Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25942) > Сторінка 316 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ICL8800XUMA1 ICL8800XUMA1 INFINEON Infineon-ICL88xx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f986b8e108a2 Description: INFINEON - ICL8800XUMA1 - LED-Treiber, AC/DC, 150kHz, Konstantspannung/Flyback, PG-DSO-8, SMD
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PG-DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 90V
Topologie: Konstantspannung, Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1 IGLD60R190D1AUMA1 INFINEON 2921004.pdf Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+420.15 грн
10+387.00 грн
100+353.85 грн
500+313.61 грн
1000+222.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1 BSC0302LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC0302LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b866a8713cd Description: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.46 грн
10+150.50 грн
100+119.15 грн
500+93.17 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON INFNS27219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.70 грн
50+54.20 грн
250+35.65 грн
1000+21.38 грн
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGATMA1 INFINEON BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050 Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+54.11 грн
24+38.07 грн
100+26.79 грн
500+18.30 грн
1000+14.05 грн
5000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+147.81 грн
10+101.23 грн
100+69.52 грн
500+51.16 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON 2883917.pdf Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.81 грн
10+141.54 грн
100+109.29 грн
500+87.34 грн
1000+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGATMA1 INFINEON BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 INFINEON INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+81.25 грн
14+68.26 грн
100+43.36 грн
500+33.61 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.92 грн
10+220.38 грн
100+172.00 грн
500+148.07 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.29 грн
14+68.80 грн
100+45.51 грн
500+33.36 грн
1000+25.88 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1 BSC0704LSATMA1 INFINEON 3049652.pdf Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.96 грн
19+49.09 грн
100+39.95 грн
500+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSGATMA1 INFINEON BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316 Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+26.61 грн
43+21.14 грн
100+19.44 грн
500+17.72 грн
1000+16.05 грн
5000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 IAUC70N08S5N074ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013 Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.52 грн
500+51.16 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON 2883921.pdf Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+111.08 грн
11+86.09 грн
100+62.44 грн
500+49.08 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON 2876051.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+85.01 грн
16+59.57 грн
100+48.02 грн
500+39.18 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8820XUMA1 ICL8820XUMA1 INFINEON 3328475.pdf Description: INFINEON - ICL8820XUMA1 - LED-Treiber, AC/DC, 150kHz, Konstantspannung/Flyback, PG-DSO-8, SMD
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 150kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: PG-DSO
Bausteintopologie: Konstantspannung, Flyback
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 90V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+46.94 грн
23+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSGATMA1 INFINEON BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321 Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.03 грн
23+40.49 грн
100+31.18 грн
500+24.54 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON 2876051.pdf Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.02 грн
500+39.18 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 IAUS200N08S5N023ATMA1 INFINEON 2883919.pdf Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+172.00 грн
500+148.07 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON 2883917.pdf Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.29 грн
500+87.34 грн
1000+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 INFINEON 2883922.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.75 грн
20+46.22 грн
100+44.34 грн
500+37.27 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC60N04S6N044ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5 Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.51 грн
500+33.36 грн
1000+25.88 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 IAUZ30N10S5L240ATMA1 INFINEON 2883921.pdf Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.44 грн
500+49.08 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 INFINEON 2883922.pdf Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.39 грн
500+34.94 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1 IGLD60R190D1AUMA1 INFINEON 2921004.pdf Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+387.00 грн
100+353.85 грн
500+313.61 грн
1000+222.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 BSC0803LSATMA1 INFINEON Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+109.29 грн
12+76.95 грн
100+57.42 грн
500+49.16 грн
1000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 INFINEON Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19 Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+145.12 грн
10+101.23 грн
100+72.47 грн
500+53.40 грн
1000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 IPG20N06S415ATMA2 INFINEON Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19 Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.47 грн
500+53.40 грн
1000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LSGATMA1 INFINEON BSC883N03LS_G.pdf BSC883N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
FM18W08-SGTR FM18W08-SGTR INFINEON CYPR-S-A0001415566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FM18W08-SGTR - FRAM, 256kB (32K x 8), parallel, 70ns Zugriffszeit, 2.7V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1014.08 грн
10+941.52 грн
25+911.96 грн
50+826.02 грн
100+744.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42702GATMA1 TLE42702GATMA1 INFINEON 2060022.pdf Description: INFINEON - TLE42702GATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 42V, 350mV Dropout, 5Vout, 650mAout, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 650mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 650mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 650mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+220.38 грн
10+163.94 грн
50+149.60 грн
100+124.78 грн
250+109.04 грн
500+105.20 грн
1000+96.75 грн
2500+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 BAV99SH6327XTSA1 INFINEON INFNS11225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAV99SH6327XTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+41.03 грн
30+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-022001-PROG CYBLE-022001-PROG INFINEON 3812096.pdf Description: INFINEON - CYBLE-022001-PROG - Programmier-Kit, EZ-BLE-Modul, PSoC, I2C, SPI, UART, I2S-Schnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BLE-Modul, CYBLE-022001-PROG
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterstützte Produktfamilien: PSoC
Merkmale: Zwei serielle Kommunikationsblöcke unterstützen I2C-, SPI-, UART-, I2S-Schnittstelle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17068.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C10612G30-10ZSXI CY7C10612G30-10ZSXI INFINEON Infineon-CY7C10612G_CY7C10612GE_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3fea63963&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Description: INFINEON - CY7C10612G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-II, 54 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1729.85 грн
10+1614.29 грн
25+1563.23 грн
50+1416.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 116145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.28 грн
1000+5.86 грн
7500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SPHXUMA1 INFINEON BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058 Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+135.27 грн
10+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1 IPG20N06S2L35ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.60 грн
11+84.66 грн
100+61.45 грн
500+43.76 грн
1000+36.93 грн
5000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S2GORADARBGT60LTR11TOBO1 S2GORADARBGT60LTR11TOBO1 INFINEON 3968039.pdf Description: INFINEON - S2GORADARBGT60LTR11TOBO1 - Evaluationsboard, BGT60LTR11AIP, Radarsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BGT60LTR11AIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2805.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBGT60LTR11AIPTOBO1 DEMOBGT60LTR11AIPTOBO1 INFINEON 3177219.pdf Description: INFINEON - DEMOBGT60LTR11AIPTOBO1 - Entwicklungsboard, BGT60LTR11AIP, Sensor, Radar, 60GHz
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT60LTR11AIP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60LTR11AIP
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10780.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS2113STR AUIRS2113STR INFINEON 1238399.pdf Description: INFINEON - AUIRS2113STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 2.5Aout, 120ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+281.80 грн
250+275.66 грн
500+269.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS2113STR AUIRS2113STR INFINEON 1238399.pdf Description: INFINEON - AUIRS2113STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 2.5Aout, 120ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.44 грн
10+350.27 грн
25+343.10 грн
50+311.94 грн
100+281.80 грн
250+275.66 грн
500+269.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 IPD053N08N3GATMA1 INFINEON INFNS30232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+108.40 грн
10+93.17 грн
100+86.27 грн
500+72.62 грн
1000+64.73 грн
5000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1 IPD50P04P413ATMA1 INFINEON INFNS16980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.23 грн
50+70.50 грн
100+54.65 грн
500+42.67 грн
1000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+329.67 грн
10+242.77 грн
50+222.17 грн
200+187.17 грн
500+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1 IPD50P04P4L11ATMA1 INFINEON INFNS16981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.67 грн
50+80.27 грн
100+62.44 грн
500+49.16 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 IPD320N20N3GATMA1 INFINEON INFNS16305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.19 грн
10+180.96 грн
100+138.85 грн
500+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+399.54 грн
10+283.98 грн
100+225.75 грн
500+202.97 грн
1000+152.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3ATMA1 INFINEON IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158 Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+411.19 грн
10+289.35 грн
100+206.94 грн
500+182.17 грн
1000+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPB081N06L3GATMA1 INFINEON IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2 Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.77 грн
11+81.88 грн
100+59.04 грн
500+53.99 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1 IPB120P04P4L03ATMA1 INFINEON INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.90 грн
10+223.06 грн
50+165.73 грн
200+128.10 грн
500+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+426.42 грн
10+368.19 грн
50+338.62 грн
200+286.99 грн
500+236.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+47.66 грн
50+33.86 грн
100+30.91 грн
500+25.87 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3 Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.90 грн
50+138.85 грн
100+94.96 грн
500+70.71 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 IPD60R950C6ATMA1 INFINEON Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6 Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+66.38 грн
29+31.71 грн
100+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON INFNS15805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPB600N25N3GATMA1 INFINEON IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.06 грн
10+189.92 грн
50+171.10 грн
200+128.10 грн
500+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+107.50 грн
50+76.59 грн
100+55.72 грн
500+41.26 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 INFINEON INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.46 грн
10+247.25 грн
50+221.27 грн
200+180.51 грн
500+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+229.33 грн
50+143.33 грн
100+112.88 грн
500+91.50 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8800XUMA1 Infineon-ICL88xx-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f986b8e108a2
ICL8800XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8800XUMA1 - LED-Treiber, AC/DC, 150kHz, Konstantspannung/Flyback, PG-DSO-8, SMD
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: PG-DSO
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 150kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 90V
Topologie: Konstantspannung, Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1 2921004.pdf
IGLD60R190D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+420.15 грн
10+387.00 грн
100+353.85 грн
500+313.61 грн
1000+222.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0302LSATMA1 Infineon-BSC0302LS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708b866a8713cd
BSC0302LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0302LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 99 A, 0.0065 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.46 грн
10+150.50 грн
100+119.15 грн
500+93.17 грн
1000+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 INFNS27219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC050N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+87.70 грн
50+54.20 грн
250+35.65 грн
1000+21.38 грн
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3E+G_2.1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304324fc7f9a0124fdf6df190050
BSZ180P03NS3EGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ180P03NS3EGATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39.6 A, 0.0135 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 25959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+54.11 грн
24+38.07 грн
100+26.79 грн
500+18.30 грн
1000+14.05 грн
5000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013
IAUC70N08S5N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+147.81 грн
10+101.23 грн
100+69.52 грн
500+51.16 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 2883917.pdf
IAUC100N08S5N043ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.81 грн
10+141.54 грн
100+109.29 грн
500+87.34 грн
1000+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LS_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304313b8b5a60113d4035f8203fc
BSZ130N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ130N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 INFNS15774-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ120P03NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+81.25 грн
14+68.26 грн
100+43.36 грн
500+33.61 грн
1000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 2883919.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.92 грн
10+220.38 грн
100+172.00 грн
500+148.07 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
IAUC60N04S6N044ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.29 грн
14+68.80 грн
100+45.51 грн
500+33.36 грн
1000+25.88 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1 3049652.pdf
BSC0704LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.96 грн
19+49.09 грн
100+39.95 грн
500+31.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ100N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de38a27f0316
BSZ100N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0091 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.61 грн
43+21.14 грн
100+19.44 грн
500+17.72 грн
1000+16.05 грн
5000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC70N08S5N074ATMA1 Infineon-IAUC70N08S5N074-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a531f6aa0013
IAUC70N08S5N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC70N08S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0066 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+69.52 грн
500+51.16 грн
1000+39.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 2883921.pdf
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+111.08 грн
11+86.09 грн
100+62.44 грн
500+49.08 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 2876051.pdf
IAUC100N04S6N028ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.01 грн
16+59.57 грн
100+48.02 грн
500+39.18 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8820XUMA1 3328475.pdf
ICL8820XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8820XUMA1 - LED-Treiber, AC/DC, 150kHz, Konstantspannung/Flyback, PG-DSO-8, SMD
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 150kHz
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 300V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: PG-DSO
Bausteintopologie: Konstantspannung, Flyback
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 90V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.94 грн
23+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ130N03MSGATMA1 BSZ130N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113de3b1fda0321
BSZ130N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ130N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.0092 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.03 грн
23+40.49 грн
100+31.18 грн
500+24.54 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 2876051.pdf
IAUC100N04S6N028ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N04S6N028ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2210 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 62W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00221ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2210µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.02 грн
500+39.18 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUS200N08S5N023ATMA1 2883919.pdf
IAUS200N08S5N023ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUS200N08S5N023ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1800 µohm, PG-HSOG, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: PG-HSOG
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+172.00 грн
500+148.07 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 2883917.pdf
IAUC100N08S5N043ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC100N08S5N043ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0036 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0036ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.29 грн
500+87.34 грн
1000+71.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 2883922.pdf
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.75 грн
20+46.22 грн
100+44.34 грн
500+37.27 грн
1000+32.56 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6N044-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c8843d110a5
IAUC60N04S6N044ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N04S6N044ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 3530 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3530µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.51 грн
500+33.36 грн
1000+25.88 грн
5000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N10S5L240ATMA1 2883921.pdf
IAUZ30N10S5L240ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ30N10S5L240ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0195 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 45.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45.5W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0195ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.44 грн
500+49.08 грн
1000+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 2883922.pdf
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N10S5N130ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0108 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0108ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.39 грн
500+34.94 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R190D1AUMA1 2921004.pdf
IGLD60R190D1AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R190D1AUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-LSON-8-1, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.14ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.2nC
Bauform - Transistor: PG-LSON-8-1
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CollGaN-Series
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+387.00 грн
100+353.85 грн
500+313.61 грн
1000+222.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0803LSATMA1 Infineon-BSC0803LS-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601708712944b1d3c
BSC0803LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0803LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+109.29 грн
12+76.95 грн
100+57.42 грн
500+49.16 грн
1000+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19
IPG20N06S415ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+145.12 грн
10+101.23 грн
100+72.47 грн
500+53.40 грн
1000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S415ATMA2 Infineon-IPG20N06S4_15-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf657f886c19
IPG20N06S415ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S415ATMA2 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.0129 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS -T2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0129ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 50W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.47 грн
500+53.40 грн
1000+41.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC883N03LSGATMA1 BSC883N03LS_G.pdf BSC883N03LS_G.pdf
BSC883N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC883N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 98 A, 0.0032 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+19.89 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
FM18W08-SGTR CYPR-S-A0001415566-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FM18W08-SGTR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FM18W08-SGTR - FRAM, 256kB (32K x 8), parallel, 70ns Zugriffszeit, 2.7V bis 5.5V Versorgungsspannung, SOIC-28
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1014.08 грн
10+941.52 грн
25+911.96 грн
50+826.02 грн
100+744.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42702GATMA1 2060022.pdf
TLE42702GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE42702GATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 42V, 350mV Dropout, 5Vout, 650mAout, TO-263-5
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 650mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 5V 650mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 650mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+220.38 грн
10+163.94 грн
50+149.60 грн
100+124.78 грн
250+109.04 грн
500+105.20 грн
1000+96.75 грн
2500+92.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99SH6327XTSA1 INFNS11225-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAV99SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAV99SH6327XTSA1 - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAV99
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+41.03 грн
30+30.64 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-022001-PROG 3812096.pdf
CYBLE-022001-PROG
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-022001-PROG - Programmier-Kit, EZ-BLE-Modul, PSoC, I2C, SPI, UART, I2S-Schnittstelle
tariffCode: 85371091
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Programmier-Kit, EZ-BLE-Modul, CYBLE-022001-PROG
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterstützte Produktfamilien: PSoC
Merkmale: Zwei serielle Kommunikationsblöcke unterstützen I2C-, SPI-, UART-, I2S-Schnittstelle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+17068.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C10612G30-10ZSXI Infineon-CY7C10612G_CY7C10612GE_16-Mbit_(1_M_16)_Static_RAM-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec3fea63963&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
CY7C10612G30-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C10612G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 16 Mbit, 1M x 16 Bit, TSOP-II, 54 Pin(s), 3 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 16Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 54Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 1M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1729.85 грн
10+1614.29 грн
25+1563.23 грн
50+1416.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 116145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+7.28 грн
1000+5.86 грн
7500+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSO201SPHXUMA1 BSO201SP_H_1.32.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304325afd6e001261dc80c426058
BSO201SPHXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSO201SPHXUMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12 A, 0.0067 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+135.27 грн
10+102.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon-IPG20N06S2L_35-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a30432313ff5e0123a3b9596f2692&ack=t
IPG20N06S2L35ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S2L35ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 65W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 55V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 65W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.60 грн
11+84.66 грн
100+61.45 грн
500+43.76 грн
1000+36.93 грн
5000+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S2GORADARBGT60LTR11TOBO1 3968039.pdf
S2GORADARBGT60LTR11TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S2GORADARBGT60LTR11TOBO1 - Evaluationsboard, BGT60LTR11AIP, Radarsensor
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BGT60LTR11AIP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2805.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DEMOBGT60LTR11AIPTOBO1 3177219.pdf
DEMOBGT60LTR11AIPTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DEMOBGT60LTR11AIPTOBO1 - Entwicklungsboard, BGT60LTR11AIP, Sensor, Radar, 60GHz
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
Leiterplatte: Demoboard
Lieferumfang des Kits: Demoboard BGT60LTR11AIP
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Radarsensor
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: BGT60LTR11AIP
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10780.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS2113STR 1238399.pdf
AUIRS2113STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS2113STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 2.5Aout, 120ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+281.80 грн
250+275.66 грн
500+269.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRS2113STR 1238399.pdf
AUIRS2113STR
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRS2113STR - MOSFET-Treiber, High-Side und Low-Side, 10V-20V Versorgung, 2.5Aout, 120ns Verzögerung, WSOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+357.44 грн
10+350.27 грн
25+343.10 грн
50+311.94 грн
100+281.80 грн
250+275.66 грн
500+269.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD053N08N3GATMA1 INFNS30232-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD053N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD053N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 90 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+108.40 грн
10+93.17 грн
100+86.27 грн
500+72.62 грн
1000+64.73 грн
5000+62.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P413ATMA1 INFNS16980-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50P04P413ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P413ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 21619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.23 грн
50+70.50 грн
100+54.65 грн
500+42.67 грн
1000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB027N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+329.67 грн
10+242.77 грн
50+222.17 грн
200+187.17 грн
500+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50P04P4L11ATMA1 INFNS16981-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD50P04P4L11ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50P04P4L11ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 120869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+114.67 грн
50+80.27 грн
100+62.44 грн
500+49.16 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD320N20N3GATMA1 INFNS16305-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.19 грн
10+180.96 грн
100+138.85 грн
500+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 INFN-S-A0002263283-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB025N08N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+399.54 грн
10+283.98 грн
100+225.75 грн
500+202.97 грн
1000+152.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT020N10N3ATMA1 IPT020N10N3_Rev1.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433e9d5d11013e9e58035b0158
IPT020N10N3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT020N10N3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 2000 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+411.19 грн
10+289.35 грн
100+206.94 грн
500+182.17 грн
1000+165.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3GATMA1 IPP_B084N06L3_Rev2.21.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4592273f7db2
IPB081N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB081N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 8100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.77 грн
11+81.88 грн
100+59.04 грн
500+53.99 грн
1000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P4L03ATMA1 INFNS17036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB120P04P4L03ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB120P04P4L03ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.90 грн
10+223.06 грн
50+165.73 грн
200+128.10 грн
500+108.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 INFN-S-A0001441227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB010N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB010N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.001 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+426.42 грн
10+368.19 грн
50+338.62 грн
200+286.99 грн
500+236.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 INFNS16588-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD090N03LGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.66 грн
50+33.86 грн
100+30.91 грн
500+25.87 грн
1000+21.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a97343b4cf3
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD034N06N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+215.90 грн
50+138.85 грн
100+94.96 грн
500+70.71 грн
1000+62.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R950C6ATMA1 Infineon-IPD60R950C6-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433ee50ba8013ef00bb8dd26c6
IPD60R950C6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD60R950C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5.7 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+66.38 грн
29+31.71 грн
100+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 INFNS15805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB034N06L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.0034 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB600N25N3GATMA1 IPP_B_600N25N3+G+Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496c9548d199c
IPB600N25N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB600N25N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.06 грн
10+189.92 грн
50+171.10 грн
200+128.10 грн
500+99.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.50 грн
50+76.59 грн
100+55.72 грн
500+41.26 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180P04P4L02ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+374.46 грн
10+247.25 грн
50+221.27 грн
200+180.51 грн
500+145.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+229.33 грн
50+143.33 грн
100+112.88 грн
500+91.50 грн
1000+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 311 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 344 387 430 433  [ Наступна Сторінка >> ]