Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > Всі товари виробника TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE (13489) > Сторінка 92 з 225

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TL1WK-NW1,L TL1WK-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-NW1,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-WH1,L TL1WK-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-WH1,L.pdf Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-DW1,L TL1WK-DW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-DW1,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-LL1,L TL1WK-LL1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-LL1,L.pdf Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-LW1,L TL1WK-LW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-LW1,L.pdf Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-NT1,L TL1WK-NT1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-NT1,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 5700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-NW1,L TL1WK-NW1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-NW1,L.pdf Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-WH1,L TL1WK-WH1,L Toshiba Semiconductor and Storage TL1WK-WH1,L.pdf Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DLR,LF TCS40DLR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30105&prodName=TCS40DLR Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DPR,LF TCS40DPR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30107&prodName=TCS40DPR Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+6.04 грн
9000+5.90 грн
15000+5.37 грн
21000+5.27 грн
30000+5.17 грн
75000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DLR,LF TCS40DLR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30105&prodName=TCS40DLR Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 7737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.42 грн
31+10.37 грн
33+9.73 грн
36+8.41 грн
50+7.95 грн
100+7.52 грн
500+6.57 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DPR,LF TCS40DPR,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30107&prodName=TCS40DPR Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 108363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.42 грн
31+10.37 грн
33+9.73 грн
36+8.41 грн
50+7.95 грн
100+7.52 грн
500+6.57 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15221&prodName=TPHR8504PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q TPHR8504PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15221&prodName=TPHR8504PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 33458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.28 грн
10+118.97 грн
100+81.68 грн
500+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX540FT(AE) 74LCX540FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74LCX540FT Description: IC INVERTER 8-INPUT 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX573FT(AE) 74LCX573FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15276&prodName=74LCX573FT Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125FT 74VHC125FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14142&prodName=74VHC125FT Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.22 грн
5000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC139FT 74VHC139FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15693&prodName=74VHC139FT Description: IC DECODER/DEMUX 1X2:4 16-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:4
Type: Decoder/Demultiplexer
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373FT(BJ) 74VHC373FT(BJ) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHC373FT Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6076(TE16L1,NV) 2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10384&prodName=2SC6076 Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6076(TE16L1,NV) 2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10384&prodName=2SC6076 Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.07 грн
10+40.27 грн
100+26.17 грн
500+18.85 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8503NL,L1Q TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15482&prodName=TPWR8503NL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8503NL,L1Q TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15482&prodName=TPWR8503NL Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.31 грн
10+117.30 грн
100+81.75 грн
500+76.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 13504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.37 грн
10+178.77 грн
100+125.59 грн
500+105.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM11,LF TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM11,LF TCR5AM11,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12 Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
12+27.43 грн
25+25.64 грн
100+19.25 грн
250+17.87 грн
500+15.12 грн
1000+11.49 грн
2500+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6640&prodName=SSM3J133TU Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.71 грн
6000+7.99 грн
9000+6.73 грн
15000+6.22 грн
21000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LM SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15150&prodName=SSM6N56FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.05 грн
8000+4.17 грн
12000+4.09 грн
20000+3.77 грн
28000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M2SL,L3F DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15756&prodName=DF2B7M2SL Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7SL,L3F DF2B7SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15752&prodName=DF2B7SL Description: TVS DIODE 5.3VWM 16VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 45W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT,L3F DF2S6.8UCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3M DF2S6.8UFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R_datasheet_en_20210105.pdf?did=14758&prodName=SSM3K337R Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.16 грн
6000+10.20 грн
9000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF SSM3J133TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6640&prodName=SSM3J133TU Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 57692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.95 грн
13+24.64 грн
100+15.74 грн
500+11.14 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LM SSM6N56FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15150&prodName=SSM6N56FE Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.84 грн
21+15.63 грн
100+5.56 грн
500+5.11 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M2SL,L3F DF2B7M2SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15756&prodName=DF2B7M2SL Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.90 грн
35+9.25 грн
100+4.55 грн
500+3.88 грн
1000+3.43 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7SL,L3F DF2B7SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15752&prodName=DF2B7SL Description: TVS DIODE 5.3VWM 16VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 45W
Power Line Protection: No
на замовлення 18360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+8.28 грн
58+5.58 грн
133+2.41 грн
500+2.13 грн
1000+1.94 грн
2000+1.91 грн
5000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT,L3F DF2S6.8UCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 19630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3M DF2S6.8UFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K337R_datasheet_en_20210105.pdf?did=14758&prodName=SSM3K337R Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.12 грн
12+27.27 грн
100+18.95 грн
500+13.88 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT,L3F DF2S6.8UCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 19630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3M DF2S6.8UFS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB906-Y(TE16L1,NQ 2SB906-Y(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=20843&prodName=2SB906 Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX00FT 74LCX00FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15273&prodName=74LCX00FT Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT(AE) 74LCX04FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74LCX04FT Description: IC INVERTER HEX 14TSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX05FT 74LCX05FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15384&prodName=74LCX05FT Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Open Drain
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.06 грн
5000+9.10 грн
12500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX07FT 74LCX07FT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=15387&prodName=74LCX07FT Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.01 грн
5000+9.61 грн
7500+9.10 грн
12500+8.01 грн
17500+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX126FT(AE) 74LCX126FT(AE) Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74LCX126FT Description: IC BUS BUFFER QDLV N-INV 14TSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05S30,L3F CTS05S30,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13982&prodName=CTS05S30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.46 грн
20000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05S40,L3F CTS05S40,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14192&prodName=CTS05S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CTS520,L3F CTS520,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13015&prodName=CTS520 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CTS521,L3F CTS521,L3F Toshiba Semiconductor and Storage CTS521_datasheet_en_20140404.pdf?did=12770&prodName=CTS521 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.66 грн
20000+1.46 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05S30,H3F CUS05S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13983&prodName=CUS05S30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.67 грн
6000+2.34 грн
9000+2.12 грн
15000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05S40,H3F CUS05S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS05S40_datasheet_en_20140407.pdf?did=14743&prodName=CUS05S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
6000+2.74 грн
9000+2.65 грн
15000+2.48 грн
21000+2.39 грн
30000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS08F30,H3F CUS08F30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=9019&prodName=CUS08F30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 529950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.89 грн
6000+2.55 грн
9000+2.49 грн
15000+2.25 грн
21000+2.24 грн
30000+2.17 грн
75000+2.10 грн
150000+1.97 грн
300000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S30,H3F CUS10S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14077&prodName=CUS10S30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.26 грн
6000+3.65 грн
9000+3.49 грн
15000+3.23 грн
21000+3.16 грн
30000+3.02 грн
75000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S40,H3F CUS10S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=14564&prodName=CUS10S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
6000+2.88 грн
9000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS15S30,H3F CUS15S30,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S30_datasheet_en_20140407.pdf?did=13655&prodName=CUS15S30 Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.55 грн
6000+4.14 грн
9000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS15S40,H3F CUS15S40,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUS15S40_datasheet_en_20140407.pdf?did=14686&prodName=CUS15S40 Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-NW1,L TL1WK-NW1,L.pdf
TL1WK-NW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-WH1,L TL1WK-WH1,L.pdf
TL1WK-WH1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-DW1,L TL1WK-DW1,L.pdf
TL1WK-DW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 6500K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-LL1,L TL1WK-LL1,L.pdf
TL1WK-LL1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS WARM WHT 2700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-LW1,L TL1WK-LW1,L.pdf
TL1WK-LW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS WARM WHT 3000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-NT1,L TL1WK-NT1,L.pdf
TL1WK-NT1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5700K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-NW1,L TL1WK-NW1,L.pdf
TL1WK-NW1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS COOL WHT 5000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TL1WK-WH1,L TL1WK-WH1,L.pdf
TL1WK-WH1,L
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: LED LETERAS NEU WHITE 4000K 2SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DLR,LF docget.jsp?did=30105&prodName=TCS40DLR
TCS40DLR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.55 грн
6000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DPR,LF docget.jsp?did=30107&prodName=TCS40DPR
TCS40DPR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.55 грн
6000+6.04 грн
9000+5.90 грн
15000+5.37 грн
21000+5.27 грн
30000+5.17 грн
75000+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DLR,LF docget.jsp?did=30105&prodName=TCS40DLR
TCS40DLR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Open Drain
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 7737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.42 грн
31+10.37 грн
33+9.73 грн
36+8.41 грн
50+7.95 грн
100+7.52 грн
500+6.57 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TCS40DPR,LF docget.jsp?did=30107&prodName=TCS40DPR
TCS40DPR,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MAGNETIC SWITCH OMNIPOLAR SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Output Type: Push-Pull
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 5.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release
Current - Output (Max): 5mA
Current - Supply (Max): 1.6mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23F
Test Condition: 25°C
Part Status: Active
на замовлення 108363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.42 грн
31+10.37 грн
33+9.73 грн
36+8.41 грн
50+7.95 грн
100+7.52 грн
500+6.57 грн
1000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q docget.jsp?did=15221&prodName=TPHR8504PL
TPHR8504PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPHR8504PL,L1Q docget.jsp?did=15221&prodName=TPHR8504PL
TPHR8504PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 33458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.28 грн
10+118.97 грн
100+81.68 грн
500+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX540FT(AE) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74LCX540FT
74LCX540FT(AE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 8-INPUT 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX573FT(AE) docget.jsp?did=15276&prodName=74LCX573FT
74LCX573FT(AE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125FT docget.jsp?did=14142&prodName=74VHC125FT
74VHC125FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUFF NON-INVERT 5.5V 14-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 4
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+8.22 грн
5000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC139FT docget.jsp?did=15693&prodName=74VHC139FT
74VHC139FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC DECODER/DEMUX 1X2:4 16-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Circuit: 1 x 2:4
Type: Decoder/Demultiplexer
Voltage - Supply: 2V ~ 5.5V
Independent Circuits: 2
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Voltage Supply Source: Single Supply
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC373FT(BJ) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74VHC373FT
74VHC373FT(BJ)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC LATCH OCTAL D-TYPE 20TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6076(TE16L1,NV) docget.jsp?did=10384&prodName=2SC6076
2SC6076(TE16L1,NV)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2SC6076(TE16L1,NV) docget.jsp?did=10384&prodName=2SC6076
2SC6076(TE16L1,NV)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 10 W
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.07 грн
10+40.27 грн
100+26.17 грн
500+18.85 грн
1000+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8503NL,L1Q docget.jsp?did=15482&prodName=TPWR8503NL
TPWR8503NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL
TPWR8004PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8503NL,L1Q docget.jsp?did=15482&prodName=TPWR8503NL
TPWR8503NL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 15 V
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.31 грн
10+117.30 грн
100+81.75 грн
500+76.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TPWR8004PL,L1Q docget.jsp?did=15466&prodName=TPWR8004PL
TPWR8004PL,L1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 20 V
на замовлення 13504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.37 грн
10+178.77 грн
100+125.59 грн
500+105.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM11,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TCR5AM11,LF docget.jsp?did=29906&prodName=TCR5AM12
TCR5AM11,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC REG LINEAR 1.1V 500MA 5DFNB
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
12+27.43 грн
25+25.64 грн
100+19.25 грн
250+17.87 грн
500+15.12 грн
1000+11.49 грн
2500+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF docget.jsp?did=6640&prodName=SSM3J133TU
SSM3J133TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.71 грн
6000+7.99 грн
9000+6.73 грн
15000+6.22 грн
21000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LM docget.jsp?did=15150&prodName=SSM6N56FE
SSM6N56FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.05 грн
8000+4.17 грн
12000+4.09 грн
20000+3.77 грн
28000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M2SL,L3F docget.jsp?did=15756&prodName=DF2B7M2SL
DF2B7M2SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7SL,L3F docget.jsp?did=15752&prodName=DF2B7SL
DF2B7SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.3VWM 16VC SL2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 45W
Power Line Protection: No
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3M docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF SSM3K337R_datasheet_en_20210105.pdf?did=14758&prodName=SSM3K337R
SSM3K337R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.16 грн
6000+10.20 грн
9000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J133TU,LF docget.jsp?did=6640&prodName=SSM3J133TU
SSM3J133TU,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 57692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.95 грн
13+24.64 грн
100+15.74 грн
500+11.14 грн
1000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SSM6N56FE,LM docget.jsp?did=15150&prodName=SSM6N56FE
SSM6N56FE,LM
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 32255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.84 грн
21+15.63 грн
100+5.56 грн
500+5.11 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7M2SL,L3F docget.jsp?did=15756&prodName=DF2B7M2SL
DF2B7M2SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5VWM 20VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.2pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 20V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.90 грн
35+9.25 грн
100+4.55 грн
500+3.88 грн
1000+3.43 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DF2B7SL,L3F docget.jsp?did=15752&prodName=DF2B7SL
DF2B7SL,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 5.3VWM 16VC SL2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: SL2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 5.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 45W
Power Line Protection: No
на замовлення 18360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.28 грн
58+5.58 грн
133+2.41 грн
500+2.13 грн
1000+1.94 грн
2000+1.91 грн
5000+1.84 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 19630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3M docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3K337R,LF SSM3K337R_datasheet_en_20210105.pdf?did=14758&prodName=SSM3K337R
SSM3K337R,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 38V 2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 10 V
на замовлення 12304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.12 грн
12+27.27 грн
100+18.95 грн
500+13.88 грн
1000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UCT,L3F docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UCT
DF2S6.8UCT,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 19630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DF2S6.8UFS,L3M docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=DF2S6.8UFS
DF2S6.8UFS,L3M
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TVS DIODE 19VWM 22VC
на замовлення 3943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SB906-Y(TE16L1,NQ docget.jsp?did=20843&prodName=2SB906
2SB906-Y(TE16L1,NQ
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 9MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX00FT docget.jsp?did=15273&prodName=74LCX00FT
74LCX00FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC GATE NAND 4CH 2-INP 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Current - Output High, Low: 24mA, 24mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 5.2ns @ 3.3V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Current - Quiescent (Max): 10 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX04FT(AE) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74LCX04FT
74LCX04FT(AE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER HEX 14TSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX05FT docget.jsp?did=15384&prodName=74LCX05FT
74LCX05FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC INVERTER 6CH 1-INP 14TSSOP
Features: Open Drain
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: -, 32mA
Number of Inputs: 1
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Grade: Automotive
Number of Circuits: 6
Current - Quiescent (Max): 10 µA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.06 грн
5000+9.10 грн
12500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX07FT docget.jsp?did=15387&prodName=74LCX07FT
74LCX07FT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 6
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: -, 32mA
Supplier Device Package: 14-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.01 грн
5000+9.61 грн
7500+9.10 грн
12500+8.01 грн
17500+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
74LCX126FT(AE) docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=74LCX126FT
74LCX126FT(AE)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IC BUS BUFFER QDLV N-INV 14TSSOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05S30,L3F docget.jsp?did=13982&prodName=CTS05S30
CTS05S30,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.46 грн
20000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CTS05S40,L3F docget.jsp?did=14192&prodName=CTS05S40
CTS05S40,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CTS520,L3F docget.jsp?did=13015&prodName=CTS520
CTS520,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 600 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CTS521,L3F CTS521_datasheet_en_20140404.pdf?did=12770&prodName=CTS521
CTS521,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: CST2
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 30 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.66 грн
20000+1.46 грн
30000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05S30,H3F docget.jsp?did=13983&prodName=CUS05S30
CUS05S30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 340 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
6000+2.34 грн
9000+2.12 грн
15000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS05S40,H3F CUS05S40_datasheet_en_20140407.pdf?did=14743&prodName=CUS05S40
CUS05S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 42pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 350 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 10 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.95 грн
6000+2.74 грн
9000+2.65 грн
15000+2.48 грн
21000+2.39 грн
30000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS08F30,H3F docget.jsp?did=9019&prodName=CUS08F30
CUS08F30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 800MA USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 30 V
на замовлення 529950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.89 грн
6000+2.55 грн
9000+2.49 грн
15000+2.25 грн
21000+2.24 грн
30000+2.17 грн
75000+2.10 грн
150000+1.97 грн
300000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S30,H3F docget.jsp?did=14077&prodName=CUS10S30
CUS10S30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 230 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.26 грн
6000+3.65 грн
9000+3.49 грн
15000+3.23 грн
21000+3.16 грн
30000+3.02 грн
75000+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS10S40,H3F docget.jsp?did=14564&prodName=CUS10S40
CUS10S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.23 грн
6000+2.88 грн
9000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS15S30,H3F CUS15S30_datasheet_en_20140407.pdf?did=13655&prodName=CUS15S30
CUS15S30,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1.5A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 400 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.55 грн
6000+4.14 грн
9000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
CUS15S40,H3F CUS15S40_datasheet_en_20140407.pdf?did=14686&prodName=CUS15S40
CUS15S40,H3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A USC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 170pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: USC
Operating Temperature - Junction: 125°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 450 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]