Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 90 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIHF22N60S-E3 SIHF22N60S-E3 Vishay Siliconix sihf22n60s.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP21106DR-33-E3 SIP21106DR-33-E3 Vishay Siliconix sip21106.pdf Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 SIR416DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir416dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.19 грн
10+86.92 грн
100+58.55 грн
500+43.53 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 SIR422DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir422dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.55 грн
10+74.89 грн
100+50.19 грн
500+37.15 грн
1000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR436DP-T1-GE3 SIR436DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir436dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis410dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.19 грн
10+66.12 грн
100+44.18 грн
500+32.61 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS436DN-T1-GE3 SIS436DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis436dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 Vishay Siliconix sud25n15.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.17 грн
10+137.45 грн
100+95.41 грн
500+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3 Vishay Siliconix 71323.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
10+160.45 грн
100+116.93 грн
500+91.78 грн
1000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 Vishay Siliconix sud50n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.79 грн
10+222.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 Vishay Siliconix sud50p06.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 8917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.10 грн
10+140.40 грн
100+97.71 грн
500+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 Vishay Siliconix sud50p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.67 грн
10+140.70 грн
100+97.89 грн
500+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3 SUM110N03-04P-E3 Vishay Siliconix 72366.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3 SI1406DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1406dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5906DU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB408DK-T1-GE3 SIB408DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib408dk.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8439DB-T1-E1 SI8439DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8439db.pdf Description: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF10N40D-E3 SIHF10N40D-E3 Vishay Siliconix sihf10n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3 SIHF6N40D-E3 Vishay Siliconix sihf6n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-E3 SIHP6N40D-E3 Vishay Siliconix sihp6n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3 SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz920dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8439DB-T1-E1 SI8439DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8439db.pdf Description: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1442dh.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.64 грн
20+15.13 грн
100+9.16 грн
500+8.19 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis890dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.04 грн
10+85.48 грн
100+57.61 грн
500+42.89 грн
1000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3 SIZ920DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz920dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8439DB-T1-E1 SI8439DB-T1-E1 Vishay Siliconix si8439db.pdf Description: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 SI1442DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1442dh.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis890dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.43 грн
6000+34.56 грн
9000+33.31 грн
15000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DMP-T1-GE3 SIP12107DMP-T1-GE3 Vishay Siliconix sip12107.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16QFN
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 3A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.91 грн
10+98.19 грн
25+93.14 грн
100+71.80 грн
250+67.12 грн
500+59.31 грн
1000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DMP-T1-GE3 SIP12107DMP-T1-GE3 Vishay Siliconix sip12107.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16QFN
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 3A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 SUM90N03-2M2P-E3 Vishay Siliconix sum90n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778ACD-T1-GE3 SIC778ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic778a.pdf Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778CD-T1-GE3 SIC778CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778ACD-T1-GE3 SIC778ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic778a.pdf Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC780CD-T1-GE3 SIC780CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic780.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: DrMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
10+126.63 грн
25+115.68 грн
100+97.25 грн
250+91.86 грн
500+88.61 грн
1000+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778CD-T1-GE3 SIC778CD-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778ACD-T1-GE3 SIC778ACD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic778a.pdf Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC780CD-T1-GE3 SIC780CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic780.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: DrMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413CB-T1-E3 SIC413CB-T1-E3 Vishay Siliconix sic413.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 4A SYNC 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC762CD-T1-GE3 SIC762CD-T1-GE3 Vishay Siliconix sic762cd.pdf Description: IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC769CD-T1-E3 SIC769CD-T1-E3 Vishay Siliconix sic769cd.pdf Description: IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413CB-T1-E3 SIC413CB-T1-E3 Vishay Siliconix sic413.pdf Description: IC REG BUCK ADJ 4A SYNC 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir880adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4056dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis892adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.95 грн
6000+27.73 грн
9000+26.67 грн
15000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7655dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.04 грн
6000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4090dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3 SIA448DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia448dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442CDV-T1-GE3 SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3442cdv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N40D-GE3 SIHP25N40D-GE3 Vishay Siliconix sihp25n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.45 грн
50+124.97 грн
100+114.43 грн
500+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-E3 SIHG25N40D-E3 Vishay Siliconix sihg25n40d.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.16 грн
10+182.69 грн
100+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG14N50D-E3 SIHG14N50D-E3 Vishay Siliconix sihg14n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-E3 SIHP14N50D-E3 Vishay Siliconix sihp14n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir880adp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3 SI4056DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4056dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.70 грн
10+55.98 грн
100+36.98 грн
500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis892adn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 18376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.26 грн
10+70.81 грн
100+47.27 грн
500+34.89 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7655dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.04 грн
10+99.40 грн
100+67.74 грн
500+50.88 грн
1000+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7615adn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.77 грн
10+53.41 грн
100+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 SI4090DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4090dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+83.36 грн
100+56.33 грн
500+42.02 грн
1000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF22N60S-E3 sihf22n60s.pdf
SIHF22N60S-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP21106DR-33-E3 sip21106.pdf
SIP21106DR-33-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG LINEAR 3.3V 150MA SC70-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR416DP-T1-GE3 sir416dp.pdf
SIR416DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+142.19 грн
10+86.92 грн
100+58.55 грн
500+43.53 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR422DP-T1-GE3 sir422dp.pdf
SIR422DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+122.55 грн
10+74.89 грн
100+50.19 грн
500+37.15 грн
1000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR436DP-T1-GE3 sir436dp.pdf
SIR436DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS410DN-T1-GE3 sis410dn.pdf
SIS410DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 6315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+109.19 грн
10+66.12 грн
100+44.18 грн
500+32.61 грн
1000+29.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS436DN-T1-GE3 sis436dn.pdf
SIS436DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 855 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD25N15-52-E3 sud25n15.pdf
SUD25N15-52-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+219.17 грн
10+137.45 грн
100+95.41 грн
500+76.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD40N08-16-E3 71323.pdf
SUD40N08-16-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
на замовлення 5153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.95 грн
10+160.45 грн
100+116.93 грн
500+91.78 грн
1000+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-09L-E3 sud50n06.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+348.79 грн
10+222.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15L-E3 sud50p06.pdf
SUD50P06-15L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 8917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+223.10 грн
10+140.40 грн
100+97.71 грн
500+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-E3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
на замовлення 8134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+224.67 грн
10+140.70 грн
100+97.89 грн
500+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N03-04P-E3 72366.pdf
SUM110N03-04P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 110A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3 si1406dh.pdf
SI1406DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU.pdf
SI5906DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB408DK-T1-GE3 sib408dk.pdf
SIB408DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L
на замовлення 8351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI8439DB-T1-E1 si8439db.pdf
SI8439DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF10N40D-E3 sihf10n40d.pdf
SIHF10N40D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 526 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF6N40D-E3 sihf6n40d.pdf
SIHF6N40D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-E3 sihp6n40d.pdf
SIHP6N40D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3 siz920dt.pdf
SIZ920DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8439DB-T1-E1 si8439db.pdf
SI8439DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.64 грн
20+15.13 грн
100+9.16 грн
500+8.19 грн
1000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
SIS890DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+139.04 грн
10+85.48 грн
100+57.61 грн
500+42.89 грн
1000+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ920DT-T1-GE3 siz920dt.pdf
SIZ920DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 18.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 39W, 100W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8439DB-T1-E1 si8439db.pdf
SI8439DB-T1-E1
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1442DH-T1-GE3 si1442dh.pdf
SI1442DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3 sis890dn.pdf
SIS890DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+38.43 грн
6000+34.56 грн
9000+33.31 грн
15000+30.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DMP-T1-GE3 sip12107.pdf
SIP12107DMP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16QFN
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 3A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.91 грн
10+98.19 грн
25+93.14 грн
100+71.80 грн
250+67.12 грн
500+59.31 грн
1000+46.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIP12107DMP-T1-GE3 sip12107.pdf
SIP12107DMP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 3A 16QFN
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
Voltage - Input (Min): 2.8V
Voltage - Output (Max): 4.68V
Synchronous Rectifier: Yes
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
Topology: Buck
Voltage - Input (Max): 5.5V
Frequency - Switching: 200kHz ~ 4MHz
Output Configuration: Positive
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Current - Output: 3A
Function: Step-Down
Number of Outputs: 1
Mounting Type: Surface Mount
Output Type: Adjustable
Package / Case: 16-SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N03-2M2P-E3 sum90n03.pdf
SUM90N03-2M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 257 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12065 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+108.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778ACD-T1-GE3 sic778a.pdf
SIC778ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778CD-T1-GE3
SIC778CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778ACD-T1-GE3 sic778a.pdf
SIC778ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIC780CD-T1-GE3 sic780.pdf
SIC780CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: DrMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.75 грн
10+126.63 грн
25+115.68 грн
100+97.25 грн
250+91.86 грн
500+88.61 грн
1000+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778CD-T1-GE3
SIC778CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC778ACD-T1-GE3 sic778a.pdf
SIC778ACD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC BUCK ADJ 40A 40MLP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC780CD-T1-GE3 sic780.pdf
SIC780CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 50A PPAK
Features: Bootstrap Circuit, Diode Emulation, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® MLP66-40
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 50A
Technology: DrMOS
Voltage - Load: 4.5V ~ 18V
Supplier Device Package: PowerPAK® MLP66-40
Fault Protection: Over Temperature, Shoot-Through, UVLO
Load Type: Inductive
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413CB-T1-E3 sic413.pdf
SIC413CB-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 4A SYNC 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC762CD-T1-GE3 sic762cd.pdf
SIC762CD-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC769CD-T1-E3 sic769cd.pdf
SIC769CD-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC CTLR PFC STAGE PPAK MLP66-40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIC413CB-T1-E3 sic413.pdf
SIC413CB-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC REG BUCK ADJ 4A SYNC 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 sir880adp.pdf
SIR880ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3 si4056dy.pdf
SI4056DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
SIS892ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+30.95 грн
6000+27.73 грн
9000+26.67 грн
15000+23.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 si7655dn.pdf
SI7655DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+46.04 грн
6000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 si4090dy.pdf
SI4090DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA448DJ-T1-GE3 sia448dj.pdf
SIA448DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6L
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI3442CDV-T1-GE3 si3442cdv.pdf
SI3442CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N40D-GE3 sihp25n40d.pdf
SIHP25N40D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+236.45 грн
50+124.97 грн
100+114.43 грн
500+89.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG25N40D-E3 sihg25n40d.pdf
SIHG25N40D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1707 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+274.16 грн
10+182.69 грн
100+134.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHG14N50D-E3 sihg14n50d.pdf
SIHG14N50D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-E3 sihp14n50d.pdf
SIHP14N50D-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1144 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880ADP-T1-GE3 sir880adp.pdf
SIR880ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2289 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056DY-T1-GE3 si4056dy.pdf
SI4056DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.70 грн
10+55.98 грн
100+36.98 грн
500+27.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3 sis892adn.pdf
SIS892ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 18376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+116.26 грн
10+70.81 грн
100+47.27 грн
500+34.89 грн
1000+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7655DN-T1-GE3 si7655dn.pdf
SI7655DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+161.04 грн
10+99.40 грн
100+67.74 грн
500+50.88 грн
1000+49.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7615ADN-T1-GE3 si7615adn.pdf
SI7615ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5590 pF @ 10 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+88.77 грн
10+53.41 грн
100+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4090DY-T1-GE3 si4090dy.pdf
SI4090DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.12 грн
10+83.36 грн
100+56.33 грн
500+42.02 грн
1000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 76 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]