Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 70 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TC7SH34FU(T5L,F,T) TC7SH34FU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH34FU Description: IC GATE L-MOS USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC540FT 74VHC540FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC540FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=13948&prodName=74VHC540FT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 116335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+36.88 грн
25+30.51 грн
100+21.82 грн
250+18.48 грн
500+16.42 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT540AFT 74VHCT540AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT540AFT_datasheet_en_20200116.pdf?did=13951&prodName=74VHCT540AFT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 10613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+36.88 грн
25+30.51 грн
100+21.82 грн
250+18.48 грн
500+16.42 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC240FT 74VHC240FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC240FT_datasheet_en_20160818.pdf?did=13947&prodName=74VHC240FT Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.69 грн
10+37.04 грн
25+30.64 грн
100+21.92 грн
250+18.56 грн
500+16.49 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT240AFT(BE) 74VHCT240AFT(BE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCT240AFT Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC573FT 74VHC573FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14036&prodName=74VHC573FT Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.66 грн
15+21.78 грн
25+19.38 грн
100+15.75 грн
250+14.58 грн
500+13.89 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT573AFT(BE) 74VHCT573AFT(BE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCT573AFT Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SP3125TU,LF TC7SP3125TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SP3125TU Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDP4P02AT(TE85L) JDP4P02AT(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDP4P02AT Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS300,LF 1SS300,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS300_datasheet_en_20210625.pdf?did=3292&prodName=1SS300 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.07 грн
41+7.78 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F) HN1D01F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3439&prodName=HN1D01F Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1SS301,LF 1SS301,LF Toshiba Semiconductor and Storage 1SS301_datasheet_en_20210625.pdf?did=3294&prodName=1SS301 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.17 грн
58+5.50 грн
100+3.73 грн
500+2.65 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F) HN1D02F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3617&prodName=HN1D02F Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(T5L,F,T) HN1D02FU(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703JE(TE85L,F) RN1703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19121&prodName=RN1701JE Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
20+15.88 грн
100+10.00 грн
500+6.98 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704JE(TE85L,F) RN1704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1701JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19121&prodName=RN1701JE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705JE(TE85L,F) RN1705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.93 грн
13+25.56 грн
100+14.50 грн
500+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1508(TE85L,F) RN1508(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
19+17.14 грн
100+10.77 грн
500+7.51 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1509(TE85L,F) RN1509(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.93 грн
13+25.87 грн
100+14.66 грн
500+9.11 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1511(TE85L,F) RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18807&prodName=RN1510 Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
19+16.59 грн
100+10.43 грн
500+7.28 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701JE(TE85L,F) RN2701JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
500+9.87 грн
1000+7.56 грн
2000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F) RN2703JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 31420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.56 грн
12+26.66 грн
100+15.11 грн
500+9.39 грн
1000+7.20 грн
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704JE(TE85L,F) RN2704JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
12+26.34 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
2000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705JE(TE85L,F) RN2705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
12+27.92 грн
100+15.84 грн
500+9.84 грн
1000+7.54 грн
2000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707JE(TE85L,F) RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
500+9.87 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708JE(TE85L,F) RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
500+9.87 грн
1000+7.56 грн
2000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709JE(TE85L,F) RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710JE(TE85L,F) RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
12+26.34 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
2000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711JE(TE85L,F) RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JE(TE85L,F) RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F) RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504(TE85L,F) RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507(TE85L,F) RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507-09.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
12+26.34 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F) RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510_datasheet_en_20191121.pdf?did=18892&prodName=RN2510 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.76 грн
19+16.59 грн
100+10.43 грн
500+7.28 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511(TE85L,F) RN2511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2510 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981FE(TE85L,F) RN4981FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981FE Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LF(CT RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.41 грн
25+13.05 грн
100+6.38 грн
500+4.99 грн
1000+3.47 грн
2000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CB RN4984FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE(TE85L,F) RN4985FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4985FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(T5L,F,T) RN4987FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4987FE Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE(TE85L,F) RN4988FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989FE(TE85L,F) RN4989FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE(T5L,F,T) RN4990FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990FE Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE(TE85L,F) RN4991FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4991FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE(TE85L,F) RN1903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LF(CT RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1904FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.13 грн
17+19.11 грн
100+10.82 грн
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE(TE85L,F) RN1905FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905FE Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE(T5L,F,T) RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CT RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
32+10.07 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
2000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE(TE85L,F) RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE(TE85L,F) RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.95 грн
16+19.66 грн
100+11.14 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
2000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE(T5L,F,T) RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1911FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967FE(TE85L,F) RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FE(TE85L,F) RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1969FE(TE85L,F) RN1969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970FE(TE85L,F) RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1971FE(TE85L,F) RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F) RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.75 грн
12+26.66 грн
100+15.09 грн
500+9.38 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SH34FU(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH34FU
TC7SH34FU(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE L-MOS USV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC540FT 74VHC540FT_datasheet_en_20170222.pdf?did=13948&prodName=74VHC540FT
74VHC540FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 116335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.69 грн
10+36.88 грн
25+30.51 грн
100+21.82 грн
250+18.48 грн
500+16.42 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT540AFT 74VHCT540AFT_datasheet_en_20200116.pdf?did=13951&prodName=74VHCT540AFT
74VHCT540AFT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 10613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.69 грн
10+36.88 грн
25+30.51 грн
100+21.82 грн
250+18.48 грн
500+16.42 грн
1000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC240FT 74VHC240FT_datasheet_en_20160818.pdf?did=13947&prodName=74VHC240FT
74VHC240FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.69 грн
10+37.04 грн
25+30.64 грн
100+21.92 грн
250+18.56 грн
500+16.49 грн
1000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT240AFT(BE) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCT240AFT
74VHCT240AFT(BE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC573FT docget.jsp?did=14036&prodName=74VHC573FT
74VHC573FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Tri-State
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 8:8
Logic Type: D-Type Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Delay Time - Propagation: 6.5ns
Supplier Device Package: 20-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
15+21.78 грн
25+19.38 грн
100+15.75 грн
250+14.58 грн
500+13.89 грн
1000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
74VHCT573AFT(BE) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHCT573AFT
74VHCT573AFT(BE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20-TSSOP
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TC7SP3125TU,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SP3125TU
TC7SP3125TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SUPPLY BUS BUFFER UNI UF6
на замовлення 1461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JDP4P02AT(TE85L) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=JDP4P02AT
JDP4P02AT(TE85L)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1SS300,LF 1SS300_datasheet_en_20210625.pdf?did=3292&prodName=1SS300
1SS300,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: USM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.07 грн
41+7.78 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D01F(TE85L,F) HN1D01F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3439&prodName=HN1D01F
HN1D01F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
1SS301,LF 1SS301_datasheet_en_20210625.pdf?did=3294&prodName=1SS301
1SS301,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SC-70
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.17 грн
58+5.50 грн
100+3.73 грн
500+2.65 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02F(TE85L,F) HN1D02F_datasheet_en_20210625.pdf?did=3617&prodName=HN1D02F
HN1D02F(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SM6
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HN1D02FU(T5L,F,T) HN1D02FU_datasheet_en_20210625.pdf?did=3455&prodName=HN1D02FU
HN1D02FU(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: ES6
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1703JE(TE85L,F) RN1701JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19121&prodName=RN1701JE
RN1703JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
20+15.88 грн
100+10.00 грн
500+6.98 грн
1000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1704JE(TE85L,F) RN1701JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19121&prodName=RN1701JE
RN1704JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1705JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19121&prodName=RN1701JE
RN1705JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.93 грн
13+25.56 грн
100+14.50 грн
500+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1508(TE85L,F) docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508
RN1508(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
19+17.14 грн
100+10.77 грн
500+7.51 грн
1000+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1509(TE85L,F) docget.jsp?did=18805&prodName=RN1508
RN1509(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.93 грн
13+25.87 грн
100+14.66 грн
500+9.11 грн
1000+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1511(TE85L,F) docget.jsp?did=18807&prodName=RN1510
RN1511(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SMV
на замовлення 4175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.76 грн
19+16.59 грн
100+10.43 грн
500+7.28 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2701JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
RN2701JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
500+9.87 грн
1000+7.56 грн
2000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2703JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
RN2703JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
на замовлення 31420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.56 грн
12+26.66 грн
100+15.11 грн
500+9.39 грн
1000+7.20 грн
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2704JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
RN2704JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
12+26.34 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
2000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
RN2705JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
12+27.92 грн
100+15.84 грн
500+9.84 грн
1000+7.54 грн
2000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707JE(TE85L,F) RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE
RN2707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
500+9.87 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708JE(TE85L,F) RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE
RN2708JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
500+9.87 грн
1000+7.56 грн
2000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709JE(TE85L,F) RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE
RN2709JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE
RN2710JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
12+26.34 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
2000+6.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE
RN2711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JE(TE85L,F) docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE
RN2712JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F) docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE
RN2713JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.38 грн
12+27.21 грн
100+15.41 грн
500+9.58 грн
1000+7.34 грн
2000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504(TE85L,F) docget.jsp?did=18887&prodName=RN2501
RN2504(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.20 грн
12+27.99 грн
100+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507(TE85L,F) RN2507-09.pdf
RN2507(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
12+26.34 грн
100+14.93 грн
500+9.28 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F) RN2510_datasheet_en_20191121.pdf?did=18892&prodName=RN2510
RN2510(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.76 грн
19+16.59 грн
100+10.43 грн
500+7.28 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2510
RN2511(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981FE
RN4981FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
RN4983FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.41 грн
25+13.05 грн
100+6.38 грн
500+4.99 грн
1000+3.47 грн
2000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984FE
RN4984FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4985FE
RN4985FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4987FE
RN4987FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988FE
RN4988FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989FE
RN4989FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990FE
RN4990FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4991FE
RN4991FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CT docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE
RN1902FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE
RN1903FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LF(CT docget.jsp?did=19130&prodName=RN1904FE
RN1904FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.13 грн
17+19.11 грн
100+10.82 грн
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905FE
RN1905FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE
RN1906FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1907FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.15 грн
32+10.07 грн
100+6.27 грн
500+4.31 грн
1000+3.80 грн
2000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1908FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.95 грн
16+19.66 грн
100+11.14 грн
500+6.93 грн
1000+5.31 грн
2000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1911FE
RN1910FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE
RN1967FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE
RN1968FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1969FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE
RN1969FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE
RN1970FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1971FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE
RN1971FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
RN1601(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.75 грн
12+26.66 грн
100+15.09 грн
500+9.38 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]