Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148755) > Сторінка 48 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF9953TRPBF IRF9953TRPBF Infineon Technologies irf9953pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561208041dd7 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325TRPBF IRF7325TRPBF Infineon Technologies RF7325PBF.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF IRFR2405TRPBF Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079 description Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 37666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.46 грн
10+89.15 грн
100+60.25 грн
500+44.92 грн
1000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF IRFR2407TRPBF Infineon Technologies infineon-irfr2407-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.32 грн
10+89.73 грн
100+60.65 грн
500+45.23 грн
1000+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRPBF IRF7471TRPBF Infineon Technologies IRF7471PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRF7451TRPBF Infineon Technologies IRSDS17406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
на замовлення 7451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.07 грн
10+75.72 грн
100+50.67 грн
500+37.47 грн
1000+34.23 грн
2000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466TRPBF IRF7466TRPBF Infineon Technologies IRF7466PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF Infineon Technologies irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6 Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.63 грн
10+81.24 грн
100+54.63 грн
500+40.56 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF IRF7458TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7458-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.44 грн
10+96.90 грн
100+65.75 грн
500+49.18 грн
1000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF IRF7457TRPBF Infineon Technologies irf7457pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355feb4521bf8 Description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF IRF7241TRPBF Infineon Technologies irf7241pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1a5de1af4 description Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.99 грн
10+53.39 грн
100+35.13 грн
500+25.60 грн
1000+23.23 грн
2000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR4428STRPBF IR4428STRPBF Infineon Technologies 501457.pdf Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TRPBF IRF7403TRPBF Infineon Technologies irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF Infineon Technologies ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 122946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.49 грн
10+90.14 грн
25+82.00 грн
100+68.53 грн
250+64.51 грн
500+62.09 грн
1000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRPBF IRF7822TRPBF Infineon Technologies IRF7822PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF IRF7389TRPBF Infineon Technologies irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.10 грн
10+64.43 грн
100+42.75 грн
500+31.39 грн
1000+28.59 грн
2000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF IR2301STRPBF Infineon Technologies ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 130ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.82 грн
10+71.77 грн
25+65.03 грн
100+54.10 грн
250+50.79 грн
500+48.80 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBF SI4410DYTRPBF Infineon Technologies si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRPBF IRF7233TRPBF Infineon Technologies IRF7233PbF.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF IRF7324TRPBF Infineon Technologies irf7324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5f0861b4b Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.06 грн
10+79.68 грн
100+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRPBF IRLR8503TRPBF Infineon Technologies irlr8503pbf.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 description Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.49 грн
10+78.03 грн
100+52.35 грн
500+38.76 грн
1000+35.42 грн
2000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF IRF7379TRPBF Infineon Technologies irf7379pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9cbf21b85 Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF IR2156STRPBF Infineon Technologies ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8 Description: IC BALLAST CNTRL 44KHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 36kHz ~ 44kHz
Type: Ballast Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 10.5V ~ 16.5V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Dimming: No
Part Status: Active
Current - Supply: 10 mA
на замовлення 8196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.44 грн
10+112.06 грн
25+102.14 грн
100+85.68 грн
250+80.83 грн
500+77.91 грн
1000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRPBF SI4420DYTRPBF Infineon Technologies si4420dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535684734c2981 Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF IR21531STRPBF Infineon Technologies ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.20 грн
10+91.63 грн
25+83.29 грн
100+69.64 грн
250+65.57 грн
500+63.11 грн
1000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF IR2117STRPBF Infineon Technologies ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+101.76 грн
25+92.68 грн
100+77.60 грн
250+73.15 грн
500+70.46 грн
1000+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011STRPBF IR2011STRPBF Infineon Technologies ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.34 грн
10+95.00 грн
25+86.42 грн
100+72.25 грн
250+68.03 грн
500+65.48 грн
1000+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF Infineon Technologies ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.47 грн
10+70.43 грн
25+63.85 грн
100+53.12 грн
250+49.88 грн
500+47.92 грн
1000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF Infineon Technologies IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.26 грн
10+70.12 грн
25+63.54 грн
100+52.87 грн
250+49.64 грн
500+47.70 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF IR2108STRPBF Infineon Technologies infineon-ir2108-ds-en.pdf description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.26 грн
10+70.12 грн
25+63.54 грн
100+52.87 грн
250+49.64 грн
500+47.70 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064STRPBF IR21064STRPBF Infineon Technologies ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.04 грн
10+101.10 грн
25+92.15 грн
100+77.16 грн
250+72.72 грн
500+70.05 грн
1000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF IR2181STRPBF Infineon Technologies ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.72 грн
10+115.36 грн
25+105.30 грн
100+88.39 грн
250+83.41 грн
500+80.42 грн
1000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF IR2183STRPBF Infineon Technologies ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+161.72 грн
10+115.36 грн
25+105.30 грн
100+88.39 грн
250+83.41 грн
500+80.42 грн
1000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF Infineon Technologies infineon-ir2112-ds-en.pdf Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF IR21834STRPBF Infineon Technologies ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.54 грн
10+129.20 грн
25+118.03 грн
100+99.23 грн
250+93.74 грн
500+90.42 грн
1000+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF IR21271STRPBF Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 18546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.98 грн
10+127.22 грн
25+116.18 грн
100+97.69 грн
250+92.28 грн
500+89.02 грн
1000+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF Infineon Technologies IR2113SPBF.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.62 грн
10+159.85 грн
25+146.40 грн
100+123.58 грн
250+116.99 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF IR2175STRPBF Infineon Technologies IRSDS17958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC CURRENT SENSE 0.5% 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Sense
Voltage - Input: 9.5V ~ 20V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±0.5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.31 грн
10+169.82 грн
25+155.70 грн
100+131.54 грн
250+124.59 грн
500+120.41 грн
1000+115.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF IR2132STRPBF Infineon Technologies ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.56 грн
10+182.59 грн
25+167.56 грн
100+141.72 грн
250+134.32 грн
500+129.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JTRPBF IR2233JTRPBF Infineon Technologies IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616 IRF6616 Infineon Technologies IRF6616.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-en.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.98 грн
8000+25.11 грн
12000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832ZTR IRF7832ZTR Infineon Technologies IRF7832Z.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101SPBF IR2101SPBF Infineon Technologies IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.57 грн
10+120.30 грн
95+98.69 грн
190+88.53 грн
285+86.49 грн
570+83.49 грн
1045+79.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103SPBF IR2103SPBF Infineon Technologies ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF Infineon Technologies ir2104.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7c1c31671 description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.57 грн
10+120.30 грн
95+98.69 грн
190+88.53 грн
285+86.49 грн
570+83.49 грн
1045+79.97 грн
2565+77.39 грн
5035+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF Infineon Technologies ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+168.57 грн
10+120.30 грн
95+98.69 грн
190+88.53 грн
285+86.49 грн
570+83.49 грн
1045+79.97 грн
2565+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108SPBF IR2108SPBF Infineon Technologies ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Last Time Buy
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.68 грн
10+132.91 грн
95+109.32 грн
190+98.14 грн
285+95.91 грн
570+92.64 грн
1045+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109SPBF IR2109SPBF Infineon Technologies ir2109.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7e85b1679 Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.99 грн
10+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF IR2110SPBF Infineon Technologies IR2113SPBF.pdf description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.63 грн
10+217.78 грн
45+191.20 грн
135+166.83 грн
270+160.67 грн
540+155.59 грн
1035+149.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF Infineon Technologies ir2111.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c810e51682 description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.98 грн
10+127.39 грн
95+104.56 грн
190+93.82 грн
285+91.67 грн
570+88.51 грн
1045+84.80 грн
2565+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF IR2112SPBF Infineon Technologies infineon-ir2112-ds-en.pdf description Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF Infineon Technologies IR2113SPBF.pdf description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.58 грн
10+236.07 грн
45+207.57 грн
135+181.30 грн
270+174.69 грн
540+169.25 грн
1035+162.32 грн
2520+157.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF Infineon Technologies ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.90 грн
10+101.76 грн
95+83.00 грн
190+74.36 грн
285+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF IR2118SPBF Infineon Technologies ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.32 грн
10+104.15 грн
95+84.93 грн
190+76.09 грн
285+74.28 грн
570+71.63 грн
1045+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.83 грн
10+127.80 грн
95+104.96 грн
190+94.20 грн
285+92.05 грн
570+88.89 грн
1045+85.17 грн
2565+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF Infineon Technologies ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696 Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 13754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.45 грн
10+108.60 грн
95+89.22 грн
190+80.07 грн
285+78.24 грн
570+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF IR2132SPBF Infineon Technologies ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+505.70 грн
10+376.97 грн
25+349.50 грн
100+299.71 грн
250+289.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135SPBF IR2135SPBF Infineon Technologies IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9953TRPBF irf9953pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561208041dd7
IRF9953TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7325TRPBF RF7325PBF.pdf
IRF7325TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2020pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2405TRPBF description irfr2405pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562da91b2079
IRFR2405TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 25 V
на замовлення 37666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.46 грн
10+89.15 грн
100+60.25 грн
500+44.92 грн
1000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR2407TRPBF infineon-irfr2407-datasheet-en.pdf
IRFR2407TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.32 грн
10+89.73 грн
100+60.65 грн
500+45.23 грн
1000+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7471TRPBF IRF7471PbF.pdf
IRF7471TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2820 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7451TRPBF IRSDS17406-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7451TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
на замовлення 7451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.07 грн
10+75.72 грн
100+50.67 грн
500+37.47 грн
1000+34.23 грн
2000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7466TRPBF IRF7466PbF.pdf
IRF7466TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF irfr4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563207e320e6
IRFR4104TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 3242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.63 грн
10+81.24 грн
100+54.63 грн
500+40.56 грн
1000+37.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7458TRPBF infineon-irf7458-datasheet-en.pdf
IRF7458TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 14A, 16V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 16V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 15 V
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.44 грн
10+96.90 грн
100+65.75 грн
500+49.18 грн
1000+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7457TRPBF irf7457pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355feb4521bf8
IRF7457TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 15A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF description irf7241pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1a5de1af4
IRF7241TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.99 грн
10+53.39 грн
100+35.13 грн
500+25.60 грн
1000+23.23 грн
2000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR4428STRPBF 501457.pdf
IR4428STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7403TRPBF irf7403pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa23541b9c
IRF7403TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF ir4426.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d60b491822
IR4427STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 122946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.49 грн
10+90.14 грн
25+82.00 грн
100+68.53 грн
250+64.51 грн
500+62.09 грн
1000+59.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7822TRPBF IRF7822PbF.pdf
IRF7822TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7389TRPBF description irf7389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9f3441b90
IRF7389TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.10 грн
10+64.43 грн
100+42.75 грн
500+31.39 грн
1000+28.59 грн
2000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301STRPBF ir2301.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c97bb216dc
IR2301STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 130ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.82 грн
10+71.77 грн
25+65.03 грн
100+54.10 грн
250+50.79 грн
500+48.80 грн
1000+46.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI4410DYTRPBF si4410dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356846a03297f
SI4410DYTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7233TRPBF IRF7233PbF.pdf
IRF7233TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7324TRPBF irf7324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5f0861b4b
IRF7324TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2940pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.06 грн
10+79.68 грн
100+53.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8503TRPBF irlr8503pbf.pdf
IRLR8503TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7319TRPBF description irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41
IRF7319TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 7995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.49 грн
10+78.03 грн
100+52.35 грн
500+38.76 грн
1000+35.42 грн
2000+35.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7379TRPBF irf7379pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f9cbf21b85
IRF7379TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2156STRPBF ir2156.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8eb7116b8
IR2156STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BALLAST CNTRL 44KHZ 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 36kHz ~ 44kHz
Type: Ballast Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 10.5V ~ 16.5V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Dimming: No
Part Status: Active
Current - Supply: 10 mA
на замовлення 8196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.44 грн
10+112.06 грн
25+102.14 грн
100+85.68 грн
250+80.83 грн
500+77.91 грн
1000+74.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI4420DYTRPBF si4420dypbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535684734c2981
SI4420DYTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21531STRPBF ir21531.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8d26316b3
IR21531STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 15.6V
Input Type: RC Input Circuit
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 45ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.20 грн
10+91.63 грн
25+83.29 грн
100+69.64 грн
250+65.57 грн
500+63.11 грн
1000+60.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117STRPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
IR2117STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
10+101.76 грн
25+92.68 грн
100+77.60 грн
250+73.15 грн
500+70.46 грн
1000+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011STRPBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
IR2011STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 35ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.7V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 1A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.34 грн
10+95.00 грн
25+86.42 грн
100+72.25 грн
250+68.03 грн
500+65.48 грн
1000+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.47 грн
10+70.43 грн
25+63.85 грн
100+53.12 грн
250+49.88 грн
500+47.92 грн
1000+45.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2101STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 27992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.26 грн
10+70.12 грн
25+63.54 грн
100+52.87 грн
250+49.64 грн
500+47.70 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108STRPBF description infineon-ir2108-ds-en.pdf
IR2108STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.26 грн
10+70.12 грн
25+63.54 грн
100+52.87 грн
250+49.64 грн
500+47.70 грн
1000+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21064STRPBF ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR21064STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.04 грн
10+101.10 грн
25+92.15 грн
100+77.16 грн
250+72.72 грн
500+70.05 грн
1000+66.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181STRPBF ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce
IR2181STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 9036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.72 грн
10+115.36 грн
25+105.30 грн
100+88.39 грн
250+83.41 грн
500+80.42 грн
1000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
IR2183STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 12760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.72 грн
10+115.36 грн
25+105.30 грн
100+88.39 грн
250+83.41 грн
500+80.42 грн
1000+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF infineon-ir2112-ds-en.pdf
IR2112STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
IR21834STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 8649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.54 грн
10+129.20 грн
25+118.03 грн
100+99.23 грн
250+93.74 грн
500+90.42 грн
1000+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271STRPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
IR21271STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 18546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.98 грн
10+127.22 грн
25+116.18 грн
100+97.69 грн
250+92.28 грн
500+89.02 грн
1000+84.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113SPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.62 грн
10+159.85 грн
25+146.40 грн
100+123.58 грн
250+116.99 грн
500+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2175STRPBF IRSDS17958-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2175STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CURRENT SENSE 0.5% 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Current Sense
Voltage - Input: 9.5V ~ 20V
Current - Output: 20mA
Accuracy: ±0.5%
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.31 грн
10+169.82 грн
25+155.70 грн
100+131.54 грн
250+124.59 грн
500+120.41 грн
1000+115.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
IR2132STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.56 грн
10+182.59 грн
25+167.56 грн
100+141.72 грн
250+134.32 грн
500+129.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JTRPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2233JTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616 IRF6616.pdf
IRF6616
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+27.98 грн
8000+25.11 грн
12000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832ZTR IRF7832Z.pdf
IRF7832ZTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3860 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101SPBF description IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2101SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.57 грн
10+120.30 грн
95+98.69 грн
190+88.53 грн
285+86.49 грн
570+83.49 грн
1045+79.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103SPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description ir2104.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7c1c31671
IR2104SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 6268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.57 грн
10+120.30 грн
95+98.69 грн
190+88.53 грн
285+86.49 грн
570+83.49 грн
1045+79.97 грн
2565+77.39 грн
5035+75.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.57 грн
10+120.30 грн
95+98.69 грн
190+88.53 грн
285+86.49 грн
570+83.49 грн
1045+79.97 грн
2565+77.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2108SPBF ir2108.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7dc321676
IR2108SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Last Time Buy
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.68 грн
10+132.91 грн
95+109.32 грн
190+98.14 грн
285+95.91 грн
570+92.64 грн
1045+88.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109SPBF ir2109.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7e85b1679
IR2109SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 150ns, 50ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.99 грн
10+123.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2110SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.63 грн
10+217.78 грн
45+191.20 грн
135+166.83 грн
270+160.67 грн
540+155.59 грн
1035+149.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description ir2111.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c810e51682
IR2111SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.98 грн
10+127.39 грн
95+104.56 грн
190+93.82 грн
285+91.67 грн
570+88.51 грн
1045+84.80 грн
2565+82.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF description infineon-ir2112-ds-en.pdf
IR2112SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 3.3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 25ns, 17ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.58 грн
10+236.07 грн
45+207.57 грн
135+181.30 грн
270+174.69 грн
540+169.25 грн
1035+162.32 грн
2520+157.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
IR2117SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
10+101.76 грн
95+83.00 грн
190+74.36 грн
285+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
IR2118SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.32 грн
10+104.15 грн
95+84.93 грн
190+76.09 грн
285+74.28 грн
570+71.63 грн
1045+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
IR21271SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 9V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.83 грн
10+127.80 грн
95+104.96 грн
190+94.20 грн
285+92.05 грн
570+88.89 грн
1045+85.17 грн
2565+82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF ir2127.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c868861696
IR2127SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 12V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 40ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side or Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 13754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.45 грн
10+108.60 грн
95+89.22 грн
190+80.07 грн
285+78.24 грн
570+76.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
IR2132SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.70 грн
10+376.97 грн
25+349.50 грн
100+299.71 грн
250+289.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2135SPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 90ns, 40ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2480  [ Наступна Сторінка >> ]