Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 102 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.57 грн
20000+1.31 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.72 грн
20000+1.52 грн
30000+1.48 грн
50000+1.25 грн
70000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F DF2B5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30755&prodName=DF2B5M4SL Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 66811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.08 грн
34+9.57 грн
100+3.92 грн
500+3.55 грн
1000+3.36 грн
2000+3.33 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F DF2B6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30758&prodName=DF2B6M4SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.08 грн
39+8.21 грн
100+4.75 грн
500+4.20 грн
1000+3.68 грн
2000+3.62 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 16081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.76 грн
46+6.94 грн
100+4.13 грн
500+3.49 грн
1000+3.30 грн
2000+3.23 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.45 грн
79+4.07 грн
137+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 107657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.11 грн
55+5.90 грн
133+2.41 грн
500+2.20 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 41545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.45 грн
236+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 115554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.45 грн
86+3.75 грн
133+2.41 грн
500+2.00 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.28 грн
58+5.58 грн
137+2.34 грн
500+2.07 грн
1000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FWFG(C,J) TMPM333FWFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.61 грн
10+278.77 грн
25+258.86 грн
200+209.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FYFG(C) TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.72 грн
10+243.92 грн
25+226.36 грн
200+182.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) TMPM380FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.43 грн
6000+10.07 грн
9000+9.19 грн
15000+8.51 грн
21000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.40 грн
12+26.87 грн
100+18.66 грн
500+13.47 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 25926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.22 грн
10+91.06 грн
100+61.59 грн
500+45.97 грн
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.99 грн
10+147.91 грн
100+102.79 грн
500+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.41 грн
10+84.44 грн
100+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.50 грн
10+144.80 грн
100+109.53 грн
500+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.90 грн
10+192.25 грн
100+135.29 грн
500+104.14 грн
1000+96.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.85 грн
10+79.82 грн
100+62.07 грн
500+49.38 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.93 грн
10+92.82 грн
100+73.85 грн
500+58.65 грн
1000+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15196&prodName=TK25E60X Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15197&prodName=TK25N60X Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W5,S5VX TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14493&prodName=TK7A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VX TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14495&prodName=TK8A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14291&prodName=TK10A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14961&prodName=TK20N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15557&prodName=TK25N60X5 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.32 грн
30+245.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14536&prodName=TK39N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+527.47 грн
30+296.68 грн
120+273.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1Q TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.16 грн
10+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1Q TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6Q65W Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14508&prodName=TK17E65W Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5X TK8A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15580&prodName=TK8A65W Description: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.86 грн
50+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F TK17N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14509&prodName=TK17N65W Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F TK28N65W,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14530&prodName=TK28N65W Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X TK14E65W5,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK14E65W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14504&prodName=TK14E65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.07 грн
10+216.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X TK35A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14533&prodName=TK35A65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1F TK14N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14526&prodName=TK14N65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+425.62 грн
30+232.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL
DF2B7M3SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL
DF2S5.1ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL
DF2S5.6ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.57 грн
20000+1.31 грн
30000+1.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL
DF2S6.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL
DF2S6.8ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.72 грн
20000+1.52 грн
30000+1.48 грн
50000+1.25 грн
70000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL
DF2S8.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F docget.jsp?did=30755&prodName=DF2B5M4SL
DF2B5M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 66811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.08 грн
34+9.57 грн
100+3.92 грн
500+3.55 грн
1000+3.36 грн
2000+3.33 грн
5000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F docget.jsp?did=30758&prodName=DF2B6M4SL
DF2B6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 7580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.08 грн
39+8.21 грн
100+4.75 грн
500+4.20 грн
1000+3.68 грн
2000+3.62 грн
5000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F docget.jsp?did=29947&prodName=DF2B7M3SL
DF2B7M3SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 16081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.76 грн
46+6.94 грн
100+4.13 грн
500+3.49 грн
1000+3.30 грн
2000+3.23 грн
5000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F docget.jsp?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL
DF2S5.1ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.45 грн
79+4.07 грн
137+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F docget.jsp?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL
DF2S5.6ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 107657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.11 грн
55+5.90 грн
133+2.41 грн
500+2.20 грн
1000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F docget.jsp?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL
DF2S6.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 41545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.45 грн
236+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F docget.jsp?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL
DF2S6.8ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 115554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.45 грн
86+3.75 грн
133+2.41 грн
500+2.00 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F docget.jsp?did=30785&prodName=DF2S8.2ASL
DF2S8.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 20pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 6.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7.7V
Power Line Protection: No
на замовлення 7220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.28 грн
58+5.58 грн
137+2.34 грн
500+2.07 грн
1000+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FWFG(C,J) docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG
TMPM333FWFG(C,J)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.61 грн
10+278.77 грн
25+258.86 грн
200+209.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FYFG(C) docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG
TMPM333FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.72 грн
10+243.92 грн
25+226.36 грн
200+182.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG
TMPM380FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.43 грн
6000+10.07 грн
9000+9.19 грн
15000+8.51 грн
21000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.40 грн
12+26.87 грн
100+18.66 грн
500+13.47 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 25926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.22 грн
10+91.06 грн
100+61.59 грн
500+45.97 грн
1000+43.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.99 грн
10+147.91 грн
100+102.79 грн
500+82.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.41 грн
10+84.44 грн
100+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.50 грн
10+144.80 грн
100+109.53 грн
500+91.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.90 грн
10+192.25 грн
100+135.29 грн
500+104.14 грн
1000+96.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.85 грн
10+79.82 грн
100+62.07 грн
500+49.38 грн
1000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.93 грн
10+92.82 грн
100+73.85 грн
500+58.65 грн
1000+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+39.34 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+59.00 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+95.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+106.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X docget.jsp?did=15196&prodName=TK25E60X
TK25E60X,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F docget.jsp?did=15197&prodName=TK25N60X
TK25N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W5,S5VX TK7A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14493&prodName=TK7A60W5
TK7A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VX TK8A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14495&prodName=TK8A60W5
TK8A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX docget.jsp?did=14291&prodName=TK10A60W5
TK10A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF docget.jsp?did=14961&prodName=TK20N60W5
TK20N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F docget.jsp?did=15557&prodName=TK25N60X5
TK25N60X5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+446.32 грн
30+245.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF docget.jsp?did=14536&prodName=TK39N60W5
TK39N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.47 грн
30+296.68 грн
120+273.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1Q
TK5Q65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.16 грн
10+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1Q docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6Q65W
TK6Q65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X docget.jsp?did=14508&prodName=TK17E65W
TK17E65W,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A65W,S5X docget.jsp?did=15580&prodName=TK8A65W
TK8A65W,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 7.8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 300 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.86 грн
50+64.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK17N65W,S1F docget.jsp?did=14509&prodName=TK17N65W
TK17N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK28N65W,S1F docget.jsp?did=14530&prodName=TK28N65W
TK28N65W,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK14E65W5,S1X TK14E65W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14504&prodName=TK14E65W5
TK14E65W5,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.07 грн
10+216.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK35A65W5,S5X docget.jsp?did=14533&prodName=TK35A65W5
TK35A65W5,S5X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14N65W5,S1F docget.jsp?did=14526&prodName=TK14N65W5
TK14N65W5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+425.62 грн
30+232.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]