Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123035) > Сторінка 765 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 760 761 762 763 764 765 766 767 768 769 770 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TC397XP256F300SBDKXUMA2 TC397XP256F300SBDKXUMA2 Infineon Technologies Infineon-TC39x-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b7017140bc3416145f Description: IC MCU 32BIT 16MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 16MB (16M x 8)
RAM Size: 2.52M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit 10-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, LVDS, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-10
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4322.43 грн
10+3444.94 грн
25+3265.79 грн
100+2880.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 448_IGL65R140D2.pdf Description: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 448_IGL65R140D2.pdf Description: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.10 грн
10+153.79 грн
100+107.67 грн
500+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies 448_IGL65R110D2.pdf Description: IGL65R110D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 Infineon Technologies 448_IGL65R110D2.pdf Description: IGL65R110D2XUMA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.04 грн
10+183.42 грн
100+132.63 грн
500+111.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 Infineon Technologies 448_IGL65R080D2.pdf Description: IGL65R080D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 Infineon Technologies 448_IGL65R080D2.pdf Description: IGL65R080D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.53 грн
10+235.43 грн
100+168.78 грн
500+153.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1 IGL65R055D2XUMA1 Infineon Technologies infineon-igl65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1 IGL65R055D2XUMA1 Infineon Technologies infineon-igl65r055d2-datasheet-en.pdf Description: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.17 грн
10+300.95 грн
100+218.13 грн
500+193.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R040CM8XKSA1 IPW65R040CM8XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPW65R040CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d9b8a060d2 Description: IPW65R040CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.31 грн
30+306.94 грн
120+258.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSBHVC13 S25FL512SDSBHVC13 Infineon Technologies Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53 Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 6.5 ns
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Write Cycle Time - Word, Page: 750µs
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 80 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30FPBF IRG4PC30FPBF Infineon Technologies IRSDS10266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP219F1804XTMA1 KP219F1804XTMA1 Infineon Technologies infineon-kp219f1804-datasheet-en.pdf Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV25-167BZI CY7C1370KV25-167BZI Infineon Technologies download Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF24470HV1.3 PEF24470HV1.3 Infineon Technologies Description: MTSI-XL SWITCHING
Packaging: Bulk
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4530.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI303YASEVALBOARDTOBO1 1EDI303YASEVALBOARDTOBO1 Infineon Technologies Infineon-1EDI3035-1EDI3038AS-demoboard-UserManual-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe599d86a82 Description: EVAL BOARD FOR 1EDI3035AS
Embedded: No
Secondary Attributes: On-Board LEDs
Primary Attributes: Isolated
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Gate Driver
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10059.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1400R33HE4BPSA1 FZ1400R33HE4BPSA1 Infineon Technologies Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0 Description: IGBT MODULE 3300V 1400A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1400A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 187 nF @ 25 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+95207.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBF IRF7483MTRPBF Infineon Technologies IRSD-S-A0001021909-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF416RPMC-G-JNE1 CY9BF416RPMC-G-JNE1 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 512KB 120LQFP
Packaging: Tray
Number of I/O: 103
Supplier Device Package: 120-LQFP (16x16)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 16x12b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 144MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-LQFP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF416RPMC-GE1 CY9BF416RPMC-GE1 Infineon Technologies download Description: IC MCU 32BIT 512KB 120LQFP
Number of I/O: 103
Supplier Device Package: 120-LQFP (16x16)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 16x12b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 144MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: GS-065-018-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 GS0650186LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec Description: GS-065-018-6-LR-MR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.14 грн
10+306.47 грн
100+223.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 GS0650116LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: GS-065-011-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 GS0650116LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6 Description: GS-065-011-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.76 грн
10+214.16 грн
100+152.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 GS0650146LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: GS-065-014-6-LR-MR
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+169.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 GS0650146LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9 Description: GS-065-014-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.88 грн
10+253.11 грн
100+182.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+362.90 грн
500+328.49 грн
750+327.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 GS0650306LRMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9 Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.48 грн
10+512.50 грн
100+400.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKB02N60E3266ATMA1 SKB02N60E3266ATMA1 Infineon Technologies SKB02N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Gate Charge: 14 nC
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Switching Energy: 64µJ
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Input Type: Standard
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SKB02N60ATMA1 SKB02N60ATMA1 Infineon Technologies SKB02N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Gate Charge: 14 nC
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Switching Energy: 64µJ
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TMRXUSA1 GS66516TMRXUSA1 Infineon Technologies Description: GS66516T-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TMRXUSA1 GS66516TMRXUSA1 Infineon Technologies Description: GS66516T-MR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TTRXUMA1 GS66516TTRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea Description: GS66516T-TR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TTRXUMA1 GS66516TTRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea Description: GS66516T-TR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: IPB023N03LF2SATMA1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 IPB023N03LF2SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf Description: IPB023N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.68 грн
10+129.69 грн
100+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9944EQA40XUMA1 TLE9944EQA40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e Description: EMBEDDED_POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Controller Series: TLE9944
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Number of I/O: 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+159.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9944EQW40XUMA1 TLE9944EQW40XUMA1 Infineon Technologies Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e Description: EMBEDDED_POWER
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Number of I/O: 5
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Applications: BLDC Controller
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Controller Series: TLE9954
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
RAM Size: 6K x 8
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 BTM9010EPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f Description: BTM9010EPXUMA1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Voltage - Load: 4.5V ~ 40V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 5.2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 BTM9010EPXUMA1 Infineon Technologies Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f Description: BTM9010EPXUMA1
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Voltage - Load: 4.5V ~ 40V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 5.2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+90.29 грн
25+82.20 грн
100+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20719B2KUMLGT CYW20719B2KUMLGT Infineon Technologies Infineon-CYW20719_AIROC_Bluetooth_Bluetooth_LE_system_on_chip_Enhanced_low_power-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f3d08c7a10d3 Description: IC RF TXRX+MCU 40QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 1MB Flash, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.76V ~ 3.63V
Power - Output: 5.5dBm
Protocol: Bluetooth v5.1 + EDR, GLONASS, GPS
Current - Receiving: 5.9mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 5.6mA
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
GPIO: 16
Modulation: 4-DQPSK, 8-DPSK, GFSK, QPSK
Serial Interfaces: GPIO, HCI, I2C, I2S, PWM, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.14 грн
10+419.00 грн
25+396.65 грн
100+343.41 грн
250+326.15 грн
500+313.96 грн
1000+297.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181PBF IR2181PBF Infineon Technologies ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBF IRFI530NPBF Infineon Technologies irfi530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535624411f1f8c Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 28787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TR IRF7470TR Infineon Technologies IRF7470.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3000ZL45X168APT8HPSA1 P3000ZL45X168APT8HPSA1 Infineon Technologies Infineon-P3000ZL45X168-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf5116e40b2 Description: PRESS PACK IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3000A
Supplier Device Package: BG-P16826K-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 390ns/9.8µs
Switching Energy: 8.5J (on), 18J (off)
Test Condition: 2800V, 3000A, 0.5Ohm, 15V
Gate Charge: 60 µC
Current - Collector (Ic) (Max): 3 kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502486.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFLLC500WFULLGANTOBO1 REFLLC500WFULLGANTOBO1 Infineon Technologies Infineon-REF_LLC_500W_FULLGAN-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193ac2faadb4a39 Description: REFLLC500WFULLGANTOBO1
Packaging: Box
Voltage - Output: 22V
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IGC033S101
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 500W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18210.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2607Z AUIRFR2607Z Infineon Technologies auirfr2607z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b217bc146a Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2607ZTRL Infineon Technologies AUIRFR2607Z.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0996NSATMA1 BSC0996NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0996NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d26dc516003 Description: MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-SNERE2 MB95F696KNPMC-G-SNERE2 Infineon Technologies Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 45
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KPMC1-G-SNE2 MB95F698KPMC1-G-SNE2 Infineon Technologies download Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-LQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KWQN-G-SNE1 MB95F698KWQN-G-SNE1 Infineon Technologies download Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KPMC1-G-XXX-UNE2 MB95F698KPMC1-G-XXX-UNE2 Infineon Technologies Description: IC MCU 8BIT FLASH 52LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY95F698KNPMC1-G-UNE2 CY95F698KNPMC1-G-UNE2 Infineon Technologies Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-102-SNE2 MB95F696KNPMC-G-102-SNE2 Infineon Technologies Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 1K x 8
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KNPMC-G109SNERE2 MB95F698KNPMC-G109SNERE2 Infineon Technologies Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C9560A-24AXIT CY8C9560A-24AXIT Infineon Technologies Infineon-CY8C9520A_CY8C9540A_CY8C9560A_20-_40-_and_60-Bit_I_O_Expander_with_EEPROM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd16ae2f29&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr Description: IC XPNDR 100KHZ I2C 100TQFP
Features: EEPROM, POR, PWM, WDT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Number of I/O: 60
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.25V
Clock Frequency: 100 kHz
Interrupt Output: Yes
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Current - Output Source/Sink: 10mA, 25mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1 AIMCQ120R030M1TXTMA1 Infineon Technologies AIMCQ120R030M1T_v1.10_en.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+518.80 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1 AIMCQ120R030M1TXTMA1 Infineon Technologies AIMCQ120R030M1T_v1.10_en.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1067.82 грн
10+723.90 грн
100+611.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 IGC033S101XTMA1 Infineon Technologies Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031 Description: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TC397XP256F300SBDKXUMA2 Infineon-TC39x-DataSheet-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b7017140bc3416145f
TC397XP256F300SBDKXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 16MB FLASH 292LFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 292-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 300MHz
Program Memory Size: 16MB (16M x 8)
RAM Size: 2.52M x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
EEPROM Size: 128K x 8
Core Processor: TriCore™
Core Size: 32-Bit 10-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.97V ~ 5.5V
Connectivity: ASC, CANbus, Ethernet, FlexRay, HSSL, I2C, LINbus, MSC, PSI5, QSPI, SENT
Peripherals: DMA, LVDS, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LFBGA-292-10
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4322.43 грн
10+3444.94 грн
25+3265.79 грн
100+2880.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 448_IGL65R140D2.pdf
IGL65R140D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R140D2XUMA1 448_IGL65R140D2.pdf
IGL65R140D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R140D2XUMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 133 pF @ 400 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.10 грн
10+153.79 грн
100+107.67 грн
500+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 448_IGL65R110D2.pdf
IGL65R110D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R110D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R110D2XUMA1 448_IGL65R110D2.pdf
IGL65R110D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R110D2XUMA1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.3mA
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.04 грн
10+183.42 грн
100+132.63 грн
500+111.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 448_IGL65R080D2.pdf
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R080D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 448_IGL65R080D2.pdf
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGL65R080D2XUMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): -10V
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 1.8mA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+366.53 грн
10+235.43 грн
100+168.78 грн
500+153.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1 infineon-igl65r055d2-datasheet-en.pdf
IGL65R055D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R055D2XUMA1 infineon-igl65r055d2-datasheet-en.pdf
IGL65R055D2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 650V 22A 8TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.9A
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-U06
Vgs (Max): -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 3 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 400 V
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.17 грн
10+300.95 грн
100+218.13 грн
500+193.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R040CM8XKSA1 Infineon-IPW65R040CM8-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019626d9b8a060d2
IPW65R040CM8XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPW65R040CM8XKSA1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-U06
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+546.31 грн
30+306.94 грн
120+258.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SDSBHVC13 Infineon-S25FL512S_512_Mb_(64_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed046ae4b53
S25FL512SDSBHVC13
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 6.5 ns
Memory Interface: SPI - Quad I/O
Write Cycle Time - Word, Page: 750µs
Supplier Device Package: 24-BGA (8x6)
Memory Format: FLASH
Clock Frequency: 80 MHz
Technology: FLASH - NOR (SLC)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG4PC30FPBF IRSDS10266-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG4PC30FPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KP219F1804XTMA1 infineon-kp219f1804-datasheet-en.pdf
KP219F1804XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: INTEGRATED PRESSURE SENS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1370KV25-167BZI download
CY7C1370KV25-167BZI
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 165-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 18Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.375V ~ 2.625V
Technology: SRAM - Synchronous, SDR
Clock Frequency: 167 MHz
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 165-FBGA (13x15)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 3.4 ns
Memory Organization: 512K x 36
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF24470HV1.3
PEF24470HV1.3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MTSI-XL SWITCHING
Packaging: Bulk
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+4530.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI303YASEVALBOARDTOBO1 Infineon-1EDI3035-1EDI3038AS-demoboard-UserManual-v01_40-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01910fe599d86a82
1EDI303YASEVALBOARDTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL BOARD FOR 1EDI3035AS
Embedded: No
Secondary Attributes: On-Board LEDs
Primary Attributes: Isolated
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Gate Driver
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10059.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1400R33HE4BPSA1 Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0
FZ1400R33HE4BPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 3300V 1400A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 1400A (Typ)
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 1400 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 187 nF @ 25 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+95207.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7483MTRPBF IRSD-S-A0001021909-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF7483MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF7483 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3913 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 81A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Packaging: Bulk
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
205+97.72 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF416RPMC-G-JNE1 download
CY9BF416RPMC-G-JNE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB 120LQFP
Packaging: Tray
Number of I/O: 103
Supplier Device Package: 120-LQFP (16x16)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 16x12b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 144MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-LQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY9BF416RPMC-GE1 download
CY9BF416RPMC-GE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 32BIT 512KB 120LQFP
Number of I/O: 103
Supplier Device Package: 120-LQFP (16x16)
Peripherals: DMA, LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, CSIO, EBI/EMI, I2C, LINbus, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.7V ~ 5.5V
Core Size: 32-Bit
Data Converters: A/D 16x12b
Core Processor: ARM® Cortex®-M3
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 64K x 8
Program Memory Size: 512KB (512K x 8)
Speed: 144MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 120-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-018-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650186LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e40492dec
GS0650186LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-018-6-LR-MR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+471.14 грн
10+306.47 грн
100+223.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-011-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+141.73 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650116LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-011-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3a3d2de6
GS0650116LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-011-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.76 грн
10+214.16 грн
100+152.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-014-6-LR-MR
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+169.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650146LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-014-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e3d512de9
GS0650146LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-014-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.88 грн
10+253.11 грн
100+182.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+362.90 грн
500+328.49 грн
750+327.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650306LRMRXUSA1 Infineon-GS-065-030-6-LR-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e5d762df9
GS0650306LRMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+769.48 грн
10+512.50 грн
100+400.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SKB02N60E3266ATMA1 SKB02N60.pdf
SKB02N60E3266ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Gate Charge: 14 nC
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Switching Energy: 64µJ
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Input Type: Standard
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
315+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SKB02N60ATMA1 SKB02N60.pdf
SKB02N60ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 6A TO263-3-2
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Gate Charge: 14 nC
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Switching Energy: 64µJ
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr): 130 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
289+69.13 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TMRXUSA1
GS66516TMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS66516T-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TMRXUSA1
GS66516TMRXUSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS66516T-MR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TTRXUMA1 Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea
GS66516TTRXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS66516T-TR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TTRXUMA1 Infineon-GS66516T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161d33153ea
GS66516TTRXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GS66516T-TR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB023N03LF2SATMA1 infineon-ipb023n03lf2s-datasheet-en.pdf
IPB023N03LF2SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IPB023N03LF2SATMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 119A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.68 грн
10+129.69 грн
100+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9944EQA40XUMA1 Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e
TLE9944EQA40XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED_POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
RAM Size: 6K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Controller Series: TLE9944
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Applications: BLDC Controller
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Number of I/O: 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+159.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9944EQW40XUMA1 Infineon-TLE994x_5x-ProductOverview-ProductOverview-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01953d558e1e6e8e
TLE9944EQW40XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EMBEDDED_POWER
Package / Case: 32-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Number of I/O: 5
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TSDSO-32-1
Core Processor: ARM® Cortex®-M23
Applications: BLDC Controller
Program Memory Type: FLASH (72kB)
Controller Series: TLE9954
Voltage - Supply: 5.5V ~ 29V
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
RAM Size: 6K x 8
Interface: LINbus, SSC, UART/USART
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f
BTM9010EPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTM9010EPXUMA1
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Voltage - Load: 4.5V ~ 40V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 5.2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTM9010EPXUMA1 Infineon-Infineon-BTM901xEP-DS-v01_00-EN-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01912d365ee4326f
BTM9010EPXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BTM9010EPXUMA1
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Motor Type - Stepper: Bipolar
Supplier Device Package: PG-TSDSO-14
Voltage - Load: 4.5V ~ 40V
Technology: NMOS
Applications: General Purpose
Voltage - Supply: 4.5V ~ 40V
Output Configuration: Half Bridge (2)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Interface: PWM
Current - Output: 5.2A
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 14-TSSOP (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+90.29 грн
25+82.20 грн
100+68.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20719B2KUMLGT Infineon-CYW20719_AIROC_Bluetooth_Bluetooth_LE_system_on_chip_Enhanced_low_power-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c85ecb3470185f3d08c7a10d3
CYW20719B2KUMLGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU 40QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 40-UFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -95.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Memory Size: 1MB Flash, 448kB RAM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.76V ~ 3.63V
Power - Output: 5.5dBm
Protocol: Bluetooth v5.1 + EDR, GLONASS, GPS
Current - Receiving: 5.9mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 5.6mA
Supplier Device Package: 40-QFN (5x5)
GPIO: 16
Modulation: 4-DQPSK, 8-DPSK, GFSK, QPSK
Serial Interfaces: GPIO, HCI, I2C, I2S, PWM, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+502.14 грн
10+419.00 грн
25+396.65 грн
100+343.41 грн
250+326.15 грн
500+313.96 грн
1000+297.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181PBF ir2181.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c93cdd16ce
IR2181PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 40ns, 20ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.9A, 2.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBF irfi530npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535624411f1f8c
IRFI530NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 28787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
317+62.57 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7470TR IRF7470.pdf
IRF7470TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
P3000ZL45X168APT8HPSA1 Infineon-P3000ZL45X168-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017facf5116e40b2
P3000ZL45X168APT8HPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: PRESS PACK IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: DO-200AE
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3000A
Supplier Device Package: BG-P16826K-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 390ns/9.8µs
Switching Energy: 8.5J (on), 18J (off)
Test Condition: 2800V, 3000A, 0.5Ohm, 15V
Gate Charge: 60 µC
Current - Collector (Ic) (Max): 3 kA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+502486.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
REFLLC500WFULLGANTOBO1 Infineon-REF_LLC_500W_FULLGAN-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93956f500193ac2faadb4a39
REFLLC500WFULLGANTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: REFLLC500WFULLGANTOBO1
Packaging: Box
Voltage - Output: 22V
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: IGC033S101
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 1 Isolated Output
Power - Output: 500W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18210.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2607Z auirfr2607z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b217bc146a
AUIRFR2607Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR2607ZTRL AUIRFR2607Z.pdf
AUIRFR2607ZTRL
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0996NSATMA1 Infineon-BSC0996NS-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101598d26dc516003
BSC0996NSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 13A TDSON-8-5
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-SNERE2 Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf
MB95F696KNPMC-G-SNERE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 16MHz
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
RAM Size: 1K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: F²MC-8FX
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Size: 8-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Number of I/O: 45
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KPMC1-G-SNE2 download
MB95F698KPMC1-G-SNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-LQFP
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KWQN-G-SNE1 download
MB95F698KWQN-G-SNE1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48QFN
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-QFN (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-WFQFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KPMC1-G-XXX-UNE2
MB95F698KPMC1-G-XXX-UNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT FLASH 52LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY95F698KNPMC1-G-UNE2
CY95F698KNPMC1-G-UNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 52LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 52-LQFP (10x10)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 52-LQFP
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F696KNPMC-G-102-SNE2 Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf
MB95F696KNPMC-G-102-SNE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 36KB FLASH 48LQFP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 1K x 8
Program Memory Size: 36KB (36K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MB95F698KNPMC-G109SNERE2 Prod_Selector_Guide_11-25-15.pdf
MB95F698KNPMC-G109SNERE2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 8BIT 60KB FLASH 48LQFP
Number of I/O: 45
Supplier Device Package: 48-LQFP (7x7)
Peripherals: LVD, POR, PWM, WDT
Connectivity: I2C, LINbus, SIO, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2.88V ~ 5.5V
Core Size: 8-Bit
Data Converters: A/D 12x8/10b
Core Processor: F²MC-8FX
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 2K x 8
Program Memory Size: 60KB (60K x 8)
Speed: 16MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-LQFP
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C9560A-24AXIT Infineon-CY8C9520A_CY8C9540A_CY8C9560A_20-_40-_and_60-Bit_I_O_Expander_with_EEPROM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebd16ae2f29&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integr
CY8C9560A-24AXIT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC XPNDR 100KHZ I2C 100TQFP
Features: EEPROM, POR, PWM, WDT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 100-LQFP
Output Type: Open Drain
Mounting Type: Surface Mount
Interface: I2C
Number of I/O: 60
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 5.25V
Clock Frequency: 100 kHz
Interrupt Output: Yes
Supplier Device Package: 100-TQFP (14x14)
Current - Output Source/Sink: 10mA, 25mA
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1 AIMCQ120R030M1T_v1.10_en.pdf
AIMCQ120R030M1TXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+518.80 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMCQ120R030M1TXTMA1 AIMCQ120R030M1T_v1.10_en.pdf
AIMCQ120R030M1TXTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1067.82 грн
10+723.90 грн
100+611.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGC033S101XTMA1 Infineon-IGC033S101-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8eeb092c018fa5cc78577031
IGC033S101XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MV GAN DISCRETES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 8mA
Supplier Device Package: PG-VSON-6-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±6.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 410 615 760 761 762 763 764 765 766 767 768 769 770 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]