Сторінка 89 з 185

Name: SIA461DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 3178381-3
Price: 336.64 UAH
Availability: InStock

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 185 [ Наступна Сторінка >> ]

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIA461DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 33614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.08 грн
12+	25.92 грн
100+	17.53 грн
500+	12.64 грн
1000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIRA06DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.50 грн
10+	64.52 грн
100+	51.74 грн
500+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI8416DB-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIRA12DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 8473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	94.47 грн
10+	63.53 грн
100+	49.04 грн
500+	36.30 грн
1000+	33.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI8416DB-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIR788DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	52.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	38.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.22 грн
10+	105.58 грн
100+	81.04 грн
500+	62.87 грн
1000+	57.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR788DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIRA02DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

на замовлення 6428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.09 грн
10+	71.48 грн
100+	62.15 грн
500+	56.36 грн
1000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIRA10DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 4291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	63.51 грн
10+	47.40 грн
100+	37.64 грн
500+	32.57 грн
1000+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 4695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.31 грн
10+	86.62 грн
100+	58.28 грн
500+	43.30 грн
1000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 5263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.56 грн
10+	71.02 грн
100+	55.39 грн
500+	42.94 грн
1000+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI5429DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 19342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	105.59 грн
10+	83.64 грн
100+	65.01 грн
500+	51.72 грн
1000+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.89 грн
6000+	40.25 грн
9000+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4210DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIE726DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4628DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4825DDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 22812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.56 грн
10+	53.36 грн
100+	40.43 грн
500+	30.09 грн
1000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIR424DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 1572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.53 грн
10+	56.42 грн
100+	42.77 грн
500+	32.76 грн
1000+	28.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIR494DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.12 грн
10+	73.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 34068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.27 грн
10+	45.03 грн
100+	32.77 грн
500+	25.03 грн
1000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUP90N06-5M0P-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI3433CDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 11581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	42.87 грн
11+	29.28 грн
100+	20.74 грн
500+	15.66 грн
1000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI7904BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	92.89 грн
10+	73.09 грн
100+	56.89 грн
500+	45.25 грн
1000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 17014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.22 грн
10+	31.65 грн
100+	21.62 грн
500+	15.99 грн
1000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 26145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.65 грн
10+	64.91 грн
100+	48.77 грн
500+	39.37 грн
1000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIR484DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4210DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIE726DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR410DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 4330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.47 грн
10+	73.93 грн
100+	49.40 грн
500+	36.46 грн
1000+	33.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIR460DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	93.68 грн
10+	80.50 грн
100+	62.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 3625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	101.62 грн
10+	68.42 грн
100+	47.73 грн
500+	40.85 грн
1000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

на замовлення 2751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	61.92 грн
10+	36.85 грн
100+	23.87 грн
500+	17.12 грн
1000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4840BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 7181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.70 грн
10+	87.76 грн
100+	64.40 грн
500+	48.21 грн
1000+	46.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 422010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	18.26 грн
31+	10.17 грн
100+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DG419BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

на замовлення 5657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	225.47 грн
10+	162.61 грн
25+	148.89 грн
100+	125.62 грн
250+	118.89 грн
500+	114.83 грн
1000+	109.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DG419DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

на замовлення 6950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	154.81 грн
10+	110.16 грн
25+	100.45 грн
100+	84.22 грн
250+	79.44 грн
500+	76.55 грн
1000+	72.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DG419LDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 20OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DG442DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4

на замовлення 2183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	162.75 грн
10+	116.36 грн
25+	106.23 грн
100+	89.23 грн
250+	84.24 грн
500+	81.23 грн
1000+	77.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SIA461DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 33614 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	42.08 грн
12+	25.92 грн
100+	17.53 грн
500+	12.64 грн
1000+	11.56 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SIRA06DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 677 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	90.50 грн
10+	64.52 грн
100+	51.74 грн
500+	39.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI8416DB-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIRA12DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

на замовлення 523 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIS476DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V

на замовлення 8473 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	94.47 грн
10+	63.53 грн
100+	49.04 грн
500+	36.30 грн
1000+	33.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI8416DB-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI5429DU-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIR788DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIRA02DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	52.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIRA10DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	28.48 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	38.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	35.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI4190ADY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V

на замовлення 1826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	153.22 грн
10+	105.58 грн
100+	81.04 грн
500+	62.87 грн
1000+	57.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SI5429DU-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ482DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

на замовлення 2004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR788DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIRA02DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V

на замовлення 6428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	92.09 грн
10+	71.48 грн
100+	62.15 грн
500+	56.36 грн
1000+	53.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIRA10DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 4291 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	63.51 грн
10+	47.40 грн
100+	37.64 грн
500+	32.57 грн
1000+	28.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SIS468DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V

на замовлення 4695 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	141.31 грн
10+	86.62 грн
100+	58.28 грн
500+	43.30 грн
1000+	39.63 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SISA10DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V

на замовлення 5263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	82.56 грн
10+	71.02 грн
100+	55.39 грн
500+	42.94 грн
1000+	33.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI5429DU-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA418DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6

на замовлення 5871 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 19342 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	105.59 грн
10+	83.64 грн
100+	65.01 грн
500+	51.72 грн
1000+	42.13 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIZ710DT-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	43.89 грн
6000+	40.25 грн
9000+	38.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI4628DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4210DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIE726DF-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIE876DF-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4628DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC

на замовлення 63 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4825DDY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V

на замовлення 22812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	82.56 грн
10+	53.36 грн
100+	40.43 грн
500+	30.09 грн
1000+	26.23 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIR424DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V

на замовлення 1572 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	86.53 грн
10+	56.42 грн
100+	42.77 грн
500+	32.76 грн
1000+	28.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIR494DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8

на замовлення 11 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	88.12 грн
10+	73.31 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SiS438DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V

на замовлення 34068 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	68.27 грн
10+	45.03 грн
100+	32.77 грн
500+	25.03 грн
1000+	22.72 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SUP90N06-5M0P-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI3433CDV-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V

на замовлення 11581 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	42.87 грн
11+	29.28 грн
100+	20.74 грн
500+	15.66 грн
1000+	13.57 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SI7904BDN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual

на замовлення 5805 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	92.89 грн
10+	73.09 грн
100+	56.89 грн
500+	45.25 грн
1000+	36.86 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA913ADJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active

на замовлення 17014 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7+	49.22 грн
10+	31.65 грн
100+	21.62 грн
500+	15.99 грн
1000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SIS430DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4168DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V

на замовлення 26145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	97.65 грн
10+	64.91 грн
100+	48.77 грн
500+	39.37 грн
1000+	35.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SIA850DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIR484DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4210DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIE726DF-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK

на замовлення 98 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIR410DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V

на замовлення 4330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	121.47 грн
10+	73.93 грн
100+	49.40 грн
500+	36.46 грн
1000+	33.27 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

SIR460DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V

на замовлення 135 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	93.68 грн
10+	80.50 грн
100+	62.77 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SUD17N25-165-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4100DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V

на замовлення 3625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	101.62 грн
10+	68.42 грн
100+	47.73 грн
500+	40.85 грн
1000+	38.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI4172DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

на замовлення 165 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIA811ADJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 10 V

на замовлення 2751 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	61.92 грн
10+	36.85 грн
100+	23.87 грн
500+	17.12 грн
1000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SIE876DF-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK

на замовлення 23 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI4840BDY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V

на замовлення 7181 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	116.70 грн
10+	87.76 грн
100+	64.40 грн
500+	48.21 грн
1000+	46.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

2N7002K-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 422010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	18.26 грн
31+	10.17 грн
100+	6.24 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

DG419BDQ-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 25OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 25Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: 38pC
Crosstalk: -88dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 89ns, 80ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 12pF, 12pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

на замовлення 5657 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	225.47 грн
10+	162.61 грн
25+	148.89 грн
100+	125.62 грн
250+	118.89 грн
500+	114.83 грн
1000+	109.66 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

DG419DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 35OHM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 35Ohm
Supplier Device Package: 8-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: 60pC
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 175ns, 145ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 8pF, 8pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 250pA
Part Status: Active
Number of Circuits: 1

на замовлення 6950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	154.81 грн
10+	110.16 грн
25+	100.45 грн
100+	84.22 грн
250+	79.44 грн
500+	76.55 грн
1000+	72.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

DG419LDQ-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 20OHM 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 20Ohm
Supplier Device Package: 8-MSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 2.7V ~ 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±3V ~ 6V
Charge Injection: 1pC
Crosstalk: -71dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 43ns, 31ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DG442DY-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NOX4 85OHM 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 12V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±15V
Charge Injection: -1pC
Crosstalk: -100dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPST - NO
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 4Ohm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 250ns, 210ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 4pF, 4pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 4

на замовлення 2183 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	162.75 грн
10+	116.36 грн
25+	106.23 грн
100+	89.23 грн
250+	84.24 грн
500+	81.23 грн
1000+	77.47 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 185 [ Наступна Сторінка >> ]