Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 89 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIZ918DT-T1-GE3 SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz918dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira00dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia461dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
6000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira06dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA12DP.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis476dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.86 грн
6000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 SIR846ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir846adp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3 SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz918dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 20297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.56 грн
10+115.51 грн
100+78.91 грн
500+59.35 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira00dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.00 грн
10+136.08 грн
100+94.90 грн
500+71.94 грн
1000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 SIA461DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia461dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 33614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.08 грн
12+25.92 грн
100+17.53 грн
500+12.64 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira06dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.50 грн
10+64.52 грн
100+51.74 грн
500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIRA12DP.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 SIS476DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis476dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.24 грн
10+66.74 грн
100+49.92 грн
500+38.09 грн
1000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 Vishay Siliconix si8416db.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4190ady.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5429du.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA418DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 SIJ482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij482dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir788dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira02dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis468dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa10dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 SI4190ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4190ady.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.22 грн
10+105.58 грн
100+81.04 грн
500+62.87 грн
1000+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5429DU.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA418DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 SIJ482DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij482dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir788dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira02dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.09 грн
10+71.48 грн
100+62.15 грн
500+56.36 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sira10dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.69 грн
10+51.45 грн
100+39.78 грн
500+34.17 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis468dn.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.31 грн
10+86.62 грн
100+58.28 грн
500+43.30 грн
1000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 SISA10DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sisa10dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.56 грн
10+71.02 грн
100+55.39 грн
500+42.94 грн
1000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5429DU.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix SIA418DJ.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz710dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.59 грн
10+83.64 грн
100+65.01 грн
500+51.72 грн
1000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz710dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.89 грн
6000+40.25 грн
9000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4628dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4210dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 SIE726DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie726df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE876DF-T1-GE3 SIE876DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie876df.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 SI4628DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4628dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 SI4825DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4825ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
на замовлення 22837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.74 грн
10+55.88 грн
100+42.35 грн
500+31.56 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir424dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.53 грн
10+56.42 грн
100+42.77 грн
500+32.76 грн
1000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494DP-T1-GE3 SIR494DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir494dp.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.12 грн
10+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 SiS438DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis438dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 38213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.66 грн
10+46.33 грн
100+33.67 грн
500+26.26 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-5M0P-E3 SUP90N06-5M0P-E3 Vishay Siliconix irf520.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 SI3433CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3433cdv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.87 грн
11+29.28 грн
100+20.74 грн
500+15.66 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 SI7904BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7904bdn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.89 грн
10+73.09 грн
100+56.89 грн
500+45.25 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia913adj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.22 грн
10+31.65 грн
100+21.62 грн
500+15.99 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS430DN-T1-GE3 SIS430DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis430dn.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4168dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.65 грн
10+64.91 грн
100+48.77 грн
500+39.37 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3 SIA850DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia850dj.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3 SIR484DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir484dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 SI4210DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4210dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 SIE726DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie726df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 SIR410DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir410d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.47 грн
10+73.93 грн
100+49.40 грн
500+36.46 грн
1000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 SIR460DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir460dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.68 грн
10+80.50 грн
100+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3 SUD17N25-165-E3 Vishay Siliconix sup17n25.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3 siz918dt.pdf
SIZ918DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 sira00dp.pdf
SIRA00DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+66.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
SIA461DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.90 грн
6000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 si8416db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 sis476dn.pdf
SIS476DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+32.86 грн
6000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3 sir846adp.pdf
SIR846ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ918DT-T1-GE3 siz918dt.pdf
SIZ918DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 29W, 100W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5)
Part Status: Active
на замовлення 20297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.56 грн
10+115.51 грн
100+78.91 грн
500+59.35 грн
1000+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA00DP-T1-GE3 sira00dp.pdf
SIRA00DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 15 V
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.00 грн
10+136.08 грн
100+94.90 грн
500+71.94 грн
1000+66.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIA461DJ-T1-GE3 sia461dj.pdf
SIA461DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 33614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
12+25.92 грн
100+17.53 грн
500+12.64 грн
1000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA06DP-T1-GE3 sira06dp.pdf
SIRA06DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.50 грн
10+64.52 грн
100+51.74 грн
500+39.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 si8416db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3 SIRA12DP.pdf
SIRA12DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS476DN-T1-GE3 sis476dn.pdf
SIS476DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 9483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.24 грн
10+66.74 грн
100+49.92 грн
500+38.09 грн
1000+34.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI8416DB-T1-GE3 si8416db.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 16A MICRO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
SI4190ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 si5429du.pdf
SI5429DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ.pdf
SIA418DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 sij482dp.pdf
SIJ482DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 sir788dp.pdf
SIR788DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 sira02dp.pdf
SIRA02DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+29.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 sisa10dn.pdf
SISA10DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4190ADY-T1-GE3 si4190ady.pdf
SI4190ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 50 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.22 грн
10+105.58 грн
100+81.04 грн
500+62.87 грн
1000+57.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU.pdf
SI5429DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ.pdf
SIA418DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ482DP-T1-GE3 sij482dp.pdf
SIJ482DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3 sir788dp.pdf
SIR788DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA02DP-T1-GE3 sira02dp.pdf
SIRA02DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6150 pF @ 15 V
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.09 грн
10+71.48 грн
100+62.15 грн
500+56.36 грн
1000+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10DP-T1-GE3 sira10dp.pdf
SIRA10DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.69 грн
10+51.45 грн
100+39.78 грн
500+34.17 грн
1000+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIS468DN-T1-GE3 sis468dn.pdf
SIS468DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 40 V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+141.31 грн
10+86.62 грн
100+58.28 грн
500+43.30 грн
1000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SISA10DN-T1-GE3 sisa10dn.pdf
SISA10DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2425 pF @ 15 V
на замовлення 5263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.56 грн
10+71.02 грн
100+55.39 грн
500+42.94 грн
1000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI5429DU-T1-GE3 SI5429DU.pdf
SI5429DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 12A PWR PK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA418DJ-T1-GE3 SIA418DJ.pdf
SIA418DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
на замовлення 5871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 siz710dt.pdf
SIZ710DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 19342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.59 грн
10+83.64 грн
100+65.01 грн
500+51.72 грн
1000+42.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ710DT-T1-GE3 siz710dt.pdf
SIZ710DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 16A 6PWRPAIR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerPair™
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27W, 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A, 35A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 19A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PowerPair™
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.89 грн
6000+40.25 грн
9000+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 si4628dy.pdf
SI4628DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 si4210dy.pdf
SI4210DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 sie726df.pdf
SIE726DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE876DF-T1-GE3 sie876df.pdf
SIE876DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4628DY-T1-GE3 si4628dy.pdf
SI4628DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4825DDY-T1-GE3 si4825ddy.pdf
SI4825DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
на замовлення 22837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.74 грн
10+55.88 грн
100+42.35 грн
500+31.56 грн
1000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR424DP-T1-GE3 sir424dp.pdf
SIR424DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.53 грн
10+56.42 грн
100+42.77 грн
500+32.76 грн
1000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIR494DP-T1-GE3 sir494dp.pdf
SIR494DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.12 грн
10+73.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SiS438DN-T1-GE3 sis438dn.pdf
SiS438DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 10 V
на замовлення 38213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+46.33 грн
100+33.67 грн
500+26.26 грн
1000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N06-5M0P-E3 irf520.pdf
SUP90N06-5M0P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
Packaging: Strip
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3433CDV-T1-GE3 si3433cdv.pdf
SI3433CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
на замовлення 11581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.87 грн
11+29.28 грн
100+20.74 грн
500+15.66 грн
1000+13.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI7904BDN-T1-GE3 si7904bdn.pdf
SI7904BDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+73.09 грн
100+56.89 грн
500+45.25 грн
1000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3 sia913adj.pdf
SIA913ADJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.22 грн
10+31.65 грн
100+21.62 грн
500+15.99 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIS430DN-T1-GE3 sis430dn.pdf
SIS430DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4168DY-T1-GE3 si4168dy.pdf
SI4168DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 15 V
на замовлення 26145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.65 грн
10+64.91 грн
100+48.77 грн
500+39.37 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIA850DJ-T1-GE3 sia850dj.pdf
SIA850DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR484DP-T1-GE3 sir484dp.pdf
SIR484DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4210DY-T1-GE3 si4210dy.pdf
SI4210DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE726DF-T1-GE3 sie726df.pdf
SIE726DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR410DP-T1-GE3 sir410d.pdf
SIR410DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.47 грн
10+73.93 грн
100+49.40 грн
500+36.46 грн
1000+33.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIR460DP-T1-GE3 sir460dp.pdf
SIR460DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.68 грн
10+80.50 грн
100+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SUD17N25-165-E3 sup17n25.pdf
SUD17N25-165-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]