Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11116) > Сторінка 89 з 186

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DG419DY-T1-E3 DG419DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg417.pdf Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.99 грн
10+110.63 грн
25+100.90 грн
100+84.59 грн
250+79.79 грн
500+76.89 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG442DY-T1-E3 DG442DY-T1-E3 Vishay Siliconix dg441.pdf Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.58 грн
10+124.81 грн
25+113.96 грн
100+95.71 грн
250+90.36 грн
500+87.14 грн
1000+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411DL-T1-E3 DG9411DL-T1-E3 Vishay Siliconix dg9411.pdf Description: IC ANALOG SWITCH SPDT LV SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix sihf510s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.48 грн
10+90.37 грн
100+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF IRF530SPBF Vishay Siliconix sihf530s.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRPBF IRF530STRRPBF Vishay Siliconix sihf530s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.54 грн
10+112.10 грн
100+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF Vishay Siliconix sihf540s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.00 грн
10+166.31 грн
100+116.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF IRF640STRLPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.62 грн
10+174.75 грн
100+122.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.62 грн
10+174.75 грн
100+122.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF IRF740STRLPBF Vishay Siliconix sihf740s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 7621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.51 грн
10+171.56 грн
100+120.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBF IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix sihf9510.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 28152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.38 грн
10+127.03 грн
100+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF IRF9530SPBF Vishay Siliconix sihf9530.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.11 грн
50+118.81 грн
100+107.35 грн
500+81.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF IRF9540SPBF Vishay Siliconix sihf9540.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.49 грн
50+170.11 грн
100+154.74 грн
500+119.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBF IRF9540STRLPBF Vishay Siliconix sihf9540.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.49 грн
10+217.89 грн
100+154.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBF IRF9610SPBF Vishay Siliconix sihf9610.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.57 грн
10+122.84 грн
100+84.32 грн
500+63.69 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630SPBF Vishay Siliconix IRF9630S_SiHF9630S.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.74 грн
50+126.31 грн
100+114.28 грн
500+87.48 грн
1000+81.13 грн
2000+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBF IRF9630STRLPBF Vishay Siliconix IRF9630S_SiHF9630S.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.74 грн
10+163.60 грн
100+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF9640SPBF Vishay Siliconix IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBF IRF9640STRLPBF Vishay Siliconix IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf description Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.45 грн
50+102.87 грн
100+92.72 грн
500+70.31 грн
1000+64.94 грн
2000+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF IRF9Z34SPBF Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.47 грн
50+136.24 грн
100+123.39 грн
500+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF IRF9Z34STRLPBF Vishay Siliconix sihf9z34.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.47 грн
10+176.07 грн
100+123.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF IRFR120TRPBF Vishay Siliconix sihfr120.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.14 грн
10+94.72 грн
100+64.21 грн
500+47.99 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF IRFR210TRLPBF Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+59.70 грн
100+43.91 грн
500+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF IRFR220TRLPBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.84 грн
10+95.86 грн
100+64.93 грн
500+48.52 грн
1000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBF IRFR420TRLPBF Vishay Siliconix sihfr420.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.63 грн
10+72.17 грн
100+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF IRFR9120TRLPBF Vishay Siliconix sihfr912.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.82 грн
10+71.67 грн
100+71.50 грн
500+64.68 грн
1000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBF IRFZ14SPBF Vishay Siliconix sihfz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.44 грн
10+93.40 грн
100+63.23 грн
500+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF IRL640STRLPBF Vishay Siliconix sihl640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.69 грн
10+182.79 грн
100+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBF IRLZ14SPBF Vishay Siliconix sihlz14s.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.25 грн
50+74.35 грн
100+66.63 грн
500+49.84 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3 SI1406DH-T1-E3 Vishay Siliconix si1406dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2301cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 47162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.50 грн
11+30.71 грн
100+19.75 грн
500+14.09 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 SI2302CDS-T1-E3 Vishay Siliconix si2302cds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 41001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.69 грн
12+28.46 грн
100+18.22 грн
500+12.96 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 SI2304DDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2304dds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 19598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.03 грн
14+23.70 грн
100+15.09 грн
500+10.67 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3 SI2308BDS-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 SI2309CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2309cd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 35600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
10+35.02 грн
100+22.68 грн
500+16.26 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-E3 SI3443CDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3443cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 20291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.17 грн
11+31.16 грн
100+24.31 грн
500+19.42 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 SI3443CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3443cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 20814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.65 грн
10+37.56 грн
100+27.37 грн
500+20.16 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 SI3457CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3457cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 21133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.06 грн
10+36.74 грн
100+25.71 грн
500+18.98 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix si3458bdv.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.13 грн
10+57.16 грн
100+39.58 грн
500+31.03 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 SI4134DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4134dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.46 грн
10+53.06 грн
100+37.72 грн
500+27.47 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4160dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.04 грн
10+85.29 грн
100+47.53 грн
500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 SI4162DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4162dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 25976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.42 грн
10+65.19 грн
100+43.45 грн
500+31.81 грн
1000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4166dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 7727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.71 грн
10+71.84 грн
100+54.87 грн
500+46.51 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 SI4174DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4174dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.68 грн
10+62.90 грн
100+42.04 грн
500+30.74 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3 Si4214DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4214ddy-t1-e3.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.64 грн
10+47.56 грн
100+32.03 грн
500+24.78 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-E3 SI4410BDY-T1-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4425ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 99577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.32 грн
10+56.26 грн
100+37.58 грн
500+27.48 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 SI4435DDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 13166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.75 грн
10+49.20 грн
100+32.25 грн
500+23.45 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3 SI4485DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4485dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.76 грн
10+36.82 грн
100+26.49 грн
500+20.54 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4532cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 11701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.35 грн
10+47.07 грн
100+30.83 грн
500+22.36 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 SI4835DDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.22 грн
10+91.19 грн
100+62.27 грн
500+46.26 грн
1000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 SI4840BDY-T1-E3 Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 33962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.29 грн
10+99.72 грн
100+74.72 грн
500+56.08 грн
1000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 SI4925DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4925dd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+110.71 грн
10+67.65 грн
100+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4936cdy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.24 грн
10+44.12 грн
100+28.78 грн
500+20.81 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5906DU.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 SI7114ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7114ad.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 24903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.05 грн
10+68.23 грн
100+52.29 грн
500+38.79 грн
1000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 SI7129DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7129dn.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 10780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.09 грн
10+58.63 грн
100+45.60 грн
500+36.28 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DG419DY-T1-E3 dg417.pdf
DG419DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
на замовлення 10397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.99 грн
10+110.63 грн
25+100.90 грн
100+84.59 грн
250+79.79 грн
500+76.89 грн
1000+73.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DG442DY-T1-E3 dg441.pdf
DG442DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4
на замовлення 2183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.58 грн
10+124.81 грн
25+113.96 грн
100+95.71 грн
250+90.36 грн
500+87.14 грн
1000+83.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DG9411DL-T1-E3 dg9411.pdf
DG9411DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC ANALOG SWITCH SPDT LV SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.48 грн
10+90.37 грн
100+61.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530SPBF description sihf530s.pdf
IRF530SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRRPBF sihf530s.pdf
IRF530STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.54 грн
10+112.10 грн
100+76.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
IRF540STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.00 грн
10+166.31 грн
100+116.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRLPBF sihf640s.pdf
IRF640STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.62 грн
10+174.75 грн
100+122.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
IRF640STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 1363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.62 грн
10+174.75 грн
100+122.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRLPBF sihf740s.pdf
IRF740STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 7621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.51 грн
10+171.56 грн
100+120.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9510STRLPBF sihf9510.pdf
IRF9510STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 28152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.38 грн
10+127.03 грн
100+87.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530SPBF description sihf9530.pdf
IRF9530SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.11 грн
50+118.81 грн
100+107.35 грн
500+81.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540SPBF sihf9540.pdf
IRF9540SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.49 грн
50+170.11 грн
100+154.74 грн
500+119.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRLPBF sihf9540.pdf
IRF9540STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.49 грн
10+217.89 грн
100+154.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9610SPBF sihf9610.pdf
IRF9610SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.57 грн
10+122.84 грн
100+84.32 грн
500+63.69 грн
1000+58.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630SPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.74 грн
50+126.31 грн
100+114.28 грн
500+87.48 грн
1000+81.13 грн
2000+76.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9630STRLPBF IRF9630S_SiHF9630S.pdf
IRF9630STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.74 грн
10+163.60 грн
100+114.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640SPBF IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
IRF9640SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640STRLPBF description IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
IRF9640STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24SPBF sihf9z24.pdf
IRF9Z24SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.45 грн
50+102.87 грн
100+92.72 грн
500+70.31 грн
1000+64.94 грн
2000+60.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34SPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.47 грн
50+136.24 грн
100+123.39 грн
500+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34STRLPBF sihf9z34.pdf
IRF9Z34STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.47 грн
10+176.07 грн
100+123.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120TRPBF sihfr120.pdf
IRFR120TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.14 грн
10+94.72 грн
100+64.21 грн
500+47.99 грн
1000+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR210TRLPBF sihfr210.pdf
IRFR210TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 4671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.12 грн
10+59.70 грн
100+43.91 грн
500+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220TRLPBF sihfr220.pdf
IRFR220TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 4905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.84 грн
10+95.86 грн
100+64.93 грн
500+48.52 грн
1000+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR420TRLPBF sihfr420.pdf
IRFR420TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.63 грн
10+72.17 грн
100+56.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120TRLPBF sihfr912.pdf
IRFR9120TRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.82 грн
10+71.67 грн
100+71.50 грн
500+64.68 грн
1000+60.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ14SPBF sihfz14s.pdf
IRFZ14SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.44 грн
10+93.40 грн
100+63.23 грн
500+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL640STRLPBF sihl640s.pdf
IRL640STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.69 грн
10+182.79 грн
100+128.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ14SPBF sihlz14s.pdf
IRLZ14SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.25 грн
50+74.35 грн
100+66.63 грн
500+49.84 грн
1000+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-E3 si1406dh.pdf
SI1406DH-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 10 V
на замовлення 47162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.50 грн
11+30.71 грн
100+19.75 грн
500+14.09 грн
1000+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2302CDS-T1-E3 si2302cds.pdf
SI2302CDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 41001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.69 грн
12+28.46 грн
100+18.22 грн
500+12.96 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3 si2304dds.pdf
SI2304DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 19598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.03 грн
14+23.70 грн
100+15.09 грн
500+10.67 грн
1000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI2308BDS-T1-E3
SI2308BDS-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 30 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2309CDS-T1-GE3 si2309cd.pdf
SI2309CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 345mOhm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 30 V
на замовлення 35600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.76 грн
10+35.02 грн
100+22.68 грн
500+16.26 грн
1000+14.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-E3 si3443cd.pdf
SI3443CDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 20291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.17 грн
11+31.16 грн
100+24.31 грн
500+19.42 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3443CDV-T1-GE3 si3443cd.pdf
SI3443CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 10 V
на замовлення 20814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.65 грн
10+37.56 грн
100+27.37 грн
500+20.16 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI3457CDV-T1-GE3 si3457cdv.pdf
SI3457CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 21133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.06 грн
10+36.74 грн
100+25.71 грн
500+18.98 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI3458BDV-T1-E3 si3458bdv.pdf
SI3458BDV-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.13 грн
10+57.16 грн
100+39.58 грн
500+31.03 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4134DY-T1-GE3 si4134dy.pdf
SI4134DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 846 pF @ 15 V
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.46 грн
10+53.06 грн
100+37.72 грн
500+27.47 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4160DY-T1-GE3 si4160dy.pdf
SI4160DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.04 грн
10+85.29 грн
100+47.53 грн
500+43.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4162DY-T1-GE3 si4162dy.pdf
SI4162DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 19.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 25976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.42 грн
10+65.19 грн
100+43.45 грн
500+31.81 грн
1000+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4166DY-T1-GE3 si4166dy.pdf
SI4166DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 7727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.71 грн
10+71.84 грн
100+54.87 грн
500+46.51 грн
1000+42.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4174DY-T1-GE3 si4174dy.pdf
SI4174DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 985 pF @ 15 V
на замовлення 9408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+62.90 грн
100+42.04 грн
500+30.74 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Si4214DDY-T1-GE3 si4214ddy-t1-e3.pdf
Si4214DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 13803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.64 грн
10+47.56 грн
100+32.03 грн
500+24.78 грн
1000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410BDY-T1-E3
SI4410BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4425DDY-T1-GE3 si4425ddy.pdf
SI4425DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 19.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 99577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+56.26 грн
100+37.58 грн
500+27.48 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-E3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 13166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.75 грн
10+49.20 грн
100+32.25 грн
500+23.45 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4485DY-T1-GE3 si4485dy.pdf
SI4485DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.76 грн
10+36.82 грн
100+26.49 грн
500+20.54 грн
1000+18.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4532CDY-T1-GE3 si4532cd.pdf
SI4532CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 11701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.35 грн
10+47.07 грн
100+30.83 грн
500+22.36 грн
1000+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-E3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 4728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.22 грн
10+91.19 грн
100+62.27 грн
500+46.26 грн
1000+42.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4840BDY-T1-E3 si4840bdy.pdf
SI4840BDY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 33962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.29 грн
10+99.72 грн
100+74.72 грн
500+56.08 грн
1000+51.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4925DDY-T1-GE3 si4925dd.pdf
SI4925DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.71 грн
10+67.65 грн
100+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4936CDY-T1-GE3 si4936cdy.pdf
SI4936CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.24 грн
10+44.12 грн
100+28.78 грн
500+20.81 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI5906DU-T1-GE3 SI5906DU.pdf
SI5906DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3 si7114ad.pdf
SI7114ADN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 24903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.05 грн
10+68.23 грн
100+52.29 грн
500+38.79 грн
1000+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI7129DN-T1-GE3 si7129dn.pdf
SI7129DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3345 pF @ 15 V
на замовлення 10780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.09 грн
10+58.63 грн
100+45.60 грн
500+36.28 грн
1000+29.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 186  [ Наступна Сторінка >> ]