Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3972) > Сторінка 26 з 67
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2646 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 29A Max. load current: 67A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. forward impulse current: 128A |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 27A Max. load current: 67A Kind of package: tube Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Mounting: THT Max. forward impulse current: 128A |
на замовлення 531 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD25MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 145 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 153 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.84kA Max. forward voltage: 1.8V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Load current: 150A x2 Max. load current: 440A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 376 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 54 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MPPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 577 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 468.41 грн |
| 10+ | 413.78 грн |
| 25+ | 343.72 грн |
| 100+ | 321.78 грн |
| 250+ | 307.89 грн |
| 500+ | 298.38 грн |
| 1000+ | 288.87 грн |
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 295.96 грн |
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 391.06 грн |
| 10+ | 340.02 грн |
| 25+ | 325.16 грн |
| 50+ | 313.61 грн |
| 100+ | 302.05 грн |
| 250+ | 289.67 грн |
| 1000+ | 280.60 грн |
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 524.73 грн |
| 10+ | 444.90 грн |
| 30+ | 362.74 грн |
| 120+ | 347.38 грн |
| 270+ | 336.41 грн |
| 510+ | 325.44 грн |
| 2520+ | 320.32 грн |
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. load current: 67A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 128A
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 460.38 грн |
| 3+ | 403.56 грн |
| 30+ | 387.06 грн |
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GD25MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 145 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1320.77 грн |
| 10+ | 1175.75 грн |
| 30+ | 981.44 грн |
| 120+ | 922.93 грн |
| 270+ | 886.37 грн |
| 510+ | 883.44 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 7931.16 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3399.98 грн |
| 10+ | 3004.58 грн |
| 25+ | 2903.48 грн |
| 100+ | 2587.57 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3811.04 грн |
| 10+ | 3546.21 грн |
| 30+ | 3501.60 грн |
| 100+ | 3248.40 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 153 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3801.07 грн |
| 10+ | 3438.11 грн |
| 30+ | 2890.20 грн |
| 100+ | 2744.67 грн |
| 250+ | 2738.08 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3811.04 грн |
| 10+ | 3546.21 грн |
| 30+ | 3501.60 грн |
| 100+ | 3248.40 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 6856.07 грн |
| 30+ | 6623.52 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6092.66 грн |
| 10+ | 5406.72 грн |
| 25+ | 5233.23 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 6856.07 грн |
| 30+ | 6623.52 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 660.93 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 660.07 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 679.16 грн |
| 10+ | 602.17 грн |
| 30+ | 500.96 грн |
| 120+ | 469.51 грн |
| 270+ | 450.50 грн |
| 600+ | 436.60 грн |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 376 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5045.90 грн |
| 10+ | 4597.04 грн |
| 30+ | 3873.83 грн |
| 100+ | 3704.90 грн |
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 565.34 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 893.31 грн |
| 10+ | 765.33 грн |
| 30+ | 577.02 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 565.34 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 811.43 грн |
| 10+ | 706.95 грн |
| 25+ | 678.73 грн |
| 100+ | 599.63 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 3960.06 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3320.30 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3320.30 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 4067.32 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3706.36 грн |
| 10+ | 3143.75 грн |
| 30+ | 2729.31 грн |
| 100+ | 2680.31 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 691.49 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 691.49 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 690.33 грн |
| 10+ | 597.17 грн |
| 25+ | 572.37 грн |
| 100+ | 503.75 грн |
| 250+ | 482.80 грн |
| 500+ | 467.51 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 718.41 грн |
| 10+ | 609.74 грн |
| 30+ | 468.05 грн |
| 120+ | 463.66 грн |
| 270+ | 453.42 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1963.24 грн |
| 10+ | 1654.30 грн |
| 30+ | 1437.79 грн |
| 100+ | 1321.51 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 1794.84 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2587.86 грн |
| 25+ | 2302.28 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2428.05 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2422.36 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1295.66 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1295.66 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1416.72 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1280.39 грн |
| 10+ | 1125.20 грн |
| 25+ | 1085.28 грн |
| 100+ | 963.66 грн |
| 250+ | 929.56 грн |
| 500+ | 904.15 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 577 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1505.92 грн |
| 10+ | 1401.99 грн |
| 30+ | 956.57 грн |
| 120+ | 921.47 грн |





















