Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 106 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
DF3D36FU,LF DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU_Web.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35826&prodName=SSM3K72CFS Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.40 грн
6000+2.06 грн
9000+1.93 грн
15000+1.67 грн
21000+1.59 грн
30000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35719&prodName=SSM3K72KCT Description: MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 56492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.54 грн
20000+2.21 грн
30000+2.09 грн
50000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LF SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35718&prodName=SSM3K7002KF Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.51 грн
6000+3.04 грн
9000+2.86 грн
15000+2.50 грн
21000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.82 грн
6000+10.41 грн
9000+9.92 грн
15000+8.79 грн
21000+8.48 грн
30000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK107AF,LF TCK107AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53240&prodName=TCK107AF Description: IC PWR LOAD SWITCH LO ON-RES SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Typ): 63mOhm
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.16 грн
6000+8.05 грн
9000+7.66 грн
15000+6.77 грн
21000+6.53 грн
30000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.44 грн
6000+9.64 грн
9000+8.67 грн
30000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19613&prodName=SSM3K16FU Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
6000+3.15 грн
9000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LF SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.41 грн
6000+2.19 грн
9000+1.64 грн
15000+1.51 грн
21000+1.47 грн
30000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
PSRR: 73dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.13 грн
6000+2.91 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2DG15,LF TCR2DG15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ07FU,LJ(CT TC7PZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ07FU_datasheet_en_20190807.pdf?did=30532&prodName=TC7PZ07FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Supplier Device Package: US6
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 5.5V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.98 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT(BJ) 74VHCV245FT(BJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB3212WBG(ELAH TC7USB3212WBG(ELAH Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MUX/DEMUX 4 X 1:2 20WCSP
Supplier Device Package: 2-WCSP (2x1.6)
Voltage Supply Source: Single Supply
Independent Circuits: 4
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Circuit: 4 x 1:2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B36FU,H3F DF2B36FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B36FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=36248&prodName=DF2B36FU Description: TVS DIODE 28VWM 40VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 150W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
30+10.31 грн
100+4.95 грн
500+4.58 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D36FU,LF DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU_Web.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35826&prodName=SSM3K72CFS Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 49875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
43+7.18 грн
100+4.41 грн
500+3.01 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35719&prodName=SSM3K72KCT Description: MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 59706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.86 грн
35+8.93 грн
100+5.57 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
2000+2.97 грн
5000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LF SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35718&prodName=SSM3K7002KF Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
30+10.38 грн
100+6.47 грн
500+4.46 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.54 грн
11+30.39 грн
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK107AF,LF TCK107AF,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53240&prodName=TCK107AF Description: IC PWR LOAD SWITCH LO ON-RES SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Typ): 63mOhm
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
24+12.83 грн
27+11.36 грн
100+9.16 грн
250+8.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 46694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
13+24.59 грн
100+15.75 грн
500+11.18 грн
1000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
11+28.94 грн
100+17.35 грн
500+15.07 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19613&prodName=SSM3K16FU Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 29064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
23+13.82 грн
100+6.76 грн
500+5.29 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LF SSM3J15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 38297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
37+8.32 грн
100+3.89 грн
500+3.27 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 14326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.89 грн
45+6.87 грн
100+3.34 грн
500+2.76 грн
1000+2.31 грн
2000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 13638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.93 грн
57+5.42 грн
65+4.73 грн
100+3.73 грн
250+3.39 грн
500+3.19 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2DG15,LF TCR2DG15,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12 Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ07FU,LJ(CT TC7PZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ07FU_datasheet_en_20190807.pdf?did=30532&prodName=TC7PZ07FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
23+13.74 грн
28+11.18 грн
100+7.82 грн
250+6.50 грн
500+5.68 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU Description: IC BUFFER NON-INVERTING 5.5V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.93 грн
58+5.34 грн
66+4.64 грн
100+3.66 грн
250+3.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT(BJ) 74VHCV245FT(BJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D36FU,LF DF3D36FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3D36FU_Web.pdf Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT(BJ) 74VHCV245FT(BJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064AFG,EL TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+96.31 грн
3000+90.62 грн
4500+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389,L3F 1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3371&prodName=1SS389 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.28 грн
16000+1.97 грн
24000+1.86 грн
40000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389,L3F 1SS389,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3371&prodName=1SS389 Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 54055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
39+7.94 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
2000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064AFG,EL TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 27277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.58 грн
10+129.81 грн
25+118.69 грн
100+99.90 грн
250+94.42 грн
500+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP184(GB,SE TLP184(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP184%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14118&prodName=TLP184(SE Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.89 грн
14+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FETE85LF SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FETE85LF SSM6L16FETE85LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2703(E TLP2703(E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Voltage - Output (Max): 18V
Supplier Device Package: 6-SO
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 80mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2703(TP,E TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Voltage - Output (Max): 18V
Supplier Device Package: 6-SO
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 80mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.63 грн
3000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2703(TP,E TLP2703(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703 Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Voltage - Output (Max): 18V
Supplier Device Package: 6-SO
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 80mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+65.21 грн
100+48.93 грн
500+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30643&prodName=TPN3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.91 грн
10000+17.82 грн
15000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30712&prodName=TPH3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q TPN3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30643&prodName=TPN3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 15003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.26 грн
10+50.62 грн
100+33.25 грн
500+24.20 грн
1000+21.94 грн
2000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q TPN2R304PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+55.89 грн
100+37.01 грн
500+27.11 грн
1000+24.65 грн
2000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q TPH3R704PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30712&prodName=TPH3R704PL Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 68578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+58.18 грн
100+38.46 грн
500+28.16 грн
1000+25.60 грн
2000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC35662IXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC35662IXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS396,LF 1SS396,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=3384&prodName=1SS396 Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 70MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D36FU,LF DF3D36FU_Web.pdf
DF3D36FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF docget.jsp?did=35826&prodName=SSM3K72CFS
SSM3K72CFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.40 грн
6000+2.06 грн
9000+1.93 грн
15000+1.67 грн
21000+1.59 грн
30000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F docget.jsp?did=35719&prodName=SSM3K72KCT
SSM3K72KCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 56492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+2.54 грн
20000+2.21 грн
30000+2.09 грн
50000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LF docget.jsp?did=35718&prodName=SSM3K7002KF
SSM3K7002KF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.51 грн
6000+3.04 грн
9000+2.86 грн
15000+2.50 грн
21000+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R
SSM3K341R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+11.82 грн
6000+10.41 грн
9000+9.92 грн
15000+8.79 грн
21000+8.48 грн
30000+8.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK107AF,LF docget.jsp?did=53240&prodName=TCK107AF
TCK107AF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR LOAD SWITCH LO ON-RES SMV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Typ): 63mOhm
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: SMV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU
SSM6J511NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.16 грн
6000+8.05 грн
9000+7.66 грн
15000+6.77 грн
21000+6.53 грн
30000+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU
SSM3K116TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.44 грн
6000+9.64 грн
9000+8.67 грн
30000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF SSM3K16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19613&prodName=SSM3K16FU
SSM3K16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.52 грн
6000+3.15 грн
9000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LF docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU
SSM3J15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.41 грн
6000+2.19 грн
9000+1.64 грн
15000+1.51 грн
21000+1.47 грн
30000+1.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
PSRR: 73dB (1kHz)
Part Status: Active
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.13 грн
6000+2.91 грн
9000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2DG15,LF docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12
TCR2DG15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ07FU,LJ(CT TC7PZ07FU_datasheet_en_20190807.pdf?did=30532&prodName=TC7PZ07FU
TC7PZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Supplier Device Package: US6
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Bits per Element: 1
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Number of Elements: 2
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Open Drain
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU
TC7PZ17FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 5.5V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.98 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT(BJ) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT
74VHCV245FT(BJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7USB3212WBG(ELAH
TC7USB3212WBG(ELAH
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 4 X 1:2 20WCSP
Supplier Device Package: 2-WCSP (2x1.6)
Voltage Supply Source: Single Supply
Independent Circuits: 4
Voltage - Supply: 1.65V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Multiplexer/Demultiplexer
Circuit: 4 x 1:2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 20-UFBGA, WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B36FU,H3F DF2B36FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=36248&prodName=DF2B36FU
DF2B36FU,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 28VWM 40VC USC
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 150W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 40V
Voltage - Breakdown (Min): 32V
Bidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: USC
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 28V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 1A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 6.5pF @ 1MHz
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-76, SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.89 грн
30+10.31 грн
100+4.95 грн
500+4.58 грн
1000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D36FU,LF DF3D36FU_Web.pdf
DF3D36FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72CFS,LF docget.jsp?did=35826&prodName=SSM3K72CFS
SSM3K72CFS,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 49875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.89 грн
43+7.18 грн
100+4.41 грн
500+3.01 грн
1000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K72KCT,L3F docget.jsp?did=35719&prodName=SSM3K72KCT
SSM3K72KCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: CST3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
на замовлення 59706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.86 грн
35+8.93 грн
100+5.57 грн
500+3.82 грн
1000+3.36 грн
2000+2.97 грн
5000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002KF,LF docget.jsp?did=35718&prodName=SSM3K7002KF
SSM3K7002KF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 400MA S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
30+10.38 грн
100+6.47 грн
500+4.46 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K341R,LF docget.jsp?did=35714&prodName=SSM3K341R
SSM3K341R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
на замовлення 170885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+51.54 грн
11+30.39 грн
100+19.51 грн
500+13.91 грн
1000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCK107AF,LF docget.jsp?did=53240&prodName=TCK107AF
TCK107AF,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR LOAD SWITCH LO ON-RES SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Typ): 63mOhm
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 1A
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
24+12.83 грн
27+11.36 грн
100+9.16 грн
250+8.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6J511NU,LF docget.jsp?did=30767&prodName=SSM6J511NU
SSM6J511NU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 12V 14A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 6 V
на замовлення 46694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.23 грн
13+24.59 грн
100+15.75 грн
500+11.18 грн
1000+10.02 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6165&prodName=SSM3K116TU
SSM3K116TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: UFM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 39100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+38.85 грн
11+28.94 грн
100+17.35 грн
500+15.07 грн
1000+10.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K16FU,LF SSM3K16FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19613&prodName=SSM3K16FU
SSM3K16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
на замовлення 29064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.62 грн
23+13.82 грн
100+6.76 грн
500+5.29 грн
1000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FU,LF docget.jsp?did=22747&prodName=SSM3J15FU
SSM3J15FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 38297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
37+8.32 грн
100+3.89 грн
500+3.27 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J15FV,L3F docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV
SSM3J15FV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
на замовлення 14326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
27+11.89 грн
45+6.87 грн
100+3.34 грн
500+2.76 грн
1000+2.31 грн
2000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF20,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF20,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 2V 200MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SMV
Voltage - Output (Min/Fixed): 2V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.31V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 13638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+7.93 грн
57+5.42 грн
65+4.73 грн
100+3.73 грн
250+3.39 грн
500+3.19 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2DG15,LF docget.jsp?did=14028&prodName=TCR2DG12
TCR2DG15,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.5V 200MA 4WCSP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ07FU,LJ(CT TC7PZ07FU_datasheet_en_20190807.pdf?did=30532&prodName=TC7PZ07FU
TC7PZ07FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+24.58 грн
23+13.74 грн
28+11.18 грн
100+7.82 грн
250+6.50 грн
500+5.68 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7PZ17FU,LJ(CT TC7PZ17FU_datasheet_en_20171205.pdf?did=14436&prodName=TC7PZ17FU
TC7PZ17FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERTING 5.5V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Supplier Device Package: US6
на замовлення 7669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+7.93 грн
58+5.34 грн
66+4.64 грн
100+3.66 грн
250+3.33 грн
500+3.14 грн
1000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT(BJ) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT
74VHCV245FT(BJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF3D36FU,LF DF3D36FU_Web.pdf
DF3D36FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: ESD PROTECTION DIODE (BI-DIRECTI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N61NU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N61NU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCV245FT(BJ) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCV245FT
74VHCV245FT(BJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064AFG,EL TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064AFG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+96.31 грн
3000+90.62 грн
4500+89.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389,L3F docget.jsp?did=3371&prodName=1SS389
1SS389,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+2.28 грн
16000+1.97 грн
24000+1.86 грн
40000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS389,L3F docget.jsp?did=3371&prodName=1SS389
1SS389,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-79, SOD-523
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: ESC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 10 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 10 V
на замовлення 54055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.48 грн
39+7.94 грн
100+4.89 грн
500+3.34 грн
1000+2.93 грн
2000+2.59 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBD62064AFG,EL TBD62064APG_datasheet_en_20151217.pdf?did=30811&prodName=TBD62064APG
TBD62064AFG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 16HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-BSOP (0.252", 6.40mm Width) + 2 Heat Tabs
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 430mOhm
Input Type: Inverting
Voltage - Load: 50V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.25A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 16-HSOP
Part Status: Active
на замовлення 27277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+181.58 грн
10+129.81 грн
25+118.69 грн
100+99.90 грн
250+94.42 грн
500+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP184(GB,SE TLP184%28SE_datasheet_en_20191118.pdf?did=14118&prodName=TLP184(SE
TLP184(GB,SE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISO 3.75KV 1CH TRANS 6-SOP
Packaging: Tube
Package / Case: 6-SOIC (0.173", 4.40mm Width), 4 Leads
Output Type: Transistor
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 110°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.25V
Input Type: AC, DC
Current - Output / Channel: 50mA
Voltage - Isolation: 3750Vrms
Current Transfer Ratio (Min): 100% @ 5mA
Vce Saturation (Max): 300mV
Current Transfer Ratio (Max): 600% @ 5mA
Supplier Device Package: 6-SOP
Voltage - Output (Max): 80V
Turn On / Turn Off Time (Typ): 3µs, 3µs
Rise / Fall Time (Typ): 2µs, 3µs
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+34.89 грн
14+23.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FETE85LF docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L16FETE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6L16FETE85LF docget.jsp?did=1226&prodName=SSM6L16FE
SSM6L16FETE85LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2703(E docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703
TLP2703(E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Voltage - Output (Max): 18V
Supplier Device Package: 6-SO
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 80mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2703(TP,E docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703
TLP2703(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Voltage - Output (Max): 18V
Supplier Device Package: 6-SO
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 80mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+39.63 грн
3000+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP2703(TP,E docget.jsp?did=15216&prodName=TLP2703
TLP2703(TP,E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: OPTOISOLATOR 5KV 1CH DARL 6-SO
Current - DC Forward (If) (Max): 20 mA
Number of Channels: 1
Part Status: Active
Turn On / Turn Off Time (Typ): 330ns, 2.5µs
Voltage - Output (Max): 18V
Supplier Device Package: 6-SO
Current Transfer Ratio (Max): 8000% @ 500µA
Current Transfer Ratio (Min): 900% @ 500µA
Voltage - Isolation: 5000Vrms
Current - Output / Channel: 80mA
Input Type: DC
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.47V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Darlington
Package / Case: 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.94 грн
10+65.21 грн
100+48.93 грн
500+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL
TPHR6503PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q docget.jsp?did=30643&prodName=TPN3R704PL
TPN3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+19.91 грн
10000+17.82 грн
15000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL
TPN2R304PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q docget.jsp?did=30712&prodName=TPH3R704PL
TPH3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR6503PL,L1Q TPHR6503PL_datasheet_en_20191018.pdf?did=35760&prodName=TPHR6503PL
TPHR6503PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.65mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 15 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+201.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN3R704PL,L1Q docget.jsp?did=30643&prodName=TPN3R704PL
TPN3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 15003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+83.26 грн
10+50.62 грн
100+33.25 грн
500+24.20 грн
1000+21.94 грн
2000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN2R304PL,L1Q docget.jsp?did=30264&prodName=TPN2R304PL
TPN2R304PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 630mW (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 20 V
на замовлення 3615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.77 грн
10+55.89 грн
100+37.01 грн
500+27.11 грн
1000+24.65 грн
2000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH3R704PL,L1Q docget.jsp?did=30712&prodName=TPH3R704PL
TPH3R704PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 20 V
на замовлення 68578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.94 грн
10+58.18 грн
100+38.46 грн
500+28.16 грн
1000+25.60 грн
2000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC35662IXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC35662IXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC RF TXRX+MCU BLUETOOTH
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
1SS396,LF docget.jsp?did=3384&prodName=1SS396
1SS396,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 70MA S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70mA
Supplier Device Package: S-Mini
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 360 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 132 154 176 198 220 226  [ Наступна Сторінка >> ]