Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (269672) > Сторінка 4116 з 4495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4111 4112 4113 4114 4115 4116 4117 4118 4119 4120 4121 4490 4495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF530STRLPBF IRF530STRLPBF VISHAY sihf530s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF IRF740ALPBF VISHAY tf-irf740alpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+237.93 грн
10+119.36 грн
50+92.27 грн
100+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF IRF740ASTRLPBF VISHAY sihf740a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 IRF740PBF-BE3 VISHAY 91054.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.94 грн
10+99.89 грн
25+91.42 грн
50+85.50 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBF IRF740STRRPBF VISHAY sihf740s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF IRFZ44RPBF VISHAY irfz44r.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF IRFZ44SPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF IRFZ44STRLPBF VISHAY sihfz44s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF IRFZ24PBF VISHAY irfz24.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Mounting: THT
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.39 грн
10+58.16 грн
50+51.55 грн
100+48.76 грн
250+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF IRFZ40PBF VISHAY irfz40.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF IRFZ48PBF VISHAY irfz48.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF IRFZ48RSPBF VISHAY sihfz48rs.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF IRFZ48SPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF IRFZ48STRLPBF VISHAY sihfz48s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330104 VISHAY mmkp383.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 100nF; 1kVDC; 350VAC; 26x19.5x10mm; THT
Mounting: THT
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 22.5mm
Climate class: 55/110/56
Leads: 2pin
Body dimensions: 26x19.5x10mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 0.1µF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330153 BFC238330153 VISHAY mmkp383.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 15nF; 1kVDC; 350VAC; 17.5x11x5mm; THT
Mounting: THT
Lead length: 3.5mm
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 15mm
Climate class: 55/110/56
Leads: 2pin
Body dimensions: 17.5x11x5mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 15nF
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF IRL540SPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF VISHAY sihl540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS53YJ103MR10 TS53YJ103MR10 VISHAY ts53yj.pdf Category: Single turn SMD trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; single turn; 250mW; SMD; ±20%; 200V
Type of potentiometer: mounting
Resistance: 10kΩ
Kind of potentiometer: single turn
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Tolerance: ±20%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Characteristics: linear
Body dimensions: 5x5x2.7mm
Track material: cermet
Mechanical rotation angle: 270 ±10°
Electrical rotation angle: 220 ±15°
Torque: 1.5Ncm
IP rating: IP67
Leads: YJ
Operating temperature: -55...155°C
Operating voltage: 200V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.09 грн
10+131.21 грн
25+121.05 грн
50+112.59 грн
100+104.12 грн
250+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82CA-E3/54 1.5KE82CA-E3/54 VISHAY 15ke_Ser.pdf Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 82V; 13.3A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 70.1V
Breakdown voltage: 82V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.26 грн
19+23.28 грн
100+20.40 грн
250+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00DD1021CTNL GRC00DD1021CTNL VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 5mm; ±20%; 2000h
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 16V DC
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 10x16mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF VISHAY doc?98237 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF IRF540STRRPBF VISHAY sihf540s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AF2211VARL GSC00AF2211VARL VISHAY GSC.pdf Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 220uF; 35VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Mounting: SMD
Tolerance: ±20%
Manufacturer series: GSC
Operating temperature: -55...105°C
Nominal life: 2000h
Dimensions: 8x10mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 10mm
Operating voltage: 35V DC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+19.78 грн
50+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V0-TAP BZX55C3V0-TAP VISHAY BZX55C10-TAP.pdf Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 13480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.38 грн
103+4.15 грн
122+3.47 грн
182+2.33 грн
1000+1.67 грн
5000+1.52 грн
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF VISHAY sihf510s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF IRF830ALPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+218.79 грн
5+161.68 грн
10+141.37 грн
50+104.97 грн
100+94.81 грн
250+83.80 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF IRF830ASPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF IRF830ASTRLPBF VISHAY sihf830a.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF IRF830BPBF VISHAY irf830b.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF VISHAY sihf840.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF VISHAY sihf840l.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF IRF840LCSPBF VISHAY sihf840l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF IRF840STRRPBF VISHAY sihf840s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF IRF9530STRLPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBF IRF9530STRRPBF VISHAY sihf9530.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBF IRFB13N50APBF VISHAY tf-irfb13n50apbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 IRF640PBF-BE3 VISHAY sihf640.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF IRF640STRRPBF VISHAY sihf640s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 SI7852DP-T1-E3 VISHAY si7852dp.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE30L0FL472KAB PE30L0FL472KAB VISHAY pe30.pdf Category: Cermet single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; 4.7kΩ; single turn; 3W; ±10%; 6mm; linear
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: on panel
Power: 3W
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 300V
Leads: for soldering
Track material: cermet
Operating temperature: -55...125°C
Shaft diameter: 6mm
Thread length: 12mm
Mechanical rotation angle: 300 ±5°
Characteristics: linear
Kind of potentiometer: single turn
Shaft length: 25mm
Min. insulation resistance: 1TΩ
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Potentiometer features: for industrial use; for military use
Shaft surface: smooth
IP rating: IP67
Electrical rotation angle: 270 ±10°
Type of potentiometer: shaft
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2595.40 грн
5+2079.03 грн
10+1979.14 грн
20+1907.19 грн
30+1864.02 грн
50+1835.24 грн
80+1813.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3 VISHAY si2301cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C2324FCT00 MRS25000C2324FCT00 VISHAY MRS25.pdf Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; 2.32MΩ; THT; 600mW; ±1%; 350V; Ø0.6x28mm
Tolerance: ±1%
Diameter: 2.5mm
Type of resistor: thin film
Mounting: THT
Resistance: 2.32MΩ
Length: 6.5mm
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Power: 0.6W
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
Operating voltage: 350V
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+19.42 грн
100+7.45 грн
1000+4.59 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBF IRF9540STRRPBF VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF IRFR9024TRLPBF VISHAY sihfr902.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBF VISHAY IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17-3X009T CNY17-3X009T VISHAY cny17.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; CNY17
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4.3µs
Manufacturer series: CNY17
Number of channels: 1
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.79 грн
12+36.32 грн
50+28.87 грн
100+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233620473 BFC233620473 VISHAY mkp3362x2.pdf Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; 47nF; 630VDC; 310VAC; 5x11x17.5mm
Tolerance: ±20%
Terminal pitch: 15mm
Mounting: THT
Kind of capacitor: X2
Climate class: 55/105/56
Leads: 2pin
Body dimensions: 5x11x17.5mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 47nF
Lead length: 3.5mm
Operating voltage: 310V AC; 630V DC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.29 грн
25+17.61 грн
50+12.61 грн
100+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDCG1060M TDCG1060M VISHAY TDCG1050M.pdf Category: 7-segment LED displays
Description: Display: LED; 7-segment; 10mm; 0.39"; No.char: 4; green; 2.8÷4mcd
Operating voltage: 2...2.4V
Mounting: THT
Type of display: LED
Digit height: 10mm; 0.39"
Colour: green
Wavelength: 562...575nm
Operating current: 20mA
Kind of display: 7-segment
Luminosity: 2.8...4mcd
Dimensions: 40.2x12.8x7mm
Number of characters: 4
Common electrode: cathode
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+206.94 грн
10+143.06 грн
48+117.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T18105KT10 T18105KT10 VISHAY t18.pdf Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 1MΩ; multiturn; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Mounting: THT
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Track material: cermet
Operating temperature: -55...125°C
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Characteristics: linear
Potentiometer standard: 19mm
Kind of potentiometer: multiturn
Min. insulation resistance: 1TΩ
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.53 грн
10+124.44 грн
25+112.59 грн
50+105.81 грн
100+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 SI2301BDS-T1-E3 VISHAY si2301bds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00KK1022A00L GRC00KK1022A00L VISHAY GRC.pdf Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 100VDC; ±20%; 2000h; 18x40mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 100V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 18x40mm
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.36 грн
10+91.42 грн
50+73.65 грн
100+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A101JXBAC VJ0603A101JXBAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100pF; 100V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1nF
Operating voltage: 100V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0805A101JXEAC VJ0805A101JXEAC VISHAY vjcommercialseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100pF; 500V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1nF
Operating voltage: 500V
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.95 грн
100+4.38 грн
500+3.57 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y101KXACW1BC VJ0603Y101KXACW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 100pF; 50V; X7R; ±10%; SMD; 0603
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 0.1nF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
33+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW08050000Z0TABC CRCW08050000Z0TABC VISHAY Data Sheet CRCW_BCe3.pdf Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 0Ω; SMD; 0805; 0.125W; 150V; -55÷155°C
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Type of resistor: thick film
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 0Ω
Power: 0.125W
Operating voltage: 150V
на замовлення 57363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1183+0.39 грн
1707+0.25 грн
5000+0.19 грн
10000+0.17 грн
15000+0.16 грн
20000+0.15 грн
50000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 66nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A103JXATW1BC VJ1206A103JXATW1BC VISHAY vjw1bcbascomseries.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10nF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 50V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±5%
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.91 грн
44+9.65 грн
76+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY SIHP065N60E.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 98nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+505.04 грн
5+410.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530STRLPBF sihf530s.pdf
IRF530STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ALPBF tf-irf740alpbf.pdf
IRF740ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 957 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.93 грн
10+119.36 грн
50+92.27 грн
100+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740ASTRLPBF sihf740a.pdf
IRF740ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740PBF-BE3 91054.pdf
IRF740PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.94 грн
10+99.89 грн
25+91.42 грн
50+85.50 грн
100+80.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF740STRRPBF sihf740s.pdf
IRF740STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44RPBF irfz44r.pdf
IRFZ44RPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SPBF sihfz44s.pdf
IRFZ44SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44STRLPBF sihfz44s.pdf
IRFZ44STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24PBF description irfz24.pdf
IRFZ24PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17A; Idm: 68A; 60W; TO220AB
Mounting: THT
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 60W
Gate charge: 25nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 17A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.1Ω
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+140.39 грн
10+58.16 грн
50+51.55 грн
100+48.76 грн
250+45.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF irfz40.pdf
IRFZ40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48PBF irfz48.pdf
IRFZ48PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBF sihfz48rs.pdf
IRFZ48RSPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBF sihfz48s.pdf
IRFZ48SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBF sihfz48s.pdf
IRFZ48STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330104 mmkp383.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 100nF; 1kVDC; 350VAC; 26x19.5x10mm; THT
Mounting: THT
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 22.5mm
Climate class: 55/110/56
Leads: 2pin
Body dimensions: 26x19.5x10mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 0.1µF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC238330153 mmkp383.pdf
BFC238330153
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; 15nF; 1kVDC; 350VAC; 17.5x11x5mm; THT
Mounting: THT
Lead length: 3.5mm
Operating voltage: 350V AC; 1kV DC
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 15mm
Climate class: 55/110/56
Leads: 2pin
Body dimensions: 17.5x11x5mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 15nF
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540SPBF sihl540s.pdf
IRL540SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 110A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540STRLPBF sihl540s.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TS53YJ103MR10 ts53yj.pdf
TS53YJ103MR10
Виробник: VISHAY
Category: Single turn SMD trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 10kΩ; single turn; 250mW; SMD; ±20%; 200V
Type of potentiometer: mounting
Resistance: 10kΩ
Kind of potentiometer: single turn
Power: 0.25W
Mounting: SMD
Tolerance: ±20%
Temperature coefficient: 100ppm/°C
Characteristics: linear
Body dimensions: 5x5x2.7mm
Track material: cermet
Mechanical rotation angle: 270 ±10°
Electrical rotation angle: 220 ±15°
Torque: 1.5Ncm
IP rating: IP67
Leads: YJ
Operating temperature: -55...155°C
Operating voltage: 200V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.09 грн
10+131.21 грн
25+121.05 грн
50+112.59 грн
100+104.12 грн
250+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1.5KE82CA-E3/54 15ke_Ser.pdf
1.5KE82CA-E3/54
Виробник: VISHAY
Category: Bidirectional TVS THT diodes
Description: Diode: TVS; 82V; 13.3A; bidirectional; DO201; 1.5kW; 1.5KE
Type of diode: TVS
Max. off-state voltage: 70.1V
Breakdown voltage: 82V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DO201
Mounting: THT
Leakage current: 1µA
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Manufacturer series: 1.5KE
Features of semiconductor devices: glass passivated
Technology: TransZorb®
Kind of package: 13 inch reel
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.26 грн
19+23.28 грн
100+20.40 грн
250+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00DD1021CTNL GRC.pdf
GRC00DD1021CTNL
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 5mm; ±20%; 2000h
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 16V DC
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 10x16mm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF doc?98237
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 84A
Gate charge: 150nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRLPBF sihf540s.pdf
IRF540STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540STRRPBF sihf540s.pdf
IRF540STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 28A; Idm: 110A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSC00AF2211VARL GSC.pdf
GSC00AF2211VARL
Виробник: VISHAY
Category: SMD electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; SMD; 220uF; 35VDC; ±20%; -55÷105°C; GSC
Mounting: SMD
Tolerance: ±20%
Manufacturer series: GSC
Operating temperature: -55...105°C
Nominal life: 2000h
Dimensions: 8x10mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 220µF
Height: 10mm
Operating voltage: 35V DC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+19.78 грн
50+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX55C3V0-TAP BZX55C10-TAP.pdf
BZX55C3V0-TAP
Виробник: VISHAY
Category: THT Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3V; DO35; single diode; Ammo Pack
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3V
Case: DO35
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 13480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
72+6.38 грн
103+4.15 грн
122+3.47 грн
182+2.33 грн
1000+1.67 грн
5000+1.52 грн
10000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF510STRRPBF sihf510s.pdf
IRF510STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 43W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ALPBF sihf830a.pdf
IRF830ALPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+218.79 грн
5+161.68 грн
10+141.37 грн
50+104.97 грн
100+94.81 грн
250+83.80 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASPBF sihf830a.pdf
IRF830ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830ASTRLPBF sihf830a.pdf
IRF830ASTRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF830BPBF irf830b.pdf
IRF830BPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.3A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCSPBF sihf840l.pdf
IRF840LCSPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840STRRPBF sihf840s.pdf
IRF840STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRLPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530STRRPBF sihf9530.pdf
IRF9530STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8.2A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB13N50APBF tf-irfb13n50apbf.pdf
IRFB13N50APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640PBF-BE3 sihf640.pdf
IRF640PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640STRRPBF sihf640s.pdf
IRF640STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7852DP-T1-E3 si7852dp.pdf
SI7852DP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 50A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain current: 7.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 16.5mΩ
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 41nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PE30L0FL472KAB pe30.pdf
PE30L0FL472KAB
Виробник: VISHAY
Category: Cermet single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft; 4.7kΩ; single turn; 3W; ±10%; 6mm; linear
Resistance: 4.7kΩ
Mounting: on panel
Power: 3W
Tolerance: ±10%
Operating voltage: 300V
Leads: for soldering
Track material: cermet
Operating temperature: -55...125°C
Shaft diameter: 6mm
Thread length: 12mm
Mechanical rotation angle: 300 ±5°
Characteristics: linear
Kind of potentiometer: single turn
Shaft length: 25mm
Min. insulation resistance: 1TΩ
Temperature coefficient: 150ppm/°C
Potentiometer features: for industrial use; for military use
Shaft surface: smooth
IP rating: IP67
Electrical rotation angle: 270 ±10°
Type of potentiometer: shaft
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2595.40 грн
5+2079.03 грн
10+1979.14 грн
20+1907.19 грн
30+1864.02 грн
50+1835.24 грн
80+1813.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301CDS-T1-E3 si2301cd.pdf
SI2301CDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -1.8A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 142mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MRS25000C2324FCT00 MRS25.pdf
MRS25000C2324FCT00
Виробник: VISHAY
Category: THT Resistors
Description: Resistor: thin film; 2.32MΩ; THT; 600mW; ±1%; 350V; Ø0.6x28mm
Tolerance: ±1%
Diameter: 2.5mm
Type of resistor: thin film
Mounting: THT
Resistance: 2.32MΩ
Length: 6.5mm
Body dimensions: Ø2.5x6.5mm
Power: 0.6W
Temperature coefficient: 50ppm/°C
Leads dimensions: Ø0.6x28mm
Operating voltage: 350V
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+19.42 грн
100+7.45 грн
1000+4.59 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540STRRPBF
IRF9540STRRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 61nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024TRLPBF sihfr902.pdf
IRFR9024TRLPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.6A; Idm: -35A; 42W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.6A
Pulsed drain current: -35A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9640LPBF IRF%28SiHF%299640%28S%2CL%29.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -6.8A; Idm: -44A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -6.8A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CNY17-3X009T cny17.pdf
CNY17-3X009T
Виробник: VISHAY
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: transistor; Uinsul: 5kV; Uce: 70V; CNY17
Type of optocoupler: optocoupler
Mounting: SMD
Kind of output: transistor
Insulation voltage: 5kV
CTR@If: 40-80%@10mA
Collector-emitter voltage: 70V
Case: Gull wing 6
Turn-on time: 5µs
Turn-off time: 4.3µs
Manufacturer series: CNY17
Number of channels: 1
на замовлення 425 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.79 грн
12+36.32 грн
50+28.87 грн
100+25.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233620473 mkp3362x2.pdf
BFC233620473
Виробник: VISHAY
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; X2; 47nF; 630VDC; 310VAC; 5x11x17.5mm
Tolerance: ±20%
Terminal pitch: 15mm
Mounting: THT
Kind of capacitor: X2
Climate class: 55/105/56
Leads: 2pin
Body dimensions: 5x11x17.5mm
Type of capacitor: polypropylene
Capacitance: 47nF
Lead length: 3.5mm
Operating voltage: 310V AC; 630V DC
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.29 грн
25+17.61 грн
50+12.61 грн
100+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDCG1060M TDCG1050M.pdf
TDCG1060M
Виробник: VISHAY
Category: 7-segment LED displays
Description: Display: LED; 7-segment; 10mm; 0.39"; No.char: 4; green; 2.8÷4mcd
Operating voltage: 2...2.4V
Mounting: THT
Type of display: LED
Digit height: 10mm; 0.39"
Colour: green
Wavelength: 562...575nm
Operating current: 20mA
Kind of display: 7-segment
Luminosity: 2.8...4mcd
Dimensions: 40.2x12.8x7mm
Number of characters: 4
Common electrode: cathode
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+206.94 грн
10+143.06 грн
48+117.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T18105KT10 t18.pdf
T18105KT10
Виробник: VISHAY
Category: 19mm multiturn THT trimmers
Description: Potentiometer: mounting; 1MΩ; multiturn; 750mW; ±10%; linear
Resistance: 1MΩ
Mounting: THT
Power: 0.75W
Tolerance: ±10%
Track material: cermet
Operating temperature: -55...125°C
Engineering PN: 43P; 89; 3006
Characteristics: linear
Potentiometer standard: 19mm
Kind of potentiometer: multiturn
Min. insulation resistance: 1TΩ
Temperature coefficient: 100ppm/°C
IP rating: IP67
Type of potentiometer: mounting
Number of electrical turns: 15 ±1
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.53 грн
10+124.44 грн
25+112.59 грн
50+105.81 грн
100+99.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2301BDS-T1-E3 si2301bds.pdf
SI2301BDS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -2.2A; Idm: -10A
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GRC00KK1022A00L GRC.pdf
GRC00KK1022A00L
Виробник: VISHAY
Category: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; THT; 1000uF; 100VDC; ±20%; 2000h; 18x40mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 100V DC
Tolerance: ±20%
Service life: 2000h
Operating temperature: -40...105°C
Dimensions: 18x40mm
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+130.36 грн
10+91.42 грн
50+73.65 грн
100+66.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603A101JXBAC vjcommercialseries.pdf
VJ0603A101JXBAC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100pF; 100V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1nF
Operating voltage: 100V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 1183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0805A101JXEAC vjcommercialseries.pdf
VJ0805A101JXEAC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 100pF; 500V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 0.1nF
Operating voltage: 500V
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.95 грн
100+4.38 грн
500+3.57 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VJ0603Y101KXACW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
VJ0603Y101KXACW1BC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 100pF; 50V; X7R; ±10%; SMD; 0603
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 0.1nF
Operating voltage: 50V
Dielectric: X7R
Tolerance: ±10%
Mounting: SMD
Case - inch: 0603
Case - mm: 1608
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW08050000Z0TABC Data Sheet CRCW_BCe3.pdf
CRCW08050000Z0TABC
Виробник: VISHAY
Category: SMD resistors
Description: Resistor: thick film; 0Ω; SMD; 0805; 0.125W; 150V; -55÷155°C
Mounting: SMD
Case - inch: 0805
Case - mm: 2012
Type of resistor: thick film
Operating temperature: -55...155°C
Resistance: 0Ω
Power: 0.125W
Operating voltage: 150V
на замовлення 57363 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1183+0.39 грн
1707+0.25 грн
5000+0.19 грн
10000+0.17 грн
15000+0.16 грн
20000+0.15 грн
50000+0.13 грн
Мінімальне замовлення: 1183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-BE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 66nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206A103JXATW1BC vjw1bcbascomseries.pdf
VJ1206A103JXATW1BC
Виробник: VISHAY
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; 10nF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Capacitance: 10nF
Operating voltage: 50V
Case - inch: 1206
Case - mm: 3216
Tolerance: ±5%
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.91 грн
44+9.65 грн
76+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E.pdf
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 98nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+505.04 грн
5+410.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3592 4041 4111 4112 4113 4114 4115 4116 4117 4118 4119 4120 4121 4490 4495  [ Наступна Сторінка >> ]