Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149394) > Сторінка 2463 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+112.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC16; 2.5A; Ch: 2; MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Input voltage: 10...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Output current: 2.5A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+130.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2660.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 160A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CY91F467DAPFVS-GS-UJE2 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Unclassified
Description: CY91F467DAPFVS-GS-UJE2
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+5744.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Application: for controller
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.5...16.5V
Frequency: 36...44kHz
Case: SOIC14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222778BA9DA1CF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs2242pbf.pdf?ci_sign=e79e607340793a5ffa60bd3a338e088ab204535f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.69 грн
18+23.28 грн
20+20.35 грн
50+14.49 грн
78+11.95 грн
214+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+99.76 грн
10+76.80 грн
15+63.34 грн
41+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.18 грн
4+273.93 грн
10+258.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 IPA040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 IPA040N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 288A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 252A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 241A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+200.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.83 грн
10+41.49 грн
25+36.81 грн
35+26.52 грн
97+25.10 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 BAS7004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFD0CECB95E469&compId=BAS7004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ff2c882736c2865056ef199c5df8e8b8e4521bb0 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.46 грн
35+11.56 грн
100+6.44 грн
248+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23; SMT
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC299TX128F300NBCKXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TC290_97_98_99.pdf Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: Core: 32-bit
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+4935.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 200mA; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 5nA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 5nA
Power dissipation: 0.33W
Application: automotive industry
Max. load current: 0.2A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2109STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5000+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.27 грн
6+181.30 грн
15+171.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Input voltage: 10...20V
Output current: 130mA
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA BTS5180-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698775F8CE50469&compId=BTS5180-2EKA.pdf?ci_sign=dcbfa526d3bc10e800b4f1d73c4a0cc27042a66a Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Output current: 1.5A
On-state resistance: 0.33Ω
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...18V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO14
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.80 грн
10+55.42 грн
25+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 100mA; 360mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 87A; 79W; D2PAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 17nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
800+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+196.95 грн
6+163.09 грн
16+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF IR2010SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA94E7C0F02143&compId=IPP60R360P7.pdf?ci_sign=0b12d4d4fd5f2cf02bb1bb741529ca54afdbe158 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP236-PS2GO-KIT KP236-PS2GO-KIT INFINEON TECHNOLOGIES Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1100; prototype board
Type of development kit: ARM Infineon
Kit contents: prototype board
Components: XMC1100; XMC4200
Kind of connector: pin strips; USB micro
Family: XMC1100
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M0
Application: for pressure sensors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2210.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-HDSOP-10-1
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 120W
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888FNI-LP214T INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9 Category: Unclassified
Description: CY8C5888FNI-LP214T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF IRFR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4FF090C2C8DD820&compId=IRFx2905ZPBF.pdf?ci_sign=3b07f6054abebbd0a9725d152405263260ab9c43 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 500mA; Ch: 6; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC28
Output current: 0.5A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+147.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
500+337.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2001pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675a760277e Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202Q024X0032ABXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9 Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-24; 16kBSRAM,32kBFLASH; XMC1200
Case: PG-VQFN-24
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 4
Number of A/D channels: 8
Number of inputs/outputs: 22
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 BCV62CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+23.02 грн
25+15.99 грн
100+10.77 грн
141+6.65 грн
386+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC INFINEON TECHNOLOGIES CY7C64225.PDF Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY7C64225-28PVXC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
47+236.17 грн
141+197.14 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF IR2233SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 1.6W
Voltage class: 1.2kV
Kind of package: tube
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF IR2233PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 1.5W
Voltage class: 1.2kV
Kind of package: tube
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB4E5872EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7807zpbf.pdf?ci_sign=c1df805b56b2417932bb256a741c2f70a29cea6c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF IRF7807VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB2C875C09F1A303005056AB0C4F&compId=irf7807vpbf.pdf?ci_sign=78f9e59fb9aca18cea2e3a1094d175afcb9560cf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 8.3A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+112.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113STRPBF irs2110.pdf?fileId=5546d462533600a40153567660ff27b0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC16; 2.5A; Ch: 2; MOSFET
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Input voltage: 10...20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOIC16
Output current: 2.5A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+130.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Technology: EasyPIM™ 1B
Mechanical mounting: screw
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2660.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4H1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4_H1-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c39839f5d47&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 160A; 167W; TO263-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+92.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
CY91F467DAPFVS-GS-UJE2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY91F467DAPFVS-GS-UJE2
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+5744.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7490TRPBF irf7490pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ffaf0b1c38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.4A; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 400mA; Ch: 2; 36÷44kHz
Application: for controller
Mounting: SMD
Operating temperature: -25...125°C
Output current: 0.4A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.5...16.5V
Frequency: 36...44kHz
Case: SOIC14
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222778BA9DA1CF1A303005056AB0C4F&compId=irlhs2242pbf.pdf?ci_sign=e79e607340793a5ffa60bd3a338e088ab204535f
IRLHS2242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -7.2A; 2.1W; PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Case: PQFN3.3X3.3
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.69 грн
18+23.28 грн
20+20.35 грн
50+14.49 грн
78+11.95 грн
214+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBFXTMA1 irf7313pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f560f81b26
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.5A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+99.76 грн
10+76.80 грн
15+63.34 грн
41+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b
IPP120N20NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.18 грн
4+273.93 грн
10+258.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A76E68AEC11C&compId=IPA040N06N-DTE.pdf?ci_sign=1c3cfe6adaab2643d43a54e61f8a24ea06fa857c
IPA040N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99844487E211C&compId=IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf?ci_sign=67b0feee2a82cae98c5fb9bd1e9ad1a2ae08adee
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA040N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA040N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cd966136dfa
IPA040N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 288A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5L050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5L050-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5178d6ff1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 252A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.7nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 252A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 241A; 71W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.5nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 241A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N105ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N105-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb5239e6ff4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 120A; 42W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.3nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 120A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD640N06LGBTMA1 IPD640N06L%2BG%2BRev1.4.pdf?fileId=db3a30431f848401011fcafb4ac00440&folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS®; unipolar; 60V; 12A; Idm: 72A; 47W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS®
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 12A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISP16DP10LMXTSA1 Infineon-ISP16DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be2ca8e0c4a4d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+31.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR21084STRPBF ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; 350mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MOSFET
Electrical mounting: SMT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+200.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR540ZTRLPBF irfr540zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356325b2c2102
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AE68DFF128F1A303005056AB0C4F&compId=irf8734pbf.pdf?ci_sign=d66a79d1ccd4cf24541e0d32ca4477ec60165a7c
IRF8734TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.83 грн
10+41.49 грн
25+36.81 грн
35+26.52 грн
97+25.10 грн
1000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7004E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFD0CECB95E469&compId=BAS7004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ff2c882736c2865056ef199c5df8e8b8e4521bb0
BAS7004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.25W
Max. forward impulse current: 0.1A
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.46 грн
35+11.56 грн
100+6.44 грн
248+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6906XTSA1 INFNS19228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 170mA; 360mW; SOT23; SMT
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 2.8nC
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 2.9Ω
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TC299TX128F300NBCKXUMA1 TC290_97_98_99.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: Core: 32-bit
Mounting: SMD
Kind of core: 32-bit
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4935.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199E6433HTMA1 bav199series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c748874044e&fileId=db3a30431400ef6801141cba733104e5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 200mA; 1.5us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ir: 5nA
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 1.5µs
Semiconductor structure: double
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Leakage current: 5nA
Power dissipation: 0.33W
Application: automotive industry
Max. load current: 0.2A
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA78A4D00F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2153d.pdf?ci_sign=778861680765d46b3e732f7e972a8e0a59a6a437
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Output current: -260...180mA
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2109STRPBF IRSDS11365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IPB19DP10NMATMA1 Infineon-IPB19DP10NM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017bc9416da34eb5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 100V; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.149Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 45nC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b49a75b607b57
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+58.83 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8A5A09C3C68469&compId=IRFB7730PBF.pdf?ci_sign=f1135565e8d5008d31f5ebd82a3d3e627ae7a3bd
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.27 грн
6+181.30 грн
15+171.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 269A; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 269A
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304STRPBF ir2304.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9954a16e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Case: SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Input voltage: 10...20V
Output current: 130mA
Integrated circuit features: MOSFET
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBFXKMA1 infineon-irfs4310z-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5180-2EKA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698775F8CE50469&compId=BTS5180-2EKA.pdf?ci_sign=dcbfa526d3bc10e800b4f1d73c4a0cc27042a66a
BTS5180-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Output current: 1.5A
On-state resistance: 0.33Ω
Number of channels: 2
Supply voltage: 8...18V DC
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SO14
Technology: PROFET™+ 12V
на замовлення 1143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.80 грн
10+55.42 грн
25+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139IXTSA1 Infineon-BSS139I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421f99f1d4f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 100mA; 360mW; SOT23; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.3nC
Application: automotive industry
Electrical mounting: SMT
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805STRLPBF irf3805pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfe2a31962
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 210A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 210A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3709ZSTRRPBF irf3709zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df8d801943
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 30V; 87A; 79W; D2PAK; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: N
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 87A
Power dissipation: 79W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Gate charge: 17nC
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
800+59.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+196.95 грн
6+163.09 грн
16+154.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16
Output current: -3...3A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 200V
Turn-on time: 95ns
Turn-off time: 65ns
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R360P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA94E7C0F02143&compId=IPP60R360P7.pdf?ci_sign=0b12d4d4fd5f2cf02bb1bb741529ca54afdbe158
IPP60R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KP236-PS2GO-KIT
KP236-PS2GO-KIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: ARM Infineon; XMC1100; prototype board
Type of development kit: ARM Infineon
Kit contents: prototype board
Components: XMC1100; XMC4200
Kind of connector: pin strips; USB micro
Family: XMC1100
Number of add-on connectors: 1
Kind of architecture: Cortex M0
Application: for pressure sensors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2210.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-HDSOP-10-1
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 120W
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888FNI-LP214T Infineon-PSoC_5LP_CY8C58LP_Family_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec547013ab9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: CY8C5888FNI-LP214T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2905ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4FF090C2C8DD820&compId=IRFx2905ZPBF.pdf?ci_sign=3b07f6054abebbd0a9725d152405263260ab9c43
IRFR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130STRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC28; 500mA; Ch: 6; MOSFET; U: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC28
Output current: 0.5A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+147.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JTRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: MOSFET
Input voltage: 10...20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
500+337.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2001STRPBF irs2001pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535675a760277e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 130mA; Ch: 2; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V
Number of channels: 2
Case: SOIC8
Input voltage: 10...20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 130mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1202Q024X0032ABXUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9AA8EBC06EBD0E0C1&compId=XMC1300-AB-EN.pdf?ci_sign=b6d8cbd0fcbb4ac49cd07eded1aea099645e3ea9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: ARM microcontroller; PG-VQFN-24; 16kBSRAM,32kBFLASH; XMC1200
Case: PG-VQFN-24
Memory: 16kB SRAM; 32kB FLASH
Kind of core: 32-bit
Integrated circuit features: ACMP x3; BCCU; EEPROM emulation (DataFlash); internal temperature sensor; RTC; watchdog
Type of integrated circuit: ARM microcontroller
Interface: GPIO; USIC x2
Kind of architecture: Cortex M0
Family: XMC1200
Operating temperature: -40...105°C
Supply voltage: 1.8...5.5V DC
Number of 16bit timers: 4
Number of A/D channels: 8
Number of inputs/outputs: 22
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV62CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5428778BE0469&compId=BCV62.pdf?ci_sign=d0c188643225297faa79299169dd54df85009d24
BCV62CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT143
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 5953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+23.02 грн
25+15.99 грн
100+10.77 грн
141+6.65 грн
386+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC CY7C64225.PDF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Integrated circuits - Unclassified
Description: CY7C64225-28PVXC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
47+236.17 грн
141+197.14 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 1.6W
Voltage class: 1.2kV
Kind of package: tube
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP28-W
Output current: -420...200mA
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 6
Power: 1.5W
Voltage class: 1.2kV
Kind of package: tube
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504RE6152HTSA1 Infineon-BAT15-04R-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166389615154e83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB4E5872EEF1A303005056AB0C4F&compId=irf7807zpbf.pdf?ci_sign=c1df805b56b2417932bb256a741c2f70a29cea6c
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807VTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AB2C875C09F1A303005056AB0C4F&compId=irf7807vpbf.pdf?ci_sign=78f9e59fb9aca18cea2e3a1094d175afcb9560cf
IRF7807VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 8.3A
Drain-source voltage: 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2467 2468 2490  [ Наступна Сторінка >> ]