Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11808) > Сторінка 85 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DG2537DQ-T1-GE3 DG2537DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2537.pdf Description: IC SWITCH SPST 4.5 OHM 10MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2538DQ-T1-GE3 DG2538DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2537.pdf Description: IC SWITCH SPST 4.5 OHM 10MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2539DQ-T1-GE3 DG2539DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix dg2537.pdf Description: IC SWITCH SPST 4.5 OHM 10MSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2599DN-T1-GE4 Vishay Siliconix Description: IC SW DPDTX2 1.1OHM 16MINIQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 90ns, 70ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Circuit: DPDT
Crosstalk: -110dB @ 1MHz
Charge Injection: 10pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5V
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
-3db Bandwidth: 186MHz
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2735ADN-T1-GE4 DG2735ADN-T1-GE4 Vishay Siliconix dg2735a.pdf Description: IC SW SPDTX2 500MOHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 55pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG722DQ-T1-GE3 DG722DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 49281_pt0315.pdf Description: IC SWITCH SPST-NCX2 4.5OHM 8MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 9pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 35ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -90dB @ 10MHz
Charge Injection: 2.2pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
-3db Bandwidth: 366MHz
On-State Resistance (Max): 4.5Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9251EN-T1-E4 DG9251EN-T1-E4 Vishay Siliconix dg9251.pdf Description: IC MUX 8:1 182OHM 16MINIQFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.7pF, 10.7pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 125ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3.1Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Charge Injection: 4.1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
-3db Bandwidth: 314MHz
On-State Resistance (Max): 182Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9454EN-T1-E4 DG9454EN-T1-E4 Vishay Siliconix dg9454.pdf Description: IC MUX SPDT TRIPLE 16QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC414CD-T1-GE3 SIC414CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic414_sic424.pdf Description: IC REG DL BUCK/LNR SYNC 28MLPQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC779CD-T1-GE3 SIC779CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 40A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 3V ~ 16V
Technology: DrMOS
Current - Output / Channel: 40A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+84.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32414DNP-T1-GE4 SIP32414DNP-T1-GE4 Vishay Siliconix sip32413.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 62mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x2)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 SIHG47N60E-E3 Vishay Siliconix sihg47n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.86 грн
25+458.21 грн
50+420.04 грн
100+364.05 грн
500+311.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-E3 SIHF22N60E-E3 Vishay Siliconix sihf22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-E3 SIHG22N60E-E3 Vishay Siliconix sihg22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.43 грн
25+222.37 грн
50+201.26 грн
100+172.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB22N60E-E3 SiHB22N60E-E3 Vishay Siliconix sihb22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG30N60E-E3 SiHG30N60E-E3 Vishay Siliconix sihg30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF30N60E-E3 SiHF30N60E-E3 Vishay Siliconix sihf30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-E3 SIHG24N65E-E3 Vishay Siliconix sihg24n6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP24N65E-E3 SiHP24N65E-E3 Vishay Siliconix sihp24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65E-E3 SiHB24N65E-E3 Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3 SIHF12N60E-E3 Vishay Siliconix sihf12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-E3 SIHP12N60E-E3 Vishay Siliconix sihp12n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3 SIHF15N60E-E3 Vishay Siliconix sihf15n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EEV-T1-GE3 SQ3427EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3427ee.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3 SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3419ee.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3 SQ3418EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3418ee.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3 SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3426eev.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3 SQ1431EH-T1-GE3 Vishay Siliconix sq1431eh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3 SQ1470EH-T1-GE3 Vishay Siliconix sq1470eh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1-GE3 SQ3456BEV-T1-GE3 Vishay Siliconix 67934.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3460EV-T1-GE3 SQ3460EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3460ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3442EV-T1-GE3 SQ3442EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3442ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 SQ1421EDH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1421edh.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.23 грн
10+35.61 грн
100+26.59 грн
500+19.60 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1420EEH-T1-GE3 SQ1420EEH-T1-GE3 Vishay Siliconix sq1420ee.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EEV-T1-GE3 SQ3427EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3427ee.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3 SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3419ee.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3 SQ3418EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3418ee.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3 SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3426eev.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3 SQ1431EH-T1-GE3 Vishay Siliconix sq1431eh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3 SQ1470EH-T1-GE3 Vishay Siliconix sq1470eh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1-GE3 SQ3456BEV-T1-GE3 Vishay Siliconix 67934.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3460EV-T1-GE3 SQ3460EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3460ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3 SQ2360EES-T1-GE3 Vishay Siliconix sq2360ees.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3442EV-T1-GE3 SQ3442EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3442ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 SQ1421EDH-T1_GE3 Vishay Siliconix sq1421edh.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3 SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix sq2361ees.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EEV-T1-GE3 SQ3427EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3427ee.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3 SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3419ee.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3 SQ3418EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3418ee.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3 SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3426eev.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3 SQ1431EH-T1-GE3 Vishay Siliconix sq1431eh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3 SQ1470EH-T1-GE3 Vishay Siliconix sq1470eh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1-GE3 SQ3456BEV-T1-GE3 Vishay Siliconix 67934.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3460EV-T1-GE3 SQ3460EV-T1-GE3 Vishay Siliconix sq3460ev.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878ADP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir878adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3 SIR826DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir826dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.96 грн
10+174.28 грн
100+121.75 грн
500+93.23 грн
1000+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878ADP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir878adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878ADP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir878adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir870adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 10732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.10 грн
10+118.71 грн
100+83.20 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir882adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.72 грн
10+132.74 грн
100+96.32 грн
500+76.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2537DQ-T1-GE3 dg2537.pdf
DG2537DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST 4.5 OHM 10MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2538DQ-T1-GE3 dg2537.pdf
DG2538DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST 4.5 OHM 10MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2539DQ-T1-GE3 dg2537.pdf
DG2539DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST 4.5 OHM 10MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2599DN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW DPDTX2 1.1OHM 16MINIQFN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 10nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 9pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 90ns, 70ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Circuit: DPDT
Crosstalk: -110dB @ 1MHz
Charge Injection: 10pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 5V
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
-3db Bandwidth: 186MHz
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG2735ADN-T1-GE4 dg2735a.pdf
DG2735ADN-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPDTX2 500MOHM 10MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 500mOhm
-3db Bandwidth: 50MHz
Supplier Device Package: 10-miniQFN (1.4x1.8)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.65V ~ 4.3V
Crosstalk: -70dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 78ns, 58ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 55pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 2nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DG722DQ-T1-GE3 49281_pt0315.pdf
DG722DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX2 4.5OHM 8MSOP
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 9pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 30ns, 35ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 200mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -90dB @ 10MHz
Charge Injection: 2.2pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-MSOP
-3db Bandwidth: 366MHz
On-State Resistance (Max): 4.5Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9251EN-T1-E4 dg9251.pdf
DG9251EN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX 8:1 182OHM 16MINIQFN
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 2.7pF, 10.7pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 125ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 3.1Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 8:1
Crosstalk: -67dB @ 10MHz
Charge Injection: 4.1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±2.7V ~ 5V
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 16V
Supplier Device Package: 16-miniQFN (1.8x2.6)
-3db Bandwidth: 314MHz
On-State Resistance (Max): 182Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-WFQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DG9454EN-T1-E4 dg9454.pdf
DG9454EN-T1-E4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC MUX SPDT TRIPLE 16QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC414CD-T1-GE3 sic414_sic424.pdf
SIC414CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG DL BUCK/LNR SYNC 28MLPQ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC779CD-T1-GE3
SIC779CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 40A PPAK
Part Status: Active
Load Type: Inductive
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Voltage - Load: 3V ~ 16V
Technology: DrMOS
Current - Output / Channel: 40A
Applications: Synchronous Buck Converters
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Output Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+84.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP32414DNP-T1-GE4 sip32413.pdf
SIP32414DNP-T1-GE4
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 62mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 1.1V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2.4A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-TDFN (2x2)
Fault Protection: Reverse Current
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG47N60E-E3 sihg47n60e.pdf
SIHG47N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+782.86 грн
25+458.21 грн
50+420.04 грн
100+364.05 грн
500+311.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60E-E3 sihf22n60e.pdf
SIHF22N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG22N60E-E3 sihg22n60e.pdf
SIHG22N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+399.43 грн
25+222.37 грн
50+201.26 грн
100+172.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB22N60E-E3 sihb22n60e.pdf
SiHB22N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHG30N60E-E3 sihg30n60e.pdf
SiHG30N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF30N60E-E3 sihf30n60e.pdf
SiHF30N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG24N65E-E3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP24N65E-E3 sihp24n65e.pdf
SiHP24N65E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHB24N65E-E3 sihb24n65e.pdf
SiHB24N65E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF12N60E-E3 sihf12n6.pdf
SIHF12N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-E3 sihp12n6.pdf
SIHP12N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 937 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF15N60E-E3 sihf15n60e.pdf
SIHF15N60E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EEV-T1-GE3 sq3427ee.pdf
SQ3427EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3 sq3419ee.pdf
SQ3419EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3 sq3418ee.pdf
SQ3418EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3 sq3426eev.pdf
SQ3426EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3 sq1431eh.pdf
SQ1431EH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3 sq1470eh.pdf
SQ1470EH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1-GE3 67934.pdf
SQ3456BEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3460EV-T1-GE3 sq3460ev.pdf
SQ3460EV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3442EV-T1-GE3 sq3442ev.pdf
SQ3442EV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 sq1421edh.pdf
SQ1421EDH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.23 грн
10+35.61 грн
100+26.59 грн
500+19.60 грн
1000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1420EEH-T1-GE3 sq1420ee.pdf
SQ1420EEH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EEV-T1-GE3 sq3427ee.pdf
SQ3427EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3 sq3419ee.pdf
SQ3419EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3 sq3418ee.pdf
SQ3418EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3 sq3426eev.pdf
SQ3426EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3 sq1431eh.pdf
SQ1431EH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3 sq1470eh.pdf
SQ1470EH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1-GE3 67934.pdf
SQ3456BEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3460EV-T1-GE3 sq3460ev.pdf
SQ3460EV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3 sq2360ees.pdf
SQ2360EES-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3442EV-T1-GE3 sq3442ev.pdf
SQ3442EV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1421EDH-T1_GE3 sq1421edh.pdf
SQ1421EDH-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3 sq2361ees.pdf
SQ2361EES-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427EEV-T1-GE3 sq3427ee.pdf
SQ3427EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3 sq3419ee.pdf
SQ3419EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3 sq3418ee.pdf
SQ3418EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3 sq3426eev.pdf
SQ3426EEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1431EH-T1-GE3 sq1431eh.pdf
SQ1431EH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SC70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ1470EH-T1-GE3 sq1470eh.pdf
SQ1470EH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3456BEV-T1-GE3 67934.pdf
SQ3456BEV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3460EV-T1-GE3 sq3460ev.pdf
SQ3460EV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878ADP-T1-GE3 sir878adp.pdf
SIR878ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3 sir826dp.pdf
SIR826DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.96 грн
10+174.28 грн
100+121.75 грн
500+93.23 грн
1000+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878ADP-T1-GE3 sir878adp.pdf
SIR878ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878ADP-T1-GE3 sir878adp.pdf
SIR878ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR870ADP-T1-GE3 sir870adp.pdf
SIR870ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2866 pF @ 50 V
на замовлення 10732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+176.10 грн
10+118.71 грн
100+83.20 грн
500+64.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882ADP-T1-GE3 sir882adp.pdf
SIR882ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 50 V
на замовлення 7634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.72 грн
10+132.74 грн
100+96.32 грн
500+76.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]