Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13433) > Сторінка 71 з 224

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2705JE(TE85L,F) RN2705JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
12+27.20 грн
100+15.43 грн
500+9.59 грн
1000+7.35 грн
2000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707JE(TE85L,F) RN2707JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
12+27.28 грн
100+15.46 грн
500+9.61 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708JE(TE85L,F) RN2708JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
12+27.28 грн
100+15.46 грн
500+9.61 грн
1000+7.37 грн
2000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709JE(TE85L,F) RN2709JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710JE(TE85L,F) RN2710JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
12+25.67 грн
100+14.55 грн
500+9.04 грн
1000+6.93 грн
2000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711JE(TE85L,F) RN2711JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JE(TE85L,F) RN2712JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F) RN2713JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504(TE85L,F) RN2504(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18887&prodName=RN2501 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.20 грн
12+27.28 грн
100+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507(TE85L,F) RN2507(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2507-09.pdf Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
12+25.67 грн
100+14.55 грн
500+9.04 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F) RN2510(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2510_datasheet_en_20191121.pdf?did=18892&prodName=RN2510 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.16 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511(TE85L,F) RN2511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2510 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981FE(TE85L,F) RN4981FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981FE Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT RN4982FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LF(CT RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.90 грн
25+12.72 грн
100+6.21 грн
500+4.86 грн
1000+3.38 грн
2000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CB RN4984FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE(TE85L,F) RN4985FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4985FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(T5L,F,T) RN4987FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4987FE Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE(TE85L,F) RN4988FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989FE(TE85L,F) RN4989FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE(T5L,F,T) RN4990FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990FE Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE(TE85L,F) RN4991FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4991FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE(TE85L,F) RN1903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LF(CT RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1904FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
17+18.62 грн
100+10.54 грн
500+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE(TE85L,F) RN1905FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905FE Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE(T5L,F,T) RN1906FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CT RN1907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.11 грн
500+4.20 грн
1000+3.70 грн
2000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE(TE85L,F) RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE(TE85L,F) RN1909FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
16+19.16 грн
100+10.86 грн
500+6.75 грн
1000+5.17 грн
2000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE(T5L,F,T) RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1911FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967FE(TE85L,F) RN1967FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FE(TE85L,F) RN1968FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1969FE(TE85L,F) RN1969FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970FE(TE85L,F) RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1971FE(TE85L,F) RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F) RN1601(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.81 грн
12+25.98 грн
100+14.71 грн
500+9.14 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) RN1604(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F) RN1608(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F) RN1609(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F) RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F) RN1611(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.79 грн
11+28.43 грн
100+16.11 грн
500+10.01 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F) RN1673(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1673 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905(T5L,F,T) RN1905(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(T5L,F,T) RN1908(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.47 грн
18+17.17 грн
100+8.64 грн
500+6.62 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909(T5L,F,T) RN1909(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CT RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(T5L,F,T) RN1911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961(TE85L,F) RN1961(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.22 грн
14+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963(TE85L,F) RN1963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18830&prodName=RN1961 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+26.75 грн
100+15.17 грн
500+9.42 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965(TE85L,F) RN1965(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1965 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968(TE85L,F) RN1968(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18832&prodName=RN1968 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
12+26.75 грн
100+15.17 грн
500+9.42 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970(TE85L,F) RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1973(TE85L,F) RN1973(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1973 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN47A3JE(TE85L,F) RN47A3JE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN47A3JE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) RN2901FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.65 грн
16+20.38 грн
100+11.53 грн
500+7.16 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902FE(T5L,F,T) RN2902FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903FE(TE85L,F) RN2903FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.12 грн
32+9.73 грн
100+6.52 грн
500+4.68 грн
1000+4.20 грн
2000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE(T5L,F,T) RN2904FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE(TE85L,F) RN2906FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RN2705JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19089&prodName=RN2705JE
RN2705JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
12+27.20 грн
100+15.43 грн
500+9.59 грн
1000+7.35 грн
2000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2707JE(TE85L,F) RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE
RN2707JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
12+27.28 грн
100+15.46 грн
500+9.61 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2708JE(TE85L,F) RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE
RN2708JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
12+27.28 грн
100+15.46 грн
500+9.61 грн
1000+7.37 грн
2000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2709JE(TE85L,F) RN2708JE_datasheet_en_20140301.pdf?did=19106&prodName=RN2708JE
RN2709JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2710JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE
RN2710JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
на замовлення 3611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
12+25.67 грн
100+14.55 грн
500+9.04 грн
1000+6.93 грн
2000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2711JE(TE85L,F) docget.jsp?did=19108&prodName=RN2711JE
RN2711JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2712JE(TE85L,F) docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE
RN2712JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2713JE(TE85L,F) docget.jsp?did=565&prodName=RN2713JE
RN2713JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-553
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Supplier Device Package: ESV
Part Status: Active
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+26.52 грн
100+15.02 грн
500+9.33 грн
1000+7.16 грн
2000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2504(TE85L,F) docget.jsp?did=18887&prodName=RN2501
RN2504(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.20 грн
12+27.28 грн
100+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2507(TE85L,F) RN2507-09.pdf
RN2507(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
12+25.67 грн
100+14.55 грн
500+9.04 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN2510(TE85L,F) RN2510_datasheet_en_20191121.pdf?did=18892&prodName=RN2510
RN2510(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SMV
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.16 грн
500+7.09 грн
1000+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2511(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2510
RN2511(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4981FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981FE
RN4981FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4982FE,LF(CT docget.jsp?did=19043&prodName=RN4982FE
RN4982FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
RN4983FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.90 грн
25+12.72 грн
100+6.21 грн
500+4.86 грн
1000+3.38 грн
2000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RN4984FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984FE
RN4984FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4985FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4985FE
RN4985FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4987FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4987FE
RN4987FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/ PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4988FE
RN4988FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4989FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4989FE
RN4989FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4990FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990FE
RN4990FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN/PNP 50V 100MA ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4991FE
RN4991FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1902FE,LF(CT docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE
RN1902FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1903FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE
RN1903FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1904FE,LF(CT docget.jsp?did=19130&prodName=RN1904FE
RN1904FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
17+18.62 грн
100+10.54 грн
500+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905FE
RN1905FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRAN DUAL NPN ES6 50V 100A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1906FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE
RN1906FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1907FE,LF(CT RN1909FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1907FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.81 грн
100+6.11 грн
500+4.20 грн
1000+3.70 грн
2000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1908FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19126&prodName=RN1909FE
RN1909FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
16+19.16 грн
100+10.86 грн
500+6.75 грн
1000+5.17 грн
2000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910FE(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1911FE
RN1910FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1967FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE
RN1967FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE
RN1968FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1969FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1967FE
RN1969FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE
RN1970FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1971FE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970FE
RN1971FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1601(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
RN1601(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.81 грн
12+25.98 грн
100+14.71 грн
500+9.14 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1604(TE85L,F) docget.jsp?did=18809&prodName=RN1601
RN1604(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1608(TE85L,F) docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
RN1608(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1609(TE85L,F) docget.jsp?did=18811&prodName=RN1607
RN1609(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1610(TE85L,F) docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610
RN1610(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.06 грн
19+16.17 грн
100+10.18 грн
500+7.12 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN1611(TE85L,F) docget.jsp?did=18815&prodName=RN1610
RN1611(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
11+28.43 грн
100+16.11 грн
500+10.01 грн
1000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RN1673(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1673
RN1673(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1905(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1905
RN1905(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1908(T5L,F,T) docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908
RN1908(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.47 грн
18+17.17 грн
100+8.64 грн
500+6.62 грн
1000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RN1909(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1907
RN1909(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1910,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910
RN1910,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1911(T5L,F,T) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1910
RN1911(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1961(TE85L,F)
RN1961(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.22 грн
14+23.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RN1963(TE85L,F) RN1961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18830&prodName=RN1961
RN1963(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+26.75 грн
100+15.17 грн
500+9.42 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1965(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1965
RN1965(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1968(TE85L,F) docget.jsp?did=18832&prodName=RN1968
RN1968(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
12+26.75 грн
100+15.17 грн
500+9.42 грн
1000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
RN1970(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1970
RN1970(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1973(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1973
RN1973(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN47A3JE(TE85L,F) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN47A3JE
RN47A3JE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ESV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2901FE(TE85L,F) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2901FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.65 грн
16+20.38 грн
100+11.53 грн
500+7.16 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RN2902FE(T5L,F,T) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2902FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2903FE(TE85L,F) RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2903FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.12 грн
32+9.73 грн
100+6.52 грн
500+4.68 грн
1000+4.20 грн
2000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN2904FE(T5L,F,T) docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2904FE(T5L,F,T)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2906FE(TE85L,F) RN2906FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2906FE(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.08 грн
23+13.72 грн
100+8.59 грн
500+5.96 грн
1000+5.28 грн
2000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 88 110 132 154 176 198 220 224  [ Наступна Сторінка >> ]