Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13529) > Сторінка 101 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TCR2LF36,LM(CT TCR2LF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE31 Description: IC REG LINEAR 3.6V 200MA SMV
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM055,LF TCR5AM055,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055 Description: IC REG LDO 0.55V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM06,LF TCR5AM06,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 0.6V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM065,LF TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 0.65V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM07,LF TCR5AM07,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055 Description: IC REG LDO 0.7V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM075,LF TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055 Description: IC REG LDO 0.75V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM08,LF TCR5AM08,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055 Description: IC REG LDO 0.8V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM085,LF TCR5AM085,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055 Description: IC REG LDO 0.85V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM09,LF TCR5AM09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 0.9V 500MA 5DFNB
Current - Supply (Max): 68 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 500mA
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
12+25.45 грн
25+23.73 грн
100+17.82 грн
250+16.55 грн
500+14.00 грн
1000+10.64 грн
2500+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM095,LF TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055 Description: IC REG LDO 0.95V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM105,LF TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055 Description: IC REG LDO 1.05V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W55FU,LF TC75W55FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75W55FU Description: IC OPAMP GP 160KHZ SM8-8
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCK302G,LF TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCK302G Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 9WCSP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE10,LM(CT TCR2LE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10 Description: IC REG LDO 1V 0.2A ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE27,LM(CT TCR2LE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10 Description: IC REG LDO 2.7V 0.2A ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE36,LM(CT TCR2LE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10 Description: IC REG LDO 3.6V 0.2A ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF10,LM(CT TCR2LF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LF30 Description: IC REG LDO 1V 0.2A SMV
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110,LF(CT RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F DF2B5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30755&prodName=DF2B5M4SL Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.18 грн
20000+3.67 грн
30000+3.49 грн
50000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F DF2B6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30758&prodName=DF2B6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.15 грн
20000+1.87 грн
30000+1.76 грн
50000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
20000+1.66 грн
30000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.15 грн
20000+1.87 грн
30000+1.76 грн
50000+1.55 грн
70000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F DF2B5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30755&prodName=DF2B5M4SL Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 69834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.02 грн
22+14.03 грн
100+8.77 грн
500+6.08 грн
1000+5.39 грн
2000+4.80 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F DF2B6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30758&prodName=DF2B6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 13791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.70 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
2000+4.32 грн
5000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 64813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 41478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
2000+2.27 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 103824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FWFG(C,J) TMPM333FWFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 78
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: POR, WDT
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 12x10b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 8K x 8
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
Speed: 40MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.24 грн
10+260.87 грн
25+242.25 грн
200+195.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FYFG(C) TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.17 грн
10+228.64 грн
25+212.16 грн
200+171.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) TMPM380FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.79 грн
10+33.13 грн
100+21.36 грн
500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.45 грн
10+150.29 грн
100+104.45 грн
500+79.63 грн
1000+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.81 грн
10+79.02 грн
100+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.69 грн
10+165.66 грн
100+115.93 грн
500+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.39 грн
10+179.91 грн
100+126.61 грн
500+97.46 грн
1000+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+74.70 грн
100+58.08 грн
500+46.21 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+86.86 грн
100+69.11 грн
500+54.88 грн
1000+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF36,LM(CT docget.jsp?did=28807&prodName=TCR2LE31
TCR2LF36,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.6V 200MA SMV
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM055,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055
TCR5AM055,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 0.55V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM06,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM06,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.6V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM065,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM065,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.65V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM07,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055
TCR5AM07,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 0.7V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM075,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055
TCR5AM075,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 0.75V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM08,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055
TCR5AM08,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 0.8V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM085,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055
TCR5AM085,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 0.85V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM09,LF TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM09,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 0.9V 500MA 5DFNB
Current - Supply (Max): 68 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.23V @ 500mA
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.9V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.00 грн
12+25.45 грн
25+23.73 грн
100+17.82 грн
250+16.55 грн
500+14.00 грн
1000+10.64 грн
2500+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM095,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055
TCR5AM095,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 0.95V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM105,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR5AM055
TCR5AM105,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1.05V 0.5A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC75W55FU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC75W55FU
TC75W55FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC OPAMP GP 160KHZ SM8-8
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCK302G,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCK302G
TCK302G,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC POWER DIST LOAD SWITCH 9WCSP
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE10,LM(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10
TCR2LE10,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.2A ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE27,LM(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10
TCR2LE27,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 2.7V 0.2A ESV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE36,LM(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10
TCR2LE36,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.2A ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF10,LM(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LF30
TCR2LF10,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.2A SMV
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111
RN1110,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F docget.jsp?did=30755&prodName=DF2B5M4SL
DF2B5M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.18 грн
20000+3.67 грн
30000+3.49 грн
50000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F docget.jsp?did=30758&prodName=DF2B6M4SL
DF2B6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL
DF2B7M3SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL
DF2S5.1ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL
DF2S5.6ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.15 грн
20000+1.87 грн
30000+1.76 грн
50000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL
DF2S6.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.92 грн
20000+1.66 грн
30000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL
DF2S6.8ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+2.15 грн
20000+1.87 грн
30000+1.76 грн
50000+1.55 грн
70000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL
DF2S8.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F docget.jsp?did=30755&prodName=DF2B5M4SL
DF2B5M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 69834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.02 грн
22+14.03 грн
100+8.77 грн
500+6.08 грн
1000+5.39 грн
2000+4.80 грн
5000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F docget.jsp?did=30758&prodName=DF2B6M4SL
DF2B6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL
DF2B7M3SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 13791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.70 грн
24+12.69 грн
100+7.92 грн
500+5.49 грн
1000+4.86 грн
2000+4.32 грн
5000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL
DF2S5.1ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL
DF2S5.6ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 64813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL
DF2S6.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 41478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.62 грн
44+6.94 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
2000+2.27 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL
DF2S6.8ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 103824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
5000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL
DF2S8.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.17 грн
39+7.76 грн
100+4.78 грн
500+3.26 грн
1000+2.86 грн
2000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FWFG(C,J) docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG
TMPM333FWFG(C,J)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 78
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: POR, WDT
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 12x10b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 8K x 8
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
Speed: 40MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.24 грн
10+260.87 грн
25+242.25 грн
200+195.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FYFG(C) docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG
TMPM333FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.17 грн
10+228.64 грн
25+212.16 грн
200+171.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG
TMPM380FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.79 грн
10+33.13 грн
100+21.36 грн
500+15.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.45 грн
10+150.29 грн
100+104.45 грн
500+79.63 грн
1000+78.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.81 грн
10+79.02 грн
100+63.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+262.69 грн
10+165.66 грн
100+115.93 грн
500+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.39 грн
10+179.91 грн
100+126.61 грн
500+97.46 грн
1000+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+74.70 грн
100+58.08 грн
500+46.21 грн
1000+37.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.49 грн
10+86.86 грн
100+69.11 грн
500+54.88 грн
1000+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+55.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]