Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149740) > Сторінка 2463 з 2496

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRS21064PBF IRS21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.52 грн
3+212.68 грн
10+204.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF IRS2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E270FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2106.pdf?ci_sign=c7748131628b198807ab630ce275b6b2dc39f5d0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF IRF7456TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3B5252434F1A303005056AB0C4F&compId=irf7456pbf.pdf?ci_sign=20eed7c0bcf4bf49fd28c8d398cd07cb3486fafc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.80 грн
10+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV47E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCV27E6327.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.68 грн
38+10.76 грн
100+6.95 грн
500+5.26 грн
1000+4.75 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.05 грн
10+701.12 грн
30+667.97 грн
120+600.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3GE INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEB0E450A8D76A14&compId=TLE7259-3.pdf?ci_sign=938ffa7d89771037b59075fcaeb1333d803a8dcf Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 5mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.25 грн
7+66.31 грн
25+58.22 грн
100+53.37 грн
500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.26 грн
19+22.16 грн
50+21.27 грн
100+20.38 грн
250+19.41 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF IR2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.06 грн
6+77.63 грн
10+74.40 грн
25+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.41 грн
10+88.95 грн
25+80.06 грн
50+75.21 грн
95+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.47 грн
5+88.95 грн
10+79.25 грн
25+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF IR2308SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA4CBED651ED3D7&compId=ir2308.pdf?ci_sign=88067d29a6d1af22ccd027f1b1c11127c536abc6 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 IKCM30F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5B09CEE67DE28&compId=IKCM30F60GA.pdf?ci_sign=783f1af8ac5ce8035a854959701563b15dac9467 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 30.3W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+965.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 ICE2PCS05GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 20...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.03 грн
10+54.99 грн
25+49.33 грн
50+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.89 грн
10+63.48 грн
50+55.23 грн
100+51.92 грн
250+47.39 грн
500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF IR21834SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Turn-off time: 363ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Power dissipation: 165W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.11 грн
10+161.74 грн
30+145.56 грн
120+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.58 грн
50+29.19 грн
100+27.09 грн
250+24.26 грн
500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
76+5.34 грн
80+5.09 грн
101+4.03 грн
250+3.64 грн
500+3.37 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.58 грн
14+29.92 грн
25+27.90 грн
50+26.36 грн
100+24.83 грн
500+21.75 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.13 грн
23+17.63 грн
29+14.39 грн
50+12.21 грн
100+10.35 грн
500+7.20 грн
1000+6.23 грн
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.90 грн
34+12.13 грн
100+7.28 грн
250+5.90 грн
650+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.43 грн
10+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
On-state resistance: 29/58mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF IRS2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920764F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2110.pdf?ci_sign=d7e6b7c7a85603dbb88ebe28cd2f0be131bac1f8 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.62 грн
10+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF IRS2118PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF IRS2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.58 грн
65+6.31 грн
100+5.09 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAS16SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
46+8.90 грн
50+8.25 грн
100+7.93 грн
250+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV70E6327HTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
298+1.46 грн
300+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
49+9.06 грн
100+6.79 грн
500+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.32 грн
54+7.60 грн
68+5.98 грн
125+3.24 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4005E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
42+9.70 грн
46+8.90 грн
58+7.04 грн
100+6.24 грн
250+5.22 грн
500+4.46 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 BAS4007E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.29 грн
37+11.08 грн
50+8.81 грн
100+7.93 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.93 грн
15+27.74 грн
20+24.26 грн
40+21.03 грн
50+20.06 грн
100+17.55 грн
500+13.26 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD738071820F5EA&compId=SMBTA42.pdf?ci_sign=9899fa88d5c056e78cf168f4e052d2705dc28676 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.90 грн
29+14.39 грн
50+9.46 грн
100+7.83 грн
500+5.34 грн
1000+4.70 грн
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
41+10.62 грн
53+7.76 грн
250+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
26+15.85 грн
100+12.13 грн
500+9.54 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
48+8.57 грн
55+7.44 грн
64+6.34 грн
72+5.69 грн
100+5.13 грн
250+4.63 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR302NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C8DDA3C7E11C&compId=BFP193E6327-dte.pdf?ci_sign=adbef814c2b08bb11ceda7a75b0baf42f93db9f7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.42 грн
30+13.59 грн
100+10.35 грн
250+9.22 грн
500+8.49 грн
1000+7.76 грн
3000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
77+5.26 грн
86+4.72 грн
93+4.35 грн
102+4.00 грн
250+3.59 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C588C2D3EF2469&compId=BCR158.pdf?ci_sign=0e18e7a6b0bfae444245180d93ab4961cabe1251 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
105+4.18 грн
120+3.37 грн
250+2.98 грн
1000+2.59 грн
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 BAR6403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
62+6.55 грн
67+6.07 грн
70+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.90 грн
32+12.94 грн
41+10.00 грн
100+6.70 грн
500+4.51 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.93 грн
40+10.35 грн
45+9.14 грн
50+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.50 грн
45+9.46 грн
100+8.41 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.32 грн
52+7.93 грн
58+7.04 грн
67+6.07 грн
100+4.93 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.74 грн
26+15.69 грн
35+11.81 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB81B27E263A469&compId=BAS3007ARPPE6327.pdf?ci_sign=b5ed67fdce37abb4658c35aaf90648a7216714d2 Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 0.9A
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.13 грн
20+21.03 грн
21+19.73 грн
100+15.85 грн
250+14.31 грн
500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB820F651F00469&compId=BAS4002ARPPE6327.pdf?ci_sign=129a63ea239a763a7e4e19d6fcee10919cb6da76 Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Load current: 0.2A
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.03 грн
28+14.48 грн
100+11.64 грн
200+10.84 грн
250+10.67 грн
500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB640E-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Capacitance: 2.8...76pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
31+13.42 грн
75+9.22 грн
100+8.81 грн
500+6.79 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF irs2106.pdf
IRS21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.52 грн
3+212.68 грн
10+204.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E270FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2106.pdf?ci_sign=c7748131628b198807ab630ce275b6b2dc39f5d0
IRS2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3B5252434F1A303005056AB0C4F&compId=irf7456pbf.pdf?ci_sign=20eed7c0bcf4bf49fd28c8d398cd07cb3486fafc
IRF7456TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.80 грн
10+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV27E6327.pdf
BCV47E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.68 грн
38+10.76 грн
100+6.95 грн
500+5.26 грн
1000+4.75 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.05 грн
10+701.12 грн
30+667.97 грн
120+600.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEB0E450A8D76A14&compId=TLE7259-3.pdf?ci_sign=938ffa7d89771037b59075fcaeb1333d803a8dcf
TLE7259-3GE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 5mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.25 грн
7+66.31 грн
25+58.22 грн
100+53.37 грн
500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.26 грн
19+22.16 грн
50+21.27 грн
100+20.38 грн
250+19.41 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.06 грн
6+77.63 грн
10+74.40 грн
25+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.41 грн
10+88.95 грн
25+80.06 грн
50+75.21 грн
95+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.47 грн
5+88.95 грн
10+79.25 грн
25+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA4CBED651ED3D7&compId=ir2308.pdf?ci_sign=88067d29a6d1af22ccd027f1b1c11127c536abc6
IR2308SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5B09CEE67DE28&compId=IKCM30F60GA.pdf?ci_sign=783f1af8ac5ce8035a854959701563b15dac9467
IKCM30F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 30.3W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+965.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01G.pdf
ICE2PCS01GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE2PCS05GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 20...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.03 грн
10+54.99 грн
25+49.33 грн
50+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.89 грн
10+63.48 грн
50+55.23 грн
100+51.92 грн
250+47.39 грн
500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff
IR21834SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Kind of package: tube
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Turn-off time: 363ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Power dissipation: 165W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.11 грн
10+161.74 грн
30+145.56 грн
120+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.58 грн
50+29.19 грн
100+27.09 грн
250+24.26 грн
500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
76+5.34 грн
80+5.09 грн
101+4.03 грн
250+3.64 грн
500+3.37 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.58 грн
14+29.92 грн
25+27.90 грн
50+26.36 грн
100+24.83 грн
500+21.75 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.13 грн
23+17.63 грн
29+14.39 грн
50+12.21 грн
100+10.35 грн
500+7.20 грн
1000+6.23 грн
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.90 грн
34+12.13 грн
100+7.28 грн
250+5.90 грн
650+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db
IHW20N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.43 грн
10+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317pbf.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
On-state resistance: 29/58mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920764F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2110.pdf?ci_sign=d7e6b7c7a85603dbb88ebe28cd2f0be131bac1f8
IRS2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.62 грн
10+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c
IRS2118PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c
IRS2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
65+6.31 грн
100+5.09 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16SH6327XTSA1.pdf
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
46+8.90 грн
50+8.25 грн
100+7.93 грн
250+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1.pdf
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
298+1.46 грн
300+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
49+9.06 грн
100+6.79 грн
500+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
54+7.60 грн
68+5.98 грн
125+3.24 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4005E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
42+9.70 грн
46+8.90 грн
58+7.04 грн
100+6.24 грн
250+5.22 грн
500+4.46 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4007E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.29 грн
37+11.08 грн
50+8.81 грн
100+7.93 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.93 грн
15+27.74 грн
20+24.26 грн
40+21.03 грн
50+20.06 грн
100+17.55 грн
500+13.26 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD738071820F5EA&compId=SMBTA42.pdf?ci_sign=9899fa88d5c056e78cf168f4e052d2705dc28676
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.90 грн
29+14.39 грн
50+9.46 грн
100+7.83 грн
500+5.34 грн
1000+4.70 грн
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327.pdf
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+10.62 грн
53+7.76 грн
250+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0
BFR106E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
26+15.85 грн
100+12.13 грн
500+9.54 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
48+8.57 грн
55+7.44 грн
64+6.34 грн
72+5.69 грн
100+5.13 грн
250+4.63 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1.pdf
BSR302NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C8DDA3C7E11C&compId=BFP193E6327-dte.pdf?ci_sign=adbef814c2b08bb11ceda7a75b0baf42f93db9f7
BFP193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.42 грн
30+13.59 грн
100+10.35 грн
250+9.22 грн
500+8.49 грн
1000+7.76 грн
3000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a
BCR133E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
77+5.26 грн
86+4.72 грн
93+4.35 грн
102+4.00 грн
250+3.59 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C588C2D3EF2469&compId=BCR158.pdf?ci_sign=0e18e7a6b0bfae444245180d93ab4961cabe1251
BCR158E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
105+4.18 грн
120+3.37 грн
250+2.98 грн
1000+2.59 грн
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6403WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
62+6.55 грн
67+6.07 грн
70+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.90 грн
32+12.94 грн
41+10.00 грн
100+6.70 грн
500+4.51 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38
BAR66E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.93 грн
40+10.35 грн
45+9.14 грн
50+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.50 грн
45+9.46 грн
100+8.41 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
52+7.93 грн
58+7.04 грн
67+6.07 грн
100+4.93 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327.pdf
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.74 грн
26+15.69 грн
35+11.81 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB81B27E263A469&compId=BAS3007ARPPE6327.pdf?ci_sign=b5ed67fdce37abb4658c35aaf90648a7216714d2
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 0.9A
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.13 грн
20+21.03 грн
21+19.73 грн
100+15.85 грн
250+14.31 грн
500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB820F651F00469&compId=BAS4002ARPPE6327.pdf?ci_sign=129a63ea239a763a7e4e19d6fcee10919cb6da76
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Load current: 0.2A
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.03 грн
28+14.48 грн
100+11.64 грн
200+10.84 грн
250+10.67 грн
500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E-DTE.pdf
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Capacitance: 2.8...76pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
31+13.42 грн
75+9.22 грн
100+8.81 грн
500+6.79 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2490 2496  [ Наступна Сторінка >> ]