Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13582) > Сторінка 70 з 227

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 88 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1971FE(TE85L,F) RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F) RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.68 грн
12+25.88 грн
100+14.65 грн
500+9.11 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F) RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F) RN1609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F) RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F) RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
11+28.33 грн
100+16.05 грн
500+9.97 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F) RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1673 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905(T5L,F,T) RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(T5L,F,T) RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
18+17.10 грн
100+8.61 грн
500+6.60 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909(T5L,F,T) RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CT RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(T5L,F,T) RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961(TE85L,F) RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.10 грн
14+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963(TE85L,F) RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18830&prodName=RN1961 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
12+26.65 грн
100+15.11 грн
500+9.39 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965(TE85L,F) RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1965 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968(TE85L,F) RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18832&prodName=RN1968 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.27 грн
12+26.65 грн
100+15.11 грн
500+9.39 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970(TE85L,F) RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1973(TE85L,F) RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1973 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN47A3JE(TE85L,F) RN47A3JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN47A3JE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.55 грн
16+20.31 грн
100+11.48 грн
500+7.14 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902FE(T5L,F,T) RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903FE(TE85L,F) RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
24+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE(T5L,F,T) RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE(TE85L,F) RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
23+13.67 грн
100+8.56 грн
500+5.94 грн
1000+5.26 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE(T5L,F,T) RN2907FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907FE Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908FE(TE85L,F) RN2908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
24+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE(TE85L,F) RN2909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.20 грн
24+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE(T5L,F,T) RN2910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910FE Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE(TE85L,F) RN2911FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2910FE-11FE.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
19+16.95 грн
100+8.53 грн
500+6.53 грн
1000+4.85 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961FE(TE85L,F) RN2961FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962FE(TE85L,F) RN2962FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963FE(TE85L,F) RN2963FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2964FE(TE85L,F) RN2964FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2965FE(TE85L,F) RN2965FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2966FE(TE85L,F) RN2966FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2967FE(TE85L,F) RN2967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2968FE(TE85L,F) RN2968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2969FE(TE85L,F) RN2969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2970FE(TE85L,F) RN2970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2970FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2601(TE85L,F) RN2601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.72 грн
100+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602(TE85L,F) RN2602(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F) RN2603(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.17 грн
20+15.58 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2604(TE85L,F) RN2604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605(TE85L,F) RN2605(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
19+16.26 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2606(TE85L,F) RN2606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2601-06.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.75 грн
19+16.65 грн
100+10.43 грн
500+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2607(TE85L,F) RN2607(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607_datasheet_en_20191111.pdf?did=18896&prodName=RN2607 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2608(TE85L,F) RN2608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2607_datasheet_en_20191111.pdf?did=18896&prodName=RN2607 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
19+16.26 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2610(TE85L,F) RN2610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2610_datasheet_en_20191111.pdf?did=18898&prodName=RN2610 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901(T5L,F,T) RN2901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902(T5L,F,T) RN2902(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904(T5L,F,T) RN2904(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906(T5L,F,T) RN2906(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907(T5L,F,T) RN2907(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908(T5L,F,T) RN2908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909(T5L,F,T) RN2909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910(T5L,F,T) RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911(T5L,F,T) RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961(TE85L,F) RN2961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
12+27.18 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962(TE85L,F) RN2962(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
12+27.18 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1971FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE
RN1971FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
RN1601(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.68 грн
12+25.88 грн
100+14.65 грн
500+9.11 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
RN1604(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F) docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
RN1608(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F) docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
RN1609(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F) docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610
RN1610(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F) docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610
RN1611(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
11+28.33 грн
100+16.05 грн
500+9.97 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1673
RN1673(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(T5L,F,T) docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908
RN1908(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
18+17.10 грн
100+8.61 грн
500+6.60 грн
1000+4.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907
RN1909(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910
RN1910,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910
RN1911(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961(TE85L,F)
RN1961(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.10 грн
14+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963(TE85L,F) RN1961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18830&prodName=RN1961
RN1963(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.27 грн
12+26.65 грн
100+15.11 грн
500+9.39 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1965
RN1965(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968(TE85L,F) docget.jsp?did=18832&prodName=RN1968
RN1968(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.27 грн
12+26.65 грн
100+15.11 грн
500+9.39 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970
RN1970(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1973(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1973
RN1973(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN47A3JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN47A3JE
RN47A3JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2901FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.55 грн
16+20.31 грн
100+11.48 грн
500+7.14 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902FE(T5L,F,T) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2902FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903FE(TE85L,F) RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2903FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.20 грн
24+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE(T5L,F,T) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE(TE85L,F) RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2906FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.99 грн
23+13.67 грн
100+8.56 грн
500+5.94 грн
1000+5.26 грн
2000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907FE
RN2907FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908FE(TE85L,F) RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2908FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.20 грн
24+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909FE(TE85L,F) RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2909FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.20 грн
24+13.13 грн
100+8.22 грн
500+5.69 грн
1000+5.04 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910FE
RN2910FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL PNP ES6 -50V -100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911FE(TE85L,F) RN2910FE-11FE.pdf
RN2911FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.37 грн
19+16.95 грн
100+8.53 грн
500+6.53 грн
1000+4.85 грн
2000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2961FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2962FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2963FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2964FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2964FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2965FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2965FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2966FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2961FE
RN2966FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2967FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE
RN2967FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2968FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE
RN2968FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2969FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2967FE
RN2969FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2970FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2970FE
RN2970FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2601(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2601(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.75 грн
19+16.72 грн
100+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2602(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2602(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2603(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2603(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.17 грн
20+15.58 грн
100+9.78 грн
500+6.82 грн
1000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2604(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2604(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2605(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2605(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
19+16.26 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2606(TE85L,F) RN2601-06.pdf
RN2606(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.75 грн
19+16.65 грн
100+10.43 грн
500+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2607(TE85L,F) RN2607_datasheet_en_20191111.pdf?did=18896&prodName=RN2607
RN2607(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN2608(TE85L,F) RN2607_datasheet_en_20191111.pdf?did=18896&prodName=RN2607
RN2608(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
19+16.26 грн
100+10.21 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2610(TE85L,F) RN2610_datasheet_en_20191111.pdf?did=18898&prodName=RN2610
RN2610(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.96 грн
19+16.11 грн
100+10.15 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901(T5L,F,T) docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2901(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902(T5L,F,T) docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904(T5L,F,T)
RN2904(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906(T5L,F,T)
RN2906(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2907(T5L,F,T)
RN2907(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2908(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907
RN2908(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2907
RN2909(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2910(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2910(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2961(TE85L,F) RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
RN2961(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
12+27.18 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN2962(TE85L,F) RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
RN2962(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
12+27.18 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 88 110 132 154 176 198 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]