Результат пошуку "7N60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPW47N60C3 Код товару: 43153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 650 V Idd,A: 47 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24 Монтаж: THT |
у наявності: 43 шт
30 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
3 шт
3 шт - очікується
|
|
||||||||||||||
![]() |
SSS7N60B Код товару: 32907
Додати до обраних
Обраний товар
|
Fairchild |
![]() Корпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 21 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
7N60 | SMFSC°ЧЖ¬ |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
7N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
7N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
![]() |
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D2FC-F-7N(60M) | OMRON Electronic Components |
![]() Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO Type of switch: microswitch SNAP ACTION DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC Switches features: without lever Contacts configuration: SPST-NO Max. contact resistance:: 100mΩ Switching method: OFF-(ON) Number of positions: 2 Manufacturer series: D2FC Stable positions number: 1 IP rating: IP40 Leads: for PCB Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm Mechanical durability: 60000000 cycles Operating temperature: -25...65°C Operating Force: 0.59N Min. insulation resistance: 0.1GΩ Terminal pitch: 5.08mm Contact material: silver Actuator colour: orange Mounting: PCB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1548 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
D2FC-F-7N(60M) | Omron Electronics |
![]() |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA47N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA47N60-F109 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCA47N60F | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 16359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCD7N60TM-WS | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.27µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: SuperFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60-F133 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() +1 |
FCH47N60F-F133 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Pulsed drain current: 141A Power dissipation: 417W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCH47N60F-F133 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCI7N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP7N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF7N60 | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FDPF17N60NT | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXKR47N60C5 | IXYS |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
L47N-600-1 | TE Connectivity / DEUTSCH |
![]() |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
M83-LML3M7N60-0000-000 | Harwin |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NTHL017N60S5H | onsemi |
![]() |
на замовлення 169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SIHD7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 3423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHF7N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AE-GE3 | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60AEF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-E3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-GE3 | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 357W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.22µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHG47N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP7N60E-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 6522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 6458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHW47N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHW47N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
на замовлення 144 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPA07N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() ![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7A Power dissipation: 32W Case: PG-TO220-3-FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 144 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPA07N60C3XKSA1 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD07N60C3 | Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPD07N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP07N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
на замовлення 116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 116 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW47N60C3 | Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPW47N60C3 | Infineon |
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SSW47N60S | Super Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55°C ~ 150°C; SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW47n60s кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STB37N60DM2AG | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STB47N60DM6AG | STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SPW47N60C3 Код товару: 43153
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 43 шт
30 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
3 шт
3 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 299.00 грн |
10+ | 275.00 грн |
SSS7N60B Код товару: 32907
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 21 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 38.00 грн |
10+ | 34.50 грн |
7N60 |
Виробник: SMFSC°ЧЖ¬
на замовлення 175000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
7N60 |
Виробник: to-220/f
AAT
AAT
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
7N60 AAT |
TO-220/F 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
AOTF7N60FD |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 56.72 грн |
9+ | 47.79 грн |
25+ | 36.79 грн |
AOTF7N60FD |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.56 грн |
25+ | 44.14 грн |
69+ | 41.69 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
![]() |
Виробник: OMRON Electronic Components
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switches features: without lever
Contacts configuration: SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Switching method: OFF-(ON)
Number of positions: 2
Manufacturer series: D2FC
Stable positions number: 1
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Mechanical durability: 60000000 cycles
Operating temperature: -25...65°C
Operating Force: 0.59N
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Contact material: silver
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switches features: without lever
Contacts configuration: SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Switching method: OFF-(ON)
Number of positions: 2
Manufacturer series: D2FC
Stable positions number: 1
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Mechanical durability: 60000000 cycles
Operating temperature: -25...65°C
Operating Force: 0.59N
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Contact material: silver
Actuator colour: orange
Mounting: PCB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.82 грн |
10+ | 47.31 грн |
25+ | 42.92 грн |
30+ | 37.64 грн |
81+ | 35.56 грн |
500+ | 34.62 грн |
1000+ | 34.24 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
![]() |
Виробник: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 48.42 грн |
11+ | 34.19 грн |
25+ | 28.52 грн |
50+ | 27.47 грн |
100+ | 26.94 грн |
1000+ | 26.86 грн |
FCA47N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 869.81 грн |
10+ | 577.95 грн |
120+ | 471.63 грн |
FCA47N60-F109 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 650V SUPER FET
MOSFETs 650V SUPER FET
на замовлення 721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 936.72 грн |
10+ | 557.12 грн |
120+ | 452.01 грн |
FCA47N60F |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
MOSFETs 47A, 600V SuperFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 883.89 грн |
10+ | 664.73 грн |
120+ | 535.77 грн |
510+ | 493.51 грн |
FCD7N60TM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
MOSFETs N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.29 грн |
10+ | 145.79 грн |
100+ | 78.48 грн |
500+ | 71.39 грн |
1000+ | 68.82 грн |
2500+ | 63.84 грн |
FCD7N60TM-WS |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
MOSFETs Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 147.02 грн |
10+ | 109.34 грн |
100+ | 78.48 грн |
500+ | 72.06 грн |
1000+ | 66.86 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 772.02 грн |
2+ | 684.65 грн |
4+ | 646.92 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 926.42 грн |
2+ | 853.17 грн |
4+ | 776.30 грн |
FCH47N60-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 718.38 грн |
10+ | 561.46 грн |
120+ | 427.11 грн |
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; Idm: 141A; 417W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 141A
Power dissipation: 417W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 843.97 грн |
2+ | 670.50 грн |
4+ | 633.55 грн |
FCH47N60F-F133 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
MOSFETs 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 921.75 грн |
10+ | 590.97 грн |
FCI7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs HIGH POWER
MOSFETs HIGH POWER
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.69 грн |
10+ | 167.48 грн |
100+ | 102.63 грн |
500+ | 90.55 грн |
1000+ | 86.02 грн |
FCP7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 259.71 грн |
10+ | 129.30 грн |
100+ | 100.36 грн |
500+ | 81.50 грн |
1000+ | 74.18 грн |
FCPF7N60 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 159.35 грн |
10+ | 106.74 грн |
500+ | 86.78 грн |
1000+ | 82.25 грн |
FDPF17N60NT |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs UniFET2 600V
MOSFETs UniFET2 600V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 245.62 грн |
10+ | 144.92 грн |
100+ | 115.45 грн |
500+ | 108.66 грн |
FDU7N60NZTU |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 39.99 грн |
FDU7N60NZTU |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 39.99 грн |
IRFP27N60KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 635.73 грн |
4+ | 275.90 грн |
10+ | 260.97 грн |
IRFP27N60KPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 762.88 грн |
4+ | 343.82 грн |
10+ | 313.16 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1362.04 грн |
2+ | 1196.36 грн |
3+ | 1195.58 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1634.44 грн |
2+ | 1490.85 грн |
3+ | 1434.69 грн |
30+ | 1388.47 грн |
IXKR47N60C5 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
MOSFETs 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1810.05 грн |
10+ | 1717.37 грн |
120+ | 1359.80 грн |
L47N-600-1 |
![]() |
Виробник: TE Connectivity / DEUTSCH
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 640.03 грн |
M83-LML3M7N60-0000-000 |
![]() |
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3203.67 грн |
8+ | 2596.44 грн |
24+ | 2190.62 грн |
NTHL017N60S5H |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
MOSFETs SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1237.80 грн |
10+ | 871.27 грн |
120+ | 660.28 грн |
SIHD7N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 175.19 грн |
10+ | 107.61 грн |
100+ | 81.50 грн |
500+ | 69.42 грн |
1000+ | 59.92 грн |
3000+ | 56.52 грн |
6000+ | 54.63 грн |
SIHF7N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.30 грн |
10+ | 119.76 грн |
100+ | 73.20 грн |
2000+ | 69.42 грн |
SIHG47N60AE-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 486.85 грн |
10+ | 352.32 грн |
SIHG47N60AEF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 650.59 грн |
10+ | 465.14 грн |
100+ | 343.35 грн |
SIHG47N60E-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 724.55 грн |
10+ | 474.68 грн |
100+ | 349.38 грн |
500+ | 329.01 грн |
SIHG47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 673.82 грн |
2+ | 556.52 грн |
5+ | 526.65 грн |
SIHG47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 357W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 357W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 808.59 грн |
2+ | 693.51 грн |
5+ | 631.98 грн |
SIHG47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 731.59 грн |
10+ | 505.06 грн |
100+ | 434.65 грн |
500+ | 387.11 грн |
1000+ | 381.08 грн |
SIHG47N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHW
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 695.49 грн |
10+ | 588.37 грн |
100+ | 427.11 грн |
500+ | 425.60 грн |
1000+ | 378.06 грн |
SIHP7N60E-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 6522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 183.12 грн |
10+ | 108.47 грн |
100+ | 71.39 грн |
500+ | 66.18 грн |
1000+ | 60.52 грн |
2000+ | 58.78 грн |
5000+ | 58.41 грн |
SIHP7N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 87.86 грн |
100+ | 79.84 грн |
500+ | 60.82 грн |
1000+ | 58.10 грн |
2000+ | 56.97 грн |
SIHW47N60E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 787.05 грн |
10+ | 527.62 грн |
SIHW47N60EF-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
MOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 793.22 грн |
10+ | 611.80 грн |
100+ | 443.71 грн |
480+ | 335.80 грн |
SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 210.78 грн |
10+ | 99.83 грн |
26+ | 94.33 грн |
100+ | 90.40 грн |
SPA07N60C3 | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 32W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 252.94 грн |
10+ | 124.40 грн |
26+ | 113.19 грн |
100+ | 108.47 грн |
SPA07N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3 TSPA07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA07N60C3XKSA1 SPA07N60C3 TSPA07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 74.16 грн |
SPD07N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1; SPD07N60C3 TSPD07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 650V; 20V; 1,46Ohm; 7,3A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD07N60C3ATMA1; SPD07N60C3BTMA1; SPD07N60C3 TSPD07n60c3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 44.26 грн |
SPD07N60C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
MOSFETs LOW POWER_LEGACY
на замовлення 4470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 200.72 грн |
10+ | 131.90 грн |
100+ | 72.67 грн |
1000+ | 69.42 грн |
2500+ | 61.50 грн |
SPP07N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3
MOSFETs N-Ch 650V 7.3A TO220-3
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 237.70 грн |
10+ | 151.86 грн |
100+ | 96.59 грн |
500+ | 81.50 грн |
1000+ | 69.42 грн |
2500+ | 66.18 грн |
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 876.14 грн |
2+ | 727.09 грн |
4+ | 687.79 грн |
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1051.37 грн |
2+ | 906.07 грн |
4+ | 825.35 грн |
SPW47N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 909.42 грн |
10+ | 885.15 грн |
25+ | 457.29 грн |
100+ | 409.75 грн |
SPW47N60C3 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 875.35 грн |
SPW47N60CFDFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1069.14 грн |
2+ | 683.07 грн |
4+ | 646.13 грн |
SSW47N60S |
Виробник: Super Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55°C ~ 150°C; SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW47n60s
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 70mOhm; 47A; 391W; -55°C ~ 150°C; SSW47N60S SUPER SEMICONDUCTOR TSSW47n60s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 213.35 грн |
STB37N60DM2AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 518.54 грн |
10+ | 392.24 грн |
100+ | 276.19 грн |
1000+ | 224.87 грн |
STB47N60DM6AG |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 549.35 грн |
10+ | 380.96 грн |
100+ | 257.32 грн |
500+ | 254.30 грн |
1000+ | 213.55 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]