Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73272) > Сторінка 1216 з 1222

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1211 1212 1213 1214 1215 1216 1217 1218 1219 1220 1221 1222  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW-13 DIODES INCORPORATED DMP2200UDW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 0.6W
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7 DIODES INCORPORATED DMP2200UDW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13 DIODES INCORPORATED DMP2900UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7 DIODES INCORPORATED DMP2900UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSD-13 DMN4034SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN4034SSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 24.8A; 2.14W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 2.14W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13 DMG3414UQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LK3-13 DMT8012LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT8012LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 80A; 2.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT8012LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 30A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT8012LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 80A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT8012LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.2A; Idm: 80A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LSS-13 DMT8012LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT8012LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.8A; Idm: 80A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7S-7-F BZT52C4V7S-7-F DIODES INCORPORATED BZT52CxxS_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 4.7V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3S-7-F BZT52C4V3S-7-F DIODES INCORPORATED BZT52CxxS_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 4.3V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3LP-7 DIODES INCORPORATED BZT52CxxLP_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 4.3V; SMD; X1-DFN1006-2; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: X1-DFN1006-2
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3T-7 BZT52C4V3T-7 DIODES INCORPORATED BZT52CxxT_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 4.3V; SMD; SOD523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3TQ-7-F BZT52C4V3TQ-7-F DIODES INCORPORATED ds30502.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 4.3V; SMD; SOD523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7SQ-7-F BZT52C4V7SQ-7-F DIODES INCORPORATED BZT52CxxS_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 4.7V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7TQ-7-F BZT52C4V7TQ-7-F DIODES INCORPORATED ds30502.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 4.7V; SMD; SOD523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZLDO1117QG12TA ZLDO1117QG12TA DIODES INCORPORATED ZLDO1117Q.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 1A; SOT223; SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1A
Number of channels: 1
Output voltage: 1.2V
Voltage drop: 1.3V
Input voltage: 2.7...12V
Application: automotive industry
Manufacturer series: ZLDO1117
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065S-7 DMP4065S-7 DIODES INCORPORATED DMP4065S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.72W
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.89 грн
24+17.33 грн
50+11.61 грн
100+9.70 грн
500+6.72 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 360A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15A-13-F SMCJ15A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7÷18.5V; 61.5A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 61.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7 DIODES INCORPORATED DMN62D1LFD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN62D1LFDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW; U-DFN1212-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN1212-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN601TKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 343mA; 500mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 343mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 DIODES INCORPORATED ds31788.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 920mW
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C36S-7-F BZT52C36S-7-F DIODES INCORPORATED BZT52CxxS_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 36V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 36V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
82+5.06 грн
96+4.35 грн
157+2.65 грн
500+1.89 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU606 GBU606 DIODES INCORPORATED GBU6_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU602 GBU602 DIODES INCORPORATED GBU6_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.11 грн
10+75.78 грн
20+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6005 GBU6005 DIODES INCORPORATED GBU6_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU601 GBU601 DIODES INCORPORATED GBU6_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ70A-13-F SMCJ70A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 77.8÷86V; 13.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 77.8...86V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ70AQ-13-F DIODES INCORPORATED Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 77.8V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 77.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: SMCJ
Number of channels: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1K_HF US1K_HF DIODES INCORPORATED Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 75ns; DO214AC,SMA; 1.7V; 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 75ns
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR230S1F-7 MBR230S1F-7 DIODES INCORPORATED MBR230S1F.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 0.42V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
45+9.29 грн
48+8.71 грн
54+7.71 грн
100+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTA ZXMP10A13FTA DIODES INCORPORATED ZXMP10A13F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.93 грн
13+31.92 грн
50+24.04 грн
100+21.64 грн
500+16.91 грн
1000+15.42 грн
1500+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FQTA DIODES INCORPORATED ZXMP10A13FQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
11+40.13 грн
50+31.59 грн
100+29.10 грн
500+24.87 грн
1000+22.63 грн
1500+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTC ZXMP10A13FTC DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54CA-13-F SMCJ54CA-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 60÷66.3V; 17.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT3906VC-7 DIODES INCORPORATED ds30640.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 150mW; SOT563
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDMQ-13 DMN3115UDMQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC113ZCA-7-F DDTC113ZCA-7-F DIODES INCORPORATED ds30330.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC113ZE-7-F DIODES INCORPORATED ds30314.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC113ZUA-7-F DDTC113ZUA-7-F DIODES INCORPORATED ds30322.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248B-7-F MMBZ5248B-7-F DIODES INCORPORATED MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 18V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BQ-7-F MMBZ5248BQ-7-F DIODES INCORPORATED MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 18V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BS-7-F MMBZ5248BS-7-F DIODES INCORPORATED ds31039.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 18V; SMD; SOT363; reel,tape; double independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BTS-7-F MMBZ5248BTS-7-F DIODES INCORPORATED MMBZ5221-5259BTS.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 18V; SMD; SOT363; reel,tape; triple independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BW-7-F MMBZ5248BW-7-F DIODES INCORPORATED ds31037.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 18V; SMD; SOT323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5251BS-7-F MMSZ5251BS-7-F DIODES INCORPORATED mmsz52xxbs_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 22V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.14 грн
85+4.89 грн
174+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5251B-7-F MMBZ5251B-7-F DIODES INCORPORATED MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 22V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5251BTS-7-F MMBZ5251BTS-7-F DIODES INCORPORATED ds30184.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 22V; SMD; SOT363; reel,tape; triple independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.5A-13-F SMAJ7.5A-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 8.33÷9.21V; 31A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116W-7-F BAV116W-7-F DIODES INCORPORATED ds30291.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 130V; 0.215A; 3us; SOD123; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 130V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.50 грн
50+8.46 грн
57+7.38 грн
100+4.91 грн
500+3.95 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116T-7 BAV116T-7 DIODES INCORPORATED BAV116T.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 3us; SOD523; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116HWFQ-7 BAV116HWFQ-7 DIODES INCORPORATED BAV116HWFQ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD123F; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116HWF-7 BAV116HWF-7 DIODES INCORPORATED BAV116HWF.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD123F; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DZQTA ZXTN19020DZQTA DIODES INCORPORATED ZXTN19020DZQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 7.5A; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 7.5A
Case: SOT89
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-13 DMP2200UDW.pdf
DMP2200UDW-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -700mA; 600mW; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Gate charge: 2.1nC
Power dissipation: 0.6W
On-state resistance: 1Ω
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2200UDW-7 DMP2200UDW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-13 DMP2900UV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 13 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UV-7 DMP2900UV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -680mA; Idm: -2.5A; 800mW
Drain current: -680mA
Gate charge: 0.7nC
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 25Ω
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET x2
Mounting: SMD
Case: SOT563
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4034SSD-13 DMN4034SSD.pdf
DMN4034SSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 24.8A; 2.14W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 24.8A
Power dissipation: 2.14W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 59mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
DMG3414UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13 DMG3414UQ.pdf
DMG3414UQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 780mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LK3-13 DMT8012LK3.pdf
DMT8012LK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 28A; Idm: 80A; 2.7W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-7 DMT8012LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 30A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LFG-13 DMT8012LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.6A; Idm: 80A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LPS-13 DMT8012LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.2A; Idm: 80A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2.1W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT8012LSS-13 DMT8012LSS.pdf
DMT8012LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 7.8A; Idm: 80A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7S-7-F BZT52CxxS_ser.pdf
BZT52C4V7S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 4.7V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3S-7-F BZT52CxxS_ser.pdf
BZT52C4V3S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 4.3V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3LP-7 BZT52CxxLP_ser.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 4.3V; SMD; X1-DFN1006-2; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: X1-DFN1006-2
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3T-7 BZT52CxxT_ser.pdf
BZT52C4V3T-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 4.3V; SMD; SOD523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V3TQ-7-F ds30502.pdf
BZT52C4V3TQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 4.3V; SMD; SOD523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 4.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7SQ-7-F BZT52CxxS_ser.pdf
BZT52C4V7SQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 4.7V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7TQ-7-F ds30502.pdf
BZT52C4V7TQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 4.7V; SMD; SOD523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 4.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.5%
Case: SOD523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZLDO1117QG12TA ZLDO1117Q.pdf
ZLDO1117QG12TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 1.2V; 1A; SOT223; SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Mounting: SMD
Tolerance: ±2%
Type of integrated circuit: voltage regulator
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 1A
Number of channels: 1
Output voltage: 1.2V
Voltage drop: 1.3V
Input voltage: 2.7...12V
Application: automotive industry
Manufacturer series: ZLDO1117
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH84M1SPSQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 2.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4065S-7 DMP4065S.pdf
DMP4065S-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3A; 0.72W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.72W
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.89 грн
24+17.33 грн
50+11.61 грн
100+9.70 грн
500+6.72 грн
1000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H009LPSQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; Idm: 360A; 3.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ15A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 16.7÷18.5V; 61.5A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 15V
Breakdown voltage: 16.7...18.5V
Max. forward impulse current: 61.5A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFD-7 DMN62D1LFD.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D1LFDQ-13 DMN62D1LFDQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 400mA; 500mW; U-DFN1212-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN1212-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.55nC
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TKQ-7 DMN601TKQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 343mA; 500mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 343mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG8601UFG-7 ds31788.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 34mΩ
Power dissipation: 920mW
Drain current: 5.2A
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 27A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C36S-7-F BZT52CxxS_ser.pdf
BZT52C36S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 36V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 36V
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 5371 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.14 грн
82+5.06 грн
96+4.35 грн
157+2.65 грн
500+1.89 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU606 GBU6_ser.pdf
GBU606
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU602 GBU6_ser.pdf
GBU602
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.11 грн
10+75.78 грн
20+68.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6005 GBU6_ser.pdf
GBU6005
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 50V; If: 6A; Ifsm: 175A; flat
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU601 GBU6_ser.pdf
GBU601
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 100V; If: 6A; Ifsm: 175A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 175A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ70A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ70A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 77.8÷86V; 13.3A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 77.8...86V
Max. forward impulse current: 13.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ70AQ-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 77.8V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 70V
Breakdown voltage: 77.8V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: SMCJ
Number of channels: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
US1K_HF
US1K_HF
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 75ns; DO214AC,SMA; 1.7V; 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Reverse recovery time: 75ns
Case: DO214AC; SMA
Max. forward voltage: 1.7V
Max. forward impulse current: 30A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MBR230S1F-7 MBR230S1F.pdf
MBR230S1F-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD123F; SMD; 30V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 0.42V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 30A
Max. off-state voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.50 грн
45+9.29 грн
48+8.71 грн
54+7.71 грн
100+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTA ZXMP10A13F.pdf
ZXMP10A13FTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.5A; 0.625W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.5A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.93 грн
13+31.92 грн
50+24.04 грн
100+21.64 грн
500+16.91 грн
1000+15.42 грн
1500+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTA ZXMP10A13FQ.pdf
ZXMP10A13FQTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.36 грн
11+40.13 грн
50+31.59 грн
100+29.10 грн
500+24.87 грн
1000+22.63 грн
1500+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FTC
ZXMP10A13FTC
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.7A
Pulsed drain current: -3.1A
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ54CA-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ54CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 60÷66.3V; 17.2A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 54V
Breakdown voltage: 60...66.3V
Max. forward impulse current: 17.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT3906VC-7 ds30640.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 150mW; SOT563
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3115UDMQ-13
DMN3115UDMQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 3.2A
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC113ZCA-7-F ds30330.pdf
DDTC113ZCA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC113ZE-7-F ds30314.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC113ZUA-7-F ds30322.pdf
DDTC113ZUA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT323; R1: 1kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 33
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 1kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248B-7-F MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf
MMBZ5248B-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 18V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BQ-7-F MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf
MMBZ5248BQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 18V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BS-7-F ds31039.pdf
MMBZ5248BS-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 18V; SMD; SOT363; reel,tape; double independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BTS-7-F MMBZ5221-5259BTS.pdf
MMBZ5248BTS-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 18V; SMD; SOT363; reel,tape; triple independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5248BW-7-F ds31037.pdf
MMBZ5248BW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 18V; SMD; SOT323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 18V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5251BS-7-F mmsz52xxbs_ser.pdf
MMSZ5251BS-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 22V; SMD; SOD323; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+7.14 грн
85+4.89 грн
174+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5251B-7-F MMBZ5221B-MMBZ5259B.pdf
MMBZ5251B-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 22V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5251BTS-7-F ds30184.pdf
MMBZ5251BTS-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 22V; SMD; SOT363; reel,tape; triple independent
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 22V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ7.5A-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ7.5A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 8.33÷9.21V; 31A; unidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 7.5V
Breakdown voltage: 8.33...9.21V
Max. forward impulse current: 31A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 0.1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116W-7-F ds30291.pdf
BAV116W-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 130V; 0.215A; 3us; SOD123; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 130V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD123
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.50 грн
50+8.46 грн
57+7.38 грн
100+4.91 грн
500+3.95 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116T-7 BAV116T.pdf
BAV116T-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 3us; SOD523; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD523
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116HWFQ-7 BAV116HWFQ.pdf
BAV116HWFQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD123F; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116HWF-7 BAV116HWF.pdf
BAV116HWF-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD123F; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD123F
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTN19020DZQTA ZXTN19020DZQ.pdf
ZXTN19020DZQTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 7.5A; SOT89; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 7.5A
Case: SOT89
Pulsed collector current: 20A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1211 1212 1213 1214 1215 1216 1217 1218 1219 1220 1221 1222  [ Наступна Сторінка >> ]