Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128719) > Сторінка 2139 з 2146
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ITS4040DEPDXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 4.1A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 4.1A Number of channels: 2 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TSDSO-14 Supply voltage: 5...45V DC Technology: Industrial PROFET Power dissipation: 1.9W Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 0.1ms Kind of package: reel; tape Turn-off time: 0.1ms On-state resistance: 40mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ITS4090QEPDXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.5A Number of channels: 4 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-TSDSO-14 Supply voltage: 5...45V DC Technology: Industrial PROFET Power dissipation: 1.8W Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 75µs Kind of package: reel; tape Turn-off time: 75µs On-state resistance: 90mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| T830N12TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA Max. forward impulse current: 14.5A Gate current: 250mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 1.2kV Body dimensions: Ø58/Ø36mm Load current: 844A Max. load current: 1.5kA Kind of package: in-tray Case: BG-T5814K0-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| T830N14TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA Max. forward impulse current: 14.5kA Gate current: 250mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 1.4kV Body dimensions: Ø58/Ø36mm Load current: 844A Max. load current: 1.5kA Kind of package: in-tray Case: BG-T5814K0-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| T830N16TOFXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Button thyristorsDescription: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA Max. forward impulse current: 14.5kA Gate current: 250mA Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT) Max. off-state voltage: 1.6kV Body dimensions: Ø58/Ø36mm Load current: 844A Max. load current: 1.5kA Kind of package: in-tray Case: BG-T5814K0-1 Type of thyristor: hockey-puck Mounting: Press-Pack |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FP30R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 115W Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Case: AG-EASY1B-2 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 115W Technology: Field Stop; Trench |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FP30R06W1E3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 30A; AG-EASY1B-1; Inverter; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: NTC thermistor Case: AG-EASY1B-1 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 115W Technology: Field Stop; Trench Collector current: 30A Electrical mounting: screw |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IPW60R170CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 9A Power dissipation: 75W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.325Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 28nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPA60R099P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPZ60R099P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
IPU80R1K4P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 32W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Version: ESD Gate charge: 10nC Kind of package: tube |
на замовлення 1084 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IPLK80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; Idm: 8.9A; 37W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 37W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 8.9A Gate charge: 10nC |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPA80R1K4P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Drain-source voltage: 800V Drain current: 4A Power dissipation: 24W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IRFSL7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1kA |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IFCM10P60GDXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 280 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BC859CE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP Type of transistor: PNP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
BSS126 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 1.4nC Version: ESD Application: automotive industry |
на замовлення 5330 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| BTN8982TAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
BFP460H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343 Kind of transistor: RF Type of transistor: NPN Current gain: 90...160 Kind of package: reel; tape Case: SOT343 Frequency: 22GHz Collector current: 70mA Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 4.5V Power dissipation: 0.23W Polarisation: bipolar Technology: SIEGET™ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BFP405H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343 Type of transistor: NPN Technology: SIEGET™ Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 25mA Power dissipation: 75mW Case: SOT343 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 25GHz Current gain: 90...130 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| BFP405H6740XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN Type of transistor: NPN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFP410H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 4.5V Collector current: 40mA Power dissipation: 0.15W Case: SOT343 Mounting: SMD Frequency: 25GHz Application: automotive industry Current gain: 60 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BFP 420 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 4.5V Case: SOT343 Mounting: SMD Frequency: 25GHz |
на замовлення 8880 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BFP 620 H7764 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 80mA Case: SOT343 Current gain: 110 Mounting: SMD Frequency: 65GHz |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| BFP 640 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; SOT343 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector current: 50mA Power dissipation: 0.2W Case: SOT343 Current gain: 110 Mounting: SMD Frequency: 40GHz |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| 1EDI60H12AH | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; 1200V Type of integrated circuit: driver Voltage class: 1.2kV Turn-on time: 0.12µs Mounting: SMD |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
SMBTA92E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 50MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IPD052N10NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FP75R12KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; screw; 355W; NPT Type of semiconductor module: IGBT Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-3 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 355W Technology: NPT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1062G30-10BGXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 10ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1480BV33-250BZI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 72Mb SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Case: FBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 250MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 210 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1041G30-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1051H30-10BVXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1051H30-10BVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 512kx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1460KV33-167AXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 1Mx36bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 167MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C199D-10VXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: SOJ28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD IC width: 300mils |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1350 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1041G-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1041GN30-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1061G30-10ZXE | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; TSOP48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 10ns Case: TSOP48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1071DV33-12BAXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 12ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 12ns Case: FBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 3...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 420 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1041G30-10BVXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; VFBGA48 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1041GN-10ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 256kx16bit Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1062GE30-10BGXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Access time: 10ns Case: PBGA119 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 168 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1069GN30-10ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 10ns; TSOP54 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 2Mx8bit Access time: 10ns Case: TSOP54 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 540 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1372KV33-167AXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 167MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1372KV33-200AXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 200MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 144 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C1441KV33-133AXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 36Mb SRAM Memory organisation: 1Mx36bit Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Frequency: 133MHz Supply voltage: 3.135...3.6V DC Operating temperature: 0...70°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| CY7C199D-10VXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 10ns; SOJ28; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 256kb SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 10ns Case: SOJ28 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 4.5...5.5V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPD055N08NF2SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| BSC105N15LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S51R2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S51R7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S51R9ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S52R8ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IPC100N04S5L2R6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| ITS4040DEPDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.1A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.1A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 5...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.9W
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 0.1ms
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
On-state resistance: 40mΩ
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.1A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.1A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 5...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.9W
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 0.1ms
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 0.1ms
On-state resistance: 40mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ITS4090QEPDXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 5...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.8W
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 75µs
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 75µs
On-state resistance: 90mΩ
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 4; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
Supply voltage: 5...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Power dissipation: 1.8W
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 75µs
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 75µs
On-state resistance: 90mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T830N12TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5A
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.2kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.2kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5A
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.2kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| T830N14TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
| T830N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.6kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.6kV; Ifmax: 1.5kA; 844A; Igt: 250mA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Features of semiconductor devices: phase control thyristor (PCT)
Max. off-state voltage: 1.6kV
Body dimensions: Ø58/Ø36mm
Load current: 844A
Max. load current: 1.5kA
Kind of package: in-tray
Case: BG-T5814K0-1
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FP30R06W1E3B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 115W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-EASY1B-2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 115W
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; AG-EASY1B-2; Inverter; 115W
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-EASY1B-2
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 115W
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP30R06W1E3BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 30A; AG-EASY1B-1; Inverter; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-EASY1B-1
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 115W
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 30A
Electrical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 30A; AG-EASY1B-1; Inverter; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Case: AG-EASY1B-1
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 115W
Technology: Field Stop; Trench
Collector current: 30A
Electrical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPW60R170CFD7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 75W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.325Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 28nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA60R099P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPZ60R099P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPU80R1K4P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 88.51 грн |
| 10+ | 45.45 грн |
| 75+ | 36.23 грн |
| 150+ | 33.38 грн |
| 525+ | 28.85 грн |
| IPLK80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; Idm: 8.9A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8.9A
Gate charge: 10nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; Idm: 8.9A; 37W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8.9A
Gate charge: 10nC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 15.81 грн |
| IPA80R1K4P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 4A; 24W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 123.73 грн |
| 50+ | 82.19 грн |
| 100+ | 76.32 грн |
| 300+ | 72.12 грн |
| 500+ | 64.58 грн |
| IRFSL7437PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1kA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1kA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 186.05 грн |
| 5+ | 140.05 грн |
| 10+ | 119.93 грн |
| 25+ | 93.93 грн |
| IFCM10P60GDXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: SMD IGBT transistors
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 280 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BC859CE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSS126 H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Version: ESD
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 21mA; 500mW; SOT23-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 1.4nC
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 238+ | 21.95 грн |
| 300+ | 16.77 грн |
| 500+ | 16.02 грн |
| 1000+ | 15.52 грн |
| 4000+ | 15.10 грн |
| BTN8982TAAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP460H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 90...160
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 22GHz
Collector current: 70mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 4.5V
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 70mA; 0.23W; SOT343
Kind of transistor: RF
Type of transistor: NPN
Current gain: 90...160
Kind of package: reel; tape
Case: SOT343
Frequency: 22GHz
Collector current: 70mA
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 4.5V
Power dissipation: 0.23W
Polarisation: bipolar
Technology: SIEGET™
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP405H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
Current gain: 90...130
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SIEGET™
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 25mA
Power dissipation: 75mW
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 25GHz
Current gain: 90...130
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BFP405H6740XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP410H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; 40mA; 150mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Application: automotive industry
Current gain: 60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BFP 420 H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 4.5V; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 4.5V
Case: SOT343
Mounting: SMD
Frequency: 25GHz
на замовлення 8880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 210+ | 19.69 грн |
| 300+ | 15.43 грн |
| 500+ | 14.84 грн |
| 1000+ | 14.42 грн |
| 4000+ | 14.09 грн |
| BFP 620 H7764 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 80mA
Case: SOT343
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 65GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80mA; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 80mA
Case: SOT343
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 65GHz
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 177+ | 23.48 грн |
| 300+ | 18.95 грн |
| 500+ | 18.37 грн |
| 1000+ | 17.95 грн |
| BFP 640 H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 40GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50mA; 200mW; SOT343
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110
Mounting: SMD
Frequency: 40GHz
на замовлення 3004 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 218+ | 18.88 грн |
| 300+ | 14.68 грн |
| 500+ | 14.09 грн |
| 1000+ | 13.67 грн |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 729.75 грн |
| 5+ | 535.06 грн |
| 10+ | 477.19 грн |
| 30+ | 422.68 грн |
| 1EDI60H12AH |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; 1200V
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 0.12µs
Mounting: SMD
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; 1200V
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 1.2kV
Turn-on time: 0.12µs
Mounting: SMD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 218.56 грн |
| 30+ | 170.25 грн |
| 50+ | 163.54 грн |
| 100+ | 158.50 грн |
| 300+ | 140.05 грн |
| SMBTA92E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 50MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPD052N10NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FP75R12KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; screw; 355W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 355W
Technology: NPT
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 75A; AG-ECONO3-3; screw; 355W; NPT
Type of semiconductor module: IGBT
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 355W
Technology: NPT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1062G30-10BGXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1480BV33-250BZI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 72Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Case: FBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1041G30-10ZSXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1051H30-10BVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1051H30-10BVXIT |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1460KV33-167AXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C199D-10VXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 300mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ28
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
IC width: 300mils
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1350 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1041G-10ZSXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1041GN30-10ZSXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1061G30-10ZXE |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1071DV33-12BAXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 12ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 12ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 12ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 12ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1041G30-10BVXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 2.2÷3.6V; 10ns; VFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1041GN-10ZSXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1041GN-10ZSXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 256kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 256kx16bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1062GE30-10BGXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 10ns; PBGA119; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Access time: 10ns
Case: PBGA119
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1069GN30-10ZSXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 10ns; TSOP54 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP54 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 10ns; TSOP54 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 10ns
Case: TSOP54 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 540 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1372KV33-167AXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; -40÷85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 167MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1372KV33-200AXC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C1441KV33-133AXC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 133MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 36MbSRAM; 1Mx36bit; TQFP100; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 36Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx36bit
Case: TQFP100
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Frequency: 133MHz
Supply voltage: 3.135...3.6V DC
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY7C199D-10VXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 10ns; SOJ28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 10ns; SOJ28; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 256kb SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 10ns
Case: SOJ28
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD055N08NF2SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC105N15LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S51R2ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S51R7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S51R9ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S52R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S5L1R1ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S5L1R5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC100N04S5L2R6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.











