Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11149) > Сторінка 88 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis476dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.24 грн
6000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir846adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3 SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz918dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 20297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.47 грн
10+125.98 грн
100+86.06 грн
500+64.73 грн
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira00dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.85 грн
10+148.41 грн
100+103.50 грн
500+78.46 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia461dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 33614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.89 грн
12+28.27 грн
100+19.12 грн
500+13.79 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira06dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.71 грн
10+70.37 грн
100+56.43 грн
500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA12DP.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis476dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.04 грн
10+69.29 грн
100+53.49 грн
500+39.59 грн
1000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4190ady.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5429DU.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA418DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 SIJ482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij482dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir788dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira02dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis468dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa10dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4190ady.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+167.11 грн
10+115.14 грн
100+88.38 грн
500+68.57 грн
1000+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA418DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 SIJ482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij482dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir788dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira02dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 6206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.02 грн
10+115.73 грн
100+79.13 грн
500+59.57 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.27 грн
10+51.69 грн
100+41.06 грн
500+35.52 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis468dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.12 грн
10+94.47 грн
100+63.57 грн
500+47.22 грн
1000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa10dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.05 грн
10+77.46 грн
100+60.41 грн
500+46.83 грн
1000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA418DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz710dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+115.16 грн
10+91.22 грн
100+70.90 грн
500+56.41 грн
1000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz710dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.86 грн
6000+43.90 грн
9000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4628dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4210dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 SIE726DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie726df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE876DF-T1-GE3 SIE876DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie876df.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4628dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4825ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
на замовлення 24581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.71 грн
10+64.12 грн
100+43.54 грн
500+32.00 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir424dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.38 грн
10+61.53 грн
100+46.65 грн
500+35.73 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494DP-T1-GE3 SIR494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir494dp.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.11 грн
10+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis438dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 24532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.60 грн
10+49.28 грн
100+35.88 грн
500+26.46 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-5M0P-E3 SUP90N06-5M0P-E3 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3433cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.76 грн
11+31.93 грн
100+22.62 грн
500+17.08 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.30 грн
10+79.71 грн
100+62.04 грн
500+49.35 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia913adj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.68 грн
10+34.52 грн
100+23.58 грн
500+17.44 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS430DN-T1-GE3 SIS430DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis430dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4168dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.50 грн
10+70.79 грн
100+53.19 грн
500+42.93 грн
1000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3 SIA850DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia850dj.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3 SIR484DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir484dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4210dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 SIE726DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie726df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 SIR410DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir410d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.47 грн
10+80.63 грн
100+53.88 грн
500+39.76 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.01 грн
10+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3 SUD17N25-165-E3 Vishay Siliconix sup17n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 SI4100DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4100dy.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.83 грн
10+74.62 грн
100+52.05 грн
500+44.55 грн
1000+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3 SI4172DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4172dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 SIA811ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia811adj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+67.54 грн
10+40.19 грн
100+26.03 грн
500+18.67 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIE876DF-T1-GE3 SIE876DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie876df.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.28 грн
10+95.72 грн
100+70.24 грн
500+52.58 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2N7002K-T1-GE3 Vishay Siliconix 2n7002k.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 154730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+21.65 грн
27+12.59 грн
100+7.84 грн
500+5.42 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDQ-T1-E3 DG419BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix dg417b.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.66 грн
10+159.59 грн
25+146.11 грн
100+123.27 грн
250+116.66 грн
500+112.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-T1-E3 DG419DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.58 грн
10+112.48 грн
25+102.59 грн
100+86.01 грн
250+81.12 грн
500+78.18 грн
1000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 sis476dn.pdf
SIS476DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.24 грн
6000+32.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 sir846adp.pdf
SIR846ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3 siz918dt.pdf
SIZ918DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 20297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.47 грн
10+125.98 грн
100+86.06 грн
500+64.73 грн
1000+59.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 sira00dp.pdf
SIRA00DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.85 грн
10+148.41 грн
100+103.50 грн
500+78.46 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
SIA461DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 33614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.89 грн
12+28.27 грн
100+19.12 грн
500+13.79 грн
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.71 грн
10+70.37 грн
100+56.43 грн
500+42.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 si8416db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 sis476dn.pdf
SIS476DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.04 грн
10+69.29 грн
100+53.49 грн
500+39.59 грн
1000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 si8416db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
SI4190ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU.pdf
SI5429DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® ChipFET™ Single
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ.pdf
SIA418DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 sij482dp.pdf
SIJ482DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 sir788dp.pdf
SIR788DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 sira02dp.pdf
SIRA02DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+54.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 sisa10dn.pdf
SISA10DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
SI4190ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.11 грн
10+115.14 грн
100+88.38 грн
500+68.57 грн
1000+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ.pdf
SIA418DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 sij482dp.pdf
SIJ482DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 sir788dp.pdf
SIR788DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 sira02dp.pdf
SIRA02DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 6206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.02 грн
10+115.73 грн
100+79.13 грн
500+59.57 грн
1000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.27 грн
10+51.69 грн
100+41.06 грн
500+35.52 грн
1000+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.12 грн
10+94.47 грн
100+63.57 грн
500+47.22 грн
1000+43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 sisa10dn.pdf
SISA10DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.05 грн
10+77.46 грн
100+60.41 грн
500+46.83 грн
1000+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ.pdf
SIA418DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 siz710dt.pdf
SIZ710DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.16 грн
10+91.22 грн
100+70.90 грн
500+56.41 грн
1000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 siz710dt.pdf
SIZ710DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+47.86 грн
6000+43.90 грн
9000+41.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 si4628dy.pdf
SI4628DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 si4210dy.pdf
SI4210DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 sie726df.pdf
SIE726DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE876DF-T1-GE3 sie876df.pdf
SIE876DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 si4628dy.pdf
SI4628DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 si4825ddy.pdf
SI4825DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
на замовлення 24581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.71 грн
10+64.12 грн
100+43.54 грн
500+32.00 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 sir424dp.pdf
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.38 грн
10+61.53 грн
100+46.65 грн
500+35.73 грн
1000+31.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494DP-T1-GE3 sir494dp.pdf
SIR494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.11 грн
10+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 24532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.60 грн
10+49.28 грн
100+35.88 грн
500+26.46 грн
1000+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-5M0P-E3 irl620.pdf
SUP90N06-5M0P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
SI3433CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.76 грн
11+31.93 грн
100+22.62 грн
500+17.08 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.30 грн
10+79.71 грн
100+62.04 грн
500+49.35 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 sia913adj.pdf
SIA913ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.68 грн
10+34.52 грн
100+23.58 грн
500+17.44 грн
1000+15.90 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS430DN-T1-GE3 sis430dn.pdf
SIS430DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.50 грн
10+70.79 грн
100+53.19 грн
500+42.93 грн
1000+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3 sia850dj.pdf
SIA850DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3 sir484dp.pdf
SIR484DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 si4210dy.pdf
SI4210DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 sie726df.pdf
SIE726DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 sir410d.pdf
SIR410DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.47 грн
10+80.63 грн
100+53.88 грн
500+39.76 грн
1000+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 sir460dp.pdf
SIR460DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.01 грн
10+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3 sup17n25.pdf
SUD17N25-165-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3 si4100dy.pdf
SI4100DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.83 грн
10+74.62 грн
100+52.05 грн
500+44.55 грн
1000+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4172DY-T1-GE3 si4172dy.pdf
SI4172DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA811ADJ-T1-GE3 sia811adj.pdf
SIA811ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.54 грн
10+40.19 грн
100+26.03 грн
500+18.67 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIE876DF-T1-GE3 sie876df.pdf
SIE876DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-GE3 si4840bdy.pdf
SI4840BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 7181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.28 грн
10+95.72 грн
100+70.24 грн
500+52.58 грн
1000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002K-T1-GE3 2n7002k.pdf
2N7002K-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 154730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.65 грн
27+12.59 грн
100+7.84 грн
500+5.42 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DG419BDQ-T1-E3 dg417b.pdf
DG419BDQ-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 4761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.66 грн
10+159.59 грн
25+146.11 грн
100+123.27 грн
250+116.66 грн
500+112.68 грн
1000+107.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-T1-E3 dg417.pdf
DG419DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.58 грн
10+112.48 грн
25+102.59 грн
100+86.01 грн
250+81.12 грн
500+78.18 грн
1000+74.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]