Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13261) > Сторінка 90 з 222

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 110 132 154 176 198 220 222  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TC7SZ02FU,LJ(CT TC7SZ02FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ02FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30520&prodName=TC7SZ02FU Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SZ05F,LJ(CT TC7SZ05F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ05F Description: IC INVERTER OPEN-DRAIN 5-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR2EE33,LM(CT TCR2EE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.8 грн
8000+ 4.16 грн
12000+ 3.7 грн
28000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCR2EE45,LM(CT TCR2EE45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 4.5V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товар відсутній
TCR2EE50,LM(CT TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45 Description: IC REG LINEAR 5V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
1SS361,LJ(CT 1SS361,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage 1SS361_datasheet_en_20211013.pdf?did=3336&prodName=1SS361 Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
34+ 9.11 грн
100+ 5.68 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN1102,LF(CT RN1102,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 27430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.86 грн
35+ 8.66 грн
100+ 5.38 грн
500+ 3.69 грн
1000+ 3.25 грн
2000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 22
RN1105,LF(CT RN1105,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1106,LF(CT RN1106,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
29+ 10.69 грн
100+ 5.2 грн
500+ 4.07 грн
1000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN1408,LF(B RN1408,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1409,LF RN1409,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
RN1414,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1414 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
товар відсутній
RN1902,LF(CT RN1902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN1904,LF(CT RN1904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1905,LF(CT RN1905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN190x.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.89 грн
18+ 17.54 грн
100+ 9.28 грн
500+ 5.73 грн
1000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN1905FE,LF(CB RN1905FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF(CT RN1906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1906 Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1910FE,LF(CT RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.55 грн
24+ 12.65 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 3.36 грн
2000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2107,LF(CB RN2107,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2110,LF(CB RN2110,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2111,LF(CB RN2111,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2112,LF(CB RN2112,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2115,LF(CB RN2115,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2116,LF(CB RN2116,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2409,LF(B RN2409,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2407 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2902,LF(CT RN2902,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 33038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.67 грн
17+ 18.22 грн
100+ 9.69 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
RN2902FE,LF(CT RN2902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
товар відсутній
RN2903,LF(CT RN2903,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF(CT RN2904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.55 грн
24+ 13.03 грн
100+ 6.36 грн
500+ 4.98 грн
1000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2904FE Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6
товар відсутній
RN2906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2906 Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6
товар відсутній
RN2907FE,LF(CT RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
34+ 9.11 грн
100+ 5.68 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 3.44 грн
2000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN2910FE,LF(CB RN2910FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2911,LF(CT RN2911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF(CT RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4902FE,LF(CT RN4902FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19020&prodName=RN4902FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.89 грн
18+ 17.39 грн
100+ 9.22 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 3.87 грн
2000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN4904,LF(CT RN4904,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904FE,LF(CB RN4904FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4905,LF(CT RN4905,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4905_datasheet_en_20210824.pdf?did=18956&prodName=RN4905 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.55 грн
26+ 11.67 грн
100+ 7.24 грн
500+ 5 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN4905FE,LF(CT RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19136&prodName=RN4905FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF(CT RN4906,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906FE Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6
товар відсутній
RN4907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907 Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
товар відсутній
RN4907FE,LF(CT RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19029&prodName=RN4907FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
34+ 9.11 грн
100+ 5.68 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 3.44 грн
2000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN4910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910 Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
товар відсутній
RN4981FE,LF(CB RN4981FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4983,LF(CT RN4983,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4983_datasheet_en_20210824.pdf?did=18976&prodName=RN4983 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.8 грн
18+ 16.87 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN4984,LF(CT RN4984,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4984FE,LF(CT RN4984FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.89 грн
18+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN4986FE,LF(CB RN4986FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4987,LF(CT RN4987,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.8 грн
18+ 17.09 грн
100+ 8.34 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN4987FE,LF(CB RN4987FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4987FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4990FE,LF(CB RN4990FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SET126F,LJ(CB TC7SET126F,LJ(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F Description: IC BUS BUFFER 3-ST TTL 5-SSOP
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SET17FU,LJ(CT TC7SET17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53724&prodName=TC7SET17FU Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.24 грн
18+ 17.32 грн
25+ 15.15 грн
100+ 9.2 грн
250+ 7.62 грн
500+ 6.09 грн
1000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
TC7SET34FU,LJ(CB TC7SET34FU,LJ(CB Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET34FU Description: IC NON-INVERTER TTL 5-SSOP
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH02F,LJ(CT TC7SH02F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH02F Description: IC GATE NOR 2-INPUT 5-SSOP
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH04FU,LJ(CT TC7SH04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 40819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.55 грн
27+ 11.29 грн
33+ 9.16 грн
100+ 6.39 грн
250+ 5.29 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 3.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
TC7SH08F,LJ(CT TC7SH08F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.02 грн
21+ 14.46 грн
26+ 11.81 грн
100+ 8.26 грн
250+ 6.87 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 13
TC7SZ02FU,LJ(CT TC7SZ02FU_datasheet_en_20170517.pdf?did=30520&prodName=TC7SZ02FU
TC7SZ02FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 1CH 2-INP 5SSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NOR Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 5-SSOP
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
товар відсутній
TC7SZ05F,LJ(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SZ05F
TC7SZ05F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER OPEN-DRAIN 5-SSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TCR2EE33,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EE33,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 3.3V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
Part Status: Active
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+4.8 грн
8000+ 4.16 грн
12000+ 3.7 грн
28000+ 3.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TCR2EE45,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EE45,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 4.5V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 4.5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
товар відсутній
TCR2EE50,LM(CT TCR2EF45_datasheet_en_20190620.pdf?did=13794&prodName=TCR2EF45
TCR2EE50,LM(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 5V 200MA ESV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-553
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 200mA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 60 µA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: ESV
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Enable
PSRR: 73dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.2V @ 150mA
Protection Features: Over Current
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 4000
1SS361,LJ(CT 1SS361_datasheet_en_20211013.pdf?did=3336&prodName=1SS361
1SS361,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA
Supplier Device Package: SSM
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.64 грн
34+ 9.11 грн
100+ 5.68 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 3.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN1102,LF(CT
RN1102,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
товар відсутній
RN1102MFV,L3F RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV
RN1102MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 27430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.86 грн
35+ 8.66 грн
100+ 5.38 грн
500+ 3.69 грн
1000+ 3.25 грн
2000+ 2.88 грн
Мінімальне замовлення: 22
RN1105,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1105
RN1105,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1106,LF(CT docget.jsp?did=18746&prodName=RN1106
RN1106,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.42 грн
29+ 10.69 грн
100+ 5.2 грн
500+ 4.07 грн
1000+ 2.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN1408,LF(B docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1408
RN1408,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1409,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1409,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 22
RN1414,LF docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1414
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
товар відсутній
RN1902,LF(CT RN190x.pdf
RN1902,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN1904,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902
RN1904,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1905,LF(CT RN190x.pdf
RN1905,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.89 грн
18+ 17.54 грн
100+ 9.28 грн
500+ 5.73 грн
1000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN1905FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1902FE
RN1905FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1906,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1906
RN1906,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN1910FE,LF(CT RN1910FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19070&prodName=RN1910FE
RN1910FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
24+ 12.65 грн
100+ 6.18 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 3.36 грн
2000+ 2.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2107,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2107
RN2107,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2110,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110
RN2110,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2111,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2110
RN2111,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2112,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2112
RN2112,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2115,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2115,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2116,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2114
RN2116,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
на замовлення 8940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2409,LF(B docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2407
RN2409,LF(B
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W SMINI
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2902,LF(CT docget.jsp?did=18907&prodName=RN2906
RN2902,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 33038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.67 грн
17+ 18.22 грн
100+ 9.69 грн
500+ 5.98 грн
1000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
RN2902FE,LF(CT docget.jsp?did=19092&prodName=RN2906FE
RN2902FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
товар відсутній
RN2903,LF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2903,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
товар відсутній
RN2904,LF(CT RN2906_datasheet_en_20230112.pdf?did=18907&prodName=RN2906
RN2904,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
24+ 13.03 грн
100+ 6.36 грн
500+ 4.98 грн
1000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2904FE,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2904FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MW ES6
товар відсутній
RN2906,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2906
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 0.2W US6
товар відсутній
RN2907FE,LF(CT RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2907FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.64 грн
34+ 9.11 грн
100+ 5.68 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 3.44 грн
2000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN2910FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910FE
RN2910FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN2911,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN2910
RN2911,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4901,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4901
RN4901,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4902FE,LF(CT docget.jsp?did=19020&prodName=RN4902FE
RN4902FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.89 грн
18+ 17.39 грн
100+ 9.22 грн
500+ 5.7 грн
1000+ 3.87 грн
2000+ 3.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN4904,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904
RN4904,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4904FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4904FE
RN4904FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4905,LF(CT RN4905_datasheet_en_20210824.pdf?did=18956&prodName=RN4905
RN4905,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
26+ 11.67 грн
100+ 7.24 грн
500+ 5 грн
1000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN4905FE,LF(CT docget.jsp?did=19136&prodName=RN4905FE
RN4905FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906
RN4906,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4906FE,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4906FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V ES6
товар відсутній
RN4907,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4907
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
товар відсутній
RN4907FE,LF(CT RN4907FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19029&prodName=RN4907FE
RN4907FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.64 грн
34+ 9.11 грн
100+ 5.68 грн
500+ 3.9 грн
1000+ 3.44 грн
2000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 20
RN4910,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4910
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V US6
товар відсутній
RN4981FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4981FE
RN4981FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4983,LF(CT RN4983_datasheet_en_20210824.pdf?did=18976&prodName=RN4983
RN4983,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.8 грн
18+ 16.87 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN4984,LF(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4984
RN4984,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4984FE,LF(CT docget.jsp?did=19048&prodName=RN4984FE
RN4984FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+21.89 грн
18+ 17.09 грн
Мінімальне замовлення: 15
RN4986FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4986FE
RN4986FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4987,LF(CT RN4987_datasheet_en_20210824.pdf?did=18985&prodName=RN4987
RN4987,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.8 грн
18+ 17.09 грн
100+ 8.34 грн
500+ 6.53 грн
1000+ 4.54 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN4987FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4987FE
RN4987FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
RN4990FE,LF(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN4990FE
RN4990FE,LF(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SET126F,LJ(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET126F
TC7SET126F,LJ(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER 3-ST TTL 5-SSOP
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SET17FU,LJ(CT docget.jsp?did=53724&prodName=TC7SET17FU
TC7SET17FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 5-SSOP
на замовлення 17089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.24 грн
18+ 17.32 грн
25+ 15.15 грн
100+ 9.2 грн
250+ 7.62 грн
500+ 6.09 грн
1000+ 4.59 грн
Мінімальне замовлення: 13
TC7SET34FU,LJ(CB docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SET34FU
TC7SET34FU,LJ(CB
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC NON-INVERTER TTL 5-SSOP
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH02F,LJ(CT docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TC7SH02F
TC7SH02F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NOR 2-INPUT 5-SSOP
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TC7SH04FU,LJ(CT TC7SH04FU_datasheet_en_20170516.pdf?did=30515&prodName=TC7SH04FU
TC7SH04FU,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 1CH 1-INP 5SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 5-SSOP
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.5ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 40819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.55 грн
27+ 11.29 грн
33+ 9.16 грн
100+ 6.39 грн
250+ 5.29 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 3.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
TC7SH08F,LJ(CT TC7SH08FU_datasheet_en_20181214.pdf?did=29870&prodName=TC7SH08FU
TC7SH08F,LJ(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP SMV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: SMV
Input Logic Level - High: 1.5V
Input Logic Level - Low: 0.5V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 7.9ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 2 µA
на замовлення 6681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.02 грн
21+ 14.46 грн
26+ 11.81 грн
100+ 8.26 грн
250+ 6.87 грн
500+ 6.01 грн
1000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 13
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 110 132 154 176 198 220 222  [ Наступна Сторінка >> ]