Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 102 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TMPM333FYFG(C) TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.80 грн
10+233.96 грн
25+217.10 грн
200+175.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) TMPM380FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
10+30.85 грн
100+19.88 грн
500+14.18 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.56 грн
10+85.60 грн
100+57.92 грн
500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 11058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.46 грн
10+150.35 грн
100+104.46 грн
500+79.64 грн
1000+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+80.86 грн
100+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.80 грн
10+169.51 грн
100+118.63 грн
500+91.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.00 грн
10+184.09 грн
100+129.55 грн
500+99.72 грн
1000+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.53 грн
10+76.43 грн
100+59.44 грн
500+47.28 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+88.88 грн
100+70.72 грн
500+56.16 грн
1000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15196&prodName=TK25E60X Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15197&prodName=TK25N60X Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W5,S5VX TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14493&prodName=TK7A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VX TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14495&prodName=TK8A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14291&prodName=TK10A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14961&prodName=TK20N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15557&prodName=TK25N60X5 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.80 грн
30+233.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14536&prodName=TK39N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.85 грн
30+284.63 грн
120+239.28 грн
510+202.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1Q TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1Q TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6Q65W Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14508&prodName=TK17E65W Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5X TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15580&prodName=TK8A65W Description: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.53 грн
50+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14509&prodName=TK17N65W Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14530&prodName=TK28N65W Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+528.88 грн
30+296.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14504&prodName=TK14E65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.46 грн
10+206.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14533&prodName=TK35A65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1F TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14526&prodName=TK14N65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.45 грн
30+242.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X TK25A60X,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15195&prodName=TK25A60X Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VX TK16E60W5,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage TK16E60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14274&prodName=TK16E60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5X TK25A60X5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15552&prodName=TK25A60X5 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q65W,S1Q TK8Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TK8Q65W_datasheet_en_20140930.pdf?did=15581&prodName=TK8Q65W Description: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5X TK5A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15564&prodName=TK5A65W Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5X TK6A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15568&prodName=TK6A65W Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.14 грн
50+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A65W,S5X TK7A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15574&prodName=TK7A65W Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A65W,S5X TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15583&prodName=TK9A65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X TK28A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15562&prodName=TK28A65W Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.80 грн
50+216.82 грн
100+198.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62003APG TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29886&prodName=TBD62003AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.35 грн
10+82.85 грн
25+75.32 грн
100+62.88 грн
250+59.17 грн
500+56.93 грн
1000+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62004APG TBD62004APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29886&prodName=TBD62003AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+83.92 грн
25+76.26 грн
100+63.67 грн
250+59.91 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62083APG TBD62083APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG_datasheet_en_20160511.pdf?did=29893&prodName=TBD62083AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Active
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.55 грн
20+124.35 грн
40+117.02 грн
100+102.58 грн
260+96.76 грн
500+93.60 грн
1000+89.33 грн
2500+86.44 грн
5000+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG_datasheet_en_20160511.pdf?did=29893&prodName=TBD62083AFG Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Active
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.11 грн
20+96.29 грн
40+90.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783APG TBD62783APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG_datasheet_en_20160511.pdf?did=30523&prodName=TBD62783AFG Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Active
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.82 грн
21+133.70 грн
42+125.99 грн
105+110.59 грн
252+104.91 грн
504+101.31 грн
1008+96.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6562ANG,8 TB6562ANG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG_datasheet_en_20120928.pdf?did=2725&prodName=TB6562AFG Description: IC MTR DRV BIPOLAR 10-34V 24SDIP
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 24-SDIP
Voltage - Load: 10V ~ 34V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 10V ~ 34V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 1.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FYFG(C) docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG
TMPM333FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+291.80 грн
10+233.96 грн
25+217.10 грн
200+175.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG
TMPM380FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Bidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.54 грн
10+30.85 грн
100+19.88 грн
500+14.18 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.56 грн
10+85.60 грн
100+57.92 грн
500+43.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 11058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.46 грн
10+150.35 грн
100+104.46 грн
500+79.64 грн
1000+78.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.39 грн
10+80.86 грн
100+65.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+268.80 грн
10+169.51 грн
100+118.63 грн
500+91.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+291.00 грн
10+184.09 грн
100+129.55 грн
500+99.72 грн
1000+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+97.53 грн
10+76.43 грн
100+59.44 грн
500+47.28 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.01 грн
10+88.88 грн
100+70.72 грн
500+56.16 грн
1000+47.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+70.82 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+56.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X docget.jsp?did=15196&prodName=TK25E60X
TK25E60X,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F docget.jsp?did=15197&prodName=TK25N60X
TK25N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+431.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W5,S5VX TK7A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14493&prodName=TK7A60W5
TK7A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VX TK8A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14495&prodName=TK8A60W5
TK8A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX docget.jsp?did=14291&prodName=TK10A60W5
TK10A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+183.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF docget.jsp?did=14961&prodName=TK20N60W5
TK20N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+412.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F docget.jsp?did=15557&prodName=TK25N60X5
TK25N60X5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+425.80 грн
30+233.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF docget.jsp?did=14536&prodName=TK39N60W5
TK39N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+509.85 грн
30+284.63 грн
120+239.28 грн
510+202.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1Q
TK5Q65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+100.70 грн
10+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1Q docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6Q65W
TK6Q65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X docget.jsp?did=14508&prodName=TK17E65W
TK17E65W,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+349.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5X docget.jsp?did=15580&prodName=TK8A65W
TK8A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.53 грн
50+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F docget.jsp?did=14509&prodName=TK17N65W
TK17N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F docget.jsp?did=14530&prodName=TK28N65W
TK28N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+528.88 грн
30+296.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X TK14E65W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14504&prodName=TK14E65W5
TK14E65W5,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.46 грн
10+206.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X docget.jsp?did=14533&prodName=TK35A65W5
TK35A65W5,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1F docget.jsp?did=14526&prodName=TK14N65W5
TK14N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+442.45 грн
30+242.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X,S5X docget.jsp?did=15195&prodName=TK25A60X
TK25A60X,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+307.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK16E60W5,S1VX TK16E60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14274&prodName=TK16E60W5
TK16E60W5,S1VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 790µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK25A60X5,S5X docget.jsp?did=15552&prodName=TK25A60X5
TK25A60X5,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+381.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK8Q65W,S1Q TK8Q65W_datasheet_en_20140930.pdf?did=15581&prodName=TK8Q65W
TK8Q65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+136.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK5A65W,S5X docget.jsp?did=15564&prodName=TK5A65W
TK5A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK6A65W,S5X docget.jsp?did=15568&prodName=TK6A65W
TK6A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.14 грн
50+76.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A65W,S5X docget.jsp?did=15574&prodName=TK7A65W
TK7A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK9A65W,S5X docget.jsp?did=15583&prodName=TK9A65W
TK9A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK28A65W,S5X docget.jsp?did=15562&prodName=TK28A65W
TK28A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO220SIS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220SIS
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+425.80 грн
50+216.82 грн
100+198.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62003APG TBD62003AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29886&prodName=TBD62003AFG
TBD62003APG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.35 грн
10+82.85 грн
25+75.32 грн
100+62.88 грн
250+59.17 грн
500+56.93 грн
1000+54.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62004APG TBD62003AFG_datasheet_en_20150724.pdf?did=29886&prodName=TBD62003AFG
TBD62004APG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 7
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-DIP
Part Status: Active
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.94 грн
10+83.92 грн
25+76.26 грн
100+63.67 грн
250+59.91 грн
500+57.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62083APG TBD62083AFG_datasheet_en_20160511.pdf?did=29893&prodName=TBD62083AFG
TBD62083APG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Active
на замовлення 5372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+185.55 грн
20+124.35 грн
40+117.02 грн
100+102.58 грн
260+96.76 грн
500+93.60 грн
1000+89.33 грн
2500+86.44 грн
5000+84.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62084APG TBD62083AFG_datasheet_en_20160511.pdf?did=29893&prodName=TBD62083AFG
TBD62084APG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Active
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+145.11 грн
20+96.29 грн
40+90.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62783APG TBD62783AFG_datasheet_en_20160511.pdf?did=30523&prodName=TBD62783AFG
TBD62783APG
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 18DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Through Hole
Number of Outputs: 8
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 500mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 18-DIP
Part Status: Active
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.82 грн
21+133.70 грн
42+125.99 грн
105+110.59 грн
252+104.91 грн
504+101.31 грн
1008+96.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB6562ANG,8 TB6562AFG_datasheet_en_20120928.pdf?did=2725&prodName=TB6562AFG
TB6562ANG,8
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MTR DRV BIPOLAR 10-34V 24SDIP
Step Resolution: 1, 1/2, 1/4
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: 24-SDIP
Voltage - Load: 10V ~ 34V
Technology: DMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 10V ~ 34V
Output Configuration: Half Bridge (4)
Operating Temperature: -20°C ~ 150°C (TJ)
Interface: Parallel
Current - Output: 1.5A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 24-SDIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]