Результат пошуку "40n6" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SIHFPS40N60K-GE3 SIHFPS40N60K-GE3 Vishay / Siliconix sihfps40n60k.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.38 грн
10+ 494.43 грн
25+ 344.49 грн
100+ 307.77 грн
480+ 271.05 грн
960+ 233.66 грн
SIHFPS40N60K-GE3 SIHFPS40N60K-GE3 Vishay Siliconix sihfps40n60k.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.42 грн
30+ 361 грн
120+ 322.99 грн
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg40n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.79 грн
10+ 415.36 грн
25+ 319.12 грн
100+ 291.75 грн
250+ 277.06 грн
500+ 257.7 грн
1000+ 235 грн
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg40n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.75 грн
25+ 344.24 грн
100+ 308.01 грн
500+ 255.05 грн
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.71 грн
10+ 147.5 грн
100+ 119.32 грн
500+ 99.54 грн
1000+ 85.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh240n60e.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.13 грн
10+ 145.11 грн
25+ 124.18 грн
100+ 114.16 грн
250+ 112.16 грн
500+ 101.48 грн
1000+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ240N60E-T1-GE3 SIHJ240N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihj240n60e.pdf MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.17 грн
10+ 164.3 грн
100+ 113.49 грн
250+ 104.82 грн
500+ 94.8 грн
1000+ 81.45 грн
3000+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.54 грн
50+ 149.48 грн
100+ 122.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp240n60e.pdf MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.18 грн
10+ 142.8 грн
100+ 104.82 грн
250+ 94.13 грн
500+ 88.79 грн
1000+ 84.12 грн
2000+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB40N60M2 STB40N60M2 STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB40N60M2 STB40N60M2 STMicroelectronics stp40n60m2-1851419.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.72 грн
10+ 357.01 грн
25+ 309.77 грн
100+ 251.02 грн
250+ 237 грн
500+ 222.98 грн
1000+ 190.94 грн
STB40N60M2 STB40N60M2 STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+401.53 грн
10+ 324.9 грн
100+ 262.87 грн
500+ 219.28 грн
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics en.DM00257307.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics dm00257.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD140N6F7 STD140N6F7 STMicroelectronics en.DM00257307.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.66 грн
10+ 90.27 грн
100+ 71.84 грн
500+ 57.05 грн
1000+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF140N6F7 STF140N6F7 STMicroelectronics en.DM00175557.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.05 грн
50+ 104.43 грн
100+ 85.92 грн
500+ 68.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+427.64 грн
3+ 273.3 грн
9+ 258.7 грн
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+513.16 грн
3+ 340.58 грн
9+ 310.44 грн
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics stf40n60m2-1850649.pdf MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.38 грн
10+ 382.34 грн
25+ 287.07 грн
100+ 245.68 грн
250+ 243.68 грн
500+ 218.31 грн
1000+ 186.26 грн
STF40N60M2 STF40N60M2 STMicroelectronics en.DM00116766.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.59 грн
50+ 300.4 грн
100+ 257.48 грн
500+ 214.79 грн
1000+ 183.91 грн
STF40N65M2 STF40N65M2 STMicroelectronics 720585012014019dm00158277.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF40N65M2 STF40N65M2 STMicroelectronics stf40n65m2-1850570.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.94 грн
10+ 258.73 грн
25+ 210.3 грн
100+ 204.96 грн
500+ 202.95 грн
1000+ 165.57 грн
2000+ 164.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics stl140n6f7-1851132.pdf MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.26 грн
10+ 149.71 грн
100+ 103.48 грн
250+ 102.81 грн
500+ 87.46 грн
1000+ 74.77 грн
3000+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL140N6F7 STL140N6F7 STMicroelectronics en.DM00092175.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.43 грн
10+ 136.17 грн
100+ 108.36 грн
500+ 86.05 грн
1000+ 73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics stp140n6f7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.06 грн
3+ 147.32 грн
9+ 114.33 грн
24+ 108.49 грн
250+ 104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics 13dm00175190.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics en.DM00175190.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.55 грн
50+ 119.71 грн
100+ 98.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 STP140N6F7 STMicroelectronics stp140n6f7-1851273.pdf MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.9 грн
10+ 131.29 грн
100+ 93.47 грн
250+ 86.12 грн
500+ 81.45 грн
1000+ 68.76 грн
2000+ 65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW40N60M2 STW40N60M2 STMicroelectronics 1489dm00089185.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW40N60M2 STW40N60M2 STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+526.47 грн
30+ 404.86 грн
120+ 362.24 грн
510+ 299.95 грн
STW40N65M2 STW40N65M2 STMicroelectronics 3720399501601024dm00158279.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW40N65M2 STW40N65M2 STMicroelectronics en.DM00158279.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.14 грн
30+ 299.13 грн
120+ 256.39 грн
STW40N65M2 STW40N65M2 STMicroelectronics stw40n65m2-1852160.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.82 грн
10+ 373.13 грн
25+ 285.74 грн
100+ 244.35 грн
250+ 217.64 грн
1200+ 193.61 грн
3000+ 174.91 грн
TK040N65Z,S1F TK040N65Z,S1F Toshiba TK040N65Z_datasheet_en_20180718-1386973.pdf MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+801.47 грн
10+ 677.16 грн
WG40N65DFWQ WG40N65DFWQ WeEn Semiconductors WG40N65DFWQ.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.18 грн
9+ 95.97 грн
24+ 90.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
WG40N65DFWQ WG40N65DFWQ WeEn Semiconductors WG40N65DFWQ.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+178.84 грн
3+ 155.99 грн
9+ 115.16 грн
24+ 108.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 40A 600V TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+192.78 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+151.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+206.97 грн
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
AT25040N-6A1623G ATMEL
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AT25040N-6A1623G ATMEL 09+ SO-8
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH040N65S3-F155 ON Semiconductor fch040n65s3-d.pdf
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCHD040N65S3-F155 ON Semiconductor fchd040n65s3-d.pdf
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGAF40N60UFDTU ON Semiconductor FAIRS25147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGAF40N60UFTU ON Semiconductor fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGB40N6S2 FAIRCHILD FAIRS44332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGB40N6S2 FAIRCHILD FAIRS44332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD FAIRCHIL.. QFN16
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60 FAIRCHIL 10+ TO-3P
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60 FAIRCHIL 10+ TO220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60C3 HARRIS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60UFD FAIRCHILD 2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GE40N60D ST
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGTG40N60B3 FAIRCHIL hgtg40n60b3-d.pdf 05+ BGA
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N60TP Infineon technologies INFN-S-A0002786816-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N65F5A Infineon
на замовлення 96720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N65H5 Infineon technologies Part_Number_Guide_Web.pdf
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIHFPS40N60K-GE3 sihfps40n60k.pdf
SIHFPS40N60K-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+502.38 грн
10+ 494.43 грн
25+ 344.49 грн
100+ 307.77 грн
480+ 271.05 грн
960+ 233.66 грн
SIHFPS40N60K-GE3 sihfps40n60k.pdf
SIHFPS40N60K-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+469.42 грн
30+ 361 грн
120+ 322.99 грн
SIHG40N60E-GE3 sihg40n60e.pdf
SIHG40N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+479.79 грн
10+ 415.36 грн
25+ 319.12 грн
100+ 291.75 грн
250+ 277.06 грн
500+ 257.7 грн
1000+ 235 грн
SIHG40N60E-GE3 sihg40n60e.pdf
SIHG40N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.75 грн
25+ 344.24 грн
100+ 308.01 грн
500+ 255.05 грн
SIHH240N60E-T1-GE3 sihh240n60e.pdf
SIHH240N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.71 грн
10+ 147.5 грн
100+ 119.32 грн
500+ 99.54 грн
1000+ 85.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH240N60E-T1-GE3 sihh240n60e.pdf
SIHH240N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.13 грн
10+ 145.11 грн
25+ 124.18 грн
100+ 114.16 грн
250+ 112.16 грн
500+ 101.48 грн
1000+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ240N60E-T1-GE3 sihj240n60e.pdf
SIHJ240N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.17 грн
10+ 164.3 грн
100+ 113.49 грн
250+ 104.82 грн
500+ 94.8 грн
1000+ 81.45 грн
3000+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP240N60E-GE3 sihp240n60e.pdf
SIHP240N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.54 грн
50+ 149.48 грн
100+ 122.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP240N60E-GE3 sihp240n60e.pdf
SIHP240N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.18 грн
10+ 142.8 грн
100+ 104.82 грн
250+ 94.13 грн
500+ 88.79 грн
1000+ 84.12 грн
2000+ 80.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB40N60M2 en.DM00089185.pdf
STB40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+207.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB40N60M2 stp40n60m2-1851419.pdf
STB40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ 34 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.72 грн
10+ 357.01 грн
25+ 309.77 грн
100+ 251.02 грн
250+ 237 грн
500+ 222.98 грн
1000+ 190.94 грн
STB40N60M2 en.DM00089185.pdf
STB40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+401.53 грн
10+ 324.9 грн
100+ 262.87 грн
500+ 219.28 грн
STD140N6F7 en.DM00257307.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD140N6F7 dm00257.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD140N6F7 en.DM00257307.pdf
STD140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 30 V
на замовлення 6468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.66 грн
10+ 90.27 грн
100+ 71.84 грн
500+ 57.05 грн
1000+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF140N6F7 en.DM00175557.pdf
STF140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.05 грн
50+ 104.43 грн
100+ 85.92 грн
500+ 68.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.64 грн
3+ 273.3 грн
9+ 258.7 грн
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 136A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+513.16 грн
3+ 340.58 грн
9+ 310.44 грн
STF40N60M2 stf40n60m2-1850649.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.38 грн
10+ 382.34 грн
25+ 287.07 грн
100+ 245.68 грн
250+ 243.68 грн
500+ 218.31 грн
1000+ 186.26 грн
STF40N60M2 en.DM00116766.pdf
STF40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+393.59 грн
50+ 300.4 грн
100+ 257.48 грн
500+ 214.79 грн
1000+ 183.91 грн
STF40N65M2 720585012014019dm00158277.pdf
STF40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STF40N65M2 stf40n65m2-1850570.pdf
STF40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.94 грн
10+ 258.73 грн
25+ 210.3 грн
100+ 204.96 грн
500+ 202.95 грн
1000+ 165.57 грн
2000+ 164.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL140N6F7 stl140n6f7-1851132.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0024 Ohm typ 140 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.26 грн
10+ 149.71 грн
100+ 103.48 грн
250+ 102.81 грн
500+ 87.46 грн
1000+ 74.77 грн
3000+ 70.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL140N6F7 en.DM00092175.pdf
STL140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.43 грн
10+ 136.17 грн
100+ 108.36 грн
500+ 86.05 грн
1000+ 73.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 stp140n6f7.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.06 грн
3+ 147.32 грн
9+ 114.33 грн
24+ 108.49 грн
250+ 104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 13dm00175190.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STP140N6F7 en.DM00175190.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.55 грн
50+ 119.71 грн
100+ 98.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP140N6F7 stp140n6f7-1851273.pdf
STP140N6F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.9 грн
10+ 131.29 грн
100+ 93.47 грн
250+ 86.12 грн
500+ 81.45 грн
1000+ 68.76 грн
2000+ 65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW40N60M2 1489dm00089185.pdf
STW40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+291.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW40N60M2 en.DM00089185.pdf
STW40N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+526.47 грн
30+ 404.86 грн
120+ 362.24 грн
510+ 299.95 грн
STW40N65M2 3720399501601024dm00158279.pdf
STW40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STW40N65M2 en.DM00158279.pdf
STW40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.14 грн
30+ 299.13 грн
120+ 256.39 грн
STW40N65M2 stw40n65m2-1852160.pdf
STW40N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.82 грн
10+ 373.13 грн
25+ 285.74 грн
100+ 244.35 грн
250+ 217.64 грн
1200+ 193.61 грн
3000+ 174.91 грн
TK040N65Z,S1F TK040N65Z_datasheet_en_20180718-1386973.pdf
TK040N65Z,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFET Power MOSFET 57A 360W 650V
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+801.47 грн
10+ 677.16 грн
WG40N65DFWQ WG40N65DFWQ.pdf
WG40N65DFWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.18 грн
9+ 95.97 грн
24+ 90.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
WG40N65DFWQ WG40N65DFWQ.pdf
WG40N65DFWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 173nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 378ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+178.84 грн
3+ 155.99 грн
9+ 115.16 грн
24+ 108.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 40A 600V TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+192.78 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247
на замовлення 26 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+206.97 грн
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
AT25040N-6A1623G
Виробник: ATMEL
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AT25040N-6A1623G
Виробник: ATMEL
09+ SO-8
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCH040N65S3-F155 fch040n65s3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCHD040N65S3-F155 fchd040n65s3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGAF40N60UFDTU FAIRS25147-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGAF40N60UFTU fgaf40n60uf-d.pdf FAIRS46118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGB40N6S2 FAIRS44332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
07+ TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGB40N6S2 FAIRS44332-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD
Виробник: FAIRCHIL..
QFN16
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH40N60SFD
Виробник: FAIRCHIL
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60
Виробник: FAIRCHIL
10+ TO-3P
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60
Виробник: FAIRCHIL
10+ TO220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60C3
Виробник: HARRIS
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G40N60UFD
Виробник: FAIRCHILD
2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
GE40N60D
Виробник: ST
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGTG40N60B3 hgtg40n60b3-d.pdf
Виробник: FAIRCHIL
05+ BGA
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N60TP INFN-S-A0002786816-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N65F5A
Виробник: Infineon
на замовлення 96720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW40N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]