Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13548) > Сторінка 219 з 226

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 226  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TPH6R008QM,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+68.03 грн
25+56.96 грн
100+41.65 грн
250+35.84 грн
500+32.26 грн
1000+28.78 грн
2500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1,S1F TK040N60Z1,S1F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=154765&prodName=TK040N60Z1 Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.04 грн
30+418.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD62503FG,EL TD62503FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD6250%282%2C3%29PG%2CFG.pdf Description: IC DRIVER 7/0 16SOP
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Drivers/Receivers: 7/0
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Driver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC04FTEL TC74AC04FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC04FT_datasheet_en_20210506.pdf?did=70736&prodName=TC74AC04FT Description: IC INVERTER 6CH 1IN 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
24+12.83 грн
27+11.39 грн
100+9.19 грн
250+8.47 грн
500+8.04 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ6V8,LM(B MKZ6V8,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 6.8V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.55 грн
6000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ6V8,LM(B MKZ6V8,LM(B Toshiba Semiconductor and Storage Description: 6.8V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
41+7.56 грн
50+6.20 грн
100+4.36 грн
250+3.63 грн
500+3.17 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4MNFYAFG(DBB) TMPM4MNFYAFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage Description: MCU, CORTEX M4F, VE, 160MHZ, CAN
RAM Size: 24K x 8
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
Speed: 160MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Number of I/O: 87
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, I2C, SIO, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 22x12b SAR
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.47 грн
10+557.09 грн
25+490.27 грн
80+398.97 грн
230+366.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK068N65Z5_datasheet_en_20240123.pdf?did=157702&prodName=TK068N65Z5 Description: 650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 300 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+693.02 грн
30+396.64 грн
120+337.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z833HFTG(O,EL) TB67Z833HFTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z853HFTG%28O%2CEL%29.pdf Description: 80V 3-PHASE GATE DRIVER,HW INTER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 75V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z833HFTG(O,EL) TB67Z833HFTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z853HFTG%28O%2CEL%29.pdf Description: 80V 3-PHASE GATE DRIVER,HW INTER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 75V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.21 грн
10+111.25 грн
25+101.52 грн
100+85.26 грн
250+80.47 грн
500+77.59 грн
1000+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HCT240AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MN08ADA400E Toshiba Semiconductor and Storage Description: MN08 NAS 4TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN08ADA600 Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf Description: MN08 NAS 6TB
Packaging: Bulk
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN08ADA800 Toshiba Semiconductor and Storage cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf Description: MN08 NAS 8TB
Packaging: Bulk
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC153AF(EL,F) TC74HC153AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10324&prodName=TC74HC153AF Description: IC DATA SELECT/MUX 2X4:1 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Data Selector/Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78S600FTG,EL TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FNG_datasheet_en_20141001.pdf?did=13443&prodName=TC78S600FNG Description: STEPPER MOTOR DRIVER IC, 18V/1.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.75 грн
10+111.63 грн
25+94.28 грн
100+70.13 грн
250+61.12 грн
500+55.57 грн
1000+50.09 грн
2500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4081BF(EL,N,F) TC4081BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP
Number of Circuits: 4
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4081BF(EL,N,F) TC4081BF(EL,N,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 4
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N120HB,S1Q TRS20N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158277&prodName=TRS20N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 32A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 32A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.40 грн
30+623.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+855.57 грн
30+493.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171D(TP,F TLP171D(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13863&prodName=TLP171D Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 200 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171D(TP,F TLP171D(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13863&prodName=TLP171D Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 200 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+94.99 грн
25+90.77 грн
50+82.28 грн
100+79.45 грн
250+75.87 грн
500+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ04AFS,L3J TC7SZ04AFS,L3J Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1593&prodName=TC7SZ04AFS Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ04AFS,L3J TC7SZ04AFS,L3J Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=1593&prodName=TC7SZ04AFS Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 9612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
20+15.58 грн
25+12.74 грн
100+8.91 грн
250+7.42 грн
500+6.50 грн
1000+5.63 грн
2500+4.81 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2056(TE85L,F) 2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20440&prodName=2SA2056 Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2056(TE85L,F) 2SA2056(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20440&prodName=2SA2056 Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
13+24.66 грн
100+15.71 грн
500+11.13 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4053BFTEL TC4053BFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC4052BF_datasheet_en_20160115.pdf?did=18603&prodName=TC4052BF Description: IC SWITCH SPDTX3 160OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 3
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 0.2pF, 5pF
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -50dB @ 1.5MHz
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
-3db Bandwidth: 30MHz
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05F40,L3F CTS05F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53602&prodName=CTS05F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05F40,L3F CTS05F40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53602&prodName=CTS05F40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 40 V
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.44 грн
30+10.38 грн
100+6.46 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
2000+3.48 грн
5000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.74 грн
100+8.61 грн
500+5.99 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1309,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.74 грн
100+8.61 грн
500+5.99 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1305,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.74 грн
100+8.61 грн
500+5.99 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF RN1403,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
37+8.32 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.34 грн
6000+13.75 грн
9000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ36(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.81 грн
10+39.71 грн
100+25.85 грн
500+18.66 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.23 грн
13+25.12 грн
100+17.96 грн
500+12.77 грн
1000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B(TE85L,QM Toshiba Semiconductor and Storage CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
14+22.98 грн
100+16.36 грн
500+11.59 грн
1000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.78 грн
11+27.95 грн
100+17.87 грн
500+12.70 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF12,LM(CT TCR2EF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 1.2V 200MA SMV
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
PSRR: 73dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14FT 74LCX14FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15394&prodName=74LCX14FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.82 грн
12+25.58 грн
25+21.26 грн
100+15.36 грн
250+13.10 грн
500+11.70 грн
1000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF SSM5N16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
21+15.04 грн
100+9.43 грн
500+6.57 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF RN2302,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.27 грн
37+8.32 грн
100+5.14 грн
500+3.52 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
6000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT RN2911,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
20+15.58 грн
100+9.77 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+8.88 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+8.88 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT RN4902,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
20+15.58 грн
100+9.77 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.27 грн
8000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+8.88 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPH6R008QM,LQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V UMOS9-H SOP-ADVANCE(N) 6MOHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 400µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 29.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+114.97 грн
10+68.03 грн
25+56.96 грн
100+41.65 грн
250+35.84 грн
500+32.26 грн
1000+28.78 грн
2500+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TK040N60Z1,S1F docget.jsp?did=154765&prodName=TK040N60Z1
TK040N60Z1,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 21.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 300 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+735.04 грн
30+418.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TD62503FG,EL TD6250%282%2C3%29PG%2CFG.pdf
TD62503FG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DRIVER 7/0 16SOP
Supplier Device Package: 16-SOP
Number of Drivers/Receivers: 7/0
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Type: Driver
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC74AC04FTEL TC74AC04FT_datasheet_en_20210506.pdf?did=70736&prodName=TC74AC04FT
TC74AC04FTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1IN 14TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.5V ~ 3.85V
Input Logic Level - Low: 0.5V ~ 1.65V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 3579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
24+12.83 грн
27+11.39 грн
100+9.19 грн
250+8.47 грн
500+8.04 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ6V8,LM(B
MKZ6V8,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6.8V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+2.55 грн
6000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MKZ6V8,LM(B
MKZ6V8,LM(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 6.8V ZENER DIODE, SOT23 PD (MAX)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 88pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 10A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 13V (Typ)
Power - Peak Pulse: 180W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
25+12.69 грн
41+7.56 грн
50+6.20 грн
100+4.36 грн
250+3.63 грн
500+3.17 грн
1000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TMPM4MNFYAFG(DBB)
TMPM4MNFYAFG(DBB)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MCU, CORTEX M4F, VE, 160MHZ, CAN
RAM Size: 24K x 8
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
Speed: 160MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tray
EEPROM Size: 32K x 8
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Number of I/O: 87
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, I2C, SIO, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 22x12b SAR
Core Processor: ARM® Cortex®-M4F
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+844.47 грн
10+557.09 грн
25+490.27 грн
80+398.97 грн
230+366.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TK068N65Z5,S1F TK068N65Z5_datasheet_en_20240123.pdf?did=157702&prodName=TK068N65Z5
TK068N65Z5,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 650V DTMOS6-HSD TO-247 68MOHM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 18.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.69mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 300 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+693.02 грн
30+396.64 грн
120+337.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z833HFTG(O,EL) TB67Z853HFTG%28O%2CEL%29.pdf
TB67Z833HFTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3-PHASE GATE DRIVER,HW INTER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 75V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TB67Z833HFTG(O,EL) TB67Z853HFTG%28O%2CEL%29.pdf
TB67Z833HFTG(O,EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 80V 3-PHASE GATE DRIVER,HW INTER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 8V ~ 75V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 40-WQFN (6x6)
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 1.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
на замовлення 3650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+156.21 грн
10+111.25 грн
25+101.52 грн
100+85.26 грн
250+80.47 грн
500+77.59 грн
1000+73.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HCT240AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 6mA, 6mA
Supplier Device Package: 20-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MN08ADA400E
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MN08 NAS 4TB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN08ADA600 cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MN08 NAS 6TB
Packaging: Bulk
Memory Size: 6TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MN08ADA800 cHDD-MN-Air-Product-Overview_r7R.pdf
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MN08 NAS 8TB
Packaging: Bulk
Memory Size: 8TB
Memory Type: Magnetic Disk (HDD)
Type: SATA
Form Factor: 3.5"
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC74HC153AF(EL,F) docget.jsp?did=10324&prodName=TC74HC153AF
TC74HC153AF(EL,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DATA SELECT/MUX 2X4:1 16-SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 2 x 4:1
Type: Data Selector/Multiplexer
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 6V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 5.2mA, 5.2mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TC78S600FTG,EL TC78S600FNG_datasheet_en_20141001.pdf?did=13443&prodName=TC78S600FNG
TC78S600FTG,EL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: STEPPER MOTOR DRIVER IC, 18V/1.0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 800mA
Interface: Parallel
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Output Configuration: Half Bridge (4)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 2.5V ~ 15V
Supplier Device Package: 24-WQFN (4x4)
Motor Type - Stepper: Bipolar
Step Resolution: 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
на замовлення 4398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+184.75 грн
10+111.63 грн
25+94.28 грн
100+70.13 грн
250+61.12 грн
500+55.57 грн
1000+50.09 грн
2500+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4081BF(EL,N,F)
TC4081BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP
Number of Circuits: 4
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4081BF(EL,N,F)
TC4081BF(EL,N,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP
Input Logic Level - High: 3.5V ~ 11V
Supplier Device Package: 14-SOP
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 3.4mA, 3.4mA
Voltage - Supply: 3V ~ 18V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Logic Type: AND Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Quiescent (Max): 1 µA
Number of Circuits: 4
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 80ns @ 15V, 50pF
Input Logic Level - Low: 1.5V ~ 4V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TRS20N120HB,S1Q docget.jsp?did=158277&prodName=TRS20N120HB
TRS20N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 32A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 32A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 1200 V
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+986.40 грн
30+623.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+855.57 грн
30+493.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171D(TP,F docget.jsp?did=13863&prodName=TLP171D
TLP171D(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 200 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLP171D(TP,F docget.jsp?did=13863&prodName=TLP171D
TLP171D(TP,F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SSR RELAY SPST-NO 200MA 0-200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SOP (0.173", 4.40mm)
Output Type: AC, DC
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Input: 1.27VDC
Circuit: SPST-NO (1 Form A)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Load Current: 200 mA
Approval Agency: cUL, UL, VDE
Relay Type: Photo-Coupled Relay (Photorelay)
Supplier Device Package: 4-SOP
Voltage - Load: 0 V ~ 200 V
On-State Resistance (Max): 8 Ohms
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+111.01 грн
10+94.99 грн
25+90.77 грн
50+82.28 грн
100+79.45 грн
250+75.87 грн
500+72.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ04AFS,L3J docget.jsp?did=1593&prodName=TC7SZ04AFS
TC7SZ04AFS,L3J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SZ04AFS,L3J docget.jsp?did=1593&prodName=TC7SZ04AFS
TC7SZ04AFS,L3J
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP FSV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-953
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: fSV
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 3.6ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 9612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+26.96 грн
20+15.58 грн
25+12.74 грн
100+8.91 грн
250+7.42 грн
500+6.50 грн
1000+5.63 грн
2500+4.81 грн
5000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2056(TE85L,F) docget.jsp?did=20440&prodName=2SA2056
2SA2056(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2056(TE85L,F) docget.jsp?did=20440&prodName=2SA2056
2SA2056(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 50V 2A TSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V
Supplier Device Package: TSM
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.03 грн
13+24.66 грн
100+15.71 грн
500+11.13 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC4053BFTEL TC4052BF_datasheet_en_20160115.pdf?did=18603&prodName=TC4052BF
TC4053BFTEL
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC SWITCH SPDTX3 160OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 3
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 100nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 0.2pF, 5pF
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -50dB @ 1.5MHz
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 18V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
-3db Bandwidth: 30MHz
On-State Resistance (Max): 160Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05F40,L3F docget.jsp?did=53602&prodName=CTS05F40
CTS05F40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05F40,L3F docget.jsp?did=53602&prodName=CTS05F40
CTS05F40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 28pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 810 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 40 V
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.44 грн
30+10.38 грн
100+6.46 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
2000+3.48 грн
5000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1307,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1307,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.74 грн
100+8.61 грн
500+5.99 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1309,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1309,LXHF RN1307_datasheet_en_20210824.pdf?did=18778&prodName=RN1307
RN1309,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.74 грн
100+8.61 грн
500+5.99 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301
RN1305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF RN1301_datasheet_en_20210824.pdf?did=18776&prodName=RN1301
RN1305,LXHF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
23+13.74 грн
100+8.61 грн
500+5.99 грн
1000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1403,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1403,LF docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
RN1403,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
37+8.32 грн
100+5.15 грн
500+3.52 грн
1000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf
CMZ36(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.34 грн
6000+13.75 грн
9000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMZ36(TE12L,Q,M) CMZ12_to_CMZ51_5-15-15.pdf
CMZ36(TE12L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 28.8 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Power - Max: 2 W
Supplier Device Package: M-FLAT (2.4x3.8)
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Tolerance: ±10%
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.81 грн
10+39.71 грн
100+25.85 грн
500+18.66 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15(TE85L,Q,M) CRS15_datasheet_en_20180709.pdf?did=22626&prodName=CRS15
CRS15(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 3A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 5526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+41.23 грн
13+25.12 грн
100+17.96 грн
500+12.77 грн
1000+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS15I30B(TE85L,QM CRS15I30B_datasheet_en_20140219.pdf?did=14910&prodName=CRS15I30B
CRS15I30B(TE85L,QM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A SFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 82pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.27 грн
14+22.98 грн
100+16.36 грн
500+11.59 грн
1000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRS14(TE85L,Q,M) CRS14_datasheet_en_20181115.pdf?did=22737&prodName=CRS14
CRS14(TE85L,Q,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 90pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: S-FLAT (1.6x3.5)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 3837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+46.78 грн
11+27.95 грн
100+17.87 грн
500+12.70 грн
1000+11.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TCR2EF12,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EF12,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.2V 200MA SMV
Protection Features: Over Current
Voltage Dropout (Max): 0.57V @ 150mA
PSRR: 73dB (1kHz)
Control Features: Enable
Voltage - Output (Min/Fixed): 1.2V
Supplier Device Package: SMV
Number of Regulators: 1
Voltage - Input (Max): 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Current - Output: 200mA
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Fixed
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX14FT docget.jsp?did=15394&prodName=74LCX14FT
74LCX14FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Schmitt Trigger
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.35V ~ 2.2V
Input Logic Level - Low: 0.3V ~ 0.6V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 6.5ns @ 3.3V, 50pF
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.82 грн
12+25.58 грн
25+21.26 грн
100+15.36 грн
250+13.10 грн
500+11.70 грн
1000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU
SSM5N16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM5N16FU,LF docget.jsp?did=19730&prodName=SSM5N16FU
SSM5N16FU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3pF @ 3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USV
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.37 грн
21+15.04 грн
100+9.43 грн
500+6.57 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2302,LF docget.jsp?did=18998&prodName=RN2302
RN2302,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+14.27 грн
37+8.32 грн
100+5.14 грн
500+3.52 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358746AXBG(EL)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC MIPI CSI2 TO PARALLEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC358860XBG(GOH)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TC358860XBG(GOH)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 65-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Voltage - Supply: 1.04V ~ 1.16V, 1.1V ~ 1.25V, 1.71V ~ 1.89V
Applications: DisplayPort
Supplier Device Package: 65-TFBGA (5x5)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.62 грн
6000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911,LXHF(CT docget.jsp?did=18911&prodName=RN2910
RN2911,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.17 грн
20+15.58 грн
100+9.77 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1901FE,LXHF(CT RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
RN1901FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+8.88 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986FE,LXHF(CT RN4986FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19052&prodName=RN4986FE
RN4986FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+8.88 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4902,LXHF(CT docget.jsp?did=18950&prodName=RN4902
RN4902,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.17 грн
20+15.58 грн
100+9.77 грн
500+6.81 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+5.27 грн
8000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE,LXHF(CT RN4990FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19061&prodName=RN4990FE
RN4990FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+20.62 грн
24+13.21 грн
100+8.88 грн
500+6.42 грн
1000+5.78 грн
2000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4986,LXHF(CT RN4986_datasheet_en_20210824.pdf?did=18983&prodName=RN4986
RN4986,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) NP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 214 215 216 217 218 219 220 221 222 223 224 226  [ Наступна Сторінка >> ]