Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 99 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLP293-4(V4-TR,E TLP293-4(V4-TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP293-4_datasheet_en_20190520.pdf?did=15287&prodName=TLP293-4 Description: OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.79 грн
10+73.68 грн
100+55.50 грн
500+44.54 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(MBHATLE TLP293-4(MBHATLE Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP293-4 Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TH58NVG3S0HTAI0 TH58NVG3S0HTAI0 Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TH58NVG3S0HTAI0 Description: IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62781FNG,C8,EL TB62781FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG.pdf Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 9
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 40mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 20-SSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20A10M3(STA4,Q,M TJ20A10M3(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ20A10M3 Description: MOSFET P-CH 100V 20A TO220SIS-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4Q(M TJ9A10M3,S4Q(M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ9A10M3 Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ11A10M3,S5Q(M TJ11A10M3,S5Q(M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ11A10M3 Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB2941HQ(O) TB2941HQ(O) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB2941HQ Description: IC AMP BTL AUDIO 4CH
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62781FNG,C8,EL TB62781FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG.pdf Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 20SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 9
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 40mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 20-SSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.17 грн
10+126.37 грн
25+119.18 грн
100+95.29 грн
250+89.47 грн
500+78.29 грн
1000+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M 1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.97 грн
20000+1.88 грн
30000+1.83 грн
50000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.57 грн
6000+1.44 грн
9000+1.03 грн
15000+0.94 грн
21000+0.93 грн
30000+0.92 грн
75000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF TC4W53FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.73 грн
6000+7.21 грн
9000+7.10 грн
15000+6.55 грн
21000+6.48 грн
30000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Current - Supply (Max): 68 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M 1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 81387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.25 грн
39+8.26 грн
100+5.76 грн
500+3.96 грн
1000+3.43 грн
2000+3.06 грн
5000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 8425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
27+11.80 грн
100+7.34 грн
500+5.07 грн
1000+4.47 грн
2000+3.98 грн
5000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 183564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.98 грн
55+5.74 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF TC4W53FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 62791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.78 грн
26+12.50 грн
29+11.04 грн
100+8.89 грн
250+8.19 грн
500+7.76 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Current - Supply (Max): 68 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 6253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.00 грн
10+91.22 грн
100+61.67 грн
500+45.99 грн
1000+40.95 грн
2000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.64 грн
10+54.49 грн
100+35.90 грн
500+26.20 грн
1000+23.78 грн
2000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NT0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-WH0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NT0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-WH0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NT0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-WH0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-BL,LF 2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19294&prodName=2SC4117 Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.75 грн
6000+2.37 грн
9000+2.22 грн
15000+1.93 грн
21000+1.84 грн
30000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC02FT 74VHC02FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15077&prodName=74VHC02FT Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.41 грн
5000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT04AFT 74VHCT04AFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15620&prodName=74VHCT04AFT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU,LF DF3A5.6LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM CST3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6JE,LM DF5A5.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22256&prodName=DF5A5.6JE Description: TVS DIODE 2.5VWM ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2051&prodName=SSM3J327R Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.81 грн
6000+4.17 грн
9000+3.38 грн
15000+3.07 грн
21000+2.97 грн
30000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35CTC_datasheet_en_20210201.pdf?did=35712&prodName=SSM3J35CTC Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF SSM3K15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5878&prodName=SSM3K15AFU Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.05 грн
6000+2.62 грн
9000+2.46 грн
15000+2.14 грн
21000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15672&prodName=SSM3K2615R Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
6000+10.64 грн
9000+9.43 грн
15000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(V4-TR,E TLP293-4_datasheet_en_20190520.pdf?did=15287&prodName=TLP293-4
TLP293-4(V4-TR,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 4CH TRANS 16-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 50% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 16-SO
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 4
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 6710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.79 грн
10+73.68 грн
100+55.50 грн
500+44.54 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLP293-4(MBHATLE docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP293-4
TLP293-4(MBHATLE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TH58NVG3S0HTAI0 docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TH58NVG3S0HTAI0
TH58NVG3S0HTAI0
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62781FNG,C8,EL TB62781FNG.pdf
TB62781FNG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 20SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 9
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 40mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 20-SSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ20A10M3(STA4,Q,M docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ20A10M3
TJ20A10M3(STA4,Q,M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 100V 20A TO220SIS-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4Q(M docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ9A10M3
TJ9A10M3,S4Q(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ11A10M3,S5Q(M docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TJ11A10M3
TJ11A10M3,S5Q(M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO220SIS-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TB2941HQ(O) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB2941HQ
TB2941HQ(O)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC AMP BTL AUDIO 4CH
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62781FNG,C8,EL TB62781FNG.pdf
TB62781FNG,C8,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 20SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Voltage - Output: 28V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 9
Type: Linear
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output / Channel: 40mA
Internal Switch(s): Yes
Supplier Device Package: 20-SSOP
Voltage - Supply (Min): 3V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.17 грн
10+126.37 грн
25+119.18 грн
100+95.29 грн
250+89.47 грн
500+78.29 грн
1000+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427
1SS427,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.97 грн
20000+1.88 грн
30000+1.83 грн
50000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30
CBS10S30,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40
CBS10S40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC
DF2B12M2SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
SSM3K15ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU
SSM6K403TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK
T2N7002AK,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.57 грн
6000+1.44 грн
9000+1.03 грн
15000+0.94 грн
21000+0.93 грн
30000+0.92 грн
75000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU
TC4W53FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.73 грн
6000+7.21 грн
9000+7.10 грн
15000+6.55 грн
21000+6.48 грн
30000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Current - Supply (Max): 68 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427
1SS427,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 81387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.25 грн
39+8.26 грн
100+5.76 грн
500+3.96 грн
1000+3.43 грн
2000+3.06 грн
5000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30
CBS10S30,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40
CBS10S40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC
DF2B12M2SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT_datasheet_en_20140301.pdf?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
SSM3K15ACT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 8425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
27+11.80 грн
100+7.34 грн
500+5.07 грн
1000+4.47 грн
2000+3.98 грн
5000+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU
SSM6K403TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU
SSM6K411TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK
T2N7002AK,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 183564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.98 грн
55+5.74 грн
100+3.51 грн
500+2.38 грн
1000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU
TC4W53FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 62791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.78 грн
26+12.50 грн
29+11.04 грн
100+8.89 грн
250+8.19 грн
500+7.76 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM10,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 500mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Control Features: Enable
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Current - Supply (Max): 68 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC
DF2B12M2SC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU
SSM6K411TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU
SSM6K411TU(TE85L,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD
TPH1R712MD,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+40.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD
TPN4R712MD,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD
TPH1R712MD,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 6253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.00 грн
10+91.22 грн
100+61.67 грн
500+45.99 грн
1000+40.95 грн
2000+38.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD
TPN4R712MD,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.64 грн
10+54.49 грн
100+35.90 грн
500+26.20 грн
1000+23.78 грн
2000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B.pdf
TL1L4-DW0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B.pdf
TL1L4-NT0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B.pdf
TL1L4-NW0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B.pdf
TL1L4-WH0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B.pdf
TL1L4-DW0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B.pdf
TL1L4-NT0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B.pdf
TL1L4-NW0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B.pdf
TL1L4-WH0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B.pdf
TL1L4-DW0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B.pdf
TL1L4-NT0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B.pdf
TL1L4-NW0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B.pdf
TL1L4-WH0,L4A5B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-BL,LF docget.jsp?did=19294&prodName=2SC4117
2SC4117-BL,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 100 mW
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.75 грн
6000+2.37 грн
9000+2.22 грн
15000+1.93 грн
21000+1.84 грн
30000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC02FT docget.jsp?did=15077&prodName=74VHC02FT
74VHC02FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+5.41 грн
5000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT04AFT docget.jsp?did=15620&prodName=74VHCT04AFT
74VHCT04AFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
DF3A5.6LFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM CST3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6JE,LM DF5A5.6JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22256&prodName=DF5A5.6JE
DF5A5.6JE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Supplier Device Package: ESV
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1102MFV
RN1103MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF docget.jsp?did=2051&prodName=SSM3J327R
SSM3J327R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.81 грн
6000+4.17 грн
9000+3.38 грн
15000+3.07 грн
21000+2.97 грн
30000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC_datasheet_en_20210201.pdf?did=35712&prodName=SSM3J35CTC
SSM3J35CTC,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF SSM3K15AFU_datasheet_en_20140301.pdf?did=5878&prodName=SSM3K15AFU
SSM3K15AFU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.05 грн
6000+2.62 грн
9000+2.46 грн
15000+2.14 грн
21000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF docget.jsp?did=15672&prodName=SSM3K2615R
SSM3K2615R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.33 грн
6000+10.64 грн
9000+9.43 грн
15000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]