Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13580) > Сторінка 98 з 227

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 110 132 154 176 198 220 227  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TB2941HQ(O) TB2941HQ(O) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB2941HQ Description: IC AMP BTL AUDIO 4CH
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62781FNG,C8,EL TB62781FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG.pdf Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 20SSOP
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Supplier Device Package: 20-SSOP
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 40mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Linear
Number of Outputs: 9
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 28V
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+121.29 грн
25+114.40 грн
100+91.46 грн
250+85.88 грн
500+75.15 грн
1000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M 1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-923
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.89 грн
20000+1.80 грн
30000+1.76 грн
50000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: CST2B
Current - Average Rectified (Io): 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.12 грн
9000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF TC4W53FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.00 грн
6000+8.41 грн
9000+8.28 грн
15000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Current - Supply (Max): 68 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M 1SS427,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427 Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 81387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
39+7.93 грн
100+5.53 грн
500+3.80 грн
1000+3.29 грн
2000+2.94 грн
5000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F CBS10S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30 Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F SSM3K15ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5867&prodName=SSM3K15ACT Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.17 грн
100+6.94 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF SSM6K403TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM T2N7002AK,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 319778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
48+6.42 грн
67+4.54 грн
100+3.69 грн
500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF TC4W53FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
21+14.42 грн
25+12.80 грн
100+10.33 грн
250+9.52 грн
500+9.03 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Current - Supply (Max): 68 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F SSM6K411TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+45.16 грн
10000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q TPH1R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 28063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+103.03 грн
100+70.07 грн
500+52.52 грн
1000+48.26 грн
2000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.00 грн
10+52.31 грн
100+34.46 грн
500+25.15 грн
1000+22.83 грн
2000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NT0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-WH0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NT0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-WH0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-DW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NT0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-NW0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B Toshiba Semiconductor and Storage TL1L4-WH0,L4A5B.pdf Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-BL,LF 2SC4117-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19294&prodName=2SC4117 Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
9000+2.13 грн
15000+1.86 грн
21000+1.77 грн
30000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC02FT 74VHC02FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15077&prodName=74VHC02FT Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+7.14 грн
5000+6.66 грн
7500+6.55 грн
12500+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT04AFT 74VHCT04AFT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15620&prodName=74VHCT04AFT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU,LF DF3A5.6LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU Description: TVS DIODE 3.5VWM CST3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6JE,LM DF5A5.6JE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A5.6JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22256&prodName=DF5A5.6JE Description: TVS DIODE 2.5VWM ESV
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F RN1103MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=2051&prodName=SSM3J327R Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=35712&prodName=SSM3J35CTC Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF SSM3K15AFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5878&prodName=SSM3K15AFU Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF SSM3K2615R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15672&prodName=SSM3K2615R Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.17 грн
9000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29855&prodName=SSM3K35CTC Description: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.34 грн
30000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30494&prodName=SSM3K7002CFU Description: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.56 грн
9000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF SSM6N7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29875&prodName=SSM6N7002CFU Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBAV99,LM TBAV99,LM Toshiba Semiconductor and Storage TBAV99.pdf Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
9000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPN334L6X,LF TC7SPN334L6X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPN334L6X_datasheet_en_20220726.pdf?did=14438&prodName=TC7SPN334L6X Description: IC TRANSLTR UNIDIRECTIONAL 6MP6C
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.1 V ~ 2.7 V
Channels per Circuit: 1
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Unidirectional
Supplier Device Package: 6-MP6C (1.45x1.0)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 6-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.76 грн
10000+7.69 грн
15000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W53FU,LF TC7W53FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=155955&prodName=TC7W53FU Description: IC MUX/DEMUX 2:1 100OHM 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.63 грн
6000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB2941HQ(O) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TB2941HQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC AMP BTL AUDIO 4CH
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TB62781FNG,C8,EL TB62781FNG.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LED DRIVER LINEAR 40MA 20SSOP
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Voltage - Supply (Min): 3V
Supplier Device Package: 20-SSOP
Internal Switch(s): Yes
Current - Output / Channel: 40mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Linear
Number of Outputs: 9
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Output: 28V
Package / Case: 20-LSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.30 грн
10+121.29 грн
25+114.40 грн
100+91.46 грн
250+85.88 грн
500+75.15 грн
1000+61.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: SOD-923
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-923
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+1.89 грн
20000+1.80 грн
30000+1.76 грн
50000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Supplier Device Package: CST2B
Current - Average Rectified (Io): 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F docget.jsp?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 318000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.12 грн
9000+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.00 грн
6000+8.41 грн
9000+8.28 грн
15000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Current - Supply (Max): 68 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SS427,L3M docget.jsp?did=11149&prodName=1SS427
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE STANDARD 80V 100MA SOD923
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-923
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 0.3pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Supplier Device Package: SOD-923
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 81387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.76 грн
39+7.93 грн
100+5.53 грн
500+3.80 грн
1000+3.29 грн
2000+2.94 грн
5000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S30,L3F docget.jsp?did=14076&prodName=CBS10S30
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CBS10S40,L3F CBS10S40_datasheet_en_20181116.pdf?did=14577&prodName=CBS10S40
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A CST2B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: CST2B
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15ACT,L3F docget.jsp?did=5867&prodName=SSM3K15ACT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 100mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
на замовлення 4746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.81 грн
28+11.17 грн
100+6.94 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K403TU,LF docget.jsp?did=10947&prodName=SSM6K403TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
T2N7002AK,LM docget.jsp?did=29712&prodName=T2N7002AK
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 319778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.97 грн
48+6.42 грн
67+4.54 грн
100+3.69 грн
500+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4W53FU,LF docget.jsp?did=20175&prodName=TC4W53FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX DUAL 1X1 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 15865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+21.95 грн
21+14.42 грн
25+12.80 грн
100+10.33 грн
250+9.52 грн
500+9.03 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM10,LF TCR5AM12_datasheet_en_20151215.pdf?did=29906&prodName=TCR5AM12
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1V 500MA 5DFNB
Current - Supply (Max): 68 µA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Under Voltage Lockout (UVLO)
Voltage Dropout (Max): 0.25V @ 500mA
PSRR: 70dB ~ 40dB (1kHz ~ 10Hz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1V
Supplier Device Package: 5-DFNB (1.2x1.2)
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 55 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ)
Current - Output: 500mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: 4-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B12M2SC,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2B12M2SC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 5509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6K411TU(TE85L,F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K411TU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 10A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+45.16 грн
10000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+20.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH1R712MD,L1Q docget.jsp?did=14889&prodName=TPH1R712MD
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 10 V
на замовлення 28063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.95 грн
10+103.03 грн
100+70.07 грн
500+52.52 грн
1000+48.26 грн
2000+47.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN4R712MD,L1Q docget.jsp?did=28741&prodName=TPN4R712MD
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 9110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+87.00 грн
10+52.31 грн
100+34.46 грн
500+25.15 грн
1000+22.83 грн
2000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-DW0,L4A5B TL1L4-DW0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 6500K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NT0,L4A5B TL1L4-NT0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5700K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-NW0,L4A5B TL1L4-NW0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 5000K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL1L4-WH0,L4A5B TL1L4-WH0,L4A5B.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: POWER LED WHT 4000K 3535
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TL2WU-DWJ,L docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TL2WU-DWJ,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED WHITE 65MW CSP 0603
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4117-BL,LF docget.jsp?did=19294&prodName=2SC4117
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A SC-70
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
9000+2.13 грн
15000+1.86 грн
21000+1.77 грн
30000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC02FT docget.jsp?did=15077&prodName=74VHC02FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+7.14 грн
5000+6.66 грн
7500+6.55 грн
12500+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT04AFT docget.jsp?did=15620&prodName=74VHCT04AFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 2V
Input Logic Level - Low: 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.7ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF3A5.6LFU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF3A5.6LFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 3.5VWM CST3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF5A5.6JE,LM DF5A5.6JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=22256&prodName=DF5A5.6JE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 2.5VWM ESV
Voltage - Breakdown (Min): 5.3V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 2.5V
Capacitance @ Frequency: 65pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-553
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1102MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J327R,LF docget.jsp?did=2051&prodName=SSM3J327R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT23F
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 6625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.59 грн
6000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35CTC,L3F docget.jsp?did=35712&prodName=SSM3J35CTC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K15AFU,LF docget.jsp?did=5878&prodName=SSM3K15AFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 100MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13.5 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K2615R,LF docget.jsp?did=15672&prodName=SSM3K2615R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.17 грн
9000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K318R,LF SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.53 грн
6000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K35CTC,L3F docget.jsp?did=29855&prodName=SSM3K35CTC
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: CST3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.34 грн
30000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K7002CFU,LF docget.jsp?did=30494&prodName=SSM3K7002CFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA USM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: USM
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.56 грн
9000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N7002CFU,LF docget.jsp?did=29875&prodName=SSM6N7002CFU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TBAV99,LM TBAV99.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 150 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.72 грн
9000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SPN334L6X,LF TC7SPN334L6X_datasheet_en_20220726.pdf?did=14438&prodName=TC7SPN334L6X
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC TRANSLTR UNIDIRECTIONAL 6MP6C
Voltage - VCCB: 1.65 V ~ 3.6 V
Voltage - VCCA: 1.1 V ~ 2.7 V
Channels per Circuit: 1
Translator Type: Voltage Level
Channel Type: Unidirectional
Supplier Device Package: 6-MP6C (1.45x1.0)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Non-Inverted
Package / Case: 6-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+8.76 грн
10000+7.69 грн
15000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7W53FU,LF docget.jsp?did=155955&prodName=TC7W53FU
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MUX/DEMUX 2:1 100OHM 8SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 100Ohm
Supplier Device Package: 8-SSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 6V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2V ~ 6V
Part Status: Active
Number of Channels: 2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.63 грн
6000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 110 132 154 176 198 220 227  Наступна Сторінка >> ]