Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 26 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252-1856202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12_220-2449540.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.36 грн
10+390.18 грн
25+324.02 грн
100+303.21 грн
250+290.02 грн
500+280.31 грн
1000+273.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-252.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252-1856247.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+692.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_220-2449839.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.44 грн
10+481.14 грн
25+399.65 грн
100+371.20 грн
250+353.86 грн
500+349.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_247-2449953.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 94A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220-1535232.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247-1856250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 90A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 90A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X100MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 200A
Max. forward impulse current: 0.64kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 209A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227-1856182.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X10MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 20A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+550.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247-1535202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X15MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 30A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+675.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12_247-2449287.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1082.27 грн
10+973.45 грн
30+815.95 грн
120+770.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247-1856112.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X20MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 90A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X50MPS06-227.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227-1856236.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X5MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Max. forward impulse current: 40A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 10A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+307.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12_247-2449963.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.78 грн
10+466.78 грн
30+388.55 грн
120+363.57 грн
270+347.61 грн
510+336.51 грн
1020+335.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Max. forward impulse current: 60A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 16A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+711.44 грн
3+659.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12_247-2449307.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247-1856221.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247-1535241.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18336.30 грн
10+16687.16 грн
25+16315.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H-2449750.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18431.79 грн
10+17170.29 грн
30+14617.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 gc08mps12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252-1856202.pdf
GC08MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252.pdf
GC08MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 40A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 gc10mps12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12_220-2449540.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.36 грн
10+390.18 грн
25+324.02 грн
100+303.21 грн
250+290.02 грн
500+280.31 грн
1000+273.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 gc10mps12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 gc10mps12-252.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252-1856247.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+692.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 gc15mps12-220.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12_220-2449839.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.44 грн
10+481.14 грн
25+399.65 грн
100+371.20 грн
250+353.86 грн
500+349.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 gc15mps12-220.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12_247-2449953.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 gc20mps12-247.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 gc20mps12-247.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 94A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 gc20mps12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 gc20mps12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220-1535232.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+896.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247-1856250.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 90A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 90A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
GC2X100MPS06-227
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 100Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 100A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 200A
Max. forward impulse current: 0.64kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
GC2X100MPS06-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 209A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227-1856182.pdf
GC2X100MPS06-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 20A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+550.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247-1535202.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 30A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12_247-2449287.pdf
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1082.27 грн
10+973.45 грн
30+815.95 грн
120+770.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247-1856112.pdf
GC2X20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X20MPS12-247 GC2X20MPS12-247.pdf
GC2X20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 90A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227.pdf
GC2X50MPS06-227
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 50Ax2; SOT227B; screw
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 50A x2
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: MPS
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 100A
Max. forward impulse current: 0.32kA
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 10ns
Type of semiconductor module: diode
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227-1856236.pdf
GC2X50MPS06-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227.pdf
GC2X50MPS06-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 104A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A x2
Max. forward impulse current: 40A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 10A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 gc2x5mps12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+307.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 gc2x5mps12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 gc2x5mps12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12_247-2449963.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+527.78 грн
10+466.78 грн
30+388.55 грн
120+363.57 грн
270+347.61 грн
510+336.51 грн
1020+335.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Max. forward impulse current: 60A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 16A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+711.44 грн
3+659.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12_247-2449307.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247-1856221.pdf
GC50MPS06-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247.pdf
GC50MPS06-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+999.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf
GC50MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247-1535241.pdf
GC50MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18336.30 грн
10+16687.16 грн
25+16315.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H-2449750.pdf
GC50MPS33H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18431.79 грн
10+17170.29 грн
30+14617.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]