ 318.07 грн
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.97 грн
50+ 312.55 грн
100+ 267.9 грн
SPP20N65C3XKSA1 SPP20N65C3XKSA1 Infineon Technologies spp_a_i20n65c3_rev.3.1.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N65C3XKSA1 Infineon Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07 Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+170.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+344.35 грн
3+ 287.5 грн
4+ 241.22 грн
10+ 227.9 грн
30+ 223.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+413.23 грн
3+ 358.27 грн
4+ 289.46 грн
10+ 273.48 грн
30+ 268.43 грн
SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies SPW20N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.1 грн
30+ 334.95 грн
120+ 287.1 грн
SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3FKSA1 Infineon Technologies spw20n60c3_rev.2.5_pcn_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60CFD SPW20N60CFD Infineon Technologies Infineon_SPW20N60CFD_DS_v02_05_en-3360319.pdf MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.82 грн
240+ 224.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60CFDFKSA1 SPW20N60CFDFKSA1 Infineon Technologies spw20n60cfd_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+663.03 грн
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+795.64 грн
2+ 530.42 грн
6+ 482.16 грн
SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5FKSA1 Infineon Technologies spw20n60s5_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60S5FKSA1 Infineon SPW20N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c879f471b N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+339.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SSW20N60S Super Semiconductor Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 190mOhm; 20A; 151W; -55°C ~ 150°C; SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW20n60s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
STB20N65M5 STB20N65M5 STMicroelectronics stb20n65m5-1850250.pdf MOSFET N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+243.46 грн
10+ 201.28 грн
25+ 165.6 грн
100+ 141.37 грн
250+ 133.96 грн
500+ 125.88 грн
1000+ 105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF20N65M5 STF20N65M5 STMicroelectronics 501dm00076416.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF20N65M5 STF20N65M5 STMicroelectronics en.DM00076416.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.69 грн
50+ 141.37 грн
100+ 121.17 грн
500+ 101.08 грн
1000+ 86.55 грн
2000+ 81.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF20N65M5 STF20N65M5 STMicroelectronics stf20n65m5-1850603.pdf MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.7 грн
10+ 164.89 грн
25+ 111.07 грн
100+ 100.3 грн
500+ 94.24 грн
1000+ 86.17 грн
2000+ 82.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI20N65M5 STI20N65M5 STMicroelectronics stb20n65m5-1850250.pdf MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.01 грн
10+ 130.83 грн
100+ 100.98 грн
500+ 94.24 грн
1000+ 92.9 грн
2000+ 88.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics STL20N6F7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.52 грн
10+ 57.92 грн
21+ 40.74 грн
56+ 38.57 грн
500+ 38.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics STL20N6F7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.62 грн
10+ 72.18 грн
21+ 48.89 грн
56+ 46.28 грн
500+ 45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics en.DM00157934.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 8986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.83 грн
10+ 64.02 грн
100+ 49.79 грн
500+ 39.6 грн
1000+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics en.DM00157934.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.6 грн
6000+ 30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL20N6F7 STL20N6F7 STMicroelectronics stl20n6f7-1851041.pdf MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ 20 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 5902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.18 грн
10+ 70.22 грн
100+ 47.53 грн
500+ 40.26 грн
1000+ 32.78 грн
3000+ 30.83 грн
6000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL220N6F7 STL220N6F7 STMicroelectronics en.DM00102385.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+ 174.11 грн
100+ 140.85 грн
500+ 117.49 грн
1000+ 100.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMP120N60EC_T0_00001 PJMP120N60EC.pdf
PJMP120N60EC_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCTION MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB-L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 400 V
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.84 грн
10+ 369.54 грн
100+ 307.98 грн
500+ 255.02 грн
1000+ 229.52 грн
SC20N65C3; 20A; 650V; N-канальний; Корпус: TO-220
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+666.96 грн
SIHA120N60E-GE3 siha120n60e.pdf
SIHA120N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.44 грн
10+ 278.25 грн
100+ 225.11 грн
SIHB120N60E-GE3 sihb120n60e.pdf
SIHB120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+368.34 грн
10+ 305.02 грн
25+ 250.42 грн
100+ 214.74 грн
250+ 202.63 грн
500+ 191.18 грн
1000+ 166.27 грн
SIHB120N60E-GE3 sihb120n60e.pdf
SIHB120N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.71 грн
50+ 262.22 грн
100+ 224.76 грн
500+ 187.49 грн
SIHB120N60E-T1-GE3 sihb120n60e.pdf
SIHB120N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.71 грн
10+ 277.82 грн
100+ 224.76 грн
SIHB120N60E-T5-GE3 sihb120n60e.pdf
SIHB120N60E-T5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.71 грн
10+ 277.82 грн
100+ 224.76 грн
SIHG120N60E-GE3 sihg120n60e.pdf
SIHG120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.41 грн
10+ 342.95 грн
25+ 272.64 грн
100+ 259.85 грн
500+ 197.91 грн
SIHH120N60E-T1-GE3 sihh120n60e.pdf
SIHH120N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK 8x8
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+428.03 грн
10+ 354.56 грн
25+ 286.1 грн
100+ 249.75 грн
250+ 235.61 грн
500+ 221.47 грн
1000+ 190.51 грн
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1562 pF @ 100 V
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+337.15 грн
50+ 257.77 грн
100+ 220.93 грн
500+ 184.3 грн
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
SIHP120N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+315.72 грн
10+ 279.47 грн
25+ 216.09 грн
100+ 192.53 грн
250+ 189.16 грн
500+ 177.04 грн
1000+ 156.18 грн
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+277.9 грн
3+ 227.9 грн
5+ 198.45 грн
12+ 187.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+333.48 грн
3+ 284 грн
5+ 238.14 грн
12+ 224.67 грн
SPA20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPA20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA20N60CFD Infineon_SPA20N60CFD_DS_v01_04_en-3360039.pdf
SPA20N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220FP CoolMOS CFD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.03 грн
10+ 346.05 грн
25+ 268.6 грн
100+ 245.04 грн
250+ 239.65 грн
500+ 209.36 грн
5000+ 208.68 грн
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.12 грн
5+ 176.71 грн
13+ 166.89 грн
100+ 163.38 грн
250+ 160.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+284.55 грн
5+ 220.21 грн
13+ 200.27 грн
100+ 196.06 грн
250+ 192.7 грн
SPB20N60C3 Infineon_SPB20N60C3_DS_v02_08_EN-3363677.pdf
SPB20N60C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 4202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+395.83 грн
10+ 327.47 грн
25+ 236.28 грн
100+ 209.36 грн
250+ 196.57 грн
500+ 184.45 грн
1000+ 166.27 грн
SPB20N60C3ATMA1 spb20n60c3_rev.2.5.pdf
SPB20N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+128.8 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB20N60C3ATMA1 Infineon-SPB20N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e54cd49a4
SPB20N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+192.85 грн
2000+ 174.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB20N60C3ATMA1 Infineon-SPB20N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42e54cd49a4
SPB20N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+372.83 грн
10+ 301.6 грн
100+ 244 грн
500+ 203.54 грн
SPB20N60S5ATMA1 spb20n60s5_rev.2.3.pdf
SPB20N60S5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+179.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SPP20N60C3XKSA1 Infineon_SPP_I_A20N60C3_DS_v03_02_EN-1732176.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+363.63 грн
10+ 349.14 грн
25+ 242.34 грн
100+ 219.45 грн
500+ 202.63 грн
1000+ 166.27 грн
SPP20N60C3XKSA1 INFNS14200-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPP20N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+418.36 грн
10+ 293 грн
100+ 256 грн
500+ 219.48 грн
1000+ 166.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60C3XKSA1 SPx20N60C3.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+372.83 грн
50+ 284.67 грн
100+ 244 грн
500+ 203.54 грн
1000+ 174.28 грн
2000+ 164.11 грн
SPP20N60C3XKSA1 1125380429689861infineon-spp_i_a20n60c3-ds-v03_02-en.pdffileiddb3a304412b40795011.pdf
SPP20N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 9888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP20N60CFDXKSA1 Infineon_SPP20N60CFD_DS_v02_06_en-1994886.pdf
SPP20N60CFDXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 20.7A TO220-3
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.68 грн
10+ 222.18 грн
5000+ 192.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5 description SPP20N60S5.pdf
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+502.18 грн
3+ 323.96 грн
7+ 306.43 грн
SPP20N60S5 description Infineon_SPP20N60S5_DS_v02_08_en-1227687.pdf
SPP20N60S5
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+374.62 грн
10+ 365.4 грн
25+ 249.75 грн
100+ 222.15 грн
250+ 221.47 грн
500+ 201.95 грн
1000+ 175.03 грн
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf
SPP20N60S5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 3416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.77 грн
50+ 299.06 грн
100+ 256.34 грн
500+ 213.84 грн
1000+ 183.1 грн
2000+ 172.41 грн
SPP20N60S5XKSA1 spp20n60s5_rev.2.8.pdf
SPP20N60S5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5_rev2.8_2009-12-01.pdf
Виробник: Infineon
CoolMOS 20A 600V 208W 0.19Ω Qg=103nC SPP20N60S5 TSPP20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+330.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+404.01 грн
3+ 280.49 грн
9+ 265.06 грн
SPP20N65C3 SPx20N65C3.pdf
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+484.81 грн
3+ 349.53 грн
9+ 318.07 грн
SPP20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
SPP20N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.97 грн
50+ 312.55 грн
100+ 267.9 грн
SPP20N65C3XKSA1 spp_a_i20n65c3_rev.3.1.pdf
SPP20N65C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP20N65C3XKSA1 Infineon-SPP_A_I20N65C3-DS-v03_01-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ea4314a07
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB SPP20N65C3HKSA1 SPP20N65C3XKSA1 TSPP20n65c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+170.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+344.35 грн
3+ 287.5 грн
4+ 241.22 грн
10+ 227.9 грн
30+ 223.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.23 грн
3+ 358.27 грн
4+ 289.46 грн
10+ 273.48 грн
30+ 268.43 грн
SPW20N60C3FKSA1 SPW20N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e3702497f
SPW20N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+439.1 грн
30+ 334.95 грн
120+ 287.1 грн
SPW20N60C3FKSA1 spw20n60c3_rev.2.5_pcn_.pdf
SPW20N60C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60CFD Infineon_SPW20N60CFD_DS_v02_05_en-3360319.pdf
SPW20N60CFD
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.82 грн
240+ 224.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60CFDFKSA1 spw20n60cfd_rev.2.4.pdf
SPW20N60CFDFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+663.03 грн
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+795.64 грн
2+ 530.42 грн
6+ 482.16 грн
SPW20N60S5FKSA1 spw20n60s5_rev.2.4.pdf
SPW20N60S5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42c879f471b
Виробник: Infineon
N-MOSFET 600V 2A 208W SPW20N60S5FKSA1 SPW20N60S5 TSPW20n60s5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+339.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SSW20N60S
Виробник: Super Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 190mOhm; 20A; 151W; -55°C ~ 150°C; SSW20N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW20n60s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+90.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
STB20N65M5 stb20n65m5-1850250.pdf
STB20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 18A MDmesh M5 0.19Ohm
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+243.46 грн
10+ 201.28 грн
25+ 165.6 грн
100+ 141.37 грн
250+ 133.96 грн
500+ 125.88 грн
1000+ 105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF20N65M5 501dm00076416.pdf
STF20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF20N65M5 en.DM00076416.pdf
STF20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.69 грн
50+ 141.37 грн
100+ 121.17 грн
500+ 101.08 грн
1000+ 86.55 грн
2000+ 81.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF20N65M5 stf20n65m5-1850603.pdf
STF20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
на замовлення 6152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.7 грн
10+ 164.89 грн
25+ 111.07 грн
100+ 100.3 грн
500+ 94.24 грн
1000+ 86.17 грн
2000+ 82.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STI20N65M5 stb20n65m5-1850250.pdf
STI20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.01 грн
10+ 130.83 грн
100+ 100.98 грн
500+ 94.24 грн
1000+ 92.9 грн
2000+ 88.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL20N6F7 STL20N6F7.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.52 грн
10+ 57.92 грн
21+ 40.74 грн
56+ 38.57 грн
500+ 38.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
STL20N6F7 STL20N6F7.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 78W
Case: PowerFLAT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.62 грн
10+ 72.18 грн
21+ 48.89 грн
56+ 46.28 грн
500+ 45.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL20N6F7 en.DM00157934.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 8986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.83 грн
10+ 64.02 грн
100+ 49.79 грн
500+ 39.6 грн
1000+ 32.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL20N6F7 en.DM00157934.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+33.6 грн
6000+ 30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL20N6F7 stl20n6f7-1851041.pdf
STL20N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ 20 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 5902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.18 грн
10+ 70.22 грн
100+ 47.53 грн
500+ 40.26 грн
1000+ 32.78 грн
3000+ 30.83 грн
6000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
STL220N6F7 en.DM00102385.pdf
STL220N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 2761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.55 грн
10+ 174.11 грн
100+ 140.85 грн
500+ 117.49 грн
1000+ 100.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]