Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (128688) > Сторінка 2140 з 2145
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IMZA65R048M1H | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Case: TO247 On-state resistance: 64mΩ Kind of channel: enhancement Gate charge: 33nC |
на замовлення 240 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IAUS165N08S5N029ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 165A Pulsed drain current: 660A Power dissipation: 167W Case: PG-HSOG-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF7493TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 9.2A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FM24VN10-G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: FRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 1Mb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 128kx8bit Supply voltage: 2...3.6V DC Clock frequency: 3.4MHz Case: SO8 Mounting: SMD Kind of interface: serial Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
PVI5013RSPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Optocouplers - othersDescription: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8 Mounting: SMD Manufacturer series: PVI5013RPbF Kind of output: photodiode Insulation voltage: 3.75kV Type of optocoupler: optocoupler Turn-on time: 5ms Case: Gull wing 8 Turn-off time: 25µs Number of channels: 2 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TLS805B1SJVXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: LDO adjustable voltage regulatorsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPS70R600P7SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 43.1W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8.5A Power dissipation: 43.1W Case: IPAK; TO251 On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 10.5nC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPN70R600P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPLK70R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BB914E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Protection diodes - arraysDescription: Diode: diode arrays Type of diode: diode arrays |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
CY62158EV30LL-45ZSXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 1Mx8bit Operating voltage: 2.2...3.6V Access time: 45ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| CY62158EV30LL-45ZSXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 8Mb SRAM Memory organisation: 1024kx8bit Access time: 45ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Supply voltage: 2.2...3.6V DC Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| D2450N04TXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diode modulesDescription: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPC50N04S55R8ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPC50N04S5L5R5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD50N04S308ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD50N04S309ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ITD50N04S4L07ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPLU250N04S41R7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPD50N04S4-08 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Power dissipation: 46W Case: DPAK3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Semiconductor structure: single transistor |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRFB7546PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 75A Power dissipation: 99W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSC022N04LS6 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSC032N04LS | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 392A; 52W Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 52W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 392A Gate charge: 25nC |
на замовлення 4968 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPW60R160P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 176W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPA60R160P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BTS723GWXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch Type of integrated circuit: power switch |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPZ40N04S5L-2R8 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 71W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 52nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSC070N10NS5SCATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSC070N10NS5 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Gate charge: 30nC Version: ESD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
BSC060N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSC060N10NS3 G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 100V Power dissipation: 125W Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 360A Version: ESD |
на замовлення 4143 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSC070N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 90A Power dissipation: 114W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSC070N10LS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPD50P04P4L-11 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -50A; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -40V Drain current: -50A Case: DPAK On-state resistance: 10.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP040N06N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; Idm: 320A; 107W; TO220-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A Power dissipation: 107W Case: TO220-3 Gate-source voltage: -20...20V Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 320A Version: ESD Application: automotive industry |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| TC333LP32F300FAAKXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Integrated circuits - UnclassifiedDescription: SMD Mounting: SMD |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| ISA170170N04LMDSXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar Mounting: SMD Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ISZ330N12LM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPA80R450P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A On-state resistance: 0.45Ω Gate charge: 24nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPDQ65R018CM8XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W Mounting: SMD Power dissipation: 625W Gate charge: 173nC Technology: CoolMOS™ Drain current: 127A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 650V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 18mΩ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AUIRS21811STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Drivers - integrated circuitsDescription: IC: driver Type of integrated circuit: driver |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF1324PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 24V Drain current: 353A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IKW50N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 86A; 398W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 86A Power dissipation: 398W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKQ50N120CH7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 71A; 398W; TO247-3; 1.1mJ Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 71A Power dissipation: 398W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Turn-off switching energy: 1.1mJ |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IPA086N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 45A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220FP On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 37.5W |
на замовлення 315 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPI086N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3 Mounting: THT Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Drain current: 80A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO262-3 On-state resistance: 8.6mΩ Power dissipation: 125W |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| ESD110B102ELE6327XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Bidirectional TVS SMD diodesDescription: Diode: TVS Type of diode: TVS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BGA855N6E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD operational amplifiersDescription: IC: operational amplifier Type of integrated circuit: operational amplifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| S29AL008J70BFN010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 8Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| S29AL008J70BFN020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 8Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1690 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| S29AL016J70BFN010 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 16Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: FBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| S29AL016J70BFN020 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: FLASH memory Kind of memory: NOR Memory: 16Mb FLASH Interface: CFI; parallel Operating voltage: 2.7...3.6V Access time: 70ns Case: FBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: in-tray |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 676 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ISC060N10NM6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| CYT2CL7BAAQ0AZSGS | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Infineon Technologies microcontrollersDescription: IC: microcontroller Type of integrated circuit: microcontroller |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| D2450N06TXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: hockey-puck rectifying Type of diode: hockey-puck rectifying |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF8734TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1773 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS139 H6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 250V Power dissipation: 0.36W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Gate charge: 2.3nC Technology: SIPMOS™ Application: automotive industry |
на замовлення 10940 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPW65R080CFDA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 27.4A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPW65R080CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 43.3A Power dissipation: 391W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IMZA65R048M1H |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
On-state resistance: 64mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; 650V; 40A; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Case: TO247
On-state resistance: 64mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 1332.16 грн |
| 9+ | 1183.33 грн |
| 10+ | 1176.63 грн |
| 20+ | 1146.43 грн |
| 30+ | 1022.31 грн |
| IAUS165N08S5N029ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 165A; Idm: 660A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 167W
Case: PG-HSOG-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7493TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9.2A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FM24VN10-G |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; I2C; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 3.4MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 3.4MHz
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PVI5013RSPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5013RPbF
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 5ms
Case: Gull wing 8
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 2
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 2; OUT: photodiode; 3.75kV; Gull wing 8
Mounting: SMD
Manufacturer series: PVI5013RPbF
Kind of output: photodiode
Insulation voltage: 3.75kV
Type of optocoupler: optocoupler
Turn-on time: 5ms
Case: Gull wing 8
Turn-off time: 25µs
Number of channels: 2
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 225.79 грн |
| TLS805B1SJVXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPS70R600P7SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 43.1W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 43.1W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8.5A; 43.1W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 43.1W
Case: IPAK; TO251
On-state resistance: 0.49Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPN70R600P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPLK70R600P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BB914E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays
Type of diode: diode arrays
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: diode arrays
Type of diode: diode arrays
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CY62158EV30LL-45ZSXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1Mx8bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx8bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CY62158EV30LL-45ZSXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 1024kx8bit; 45ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 1024kx8bit
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| D2450N04TXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC50N04S55R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPC50N04S5L5R5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD50N04S308ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD50N04S309ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ITD50N04S4L07ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPLU250N04S41R7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD50N04S4-08 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; 40V; 50A; 46W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Semiconductor structure: single transistor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 137+ | 42.81 грн |
| 300+ | 35.73 грн |
| 500+ | 34.72 грн |
| 1000+ | 30.69 грн |
| IRFB7546PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 95.74 грн |
| 7+ | 67.93 грн |
| 10+ | 58.29 грн |
| 50+ | 45.12 грн |
| BSC022N04LS6 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 103.86 грн |
| 50+ | 89.74 грн |
| 100+ | 84.70 грн |
| 300+ | 81.35 грн |
| 500+ | 72.96 грн |
| 1000+ | 72.12 грн |
| BSC032N04LS |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 392A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 392A
Gate charge: 25nC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 392A; 52W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 392A
Gate charge: 25nC
на замовлення 4968 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 74+ | 62.95 грн |
| 100+ | 53.67 грн |
| 300+ | 50.40 грн |
| 500+ | 49.82 грн |
| 1000+ | 44.36 грн |
| 2000+ | 44.03 грн |
| IPW60R160P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IPA60R160P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BTS723GWXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch
Type of integrated circuit: power switch
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPZ40N04S5L-2R8 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 71W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC070N10NS5SCATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC070N10NS5 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 80A; Idm: 320A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Gate charge: 30nC
Version: ESD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC060N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC060N10NS3 G |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 360A; 125W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 125W
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Version: ESD
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 174.31 грн |
| 30+ | 129.99 грн |
| 50+ | 123.28 грн |
| 100+ | 118.25 грн |
| 300+ | 103.99 грн |
| 500+ | 103.15 грн |
| BSC070N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 90A; 114W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 90A
Power dissipation: 114W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC070N10LS5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPD50P04P4L-11 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -50A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Case: DPAK
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -40V; -50A; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Case: DPAK
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 71.35 грн |
| 100+ | 60.38 грн |
| 300+ | 56.19 грн |
| 500+ | 55.35 грн |
| 1000+ | 49.48 грн |
| IPP040N06N |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; Idm: 320A; 107W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: -20...20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Version: ESD
Application: automotive industry
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 80A; Idm: 320A; 107W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: -20...20V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
Version: ESD
Application: automotive industry
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 139.09 грн |
| 50+ | 121.60 грн |
| 100+ | 114.89 грн |
| 300+ | 99.80 грн |
| TC333LP32F300FAAKXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: SMD
Mounting: SMD
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: SMD
Mounting: SMD
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 830.91 грн |
| ISA170170N04LMDSXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISZ330N12LM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA80R450P7 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 11A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
On-state resistance: 0.45Ω
Gate charge: 24nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 38+ | 153.54 грн |
| 50+ | 135.02 грн |
| 100+ | 128.31 грн |
| 300+ | 112.38 грн |
| IPDQ65R018CM8XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W
Mounting: SMD
Power dissipation: 625W
Gate charge: 173nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 127A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 127A; 625W
Mounting: SMD
Power dissipation: 625W
Gate charge: 173nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 127A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS21811STR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Category: Drivers - integrated circuits
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1324PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 162.57 грн |
| 10+ | 132.51 грн |
| IKW50N120CH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 86A; 398W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 86A; 398W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 86A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IKQ50N120CH7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 71A; 398W; TO247-3; 1.1mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 71A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Turn-off switching energy: 1.1mJ
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 71A; 398W; TO247-3; 1.1mJ
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 71A
Power dissipation: 398W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Turn-off switching energy: 1.1mJ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IPA086N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 37.5W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220FP
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 37.5W
на замовлення 315 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 168.89 грн |
| 5+ | 111.54 грн |
| 10+ | 91.41 грн |
| 50+ | 62.06 грн |
| 100+ | 59.54 грн |
| IPI086N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 125W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO262-3
On-state resistance: 8.6mΩ
Power dissipation: 125W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 169.79 грн |
| 4+ | 119.93 грн |
| 10+ | 85.54 грн |
| 50+ | 57.87 грн |
| 100+ | 50.32 грн |
| ESD110B102ELE6327XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BGA855N6E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier
Type of integrated circuit: operational amplifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S29AL008J70BFN010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S29AL008J70BFN020 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 8MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 8Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1690 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S29AL016J70BFN010 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику
од. на суму грн.
| S29AL016J70BFN020 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 16MbFLASH; CFI,parallel; 70ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 16Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 70ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ISC060N10NM6ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| CYT2CL7BAAQ0AZSGS |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| D2450N06TXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRF8734TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 121.02 грн |
| 10+ | 57.95 грн |
| 50+ | 44.28 грн |
| 100+ | 38.49 грн |
| 250+ | 32.71 грн |
| 500+ | 30.86 грн |
| 1000+ | 29.27 грн |
| BSS139 H6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 360mW; SOT23-3; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Technology: SIPMOS™
Application: automotive industry
на замовлення 10940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 203+ | 25.56 грн |
| 300+ | 20.13 грн |
| 500+ | 19.46 грн |
| 1000+ | 18.95 грн |
| 4000+ | 18.53 грн |
| IPW65R080CFDA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 27.4A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 27.4A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 398.29 грн |
| IPW65R080CFDFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43.3A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 43.3A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


















