Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13460) > Сторінка 90 з 225
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN1905FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 10961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN1906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2107,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2111,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 8968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2112,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2115,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2116,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 8940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2409,LF(B | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI |
на замовлення 8975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| RN2904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| RN2906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 11949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4904FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 5860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| RN4906FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| RN4907,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| RN4910,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4986FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4987FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4990FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
TC7SET126F,LJ(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUS BUFFER 3-ST TTL 5-SSOP |
на замовлення 8830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
TC7SET34FU,LJ(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC NON-INVERTER TTL 5-SSOP |
на замовлення 5058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
TC7SH02F,LJ(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC GATE NOR 2-INPUT 5-SSOP |
на замовлення 5609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
TC7SH17FU,LJ(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: IC BUFFER SCHMITT 5-SSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN1408,LF(B | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN1409,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINIPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
RN1902,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN1905FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN1910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2107,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2110,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2111,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2112,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2115,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2116,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2409,LF(B | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| RN2904FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
RN2905FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| RN2906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
RN2907FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN2911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
RN4904,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4904FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4905FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
RN4906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| RN4906FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| RN4907,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
RN4907FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: ES6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4981FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4984FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4986FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
RN4987FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1905FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1906,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2107,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2110,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2111,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2112,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2115,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2116,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2409,LF(B |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2904FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2906,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2910FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2911,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4901,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4904,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4904FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4906,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4906FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4907,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4910,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4981FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4984,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4986FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4987FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4990FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC7SET126F,LJ(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER 3-ST TTL 5-SSOP
Description: IC BUS BUFFER 3-ST TTL 5-SSOP
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC7SET34FU,LJ(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC NON-INVERTER TTL 5-SSOP
Description: IC NON-INVERTER TTL 5-SSOP
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC7SH02F,LJ(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 2-INPUT 5-SSOP
Description: IC GATE NOR 2-INPUT 5-SSOP
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TC7SH17FU,LJ(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER SCHMITT 5-SSOP
Description: IC BUFFER SCHMITT 5-SSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1408,LF(B |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1409,LF |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.48 грн |
| 6000+ | 2.12 грн |
| 9000+ | 1.99 грн |
| RN1902,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN1905FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN1910FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2107,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2110,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2111,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2112,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2115,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2116,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2409,LF(B |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2902FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2904FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2905FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 2.74 грн |
| 8000+ | 2.37 грн |
| RN2906,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN2907FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.32 грн |
| RN2910FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN2911,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4902FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 4.04 грн |
| RN4904,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4904FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4905FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 2.74 грн |
| RN4906,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4906FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4907,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4907FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4981FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4984FE,LF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RN4986FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| RN4987FE,LF(CB |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.





.jpg)

,%20SC-88A,%20SOT-353.jpg)



