Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4259) > Сторінка 26 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GBU25K GBU25K GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 800V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU25M GBU25M GeneSiC Semiconductor Bridge Rectifiers 1000V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A GBU4A GeneSiC Semiconductor gbu4a.pdf Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.15 грн
10+69.18 грн
25+52.68 грн
100+40.91 грн
250+37.11 грн
500+32.74 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4B GBU4B GeneSiC Semiconductor gbu4b-3477647.pdf Bridge Rectifiers 100V 4A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4D GBU4D GeneSiC Semiconductor gbu4d-3477364.pdf Bridge Rectifiers 200V 4A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4G GBU4G GeneSiC Semiconductor gbu4g.pdf Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.38 грн
10+69.82 грн
25+52.68 грн
100+40.91 грн
250+37.11 грн
500+32.12 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4J GBU4J GeneSiC Semiconductor gbu4j.pdf Bridge Rectifiers 600V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.15 грн
10+69.18 грн
25+52.68 грн
100+42.64 грн
250+38.07 грн
500+32.26 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4J GBU4J GeneSiC Semiconductor 251135481325926gbu4j_thru_gbu4m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K GBU4K GeneSiC Semiconductor gbu4k.pdf Bridge Rectifiers 800V 4A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M GBU4M GeneSiC Semiconductor gbu4m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.15 грн
10+69.18 грн
25+52.68 грн
100+42.64 грн
250+38.07 грн
500+32.26 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6A GBU6A GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6a.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.70 грн
10+76.72 грн
25+66.48 грн
100+50.26 грн
250+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B GBU6B GeneSiC Semiconductor gbu6b.pdf Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6D GBU6D GeneSiC Semiconductor gbu6d.pdf Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6G GBU6G GeneSiC Semiconductor gbu6g.pdf Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6j-2449735.pdf Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6J GBU6J GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K GBU6K GeneSiC Semiconductor gbu6k.pdf Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M GBU6M GeneSiC Semiconductor gbu6m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8B GBU8B GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.03 грн
10+76.03 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8G GBU8G GeneSiC Semiconductor gbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8j.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8k.pdf Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case GBU
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M GBU8M GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.97 грн
5+94.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12_220-2449250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.76 грн
10+142.50 грн
25+116.99 грн
100+107.30 грн
250+101.76 грн
500+96.92 грн
1000+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+136.76 грн
5+118.38 грн
25+100.99 грн
100+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220-1535211.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252-1856058.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J GC05MPS33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967273.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1809.13 грн
5+1732.40 грн
10+1656.48 грн
50+1537.41 грн
100+1418.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2003.77 грн
10+1797.61 грн
25+1505.68 грн
100+1437.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1749.19 грн
10+1532.84 грн
25+1476.69 грн
100+1309.38 грн
250+1261.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12_220-2449830.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+231.88 грн
59+223.05 грн
100+215.48 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252-1856202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU25K
GBU25K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU25M
GBU25M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 25A GBU Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4A gbu4a.pdf
GBU4A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.15 грн
10+69.18 грн
25+52.68 грн
100+40.91 грн
250+37.11 грн
500+32.74 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4B gbu4b-3477647.pdf
GBU4B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 4A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4D gbu4d-3477364.pdf
GBU4D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 4A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4G gbu4g.pdf
GBU4G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 3199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.38 грн
10+69.82 грн
25+52.68 грн
100+40.91 грн
250+37.11 грн
500+32.12 грн
1000+27.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4J gbu4j.pdf
GBU4J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 6416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.15 грн
10+69.18 грн
25+52.68 грн
100+42.64 грн
250+38.07 грн
500+32.26 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4J 251135481325926gbu4j_thru_gbu4m.pdf
GBU4J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4K gbu4k.pdf
GBU4K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 4A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU4M gbu4m.pdf
GBU4M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 4A Bridge Rectifier
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.15 грн
10+69.18 грн
25+52.68 грн
100+42.64 грн
250+38.07 грн
500+32.26 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6A gbu6g.pdf
GBU6A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B gbu6g.pdf
GBU6B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B gbu6a.pdf
GBU6B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.70 грн
10+76.72 грн
25+66.48 грн
100+50.26 грн
250+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6B gbu6b.pdf
GBU6B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6D gbu6g.pdf
GBU6D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6D gbu6d.pdf
GBU6D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6G gbu6g.pdf
GBU6G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6J gbu6j-2449735.pdf
GBU6J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 6A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6J gbu6k.pdf
GBU6J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 2.8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K gbu6j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A GBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, GBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBU
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6K gbu6k.pdf
GBU6K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A Bridge Rectifier
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.61 грн
10+72.61 грн
25+55.10 грн
100+44.44 грн
250+38.49 грн
500+34.54 грн
1000+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GBU6M gbu6m.pdf
GBU6M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 6A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8B gbu8b.pdf
GBU8B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8B gbu8b.pdf
GBU8B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D gbu8d.pdf
GBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+76.03 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D gbu8b.pdf
GBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8G gbu8g.pdf
GBU8G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J gbu8m.pdf
GBU8J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J gbu8j.pdf
GBU8J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K gbu8k.pdf
GBU8K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
10+75.31 грн
25+57.25 грн
100+46.31 грн
250+40.22 грн
500+36.21 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K gbu8m.pdf
GBU8K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case GBU
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 30000
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M gbu8m.pdf
GBU8M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.97 грн
5+94.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12_220-2449250.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.76 грн
10+142.50 грн
25+116.99 грн
100+107.30 грн
250+101.76 грн
500+96.92 грн
1000+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.76 грн
5+118.38 грн
25+100.99 грн
100+95.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf
GC05MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220-1535211.pdf
GC05MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252-1856058.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J 3967273.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1809.13 грн
5+1732.40 грн
10+1656.48 грн
50+1537.41 грн
100+1418.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2003.77 грн
10+1797.61 грн
25+1505.68 грн
100+1437.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1749.19 грн
10+1532.84 грн
25+1476.69 грн
100+1309.38 грн
250+1261.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12_220-2449830.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 gc08mps12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 gc08mps12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 gc08mps12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+231.88 грн
59+223.05 грн
100+215.48 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252.pdf
GC08MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252-1856202.pdf
GC08MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 gc10mps12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 gc10mps12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]