Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124869) > Сторінка 759 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 754 755 756 757 758 759 760 761 762 763 764 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRS2124STRPBF IRS2124STRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2124STRPBF IRS2124STRPBF Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS410R12A7P1BHPSA1 FS410R12A7P1BHPSA1 Infineon Technologies infineon-fs410r12a7p1b-datasheet-en.pdf Description: IGBT MOD 1200V 300A HDG2XT-7611
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 775 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24600 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24963.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.55 грн
10+132.60 грн
100+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350BSJXTMA1 TLE9350BSJXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9350BSJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b66e2a1cc08e4 Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Duplex: Half
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350BSJXTMA1 TLE9350BSJXTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9350BSJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b66e2a1cc08e4 Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Duplex: Half
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+50.67 грн
25+45.76 грн
100+37.89 грн
250+35.48 грн
500+34.03 грн
1000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1 AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMZA75R008M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c26c0f0e1f Description: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3091.11 грн
30+1974.29 грн
120+1755.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R027M1HXTMA1 AIMBG75R027M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef042d11327b2 Description: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+497.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R027M1HXTMA1 AIMBG75R027M1HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef042d11327b2 Description: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+935.31 грн
10+652.93 грн
100+585.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD822952LQXITXUMA1 CYPD822952LQXITXUMA1 Infineon Technologies Infineon-EZ_PD_CCG8_CFP_USBC_Power_Delivery_controller-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019505de8fdc3683 Description: USB-C PC
Supplier Device Package: 52-QFN (5x8)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Applications: USB Type C
Program Memory Type: FLASH (128kB), ROM (96kB)
Controller Series: EZ-PD™
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
Interface: I2C, SPI, UART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+333.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD822952LQXIXQLA1 Infineon Technologies Infineon-EZ_PD_CCG8_CFP_USBC_Power_Delivery_controller-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019505de8fdc3683 Description: USB-C PC
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Applications: USB Type C
Program Memory Type: FLASH (128kB), ROM (96kB)
Controller Series: EZ-PD™
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
Interface: I2C, SPI, UART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Number of I/O: 20
Supplier Device Package: 52-QFN (5x8)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL60UTR11WINGTOBO1 EVAL60UTR11WINGTOBO1 Infineon Technologies UM_KIT_CSK_BGT60UTR11AIP-Wingboard_Userguide-EN.pdf Description: EVAL60UTR11WINGTOBO1
Packaging: Box
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1960.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1 AIMCQ120R040M1TXTMA1 Infineon Technologies AIMCQ120R040M1T_v1.10_en.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1 AIMCQ120R040M1TXTMA1 Infineon Technologies AIMCQ120R040M1T_v1.10_en.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.24 грн
10+621.52 грн
100+505.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ015N04NM7VATMA1 ISZ015N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 448_ISZ015N04NM7V.pdf Description: ISZ015N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ015N04NM7VATMA1 ISZ015N04NM7VATMA1 Infineon Technologies 448_ISZ015N04NM7V.pdf Description: ISZ015N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
10+83.80 грн
100+56.42 грн
500+41.93 грн
1000+38.39 грн
2000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20566-24PVXI CY8C20566-24PVXI Infineon Technologies Description: IC MCU 32K FLASH 2K SRAM 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 48-SSOP
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+370.41 грн
10+272.89 грн
30+248.31 грн
120+212.47 грн
270+203.67 грн
510+198.04 грн
1020+189.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 Infineon Technologies infineon-quickstart-guide-for-inverter-evaluation-kit-with-the-hybridpack-drive-g2-power-modules-usermanual-en.pdf Description: OTHER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FS01MR08A8MA2
Embedded: No
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407523.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 Infineon Technologies infineon-quickstart-guide-for-inverter-evaluation-kit-with-the-hybridpack-drive-g2-power-modules-usermanual-en.pdf Description: OTHER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FS02MR12A8MA2
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458464.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354DV25-200BZI CY7C1354DV25-200BZI Infineon Technologies Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.2 ns
Memory Organization: 256K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV25-200BZI CY7C1470BV25-200BZI Infineon Technologies CY7C1470%2C72%2C74BV25.pdf Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312BV18-200BZI CY7C1312BV18-200BZI Infineon Technologies CY7C1310%2C12%2C14%2C1914BV18.pdf Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415AV18-200BZI CY7C1415AV18-200BZI Infineon Technologies CY7C1411%2C13%2C15%2C26AV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1414BV18-200BZI CY7C1414BV18-200BZI Infineon Technologies CY7C1412%2C14BV18.pdf Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV33-200BZI CY7C1470BV33-200BZI Infineon Technologies download Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1380DV33-200BZI CY7C1380DV33-200BZI Infineon Technologies Infineon-CY7C1380DV33_CY7C1382DV33_18-MBIT_(512_K_X_36_1_M_X_18)_PIPELINED_SRAM_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1488335f9 Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Access Time: 3 ns
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPBHBC10 S25FL512SDPBHBC10 Infineon Technologies Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53 Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 66 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 750µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 64M x 8
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.31 грн
10+489.14 грн
25+474.23 грн
50+434.47 грн
100+423.93 грн
338+405.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 IQFH61N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQFH61N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e28fe8005b2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 IQFH61N06NM5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IQFH61N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e28fe8005b2 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.79 грн
10+329.60 грн
100+240.18 грн
500+216.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126LDEHVS114AQLA1 CY8C4126LDEHVS114AQLA1 Infineon Technologies Infineon-CY8C41x5_CY8C41x6_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817712a75d7a Description: PSOC BASED - HV FAMILY
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.15V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Grade: Automotive
Number of I/O: 33
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25200K-ZXC004A Infineon Technologies Description: IC CLOCK GENERATOR
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1 IMZC140R019M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imzc140r019m2h-datasheet-en.pdf Description: IMZC140R019M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1218.15 грн
30+725.91 грн
120+627.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1 IMZC140R024M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imzc140r024m2h-datasheet-en.pdf Description: IMZC140R024M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.87 грн
30+619.97 грн
120+533.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EB2ED24103D1BCSPTOBO1 EB2ED24103D1BCSPTOBO1 Infineon Technologies Description: EB 2ED2410 3D 1BCSP
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED2410-EM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7200.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S17K3_B2 Infineon Technologies DD800S17K3_B2.pdf Description: DIODE MODULE GEN PURP 1700V
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 800 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R012M2HXKSA1 IMZA120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imza120r012m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601968fde0d5f5dc5 Description: IMZA120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1573.84 грн
30+968.80 грн
120+930.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM66D130MV01XTMA1 IM66D130MV01XTMA1 Infineon Technologies Description: IM66D130MV01XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency Range: 35 Hz
Voltage Range: 1.6 V ~ 3.465 V
Current - Supply: 640 µA
Voltage - Rated: 1.8 V
Height (Max): 0.039" (0.98mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
S/N Ratio: 66dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -37dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.118" L x 0.079" W (3.00mm x 2.00mm)
Output Type: Digital, PDM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM66D130MV01XTMA1 IM66D130MV01XTMA1 Infineon Technologies Description: IM66D130MV01XTMA1
Frequency Range: 35 Hz
Voltage Range: 1.6 V ~ 3.465 V
Current - Supply: 640 µA
Voltage - Rated: 1.8 V
Height (Max): 0.039" (0.98mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
Packaging: Cut Tape (CT)
S/N Ratio: 66dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -37dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.118" L x 0.079" W (3.00mm x 2.00mm)
Output Type: Digital, PDM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITIM68D121JV01FLEXTOBO1 KITIM68D121JV01FLEXTOBO1 Infineon Technologies infineon-xensiv-sensor-solutions-product-selection-guide-en.pdf Description: KITIM68D121JV01FLEXTOBO1
Packaging: Box
Function: MEMS Omnidirectional Microphones
Type: Audio
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IM68D121JV01
Secondary Attributes: Analog Output
Embedded: No
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8189.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b6132fe9921f4 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b6132fe9921f4 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2084.50 грн
10+1564.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N06LM6ATMA1 Infineon Technologies Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMS06UP60A-2 IRAMS06UP60A-2 Infineon Technologies IRAMS06UP60A.pdf Description: IGBT IPM 600V 6A 23-PWRSIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 6 A
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7GA830343H0 Infineon Technologies Description: IC MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29866-24AXIT CY8C29866-24AXIT Infineon Technologies Infineon-CY8C29466_CY8C29566_CY8C29666_CY8C29866_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v31_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec690c03ce1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra Description: IC MCU 8BIT 32KB FLASH 100TQFP
Core Processor: M8C
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 64
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.25V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x14b; D/A 4x9b
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+694.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZE-S275T CY8C4146AZE-S275T Infineon Technologies Infineon-Automotive_PSoC_4_PSoC_4100S_Plus_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ff0b70e8 Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 16x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Grade: Automotive
Number of I/O: 54
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81689-100AS71Z CYAT81689-100AS71Z Infineon Technologies CYAT8168x.pdf Description: TrueTouch
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R025M2HXTMA1 AIMBG75R025M2HXTMA1 Infineon Technologies Description: AIMBG75R025M2HXTMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R025M2HXTMA1 AIMBG75R025M2HXTMA1 Infineon Technologies Description: AIMBG75R025M2HXTMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R033M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb2d51436735 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 IMTA65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies Infineon-IMTA65R033M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb2d51436735 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.39 грн
10+487.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9018DQKXUMA1 TLE9018DQKXUMA1 Infineon Technologies infineon-tle9018dqk-datasheet-en.pdf Description: BATTERYMANAGEMENT_ICS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Number of Cells: 18
Mounting Type: Surface Mount
Function: Multi-Function Controller
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9018DQKXUMA1 TLE9018DQKXUMA1 Infineon Technologies infineon-tle9018dqk-datasheet-en.pdf Description: BATTERYMANAGEMENT_ICS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Number of Cells: 18
Mounting Type: Surface Mount
Function: Multi-Function Controller
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+669.52 грн
10+503.02 грн
25+467.60 грн
100+402.33 грн
250+384.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9189QVWSXUMA1 TLE9189QVWSXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9189QV-DataSheet-v01_00-EN.pdf Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Current Management
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 36V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 4.2V ~ 36V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX33MA16E6327XTSA1 Infineon Technologies Description: ANTENNA DEVICES
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10ZXE CY7C1061G30-10ZXE Infineon Technologies Infineon-CY7C1061G_Automotive_16-Mbit_(1_M_words_x_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed74055586f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110 Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TR IRF7328TR Infineon Technologies irf7328pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f60f931b53 Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 IMT44R015M2HXTMA2 Infineon Technologies infineon-imt44r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 IMT44R015M2HXTMA2 Infineon Technologies infineon-imt44r015m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1022.10 грн
10+690.84 грн
100+575.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2124STRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRS2124STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2124STRPBF fundamentals-of-power-semiconductors
IRS2124STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 80ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Current - Peak Output (Source, Sink): 500mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 15908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
185+110.71 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS410R12A7P1BHPSA1 infineon-fs410r12a7p1b-datasheet-en.pdf
FS410R12A7P1BHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 300A HDG2XT-7611
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.58V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-HDG2XT-7611
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 775 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24600 pF @ 25 V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+24963.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
IRF6662TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
IRF6662TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.55 грн
10+132.60 грн
100+92.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350BSJXTMA1 Infineon-TLE9350BSJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b66e2a1cc08e4
TLE9350BSJXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 PGDSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Duplex: Half
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9350BSJXTMA1 Infineon-TLE9350BSJ-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018b66e2a1cc08e4
TLE9350BSJXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC TRANSCEIVER HALF 1/1 PGDSO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Transceiver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Drivers/Receivers: 1/1
Data Rate: 5Mbps
Protocol: CANbus
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Duplex: Half
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+50.67 грн
25+45.76 грн
100+37.89 грн
250+35.48 грн
500+34.03 грн
1000+32.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R008M1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b2c26c0f0e1f
AIMZA75R008M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3091.11 грн
30+1974.29 грн
120+1755.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R027M1HXTMA1 Infineon-AIMBG75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef042d11327b2
AIMBG75R027M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+497.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R027M1HXTMA1 Infineon-AIMBG75R027M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018ef042d11327b2
AIMBG75R027M1HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V 64A TO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 24.5A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1668 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.8mA
Power Dissipation (Max): 273W (Tc)
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+935.31 грн
10+652.93 грн
100+585.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD822952LQXITXUMA1 Infineon-EZ_PD_CCG8_CFP_USBC_Power_Delivery_controller-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019505de8fdc3683
CYPD822952LQXITXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: USB-C PC
Supplier Device Package: 52-QFN (5x8)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Applications: USB Type C
Program Memory Type: FLASH (128kB), ROM (96kB)
Controller Series: EZ-PD™
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
Interface: I2C, SPI, UART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of I/O: 20
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+333.75 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD822952LQXIXQLA1 Infineon-EZ_PD_CCG8_CFP_USBC_Power_Delivery_controller-DataSheet-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019505de8fdc3683
Виробник: Infineon Technologies
Description: USB-C PC
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Applications: USB Type C
Program Memory Type: FLASH (128kB), ROM (96kB)
Controller Series: EZ-PD™
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C (TA)
RAM Size: 16K x 8
Interface: I2C, SPI, UART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
Number of I/O: 20
Supplier Device Package: 52-QFN (5x8)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL60UTR11WINGTOBO1 UM_KIT_CSK_BGT60UTR11AIP-Wingboard_Userguide-EN.pdf
EVAL60UTR11WINGTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL60UTR11WINGTOBO1
Packaging: Box
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1960.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1 AIMCQ120R040M1T_v1.10_en.pdf
AIMCQ120R040M1TXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R040M1TXTMA1 AIMCQ120R040M1T_v1.10_en.pdf
AIMCQ120R040M1TXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+925.24 грн
10+621.52 грн
100+505.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ015N04NM7VATMA1 448_ISZ015N04NM7V.pdf
ISZ015N04NM7VATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISZ015N04NM7VATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ015N04NM7VATMA1 448_ISZ015N04NM7V.pdf
ISZ015N04NM7VATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISZ015N04NM7VATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.15V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 FL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.38 грн
10+83.80 грн
100+56.42 грн
500+41.93 грн
1000+38.39 грн
2000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C20566-24PVXI
CY8C20566-24PVXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32K FLASH 2K SRAM 48SSOP
Packaging: Tube
Package / Case: 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
RAM Size: 2K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Controller Series: CY8C20xx6
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Applications: Capacitive Sensing
Core Processor: M8C
Supplier Device Package: 48-SSOP
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+370.41 грн
10+272.89 грн
30+248.31 грн
120+212.47 грн
270+203.67 грн
510+198.04 грн
1020+189.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SICFS0108TOBO2 infineon-quickstart-guide-for-inverter-evaluation-kit-with-the-hybridpack-drive-g2-power-modules-usermanual-en.pdf
EVINVHPD2SICFS0108TOBO2
Виробник: Infineon Technologies
Description: OTHER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FS01MR08A8MA2
Embedded: No
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+407523.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVINVHPD2SICFS0212TOBO1 infineon-quickstart-guide-for-inverter-evaluation-kit-with-the-hybridpack-drive-g2-power-modules-usermanual-en.pdf
EVINVHPD2SICFS0212TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: OTHER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: FS02MR12A8MA2
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+458464.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1354DV25-200BZI
CY7C1354DV25-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 9Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.2 ns
Memory Organization: 256K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV25-200BZI CY7C1470%2C72%2C74BV25.pdf
CY7C1470BV25-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 105 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312BV18-200BZI CY7C1310%2C12%2C14%2C1914BV18.pdf
CY7C1312BV18-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 18
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1415AV18-200BZI CY7C1411%2C13%2C15%2C26AV18.pdf
CY7C1415AV18-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1414BV18-200BZI CY7C1412%2C14BV18.pdf
CY7C1414BV18-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 36Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SRAM - Synchronous, QDR II
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 1M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1470BV33-200BZI download
CY7C1470BV33-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 72Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (15x17)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3 ns
Memory Organization: 2M x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1380DV33-200BZI Infineon-CY7C1380DV33_CY7C1382DV33_18-MBIT_(512_K_X_36_1_M_X_18)_PIPELINED_SRAM_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v05_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec1488335f9
CY7C1380DV33-200BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 36
Access Time: 3 ns
Memory Interface: Parallel
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Format: SRAM
Clock Frequency: 200 MHz
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 18Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 165-LBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDPBHBC10 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53
S25FL512SDPBHBC10
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-TBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 66 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Write Cycle Time - Word, Page: 750µs
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Access Time: 6.5 ns
Memory Organization: 64M x 8
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+546.31 грн
10+489.14 грн
25+474.23 грн
50+434.47 грн
100+423.93 грн
338+405.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 Infineon-IQFH61N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e28fe8005b2
IQFH61N06NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQFH61N06NM5ATMA1 Infineon-IQFH61N06NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101904e28fe8005b2
IQFH61N06NM5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 510A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.61mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 247µA
Supplier Device Package: PG-TSON-12-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18100 pF @ 30 V
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+506.79 грн
10+329.60 грн
100+240.18 грн
500+216.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4126LDEHVS114AQLA1 Infineon-CY8C41x5_CY8C41x6_PSOC_4_high_voltage_HV_mixed_signal_MS_Automotive_MCU_Based_on_32-bit_Arm_Cortex_-M0-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c956a0a470195817712a75d7a
CY8C4126LDEHVS114AQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PSOC BASED - HV FAMILY
Packaging: Tray
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.15V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, DMA, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Grade: Automotive
Number of I/O: 33
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY25200K-ZXC004A
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC CLOCK GENERATOR
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R019M2HXKSA1 infineon-imzc140r019m2h-datasheet-en.pdf
IMZC140R019M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZC140R019M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40.4A, 18V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 12.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 1000 V
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1218.15 грн
30+725.91 грн
120+627.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC140R024M2HXKSA1 infineon-imzc140r024m2h-datasheet-en.pdf
IMZC140R024M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZC140R024M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 32.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 10.1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 1000 V
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1053.87 грн
30+619.97 грн
120+533.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EB2ED24103D1BCSPTOBO1
EB2ED24103D1BCSPTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EB 2ED2410 3D 1BCSP
Packaging: Bulk
Function: MOSFET
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED2410-EM
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7200.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DD800S17K3_B2 DD800S17K3_B2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE MODULE GEN PURP 1700V
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 2 Independent
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.2 V @ 800 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA120R012M2HXKSA1 infineon-imza120r012m2h-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601968fde0d5f5dc5
IMZA120R012M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMZA120R012M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 57A, 18V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 17.8mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 800 V
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1573.84 грн
30+968.80 грн
120+930.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM66D130MV01XTMA1
IM66D130MV01XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IM66D130MV01XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency Range: 35 Hz
Voltage Range: 1.6 V ~ 3.465 V
Current - Supply: 640 µA
Voltage - Rated: 1.8 V
Height (Max): 0.039" (0.98mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
S/N Ratio: 66dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -37dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.118" L x 0.079" W (3.00mm x 2.00mm)
Output Type: Digital, PDM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IM66D130MV01XTMA1
IM66D130MV01XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IM66D130MV01XTMA1
Frequency Range: 35 Hz
Voltage Range: 1.6 V ~ 3.465 V
Current - Supply: 640 µA
Voltage - Rated: 1.8 V
Height (Max): 0.039" (0.98mm)
Port Location: Bottom
Ratings: IP57 - Dust Protected, Waterproof
Direction: Omnidirectional
Termination: Solder Pads
Packaging: Cut Tape (CT)
S/N Ratio: 66dB
Type: MEMS (Silicon)
Shape: Rectangular
Sensitivity: -37dB ±1dB @ 94dB SPL
Size / Dimension: 0.118" L x 0.079" W (3.00mm x 2.00mm)
Output Type: Digital, PDM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITIM68D121JV01FLEXTOBO1 infineon-xensiv-sensor-solutions-product-selection-guide-en.pdf
KITIM68D121JV01FLEXTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KITIM68D121JV01FLEXTOBO1
Packaging: Box
Function: MEMS Omnidirectional Microphones
Type: Audio
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IM68D121JV01
Secondary Attributes: Analog Output
Embedded: No
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8189.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b6132fe9921f4
IMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ75R008M1HXUMA1 Infineon-IMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b6132fe9921f4
IMDQ75R008M1HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2084.50 грн
10+1564.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISC025N06LM6ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 143A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 38µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+55.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRAMS06UP60A-2 IRAMS06UP60A.pdf
IRAMS06UP60A-2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT IPM 600V 6A 23-PWRSIP MOD
Voltage: 600 V
Current: 6 A
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Configuration: 3 Phase
Type: IGBT
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 23-PowerSIP Module, 19 Leads, Formed Leads
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
7GA830343H0
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU
DigiKey Programmable: Not Verified
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C29866-24AXIT Infineon-CY8C29466_CY8C29566_CY8C29666_CY8C29866_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v31_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec690c03ce1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integra
CY8C29866-24AXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 32KB FLASH 100TQFP
Core Processor: M8C
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
Speed: 24MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 100-LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 64
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Peripherals: POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, SPI, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.25V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x14b; D/A 4x9b
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+694.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4146AZE-S275T Infineon-Automotive_PSoC_4_PSoC_4100S_Plus_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee7ff0b70e8
CY8C4146AZE-S275T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 64KB FLASH 64TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
RAM Size: 8K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 16x10b, 16x12b SAR; D/A 2x7b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: FIFO, I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, Temp Sensor, WDT
Supplier Device Package: 64-TQFP (10x10)
Grade: Automotive
Number of I/O: 54
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYAT81689-100AS71Z CYAT8168x.pdf
CYAT81689-100AS71Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: TrueTouch
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.95V, 3V ~ 5.5V
Resolution (Bits): 32 b
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Touchscreen: 2 Wire Capacitive
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R025M2HXTMA1
AIMBG75R025M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AIMBG75R025M2HXTMA1
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R025M2HXTMA1
AIMBG75R025M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AIMBG75R025M2HXTMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 8.1mA
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 36.7A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1729 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R033M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb2d51436735
IMTA65R033M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMTA65R033M2HXTMA1 Infineon-IMTA65R033M2H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb2d51436735
IMTA65R033M2HXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 27.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 5.7mA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1214 pF @ 400 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+735.39 грн
10+487.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9018DQKXUMA1 infineon-tle9018dqk-datasheet-en.pdf
TLE9018DQKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BATTERYMANAGEMENT_ICS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Number of Cells: 18
Mounting Type: Surface Mount
Function: Multi-Function Controller
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9018DQKXUMA1 infineon-tle9018dqk-datasheet-en.pdf
TLE9018DQKXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BATTERYMANAGEMENT_ICS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Number of Cells: 18
Mounting Type: Surface Mount
Function: Multi-Function Controller
Battery Chemistry: Lithium Ion
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-28
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+669.52 грн
10+503.02 грн
25+467.60 грн
100+402.33 грн
250+384.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9189QVWSXUMA1 Infineon-TLE9189QV-DataSheet-v01_00-EN.pdf
TLE9189QVWSXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Current Management
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 4.2V ~ 36V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 4.2V ~ 36V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX33MA16E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ANTENNA DEVICES
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1061G30-10ZXE Infineon-CY7C1061G_Automotive_16-Mbit_(1_M_words_x_16_bit)_Static_RAM_with_Error-Correcting_Code_(ECC)-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed74055586f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110
CY7C1061G30-10ZXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TSOP I
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 1M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7328TR irf7328pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f60f931b53
IRF7328TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 infineon-imt44r015m2h-datasheet-en.pdf
IMT44R015M2HXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT44R015M2HXTMA2 infineon-imt44r015m2h-datasheet-en.pdf
IMT44R015M2HXTMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 440V 111A PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 111A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 27.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 9.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 440 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 200 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1022.10 грн
10+690.84 грн
100+575.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 754 755 756 757 758 759 760 761 762 763 764 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]