Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149888) > Сторінка 1295 з 2499

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1290 1291 1292 1293 1294 1295 1296 1297 1298 1299 1300 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFSL7430PBF IRFSL7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF23C0F0390143&compId=IRFSL7430PBF.pdf?ci_sign=7f386f176a2cb5c5d006cc4f9534444664bf3296 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.92 грн
10+109.56 грн
14+80.73 грн
37+76.14 грн
1000+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBF IRFSL7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.98 грн
10+67.89 грн
19+58.71 грн
50+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
11+26.48 грн
85+12.75 грн
231+12.02 грн
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.42 грн
10+33.44 грн
25+24.95 грн
50+20.00 грн
99+10.83 грн
271+10.27 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.89 грн
10+46.20 грн
29+37.80 грн
78+35.78 грн
525+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF IRFU13N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr13n20dpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF IRFU3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description IRFU3910PBF THT N channel transistors
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.40 грн
28+39.08 грн
76+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.63 грн
10+84.79 грн
16+69.72 грн
43+66.05 грн
150+64.22 грн
450+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4 description IRFU4615PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.96 грн
10+70.50 грн
19+57.80 грн
51+55.04 грн
150+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFU7440PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.37 грн
25+41.25 грн
46+23.49 грн
126+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.33 грн
25+26.67 грн
51+21.28 грн
139+20.18 грн
5000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.13 грн
10+60.49 грн
37+28.99 грн
102+27.43 грн
10000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206 description IRFZ44EPBF THT N channel transistors
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.46 грн
23+47.52 грн
63+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208 IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.78 грн
18+60.55 грн
49+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF IRFZ44NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFZ44VPBF THT N channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.90 грн
23+47.70 грн
62+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.55 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219 IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.13 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c description IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.04 грн
27+39.91 грн
74+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+96.22 грн
10+77.06 грн
17+66.97 грн
45+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.60 грн
10+77.64 грн
27+40.36 грн
74+38.16 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.18 грн
10+57.73 грн
32+34.04 грн
87+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP IRG4BC40W-STRRP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9 IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30WPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF IRG4PH20KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES irg4psh71kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648a9f22337 IRG4PSH71KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71UDPBF IRG4PSH71UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c description Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4RC10KDTRPBF IRG4RC10KDTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4RC10UDPBF INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH35UD-EP IRG7PH35UD-EP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D94AD060F5F1A303005056AB0C4F&compId=irg7ph35udpbf.pdf?ci_sign=b0a671a6c320aeda0771455447aee1ad31d0d5d0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFB6C5931F75EA&compId=IRG7PH44K10D-EPBF.pdf?ci_sign=0be09883d41e44c5ba5fa10572f388cbdd705251 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB6B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG(B,S,SL)6B60KDPbF.pdf description IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGIB7B60KDPBF INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGP4066DPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 454W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4263DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS6B60KDTRLP INFINEON TECHNOLOGIES IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGSL4062DPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+149.18 грн
10+124.80 грн
14+79.81 грн
37+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e IRL100HS121 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRL1404STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF IRL2203NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF IRL2505PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.87 грн
10+136.23 грн
11+98.16 грн
30+92.66 грн
2000+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d IRL2910STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF IRL3103STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273FCEE86BBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3103spbf.pdf?ci_sign=d3447635fefbe0b4d19b7a54228f1edac8d3a79e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF IRL3705NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.37 грн
10+98.13 грн
21+51.37 грн
57+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF23C0F0390143&compId=IRFSL7430PBF.pdf?ci_sign=7f386f176a2cb5c5d006cc4f9534444664bf3296
IRFSL7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 301A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 301A
Power dissipation: 375W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 225nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.92 грн
10+109.56 грн
14+80.73 грн
37+76.14 грн
1000+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7440PBF irfs7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a95f721d5
IRFSL7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 147A; Idm: 772A; 208W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 772A
Power dissipation: 208W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
10+67.89 грн
19+58.71 грн
50+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd
IRFTS8342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
11+26.48 грн
85+12.75 грн
231+12.02 грн
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C996E431F6F1A303005056AB0C4F&compId=irfts9342pbf.pdf?ci_sign=b172a9595ca6a4474e9b0d2efc95b751114ea742
IRFTS9342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.42 грн
10+33.44 грн
25+24.95 грн
50+20.00 грн
99+10.83 грн
271+10.27 грн
1000+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.89 грн
10+46.20 грн
29+37.80 грн
78+35.78 грн
525+34.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU13N20DPBF irfr13n20dpbf.pdf
IRFU13N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 14A; 110W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 14A
Power dissipation: 110W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d
IRFU220NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3607PBF irfr3607pbf.pdf
IRFU3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; IPAK
Case: IPAK
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 56nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.40 грн
28+39.08 грн
76+36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.63 грн
10+84.79 грн
16+69.72 грн
43+66.05 грн
150+64.22 грн
450+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4615PBF description irfr4615pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563231ce20f4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU4615PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.96 грн
10+70.50 грн
19+57.80 грн
51+55.04 грн
150+53.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU7440PBF irfr7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356359e662117 IRSD-S-A0000254709-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU7440PBF THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.37 грн
25+41.25 грн
46+23.49 грн
126+22.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.33 грн
25+26.67 грн
51+21.28 грн
139+20.18 грн
5000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055B0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz34n.pdf?ci_sign=686bda4beadb73c469501e8a6160e62db2558a32
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.13 грн
10+60.49 грн
37+28.99 грн
102+27.43 грн
10000+26.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA5807D86BF1A303005056AB0C4F&compId=irfz34nspbf.pdf?ci_sign=2fff9063d2b86069a4b91f953d0d75984c82566e
IRFZ34NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 29A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBF description irfz44epbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b237a2206
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44EPBF THT N channel transistors
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.46 грн
23+47.52 грн
63+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBF irfz44espbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b2c662208
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ESTRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBF irfz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b43a5220f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44NLPBF THT N channel transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.78 грн
18+60.55 грн
49+56.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDAF9C48B972F760D4&compId=IRFZ44Npbf.pdf?ci_sign=a0367694f4d7ca96e6cad6a8227012049aa7c754
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CA9332C586F1A303005056AB0C4F&compId=irfz44nspbf.pdf?ci_sign=3fb2237c544e3a8e905dcabfe68cc494319ca22b
IRFZ44NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VPBF IRSDS11299-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VPBF THT N channel transistors
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
23+47.70 грн
62+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZPBF IRSDS11304-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZPBF THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.55 грн
18+62.38 грн
48+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44VZSPBF irfz44vzpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b60f62219
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44VZSPBF SMD N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.13 грн
12+93.57 грн
32+88.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZPBF description irfz44zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563b6a15221c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFZ44ZPBF THT N channel transistors
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.04 грн
27+39.91 грн
74+37.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ZSTRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFA6F1A1E1D5EA&compId=IRFZ44ZSTRRPBF.pdf?ci_sign=6370c9272db105c61280a6fd399b967cc13fdd2d
IRFZ44ZSTRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 36A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 36A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+96.22 грн
10+77.06 грн
17+66.97 грн
45+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.60 грн
10+77.64 грн
27+40.36 грн
74+38.16 грн
1000+36.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.18 грн
10+57.73 грн
32+34.04 грн
87+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4BC40W-STRRP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DD645D395A06469&compId=IRG4BC40W-STRRP.pdf?ci_sign=0f5853a9e6f2ca0a1ac09132d80da2888c136f01
IRG4BC40W-STRRP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 160W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC10UDPBF irg4ibc10udpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643673122a9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC10UDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4IBC30WPBF IRSDS13200-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irg4ibc30wpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535643ad8622bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4IBC30WPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KDPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5D15F7C3FF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kdpbf.pdf?ci_sign=73cf103f6ec1f50e5465b4ed37507bf31c4bf8af
IRG4PH20KDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PH20KPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D5FD1DFF0CF1A303005056AB0C4F&compId=irg4ph20kpbf.pdf?ci_sign=515381e4ecec53aef55eff32a285367c089bb78d
IRG4PH20KPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 11A; 60W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 11A
Power dissipation: 60W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71KDPBF irg4psh71kdpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535648a9f22337
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4PSH71KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PSH71UDPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D7D64A4F08F1A303005056AB0C4F&compId=irg4psh71udpbf.pdf?ci_sign=289c39444487fc58635bd7d1764bde616b177c4c
IRG4PSH71UDPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 99A; 350W; SUPER247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 99A
Power dissipation: 350W
Case: SUPER247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4RC10KDTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFAA8ACB0415EA&compId=IRG4RC10KDTRPBF.pdf?ci_sign=2087d15123c50192bd1e99a508f775700674dc79
IRG4RC10KDTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 9A; 38W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 9A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4RC10UDPBF Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRG4RC10UDPBF SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH35UD-EP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221D94AD060F5F1A303005056AB0C4F&compId=irg7ph35udpbf.pdf?ci_sign=b0a671a6c320aeda0771455447aee1ad31d0d5d0
IRG7PH35UD-EP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 70W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 70W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 240ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH44K10D-EPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEFB6C5931F75EA&compId=IRG7PH44K10D-EPBF.pdf?ci_sign=0be09883d41e44c5ba5fa10572f388cbdd705251
IRG7PH44K10D-EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGB6B60KDPBF description IRG(B,S,SL)6B60KDPbF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGB6B60KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGIB7B60KDPBF fundamentals-of-power-semiconductors
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGIB7B60KDPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4066DPBF IRGP4066DPBF.pdf
IRGP4066DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 454W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 454W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGP4263DPBF IRSDS19498-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRGP4263D%28-E%29PBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGP4263DPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGS6B60KDTRLP IRG%28B%2CS%2CSL%296B60KDPbF.pdf IRSDS10536-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGS6B60KDTRLP SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRGSL4062DPBF IRGS%28SL%294062DPbF.pdf IRSDS10724-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRGSL4062DPBF THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+149.18 грн
10+124.80 грн
14+79.81 грн
37+75.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL100HS121 Infineon-IRL100HS121-DS-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b31f85e118e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL100HS121 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404STRLPBF IRL1404STRLPBF.pdf
IRL1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22272FD5B2EC9F1A303005056AB0C4F&compId=irl2203nspbf.pdf?ci_sign=338ad334b3f34a2957cf0ae5f23cffd55bfac9a8
IRL2203NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 116A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 116A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227317C98B92F1A303005056AB0C4F&compId=irl2505pbf.pdf?ci_sign=f6bfba5649d0dd9c0ee6df3f8e5c34860d2b83d7
IRL2505PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 104A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 104A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 445 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.87 грн
10+136.23 грн
11+98.16 грн
30+92.66 грн
2000+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2505STRLPBF irl2505spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b75022502
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 360A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2910STRLPBF irl2910spbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565b9922250d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL2910STRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3103STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22273FCEE86BBF1A303005056AB0C4F&compId=irl3103spbf.pdf?ci_sign=d3447635fefbe0b4d19b7a54228f1edac8d3a79e
IRL3103STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 64A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL3705NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7DA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl3705n.pdf?ci_sign=6cab1fdf2340cfadae101f342b21237f36d915c9
IRL3705NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 65.3nC
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.37 грн
10+98.13 грн
21+51.37 грн
57+48.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1290 1291 1292 1293 1294 1295 1296 1297 1298 1299 1300 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]