Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 102 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TCR2LE36,LM(CT TCR2LE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10 Description: IC REG LDO 3.6V 0.2A ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF10,LM(CT TCR2LF10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LF30 Description: IC REG LDO 1V 0.2A SMV
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110,LF(CT RN1110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F DF2B5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4SL_datasheet_en_20171221.pdf?did=30755&prodName=DF2B5M4SL Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.60 грн
20000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F DF2B6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14659 Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SL_datasheet_en_20180123.pdf?did=29947&prodName=DF2B7M3SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.62 грн
30000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.94 грн
30000+1.73 грн
50000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.90 грн
30000+1.80 грн
50000+1.62 грн
100000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2ASL.pdf Description: TVS DIODE 6.55VWM SL2-2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F DF2B5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5M4SL_datasheet_en_20171221.pdf?did=30755&prodName=DF2B5M4SL Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 88268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.52 грн
31+10.46 грн
100+4.51 грн
500+3.99 грн
1000+3.74 грн
2000+3.67 грн
5000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F DF2B6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14659 Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 11004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.52 грн
32+9.91 грн
100+4.51 грн
500+3.96 грн
1000+3.67 грн
2000+3.60 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SL_datasheet_en_20180123.pdf?did=29947&prodName=DF2B7M3SL Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 40659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.50 грн
20+16.43 грн
100+8.28 грн
500+6.34 грн
1000+4.70 грн
2000+3.96 грн
5000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.1ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
33+9.67 грн
100+4.69 грн
500+3.68 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 38256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
32+9.83 грн
100+4.80 грн
500+3.75 грн
1000+2.61 грн
2000+2.26 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.2ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 77945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.88 грн
34+9.51 грн
100+5.14 грн
500+3.79 грн
1000+2.63 грн
2000+2.18 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6.8ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 117644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.70 грн
33+9.75 грн
100+4.74 грн
500+3.71 грн
1000+2.58 грн
2000+2.24 грн
5000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2ASL.pdf Description: TVS DIODE 6.55VWM SL2-2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2ASL.pdf Description: TVS DIODE 6.55VWM SL2-2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FWFG(C,J) TMPM333FWFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.79 грн
10+274.91 грн
25+255.28 грн
200+206.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FYFG(C) TMPM333FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.51 грн
10+240.54 грн
25+223.23 грн
200+179.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) TMPM380FYFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
6000+9.94 грн
9000+9.06 грн
15000+8.39 грн
21000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.83 грн
12+26.50 грн
100+18.40 грн
500+13.29 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 13356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.51 грн
10+83.35 грн
100+60.59 грн
500+45.10 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.21 грн
10+145.16 грн
100+100.85 грн
500+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.77 грн
10+83.27 грн
100+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.60 грн
10+142.80 грн
100+108.01 грн
500+90.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.69 грн
10+189.59 грн
100+133.42 грн
500+102.70 грн
1000+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.44 грн
10+78.71 грн
100+61.21 грн
500+48.69 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.32 грн
10+91.53 грн
100+72.83 грн
500+57.84 грн
1000+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q TPH2R608NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q TPH2900ENH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ TK8P60W5,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ TK9P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ TK14G65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ TK14G65W5,RQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5 Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ TK6P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ TK7P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X TK25E60X,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15196&prodName=TK25E60X Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F TK25N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15197&prodName=TK25N60X Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W5,S5VX TK7A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK7A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14493&prodName=TK7A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VX TK8A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage TK8A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14495&prodName=TK8A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX TK10A60W5,S5VX Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14291&prodName=TK10A60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF TK20N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14961&prodName=TK20N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F TK25N60X5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15557&prodName=TK25N60X5 Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.46 грн
30+224.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF TK39N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14536&prodName=TK39N60W5 Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+520.17 грн
30+292.58 грн
120+269.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1Q TK5Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.71 грн
10+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1Q TK6Q65W,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6Q65W Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X TK17E65W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14508&prodName=TK17E65W Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LE36,LM(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LE10
TCR2LE36,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 3.6V 0.2A ESV
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2LF10,LM(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TCR2LF30
TCR2LF10,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LDO 1V 0.2A SMV
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1111
RN1110,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F DF2B5M4SL_datasheet_en_20171221.pdf?did=30755&prodName=DF2B5M4SL
DF2B5M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.60 грн
20000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F docget.jsp?did=14659
DF2B6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL_datasheet_en_20180123.pdf?did=29947&prodName=DF2B7M3SL
DF2B7M3SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.62 грн
30000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL
DF2S5.1ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL
DF2S5.6ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL
DF2S6.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.94 грн
30000+1.73 грн
50000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL
DF2S6.8ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.90 грн
30000+1.80 грн
50000+1.62 грн
100000+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL.pdf
DF2S8.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.55VWM SL2-2
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B5M4SL,L3F DF2B5M4SL_datasheet_en_20171221.pdf?did=30755&prodName=DF2B5M4SL
DF2B5M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 88268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.52 грн
31+10.46 грн
100+4.51 грн
500+3.99 грн
1000+3.74 грн
2000+3.67 грн
5000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B6M4SL,L3F docget.jsp?did=14659
DF2B6M4SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
на замовлення 11004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.52 грн
32+9.91 грн
100+4.51 грн
500+3.96 грн
1000+3.67 грн
2000+3.60 грн
5000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M3SL,L3F DF2B7M3SL_datasheet_en_20180123.pdf?did=29947&prodName=DF2B7M3SL
DF2B7M3SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.1pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 50W
Power Line Protection: No
на замовлення 40659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.50 грн
20+16.43 грн
100+8.28 грн
500+6.34 грн
1000+4.70 грн
2000+3.96 грн
5000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.1ASL,L3F DF2S5.1ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30760&prodName=DF2S5.1ASL
DF2S5.1ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 1.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 45pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 1.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4.8V
Power Line Protection: No
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.70 грн
33+9.67 грн
100+4.69 грн
500+3.68 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S5.6ASL,L3F DF2S5.6ASL_datasheet_en_20151211.pdf?did=30761&prodName=DF2S5.6ASL
DF2S5.6ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 40pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Power Line Protection: No
на замовлення 38256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.70 грн
32+9.83 грн
100+4.80 грн
500+3.75 грн
1000+2.61 грн
2000+2.26 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.2ASL,L3F DF2S6.2ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30781&prodName=DF2S6.2ASL
DF2S6.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 32pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 77945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
34+9.51 грн
100+5.14 грн
500+3.79 грн
1000+2.63 грн
2000+2.18 грн
5000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8ASL,L3F DF2S6.8ASL_datasheet_en_20151221.pdf?did=30783&prodName=DF2S6.8ASL
DF2S6.8ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM SL2-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 25pF @ 1MHz
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 117644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.70 грн
33+9.75 грн
100+4.74 грн
500+3.71 грн
1000+2.58 грн
2000+2.24 грн
5000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL.pdf
DF2S8.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.55VWM SL2-2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S8.2ASL,L3F DF2S8.2ASL.pdf
DF2S8.2ASL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 6.55VWM SL2-2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FWFG(C,J) docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG
TMPM333FWFG(C,J)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 128KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.79 грн
10+274.91 грн
25+255.28 грн
200+206.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM333FYFG(C) docget.jsp?did=6315&prodName=TMPM333FWFG
TMPM333FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 40MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Data Converters: A/D 12x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 3.6V
Connectivity: I2C, SIO, UART/USART
Peripherals: POR, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 78
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.51 грн
10+240.54 грн
25+223.23 грн
200+179.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM380FYFG(C) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TMPM380FWFG
TMPM380FYFG(C)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G5M4N,LF DF10G5M4N_datasheet_en_20220328.pdf?did=30751&prodName=DF10G5M4N
DF10G5M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.6V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF10G6M4N,LF DF10G6M4N_datasheet_en_20220818.pdf?did=30754&prodName=DF10G6M4N
DF10G6M4N,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: 10-DFN (2.5x1)
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 5.6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 30W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7WH125FE,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER DUAL NONINV 8SSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.27 грн
6000+9.94 грн
9000+9.06 грн
15000+8.39 грн
21000+8.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J507NU,LF docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU
SSM6J507NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 48917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.83 грн
12+26.50 грн
100+18.40 грн
500+13.29 грн
1000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 13356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.51 грн
10+83.35 грн
100+60.59 грн
500+45.10 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 11941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.21 грн
10+145.16 грн
100+100.85 грн
500+80.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.77 грн
10+83.27 грн
100+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.60 грн
10+142.80 грн
100+108.01 грн
500+90.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 4812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.69 грн
10+189.59 грн
100+133.42 грн
500+102.70 грн
1000+95.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
на замовлення 2008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.44 грн
10+78.71 грн
100+61.21 грн
500+48.69 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.32 грн
10+91.53 грн
100+72.83 грн
500+57.84 грн
1000+49.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2R608NH,L1Q docget.jsp?did=15733&prodName=TPH2R608NH
TPH2R608NH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.92 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPH2900ENH,L1Q docget.jsp?did=14485&prodName=TPH2900ENH
TPH2900ENH,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TK8P60W5,RVQ docget.jsp?did=14496&prodName=TK8P60W5
TK8P60W5,RVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+58.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TK9P65W,RQ docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK9P65W
TK9P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W,RQ docget.jsp?did=14506&prodName=TK14G65W
TK14G65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+94.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
TK14G65W5,RQ docget.jsp?did=14505&prodName=TK14G65W5
TK14G65W5,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 690µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK20V60W5,LVQ TK20V60W5_datasheet_en_20160108.pdf?did=28825&prodName=TK20V60W5
TK20V60W5,LVQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 4-DFN-EP (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TK6P65W,RQ
TK6P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK7P65W,RQ
TK7P65W,RQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25E60X,S1X docget.jsp?did=15196&prodName=TK25E60X
TK25E60X,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X,S1F docget.jsp?did=15197&prodName=TK25N60X
TK25N60X,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK7A60W5,S5VX TK7A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14493&prodName=TK7A60W5
TK7A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 350µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 300 V
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK8A60W5,S5VX TK8A60W5_datasheet_en_20140225.pdf?did=14495&prodName=TK8A60W5
TK8A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TK10A60W5,S5VX docget.jsp?did=14291&prodName=TK10A60W5
TK10A60W5,S5VX
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TK20N60W5,S1VF docget.jsp?did=14961&prodName=TK20N60W5
TK20N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK25N60X5,S1F docget.jsp?did=15557&prodName=TK25N60X5
TK25N60X5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 300 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+416.46 грн
30+224.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK39N60W5,S1VF docget.jsp?did=14536&prodName=TK39N60W5
TK39N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.17 грн
30+292.58 грн
120+269.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK5Q65W,S1Q
TK5Q65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.71 грн
10+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TK6Q65W,S1Q docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK6Q65W
TK6Q65W,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TK17E65W,S1X docget.jsp?did=14508&prodName=TK17E65W
TK17E65W,S1X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 650V 17.3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 165W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 900µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+360.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]