Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126651) > Сторінка 764 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 759 760 761 762 763 764 765 766 767 768 769 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17 Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.67 грн
10+279.95 грн
100+202.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWV33XUMA1 TLE9185QXWV33XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9185QXW%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8f0deec0971 Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.20 грн
10+218.21 грн
25+200.50 грн
100+169.88 грн
250+161.16 грн
500+155.90 грн
1000+149.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWV33XUMA1 TLE9185QXWV33XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9185QXW%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8f0deec0971 Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+162.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWXUMA1 TLE9185QXWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9185QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8ef48fc08d4 Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWXUMA1 TLE9185QXWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9185QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8ef48fc08d4 Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.09 грн
10+186.88 грн
25+171.73 грн
100+145.49 грн
250+138.01 грн
500+133.50 грн
1000+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXWXUMA1 TLE9564QXWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9564QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb31888d6bff Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+144.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXWXUMA1 TLE9564QXWXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9564QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb31888d6bff Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.71 грн
10+193.00 грн
25+177.40 грн
100+150.35 грн
250+142.67 грн
500+138.03 грн
1000+132.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95623QXJXUMA1 TLE95623QXJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9562-3QXJ-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188dd0123da32e8 Description: BLDC_DRIVER_IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 250mA
Interface: CAN, LIN, PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95623QXJXUMA1 TLE95623QXJXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE9562-3QXJ-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188dd0123da32e8 Description: BLDC_DRIVER_IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 250mA
Interface: CAN, LIN, PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.88 грн
10+209.30 грн
25+192.56 грн
100+163.45 грн
250+155.20 грн
500+150.24 грн
1000+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 IGC019S06S1XTMA1 Infineon Technologies infineon-igc019s06s1-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.09 грн
10+200.02 грн
50+155.56 грн
100+132.54 грн
500+113.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Infineon Technologies irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 description Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF IRF7470TRPBF Infineon Technologies irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18 description Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRPBF IRF7468TRPBF Infineon Technologies irf7468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff09b41c0e Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T022S7.pdf Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T022S7.pdf Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+995.44 грн
10+670.78 грн
50+553.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1 IPQC60T022S7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1 IPQC60T022S7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.90 грн
10+683.16 грн
50+566.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1 IPDQ60T022S7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1 IPDQ60T022S7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.90 грн
10+683.16 грн
50+566.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-BTS7020-2EPA-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f10627dfb6ca3 Description: BTS7020-2EPA DAUGH BRD
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7020-2EPA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3492.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS50R520CP IPS50R520CP Infineon Technologies IPS50R520CP.pdf Description: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20610.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AN983X-AH-T-22 AN983X-AH-T-22 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC PCI TO ETHERNET LAN 128QFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: PG-PQFP-128
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Package / Case: 128-BFQFP
Packaging: Tray
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+167.89 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AN983X-AH-T-22 AN983X-AH-T-22 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IC PCI TO ETHERNET LAN 128QFP
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Package / Case: 128-BFQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: PG-PQFP-128
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTR AUIRFR2905ZTR Infineon Technologies auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EDGANINV1KWTOBO1 EVAL2EDGANINV1KWTOBO1 Infineon Technologies infineon-ug-2025-07-eval-2edgan-inv-1kw-usermanual-en.pdf Description: BOARD 2ED21064S06J IGT65R055D2
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED21064S06J, IGT65R055D2
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: Yes, MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPET131XQMA1 CYPET131XQMA1 Infineon Technologies Infineon-CYPET121_131-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae23edd8b5e96 Description: EZ-PD PAGXP-PAGXS PULSE EDGE TRA
Packaging: Tray
Package / Case: 4-DIP (0.315", 8.00mm)
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Output Configuration: Positive
Supplier Device Package: PG-TRDIP-4
Synchronous Rectifier: No
Output Phases: 1
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+34.80 грн
25+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD10G120C5XKSA2 Infineon Technologies Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD04G65C6XTMA1 IDDD04G65C6XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IDDD04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f749daa0e03 Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 13A
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Bulk
на замовлення 4628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
218+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117PBF IRS2117PBF Infineon Technologies infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-PDIP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 23363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+140.84 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117PBF IRS2117PBF Infineon Technologies infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-PDIP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYALKIT-E03 CYALKIT-E03 Infineon Technologies Infineon-CYALKIT-E03_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efd8d0313ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: EXPANSION PACK FOR CYALKIT-E02
Platform: BLE-Beacon™
Utilized IC / Part: CYBLE-022001-00, S6AE103A
Contents: Board(s)
Type: RF
Function: Bluetooth Low Energy (BLE)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALS26HL512TTOBO1 EVALS26HL512TTOBO1 Infineon Technologies EVALS26HL512TTOBO1.pdf Description: EVALS26HL512TTOBO1
Packaging: Tray
Function: FLASH
Type: Memory
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: S26HL512T
Platform: Pmod™
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1341.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD1120-35FNXIT CYPD1120-35FNXIT Infineon Technologies Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 35WLCSP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 31
Supplier Device Package: 35-WLCSP (3.23x2.10)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Applications: USB Type C
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Interface: I2C, SPI, UART/USART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 35-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4675GATMA1 TLE4675GATMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4675-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72db1f1f46 Description: IC REG LINEAR 5V 400MA TO263-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-263-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
PSRR: 65dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
167+121.86 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R075M2HXKSA1 IMW65R075M2HXKSA1 Infineon Technologies infineon-imw65r075m2h-datasheet-en.pdf Description: IMW65R075M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+477.34 грн
30+262.72 грн
120+219.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S11TFVV10 Infineon Technologies Infineon-S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL-S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3-DataSheet-v22_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5 Description: PNOR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Memory Organization: 256Mb (16M x 16)
Access Time: 110 ns
Memory Interface: CFI
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38806XUMA1 TDA38806XUMA1 Infineon Technologies TDA38806XUMA1.pdf Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38806XUMA1 TDA38806XUMA1 Infineon Technologies TDA38806XUMA1.pdf Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+99.33 грн
25+90.51 грн
100+75.85 грн
250+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905Z AUIRFR2905Z Infineon Technologies auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE496048MS2XTSA1 Infineon Technologies Description: TLE496048MS2XTSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE496048MS2XTSA1 Infineon Technologies Description: TLE496048MS2XTSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.41 грн
10+32.23 грн
25+30.01 грн
100+25.16 грн
250+23.30 грн
500+22.00 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRI3XTMA1 TLE49SRI3XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE49SRI3-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912c1b13583143 Description: TLE49SRI3XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP Module, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: PC Pin
Voltage - Supply: 5V ~ 11V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Rotary Position
Supplier Device Package: PG-SSO-3-41
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Clockwise Increase
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRI3XTMA1 TLE49SRI3XTMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE49SRI3-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912c1b13583143 Description: TLE49SRI3XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SIP Module, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: PC Pin
Voltage - Supply: 5V ~ 11V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Rotary Position
Supplier Device Package: PG-SSO-3-41
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Clockwise Increase
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.61 грн
5+267.34 грн
10+255.87 грн
25+227.29 грн
50+218.55 грн
100+210.54 грн
500+191.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8DXUMA1 TLE49SRC8DXUMA1 Infineon Technologies infineon-tle49sr-c8-p8-s8-datasheet-en.pdf Description: TLE49SRC8DXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM, SPC, SENT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-20
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Digital
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8DXUMA1 TLE49SRC8DXUMA1 Infineon Technologies infineon-tle49sr-c8-p8-s8-datasheet-en.pdf Description: TLE49SRC8DXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM, SPC, SENT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-20
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Digital
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.69 грн
5+365.62 грн
10+350.52 грн
25+312.09 грн
50+300.55 грн
100+289.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD8125-48LDXIT CYPD8125-48LDXIT Infineon Technologies Infineon-EZ-PD_TM_CCG8_USB_Type-C_port_controller-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701863a96d4321bd2&da=t Description: IC USB MCU 256KB FLASH 48-UFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI, UART, USB
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Controller Series: EZ-PD™
Program Memory Type: FLASH (256kB), ROM (96kB)
Applications: USB Type C
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Number of I/O: 26
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.45 грн
10+276.10 грн
25+254.72 грн
100+216.98 грн
250+207.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD11731STDEVALTOBO1 TLD11731STDEVALTOBO1 Infineon Technologies infineon-tld1173-1std-eval-ug-usermanual-en.pdf Description: TLD1173-1STD_EVAL
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: TLD1173
Current - Output / Channel: 400mA
Contents: Board(s)
Voltage - Input: 8V ~ 21V
Voltage - Output: 6.5V ~ 18.5V
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12995.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P08N120KDPBF IRG8P08N120KDPBF Infineon Technologies IRG8x08N120KD.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO-247AC
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 89 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 600V, 5A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/160ns
Supplier Device Package: TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1 ISG0613N04NM6HSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISG0613N04NM6HSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8951b48e4cf5 Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1 ISG0613N04NM6HSCATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISG0613N04NM6HSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8951b48e4cf5 Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3GXKSA1 IPI072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405 Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-207 CY8C3866LTI-207 Infineon Technologies Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 68QFN
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 8K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 67MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 38
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 16x20b; D/A 2x8b
Core Processor: 8051
EEPROM Size: 2K x 8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1 Infineon Technologies Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+236.70 грн
50+185.28 грн
100+158.36 грн
500+131.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1 IMZC120R053M2HXKSA1 Infineon Technologies IMZC120R053M2HXKSA1.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+631.75 грн
30+358.42 грн
120+303.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDM22545DXUMA1 TDM22545DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDM22545D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec8e1decc13b0 Description: POWERSTAGE MODULE
Supplier Device Package: LG-MLGA-72-5
Current - Output (Max): 160A
Voltage - Input (Max): 16V
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Non-Isolated PoL Module
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.39" L x 0.35" W x 0.20" H (10.0mm x 9.0mm x 5.0mm)
Package / Case: 72-LGA Module
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 1
Power (Watts): 480 W
Control Features: Enable, Active High
Voltage - Output 1: 0.225 ~ 3V
Voltage - Input (Min): 4.25V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1222.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDM22545DXUMA1 TDM22545DXUMA1 Infineon Technologies Infineon-TDM22545D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec8e1decc13b0 Description: POWERSTAGE MODULE
Size / Dimension: 0.39" L x 0.35" W x 0.20" H (10.0mm x 9.0mm x 5.0mm)
Package / Case: 72-LGA Module
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 480 W
Control Features: Enable, Active High
Voltage - Output 1: 0.225 ~ 3V
Voltage - Input (Min): 4.25V
Supplier Device Package: LG-MLGA-72-5
Current - Output (Max): 160A
Voltage - Input (Max): 16V
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Non-Isolated PoL Module
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1416.35 грн
5+1312.87 грн
10+1291.59 грн
25+1186.18 грн
50+1166.88 грн
100+1147.91 грн
250+1104.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1 IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMDQ65R007M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934d980ca73a34 Description: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+1348.47 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1 IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon Technologies Infineon-IMDQ65R007M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934d980ca73a34 Description: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2409.45 грн
10+1704.76 грн
50+1684.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF018N10NM5LF2ATMA1 Infineon-IPF018N10NM5LF2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194d09541231d17
IPF018N10NM5LF2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPF018N10NM5LF2ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 100A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 259A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+432.67 грн
10+279.95 грн
100+202.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWV33XUMA1 Infineon-TLE9185QXW%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8f0deec0971
TLE9185QXWV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.20 грн
10+218.21 грн
25+200.50 грн
100+169.88 грн
250+161.16 грн
500+155.90 грн
1000+149.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWV33XUMA1 Infineon-TLE9185QXW%20V33-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8f0deec0971
TLE9185QXWV33XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Interface: PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+162.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWXUMA1 Infineon-TLE9185QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8ef48fc08d4
TLE9185QXWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9185QXWXUMA1 Infineon-TLE9185QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194b8ef48fc08d4
TLE9185QXWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.09 грн
10+186.88 грн
25+171.73 грн
100+145.49 грн
250+138.01 грн
500+133.50 грн
1000+127.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXWXUMA1 Infineon-TLE9564QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb31888d6bff
TLE9564QXWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+144.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXWXUMA1 Infineon-TLE9564QXW-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194fb31888d6bff
TLE9564QXWXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_MOTOR_CONTROL
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Output Configuration: Half Bridge (3)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Interface: PWM, SPI
Function: Controller - Speed
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushless DC (BLDC)
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-79
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+265.71 грн
10+193.00 грн
25+177.40 грн
100+150.35 грн
250+142.67 грн
500+138.03 грн
1000+132.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95623QXJXUMA1 Infineon-TLE9562-3QXJ-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188dd0123da32e8
TLE95623QXJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_DRIVER_IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 250mA
Interface: CAN, LIN, PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE95623QXJXUMA1 Infineon-TLE9562-3QXJ-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188dd0123da32e8
TLE95623QXJXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BLDC_DRIVER_IC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Function: Controller - Speed
Current - Output: 250mA
Interface: CAN, LIN, PWM, SPI
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (3)
Voltage - Supply: 3V ~ 28V
Technology: NMOS
Voltage - Load: 6V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-VQFN-48-31
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.88 грн
10+209.30 грн
25+192.56 грн
100+163.45 грн
250+155.20 грн
500+150.24 грн
1000+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC019S06S1XTMA1 infineon-igc019s06s1-datasheet-en.pdf
IGC019S06S1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 60V 27A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 35A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 12mA
Supplier Device Package: PG-TSON-6-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 30 V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+315.09 грн
10+200.02 грн
50+155.56 грн
100+132.54 грн
500+113.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18
IRF7470TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TRPBF description irf7470pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff2fe11c18
IRF7470TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7468TRPBF irf7468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff09b41c0e
IRF7468TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 9.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7.pdf
IPDQ60T022S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7XTMA1 IPDQ60T022S7.pdf
IPDQ60T022S7XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+995.44 грн
10+670.78 грн
50+553.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1 IPQC60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf
IPQC60T022S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPQC60T022S7AXTMA1 IPQC60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf
IPQC60T022S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1011.90 грн
10+683.16 грн
50+566.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1 IPDQ60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf
IPDQ60T022S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPDQ60T022S7AXTMA1 IPDQ60T022S7A_Rev2.0_11-30-23.pdf
IPDQ60T022S7AXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_COOLMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1011.90 грн
10+683.16 грн
50+566.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1 Infineon-BTS7020-2EPA-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f10627dfb6ca3
BTS70202EPADAUGHBRDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTS7020-2EPA DAUGH BRD
Packaging: Box
Function: Switch
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BTS7020-2EPA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3492.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPS50R520CP IPS50R520CP.pdf
IPS50R520CP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 7.1A TO251-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+20610.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AN983X-AH-T-22 fundamentals-of-power-semiconductors
AN983X-AH-T-22
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PCI TO ETHERNET LAN 128QFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: PG-PQFP-128
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Package / Case: 128-BFQFP
Packaging: Tray
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
121+167.89 грн
Мінімальне замовлення: 121 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AN983X-AH-T-22 fundamentals-of-power-semiconductors
AN983X-AH-T-22
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PCI TO ETHERNET LAN 128QFP
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Package / Case: 128-BFQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Supplier Device Package: PG-PQFP-128
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905ZTR auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c
AUIRFR2905ZTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL2EDGANINV1KWTOBO1 infineon-ug-2025-07-eval-2edgan-inv-1kw-usermanual-en.pdf
EVAL2EDGANINV1KWTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BOARD 2ED21064S06J IGT65R055D2
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: 2ED21064S06J, IGT65R055D2
Secondary Attributes: On-Board Test Points
Embedded: Yes, MCU
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYPET131XQMA1 Infineon-CYPET121_131-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8ada5435018ae23edd8b5e96
CYPET131XQMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EZ-PD PAGXP-PAGXS PULSE EDGE TRA
Packaging: Tray
Package / Case: 4-DIP (0.315", 8.00mm)
Output Type: PWM
Mounting Type: Through Hole
Output Configuration: Positive
Supplier Device Package: PG-TRDIP-4
Synchronous Rectifier: No
Output Phases: 1
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.95 грн
10+34.80 грн
25+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD10G120C5XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC DISCRETE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDDD04G65C6XTMA1 Infineon-IDDD04G65C6-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f01628f749daa0e03
IDDD04G65C6XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 650V 13A PGHDSOP101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: PG-HDSOP-10-1
Current - Average Rectified (Io): 13A
Capacitance @ Vr, F: 205pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerSOP Module
Packaging: Bulk
на замовлення 4628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
218+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117PBF infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf
IRS2117PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-PDIP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 23363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
146+140.84 грн
Мінімальне замовлення: 146 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117PBF infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf
IRS2117PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
Driven Configuration: High-Side
Channel Type: Single
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Supplier Device Package: 8-PDIP
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Number of Drivers: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYALKIT-E03 Infineon-CYALKIT-E03_Kit_Guide-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0efd8d0313ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CYALKIT-E03
Виробник: Infineon Technologies
Description: EXPANSION PACK FOR CYALKIT-E02
Platform: BLE-Beacon™
Utilized IC / Part: CYBLE-022001-00, S6AE103A
Contents: Board(s)
Type: RF
Function: Bluetooth Low Energy (BLE)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVALS26HL512TTOBO1 EVALS26HL512TTOBO1.pdf
EVALS26HL512TTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVALS26HL512TTOBO1
Packaging: Tray
Function: FLASH
Type: Memory
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: S26HL512T
Platform: Pmod™
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1341.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD1120-35FNXIT
CYPD1120-35FNXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 32KB FLASH 35WLCSP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 31
Supplier Device Package: 35-WLCSP (3.23x2.10)
Core Processor: ARM® Cortex®-M0
Applications: USB Type C
Program Memory Type: FLASH (32kB)
Voltage - Supply: 1.71V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 4K x 8
Interface: I2C, SPI, UART/USART, USB
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 35-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4675GATMA1 Infineon-TLE4675-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72db1f1f46
TLE4675GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG LINEAR 5V 400MA TO263-5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 400mA
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 80 µA
Voltage - Input (Max): 45V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-263-5
Voltage - Output (Min/Fixed): 5V
Control Features: Reset
Grade: Automotive
PSRR: 65dB (100Hz)
Voltage Dropout (Max): 0.5V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature, Reverse Polarity, Short Circuit
Current - Supply (Max): 25 mA
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
167+121.86 грн
Мінімальне замовлення: 167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R075M2HXKSA1 infineon-imw65r075m2h-datasheet-en.pdf
IMW65R075M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMW65R075M2HXKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 11.9A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-40
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 516 pF @ 400 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+477.34 грн
30+262.72 грн
120+219.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL256S11TFVV10 Infineon-S29GL01GS_S29GL512S_S29GL256S_S29GL128S_128_Mb_256_Mb_512_Mb_1_Gb_GL-S_MIRRORBIT_TM_Flash_Parallel_3-DataSheet-v22_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5
Виробник: Infineon Technologies
Description: PNOR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 56-TSOP
Memory Format: FLASH
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Mbit
Memory Organization: 256Mb (16M x 16)
Access Time: 110 ns
Memory Interface: CFI
Write Cycle Time - Word, Page: 60ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 182 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38806XUMA1 TDA38806XUMA1.pdf
TDA38806XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDA38806XUMA1 TDA38806XUMA1.pdf
TDA38806XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: HIGHLY EFFICIENT DC-DC BUCK REGU
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-UFQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 6A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 600kHz, 1.1MHz, 2MHz
Voltage - Input (Max): 16V
Topology: Buck
Supplier Device Package: PG-TSNP-14-6
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 5.5V
Voltage - Input (Min): 2.7V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.52 грн
10+99.33 грн
25+90.51 грн
100+75.85 грн
250+71.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2905Z auirfr2905z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b2212c146c
AUIRFR2905Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE496048MS2XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE496048MS2XTSA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE496048MS2XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE496048MS2XTSA1
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.41 грн
10+32.23 грн
25+30.01 грн
100+25.16 грн
250+23.30 грн
500+22.00 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRI3XTMA1 Infineon-TLE49SRI3-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912c1b13583143
TLE49SRI3XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE49SRI3XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SIP Module, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: PC Pin
Voltage - Supply: 5V ~ 11V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Rotary Position
Supplier Device Package: PG-SSO-3-41
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Clockwise Increase
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRI3XTMA1 Infineon-TLE49SRI3-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912c1b13583143
TLE49SRI3XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE49SRI3XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SIP Module, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Output: Digital
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: PC Pin
Voltage - Supply: 5V ~ 11V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
Technology: Magnetoresistive
For Measuring: Angle, Rotary Position
Supplier Device Package: PG-SSO-3-41
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Clockwise Increase
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.61 грн
5+267.34 грн
10+255.87 грн
25+227.29 грн
50+218.55 грн
100+210.54 грн
500+191.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8DXUMA1 infineon-tle49sr-c8-p8-s8-datasheet-en.pdf
TLE49SRC8DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE49SRC8DXUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM, SPC, SENT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-20
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Digital
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49SRC8DXUMA1 infineon-tle49sr-c8-p8-s8-datasheet-en.pdf
TLE49SRC8DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE49SRC8DXUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Output: PWM, SPC, SENT
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Actuator Type: External Magnet, Not Included
For Measuring: Angle
Supplier Device Package: PG-TDSO-8-20
Rotation Angle - Electrical, Mechanical: 0° ~ 360°
Output Signal: Digital
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.69 грн
5+365.62 грн
10+350.52 грн
25+312.09 грн
50+300.55 грн
100+289.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD8125-48LDXIT Infineon-EZ-PD_TM_CCG8_USB_Type-C_port_controller-DataSheet-v08_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb34701863a96d4321bd2&da=t
CYPD8125-48LDXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC USB MCU 256KB FLASH 48-UFQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 48-UFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C, SPI, UART, USB
RAM Size: 32K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Controller Series: EZ-PD™
Program Memory Type: FLASH (256kB), ROM (96kB)
Applications: USB Type C
Core Processor: ARM® Cortex®-M0+
Supplier Device Package: 48-QFN (6x6)
Number of I/O: 26
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+375.45 грн
10+276.10 грн
25+254.72 грн
100+216.98 грн
250+207.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLD11731STDEVALTOBO1 infineon-tld1173-1std-eval-ug-usermanual-en.pdf
TLD11731STDEVALTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLD1173-1STD_EVAL
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: TLD1173
Current - Output / Channel: 400mA
Contents: Board(s)
Voltage - Input: 8V ~ 21V
Voltage - Output: 6.5V ~ 18.5V
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12995.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P08N120KDPBF IRG8x08N120KD.pdf
IRG8P08N120KDPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 15A TO-247AC
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 89 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Gate Charge: 45 nC
Test Condition: 600V, 5A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 300µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/160ns
Supplier Device Package: TO-247AC
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1 Infineon-ISG0613N04NM6HSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8951b48e4cf5
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISG0613N04NM6HSCATMA1 Infineon-ISG0613N04NM6HSC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018d8951b48e4cf5
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerWDFN
Supplier Device Package: PG-WHITFN-10-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 780µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.88mOhm @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 299A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W (Ta), 167W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI072N10N3GXKSA1 Infineon-IPP072N10N3_G-DS-v02_01-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012393bed2d20405
IPI072N10N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
178+114.41 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C3866LTI-207 Infineon-PSoC_3_CY8C38_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v34_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec70ebd3dce&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY8C3866LTI-207
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 64KB FLASH 68QFN
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 8K x 8
Program Memory Size: 64KB (64K x 8)
Speed: 67MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 68-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 38
Supplier Device Package: 68-QFN (8x8)
Peripherals: CapSense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT
Connectivity: EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, UART/USART, USB
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 16x20b; D/A 2x8b
Core Processor: 8051
EEPROM Size: 2K x 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+369.96 грн
10+236.70 грн
50+185.28 грн
100+158.36 грн
500+131.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZC120R053M2HXKSA1 IMZC120R053M2HXKSA1.pdf
IMZC120R053M2HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 38A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Supplier Device Package: PG-TO247-4-17
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.1mA
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 13A, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+631.75 грн
30+358.42 грн
120+303.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TDM22545DXUMA1 Infineon-TDM22545D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec8e1decc13b0
TDM22545DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWERSTAGE MODULE
Supplier Device Package: LG-MLGA-72-5
Current - Output (Max): 160A
Voltage - Input (Max): 16V
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Non-Isolated PoL Module
Mounting Type: Surface Mount
Size / Dimension: 0.39" L x 0.35" W x 0.20" H (10.0mm x 9.0mm x 5.0mm)
Package / Case: 72-LGA Module
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Outputs: 1
Power (Watts): 480 W
Control Features: Enable, Active High
Voltage - Output 1: 0.225 ~ 3V
Voltage - Input (Min): 4.25V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+1222.64 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TDM22545DXUMA1 Infineon-TDM22545D-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ec8e1decc13b0
TDM22545DXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: POWERSTAGE MODULE
Size / Dimension: 0.39" L x 0.35" W x 0.20" H (10.0mm x 9.0mm x 5.0mm)
Package / Case: 72-LGA Module
Features: Adjustable Output, Remote On/Off
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 480 W
Control Features: Enable, Active High
Voltage - Output 1: 0.225 ~ 3V
Voltage - Input (Min): 4.25V
Supplier Device Package: LG-MLGA-72-5
Current - Output (Max): 160A
Voltage - Input (Max): 16V
Applications: ITE (Commercial)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Non-Isolated PoL Module
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1416.35 грн
5+1312.87 грн
10+1291.59 грн
25+1186.18 грн
50+1166.88 грн
100+1147.91 грн
250+1104.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon-IMDQ65R007M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934d980ca73a34
IMDQ65R007M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+1348.47 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon-IMDQ65R007M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934d980ca73a34
IMDQ65R007M2HXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IMDQ65R007M2HXUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6359 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 29.7mA
Power Dissipation (Max): 937W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 196A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2409.45 грн
10+1704.76 грн
50+1684.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 759 760 761 762 763 764 765 766 767 768 769 844 1055 1266 1477 1688 1899 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]