Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (129567) > Сторінка 763 з 2160

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
KP215E1701XTMA1 KP215E1701XTMA1 Infineon Technologies infineon-kp215e1701-datasheet-en.pdf Description: KP215E1701XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP215E1701XTMA1 KP215E1701XTMA1 Infineon Technologies infineon-kp215e1701-datasheet-en.pdf Description: KP215E1701XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.92 грн
5+255.73 грн
10+244.60 грн
25+217.16 грн
50+208.65 грн
100+200.88 грн
500+182.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA6160-2S TDA6160-2S Infineon Technologies SIEMS02231-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TDA6160 - MULTI-STANDARD SOUND I
Packaging: Bulk
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+143.10 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
38DN06B02ELEMXPSA1 38DN06B02ELEMXPSA1 Infineon Technologies Infineon-38DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301763db79d7f2cb3 Description: DIODE STD 600V 5140A BGDELEM1
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5140A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 4500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+13545.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
38DN06B02ELEMPRXPSA1 38DN06B02ELEMPRXPSA1 Infineon Technologies infineon-38dn06b02-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4627617cd8301763db79d7f2cb3 Description: DIODE STD 600V 5140A BGDELEM1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5140A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 4500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
38DN06ELEMPRXPSA1 Infineon Technologies Description: DIODE STD 600V 5095A EEUPEC0
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5095A
Supplier Device Package: E-EUPEC-0
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 4500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF Infineon Technologies ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a description Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+405.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFV011 S25FS512SAGMFV011 Infineon Technologies Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.80 грн
10+708.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFI013 S25FS064SAGMFI013 Infineon Technologies Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412 Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFV013 S25FS064SAGMFV013 Infineon Technologies infineon-s25fs064s-64-mb-8-mb-fs-s-flash-spi-multi-i-o-1-datasheet-en.pdf Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 8M x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFV010 S25FS064SAGMFV010 Infineon Technologies Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFV003 S25FS256SAGMFV003 Infineon Technologies infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-cn.pdf Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFB003 S25FS256SAGMFB003 Infineon Technologies infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFB001 S25FS256SAGMFB001 Infineon Technologies infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFM003 S25FS256SAGMFM003 Infineon Technologies infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFM000 S25FS256SAGMFM000 Infineon Technologies infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFM001 S25FS256SAGMFM001 Infineon Technologies infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFI013 S25FS512SAGMFI013 Infineon Technologies Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFV013 S25FS512SAGMFV013 Infineon Technologies Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 IQE012N03LM5CGSCATMA1 Infineon Technologies infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700151ESPEVALBRDTOBO1 BTS700151ESPEVALBRDTOBO1 Infineon Technologies BTS700151ESPEVALBRDTOBO1.pdf Description: BTS70015-1ESP EVALBRD
Packaging: Box
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS70015-1ESP
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7883.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH57N04NM7VSCATMA1 ISCH57N04NM7VSCATMA1 Infineon Technologies infineon-isch57n04nm7vsc-datasheet-en.pdf Description: ISCH57N04NM7VSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 443A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH57N04NM7VSCATMA1 ISCH57N04NM7VSCATMA1 Infineon Technologies infineon-isch57n04nm7vsc-datasheet-en.pdf Description: ISCH57N04NM7VSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 443A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.56 грн
10+249.48 грн
50+195.62 грн
100+167.32 грн
500+149.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED21271S65FXUMA1 1ED21271S65FXUMA1 Infineon Technologies 448_1ED21X7X.PDF Description: 1ED21271S65FXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED21271S65FXUMA1 1ED21271S65FXUMA1 Infineon Technologies 448_1ED21X7X.PDF Description: 1ED21271S65FXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.23 грн
10+79.45 грн
25+72.19 грн
100+60.21 грн
250+56.62 грн
500+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies INFNS28237-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DF1000R17IE4D_B2 - 1700 V, 1000
Packaging: Bulk
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46534.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S403T CY8C4025AZI-S403T Infineon Technologies Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 1x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88550DCUBGTXTMA1 Infineon Technologies Description: WIRELESS AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS02MR08A7MA2BHPSA1 Infineon Technologies infineon-fs02mr08a7ma2b-datasheet-en.pdf Description: FS02MR08A7MA2BHPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 430A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 890nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 120mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+52312.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2CHPSA1 FS01MR08A8MA2CHPSA1 Infineon Technologies infineon-fs01mr08a8ma2c-datasheet-en.pdf Description: FS01MR08A8MA2CHPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.69mOhm @ 620A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1500nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 200mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+76483.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQIT412TXUMA1 CY8C4025LQIT412TXUMA1 Infineon Technologies infineon-psoc-4000s-datasheet-datasheet-en.pdf Description: HMI-GROWTH PSOC4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, Microwire, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Number of I/O: 19
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL512SDABHV020 S26KL512SDABHV020 Infineon Technologies infineon-512mb-64mb256mb-32mb128mb-16mb1-8v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ Description: IC FLASH 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10035200NHPSA1 Infineon Technologies Description: CLAMP DISK DEVICES 75MM HOUSINGS
Packaging: Tray
Color: Natural
Length: 3.543" (90.00mm)
Shape: Rectangular
Type: Mount
Width: 3.543" (90.00mm)
Height: 2.362" (60.00mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402Q040X0128AAXTMA1 XMC1402Q040X0128AAXTMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: XMC1000
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
Number of I/O: 27
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402Q040X0128AAXTMA1 XMC1402Q040X0128AAXTMA1 Infineon Technologies Infineon-XMC1400-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2 Description: XMC1000
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
Number of I/O: 27
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.70 грн
10+159.36 грн
50+137.70 грн
100+122.95 грн
500+105.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WLC112568LQXQTXUMA1 WLC112568LQXQTXUMA1 Infineon Technologies infineon-wlc1125-wireless-charging-ic-wlc-transmitter-25-w-datasheet-en.pdf Description: WLC112568LQXQTXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 4.6V ~ 24V
Applications: Wireless Charging
Current - Supply: 87mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-68-800
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+209.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WLC112568LQXQTXUMA1 WLC112568LQXQTXUMA1 Infineon Technologies infineon-wlc1125-wireless-charging-ic-wlc-transmitter-25-w-datasheet-en.pdf Description: WLC112568LQXQTXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 4.6V ~ 24V
Applications: Wireless Charging
Current - Supply: 87mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-68-800
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WLC112568LQXQXQSA1 WLC112568LQXQXQSA1 Infineon Technologies infineon-wlc1125-wireless-charging-ic-wlc-transmitter-25-w-datasheet-en.pdf Description: WLC112568LQXQXQSA1
Packaging: Tray
Package / Case: 68-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 4.6V ~ 24V
Applications: Wireless Charging
Current - Supply: 87mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-68-800
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 625A 2500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 625 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27659.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 625A 2500W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 625 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMC101TF064XUMA1 IMC101TF064XUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMC100-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b016584a0147e7660 Description: IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 64LQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller
Current - Output: 50mA
Interface: Analog, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: Home Appliance
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-26
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+217.86 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1 IGD70R270D2SAUMA1 Infineon Technologies infineon-igd70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1 IGD70R270D2SAUMA1 Infineon Technologies infineon-igd70r270d2s-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.44 грн
10+92.34 грн
50+69.71 грн
100+58.57 грн
500+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-12BAXE CY7C1041CV33-12BAXE Infineon Technologies Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb80544500&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_ Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C68013A-128AXI CY7C68013A-128AXI Infineon Technologies download Description: IC MCU USB PERIPH HI SPD 128LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, USB, USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Series: CY7C680xx
Program Memory Type: ROMless
Applications: USB Microcontroller
Core Processor: 8051
Supplier Device Package: 128-TQFP (14x20)
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 IMT65R026M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R026M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e1818913c6c Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 IMT65R026M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R026M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e1818913c6c Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+811.59 грн
10+541.58 грн
100+427.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1 IMT65R50M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11 Description: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+293.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1 IMT65R50M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11 Description: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3414e43d08 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 IMT65R040M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3414e43d08 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 IMT65R050M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11 Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.91 грн
10+320.70 грн
25+296.45 грн
100+253.20 грн
250+241.28 грн
500+234.10 грн
1000+224.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1 IMT65R075M2HXUMA1 Infineon Technologies infineon-imt65r075m2h-datasheet-en.pdf Description: SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP02N60C3XKSA1 SPP02N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 73020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
429+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB02N60C3ATMA1 SPB02N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB02N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e153f494d Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS6080SEPDXUMA1 ITS6080SEPDXUMA1 Infineon Technologies infineon-its6080s-ep-d-datasheet-en.pdf Description: PROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 60V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP215E1701XTMA1 infineon-kp215e1701-datasheet-en.pdf
KP215E1701XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KP215E1701XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP215E1701XTMA1 infineon-kp215e1701-datasheet-en.pdf
KP215E1701XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KP215E1701XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.92 грн
5+255.73 грн
10+244.60 грн
25+217.16 грн
50+208.65 грн
100+200.88 грн
500+182.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA6160-2S SIEMS02231-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TDA6160-2S
Виробник: Infineon Technologies
Description: TDA6160 - MULTI-STANDARD SOUND I
Packaging: Bulk
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
143+143.10 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
38DN06B02ELEMXPSA1 Infineon-38DN06B02-DataSheet-v03_01-EN.pdf?fileId=5546d4627617cd8301763db79d7f2cb3
38DN06B02ELEMXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 5140A BGDELEM1
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-200AC, K-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5140A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 4500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+13545.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
38DN06B02ELEMPRXPSA1 infineon-38dn06b02-datasheet-en.pdf?fileId=5546d4627617cd8301763db79d7f2cb3
38DN06B02ELEMPRXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 5140A BGDELEM1
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AA, A-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5140A
Supplier Device Package: BG-D-ELEM-1
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 4500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
38DN06ELEMPRXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE STD 600V 5095A EEUPEC0
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AB, B-PUK
Mounting Type: Clamp On
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5095A
Supplier Device Package: E-EUPEC-0
Operating Temperature - Junction: 180°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 990 mV @ 4500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
IR2132JPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)
Rise / Fall Time (Typ): 80ns, 35ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 250mA, 500mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 5248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+405.64 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFV011 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en
S25FS512SAGMFV011
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+791.80 грн
10+708.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFI013 Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412
S25FS064SAGMFI013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFV013 infineon-s25fs064s-64-mb-8-mb-fs-s-flash-spi-multi-i-o-1-datasheet-en.pdf
S25FS064SAGMFV013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Write Cycle Time - Word, Page: 2ms
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 8M x 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS064SAGMFV010 Infineon-S25FS064S_64_Mbit_(8_Mbyte)_1.8-V_FS-S_Flash_Memory-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed526b25412&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
S25FS064SAGMFV010
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 64MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 8M x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFV003 infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-cn.pdf
S25FS256SAGMFV003
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFB003 infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
S25FS256SAGMFB003
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFB001 infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
S25FS256SAGMFB001
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFM003 infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
S25FS256SAGMFM003
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFM000 infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
S25FS256SAGMFM000
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS256SAGMFM001 infineon-s25fs128s-s25fs256s-1-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed6b5ab5758&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign
S25FS256SAGMFM001
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Grade: Automotive
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 32M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFI013 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en
S25FS512SAGMFI013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FS512SAGMFV013 Infineon-S25FS512S_512_Mb_1.8_V_Serial_Peripheral_Interface_with_Multi-I_O_Non-Volatile_Flash-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed681a356fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en
S25FS512SAGMFV013
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 2V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 16-SOIC
Memory Interface: SPI - Quad I/O, QPI
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGATMA1 infineon-iqe012n03lm5cg-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TTFN-9-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IQE012N03LM5CGSCATMA1 infineon-iqe012n03lm5cgsc-datasheet-en.pdf
IQE012N03LM5CGSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IQE012N03LM5CGSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 224A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-WHTFN-9-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS700151ESPEVALBRDTOBO1 BTS700151ESPEVALBRDTOBO1.pdf
BTS700151ESPEVALBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS70015-1ESP EVALBRD
Packaging: Box
Function: Power Distribution Switch (Load Switch)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS70015-1ESP
Embedded: No
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7883.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH57N04NM7VSCATMA1 infineon-isch57n04nm7vsc-datasheet-en.pdf
ISCH57N04NM7VSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISCH57N04NM7VSCATMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 443A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISCH57N04NM7VSCATMA1 infineon-isch57n04nm7vsc-datasheet-en.pdf
ISCH57N04NM7VSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISCH57N04NM7VSCATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Ta), 443A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 113µA
Supplier Device Package: PG-WSON-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.56 грн
10+249.48 грн
50+195.62 грн
100+167.32 грн
500+149.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1ED21271S65FXUMA1 448_1ED21X7X.PDF
1ED21271S65FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1ED21271S65FXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED21271S65FXUMA1 448_1ED21X7X.PDF
1ED21271S65FXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1ED21271S65FXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 7.2V ~ 22V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 650 V
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Rise / Fall Time (Typ): 12ns, 12ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: SiC MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
Current - Peak Output (Source, Sink): 4A, 4A
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.23 грн
10+79.45 грн
25+72.19 грн
100+60.21 грн
250+56.62 грн
500+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF1000R17IE4DB2BOSA1 INFNS28237-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: DF1000R17IE4D_B2 - 1700 V, 1000
Packaging: Bulk
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+46534.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025AZI-S403T Infineon-PSoC_4_PSoC_4000S_Datasheet_Programmable_System-on-Chip_(PSoC_)-DataSheet-v15_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eda97715cf1&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-file
CY8C4025AZI-S403T
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 48TQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Data Converters: A/D 1x10b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, IrDA, LINbus, Microwire, SmartCard, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-TQFP (7x7)
Number of I/O: 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW88550DCUBGTXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: WIRELESS AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FS02MR08A7MA2BHPSA1 infineon-fs02mr08a7ma2b-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS02MR08A7MA2BHPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 430A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 890nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 120mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+52312.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS01MR08A8MA2CHPSA1 infineon-fs01mr08a8ma2c-datasheet-en.pdf
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: FS01MR08A8MA2CHPSA1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 6 N-Channel (Phase Leg)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 750V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 620A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43000pF @ 470V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.69mOhm @ 620A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1500nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.55V @ 200mA
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+76483.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4025LQIT412TXUMA1 infineon-psoc-4000s-datasheet-datasheet-en.pdf
CY8C4025LQIT412TXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HMI-GROWTH PSOC4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 24MHz
Program Memory Size: 32KB (32K x 8)
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, Microwire, SPI, SSP, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, CapSense, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 24-QFN (4x4)
Number of I/O: 19
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S26KL512SDABHV020 infineon-512mb-64mb256mb-32mb128mb-16mb1-8v-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed5ca77559f&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integ
S26KL512SDABHV020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 256MBIT HYPERBUS 24FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 24-VBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Clock Frequency: 100 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 24-FBGA (6x8)
Memory Interface: HyperBus
Access Time: 96 ns
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V10035200NHPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: CLAMP DISK DEVICES 75MM HOUSINGS
Packaging: Tray
Color: Natural
Length: 3.543" (90.00mm)
Shape: Rectangular
Type: Mount
Width: 3.543" (90.00mm)
Height: 2.362" (60.00mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402Q040X0128AAXTMA1 Infineon-XMC1400-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1402Q040X0128AAXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XMC1000
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
Number of I/O: 27
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1402Q040X0128AAXTMA1 Infineon-XMC1400-DataSheet-v01_06-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf015110a2596343b2
XMC1402Q040X0128AAXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: XMC1000
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 48MHz
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: External, Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Data Converters: A/D 12x12b SAR
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.8V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SPI, UART/USART
Peripherals: Brown-out Detect/Reset, I2S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-VQFN-40-13
Number of I/O: 27
на замовлення 4868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+221.70 грн
10+159.36 грн
50+137.70 грн
100+122.95 грн
500+105.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WLC112568LQXQTXUMA1 infineon-wlc1125-wireless-charging-ic-wlc-transmitter-25-w-datasheet-en.pdf
WLC112568LQXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: WLC112568LQXQTXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 68-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 4.6V ~ 24V
Applications: Wireless Charging
Current - Supply: 87mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-68-800
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+209.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WLC112568LQXQTXUMA1 infineon-wlc1125-wireless-charging-ic-wlc-transmitter-25-w-datasheet-en.pdf
WLC112568LQXQTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: WLC112568LQXQTXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 68-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 4.6V ~ 24V
Applications: Wireless Charging
Current - Supply: 87mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-68-800
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WLC112568LQXQXQSA1 infineon-wlc1125-wireless-charging-ic-wlc-transmitter-25-w-datasheet-en.pdf
WLC112568LQXQXQSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: WLC112568LQXQXQSA1
Packaging: Tray
Package / Case: 68-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, 4.6V ~ 24V
Applications: Wireless Charging
Current - Supply: 87mA
Supplier Device Package: PG-VQFN-68-800
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GB120DLCHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 625A 2500W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 625 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27659.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM300GB120DLCHOSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 625A 2500W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 625 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 21 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMC101TF064XUMA1 Infineon-IMC100-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b016584a0147e7660
IMC101TF064XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 3V-5.5V 64LQFP
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller
Current - Output: 50mA
Interface: Analog, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 5.5V
Applications: Home Appliance
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-26
Motor Type - AC, DC: AC, Synchronous
на замовлення 1689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+217.86 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1 infineon-igd70r270d2s-datasheet-en.pdf
IGD70R270D2SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD70R270D2SAUMA1 infineon-igd70r270d2s-datasheet-en.pdf
IGD70R270D2SAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 700V 5.8A T0252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 1.7A
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 560µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-U03
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 74 pF @ 400 V
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.44 грн
10+92.34 грн
50+69.71 грн
100+58.57 грн
500+46.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1041CV33-12BAXE Infineon-CY7C1041CV33_Automotive_4-Mbit_(256_K_16)_Static_RAM_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v04_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecb80544500&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_
CY7C1041CV33-12BAXE
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-FBGA (7x8.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 12 ns
Memory Organization: 256K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C68013A-128AXI download
CY7C68013A-128AXI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU USB PERIPH HI SPD 128LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 128-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, USB, USART
RAM Size: 16K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Controller Series: CY7C680xx
Program Memory Type: ROMless
Applications: USB Microcontroller
Core Processor: 8051
Supplier Device Package: 128-TQFP (14x20)
Number of I/O: 40
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 Infineon-IMT65R026M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e1818913c6c
IMT65R026M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R026M2HXUMA1 Infineon-IMT65R026M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e1818913c6c
IMT65R026M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 34.5A, 20V
Power Dissipation (Max): 365W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1499 pF @ 400 V
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+811.59 грн
10+541.58 грн
100+427.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1 Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11
IMT65R50M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+293.45 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R50M2HXUMA1 Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11
IMT65R50M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 18.2A, 18V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 Infineon-IMT65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3414e43d08
IMT65R040M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R040M2HXUMA1 Infineon-IMT65R040M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3414e43d08
IMT65R040M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 22.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4.6mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 997 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11
IMT65R050M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R050M2HXUMA1 Infineon-IMT65R050M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934e3493303d11
IMT65R050M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SILICON CARBIDE MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 18.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 3.7mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 400 V
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+433.91 грн
10+320.70 грн
25+296.45 грн
100+253.20 грн
250+241.28 грн
500+234.10 грн
1000+224.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R075M2HXUMA1 infineon-imt65r075m2h-datasheet-en.pdf
IMT65R075M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8
Packaging: Tube
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.9A, 18V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP02N60C3XKSA1 Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f
SPP02N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 73020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
429+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 429 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPB02N60C3ATMA1 SPB02N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e153f494d
SPB02N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
322+70.89 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS6080SEPDXUMA1 infineon-its6080s-ep-d-datasheet-en.pdf
ITS6080SEPDXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PROFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: Logic
Switch Type: General Purpose
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm (Max)
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 60V
Current - Output (Max): 8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Fault Protection: Current Limiting (Adjustable), Over Temperature, Over Voltage
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+115.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.