| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IPA65R190CFDXKSA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 34W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPSA70R450P7SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R2K0P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21.2W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R900P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32.1W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R1K2P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 25.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25.5W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R1K4P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R2K0P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 21.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 21.2W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R1K2P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 25.5W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R1K4P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 22.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R600P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 46.3W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R600P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 46.3W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 4481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPLK70R900P7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 32.1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 32.1W Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPSA70R2K0P7SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 17.6W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPSA70R360P7SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPD70R1K4P7SAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.7W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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IPD70R1K4CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPD65R600E6ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 63W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPB65R190CFDATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm |
на замовлення 1775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IPW65R110CFDFKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 277.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 277.8W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRLR2908TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 120W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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SN7002IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SN7002WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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SN7002WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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SN7002IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 360mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
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TDA5235XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TDA5235XUMA1 - RKE-System, HF, 902MHz-928MHz, ASK, FSK, -117dBm, 3V-3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-28 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform - HF-IC: TSSOP hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungen HF-Empfänger: RKE-Systeme (schlüssellose Entriegelung mit Fernbedienung), Reifendruckkontrollsysteme (TPMS) isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 3 - 168 Stunden HF-Primärfunktion: Empfänger Frequenz, min.: 902MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V Empfangsstrom: 15mA Empfindlichkeit (dBm): -117dBm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 HF/IF-Modulation: ASK, FSK Anzahl der Pins: 28Pin(s) Übertragungsrate: - Frequenzgang HF, max.: 928MHz Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Frequenzgang HF, min.: 902MHz Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 928MHz Betriebstemperatur, max.: 105°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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FS450R12OE4B81BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS450R12OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.76 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.76V Dauer-Kollektorstrom: 450A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.76V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK TrenchStop Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 450A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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FS300R17OE4B81BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS300R17OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.95 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 300A Produktpalette: EconoPACK TrenchStop Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 300A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2ED020I12F2XUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED020I12F2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, 30ns/50ns Verzögerung, SOIC-36 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 2A Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: - Ausgabeverzögerung: - Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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BFR460L3E6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR460L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, TSLP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TSLP Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 22GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 29635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BTS712204ESAXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 9500µohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: N Strombegrenzung: 5A IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 13.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 31628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BTS712204ESAXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 9500µohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Strombegrenzung: 5A IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 13.5V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge |
на замовлення 31628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BAR8802VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Sperrspannung: 80V Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.3pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR88 productTraceability: No usEccn: EAR99 Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.6ohm |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BAR8802VH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SC-79 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach isCanonical: N Sperrspannung: 80V Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Durchlassspannung: 1.2V Diodenkapazität: 0.3pF Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BAR88 productTraceability: No usEccn: EAR99 Durchlassstrom: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Widerstand bei If: 0.6ohm |
на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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CYPM1111-40LQXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPM1111-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 8 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 2.75V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: EZ-PD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 12KB MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S1 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 17I/O(s) Anzahl der Pins: 40Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 4845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CYPM1211-40LQXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPM1211-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 8 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 128KB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: EZ-PD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 8KB MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S2 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s) Anzahl der Pins: 40Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 4870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CYPM1311-48LDXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPM1311-48LDXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VQFN MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 5Kanäle Programmspeichergröße: 256KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: EZ-PD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 32KB MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 26I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CYPM1011-24LQXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPM1011-24LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 8 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: - Programmspeichergröße: 64KB Versorgungsspannung, min.: 2.7V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: EZ-PD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 8KB MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S0 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s) Anzahl der Pins: 24Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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CYPM1322-97BZXI | INFINEON |
Description: INFINEON - CYPM1322-97BZXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: ARM Cortex-M0+ hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 10Kanäle Programmspeichergröße: 256KB Versorgungsspannung, min.: 1.71V Betriebsfrequenz, max.: 48MHz MCU-Familie: EZ-PD SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) RAM-Speichergröße: 32KB MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s) Anzahl der Pins: 97Pin(s) Datenbusbreite: 32 Bit Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.a.2 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRL7472L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 341W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm |
на замовлення 2245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRF7779L2TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 67A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRL7472L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 11Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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AUIRF7675M2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: DirectFET M2 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AUIRF7759L2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
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AUIRF7675M2TR | INFINEON |
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: DirectFET M2 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRF7769L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm |
на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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IRF7759L2TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRF7759L2TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 125W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSP762TXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP762TXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 7A, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.1ohm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y Strombegrenzung: 7A IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side Eingangsspannung: 10V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
на замовлення 9140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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IRFZ44NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 94W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm |
на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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1EDI60H12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 120ns Ausgabeverzögerung: 125ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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1EDI60I12AHXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 3.3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 300ns Ausgabeverzögerung: 300ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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2ED020I06FIXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 2ED020I06FIXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 1A, 14-18V Versorgungsspannung, 85ns/85ns Verzögerung, SOIC-18 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 14V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 85ns Ausgabeverzögerung: 85ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BAS4002ARPPE6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BAS4002ARPPE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Baureihe BAx, Eine Phase, 40 V, 200 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 790 mV tariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 2A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 790mV Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: BAS400 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSC0921NDIATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSC0921NDIATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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BSS127H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSS127H6327XTSA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 78 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSS127IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 500mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
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BSS127IXTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 500mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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XC886CM8FFI5VACFXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - XC886CM8FFI5VACFXUMA1 - 8-Bit-MCU, XC800 Family XC88X Series Microcontrollers, 8051, 24 MHz, 32 KB, 48 Pin(s), TQFP tariffCode: 85423190 euEccn: NLR rohsCompliant: YES ADC-Auflösung: 10 Bit IC-Montage: Oberflächenmontage Bausteinkern: 8051 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: TQFP MSL: MSL 3 - 168 Stunden Betriebstemperatur, min.: -40°C ADC-Kanäle: 8Kanäle Programmspeichergröße: 32KB Versorgungsspannung, min.: 2.3V Betriebsfrequenz, max.: 24MHz MCU-Familie: XC SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) RAM-Speichergröße: 1.75KB MCU-Baureihe: XC88x Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s) Anzahl der Pins: 48Pin(s) Produktpalette: XC800 Family XC88X Series Microcontrollers productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 2.7V Schnittstellen: CAN, SPI, UART Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPA65R190CFDXKSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPA65R190CFDXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPSA70R450P7SAKMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPSA70R450P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R2K0P7ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R900P7ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R1K2P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R1K4P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R2K0P7ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPLK70R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.1 A, 1.64 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 21.2W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R1K2P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPLK70R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.4 A, 0.98 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 25.5W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R1K4P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 22.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IPLK70R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3.9 A, 1.15 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R600P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 46.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.49ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R600P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPLK70R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.4 A, 0.49 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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Verlustleistung: 46.3W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPLK70R900P7ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPLK70R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.7 A, 0.74 ohm, ThinPAK 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 32.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32.1W
Bauform - Transistor: ThinPAK 5x6
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.74ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPSA70R2K0P7SAKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPSA70R2K0P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17.6W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPSA70R360P7SAKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPSA70R360P7SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD70R1K4P7SAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD70R1K4P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD70R1K4CEAUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IPD70R1K4CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 5.4 A, 1.26 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.26ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPD65R600E6ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IPD65R600E6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 7.3 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPB65R190CFDATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
Description: INFINEON - IPB65R190CFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 17.5 A, 0.171 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.171ohm
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPW65R110CFDFKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IPW65R110CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 31.2 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 277.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 277.8W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.099ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRLR2908TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: INFINEON - IRLR2908TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.028 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SN7002IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SN7002WH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SN7002WH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SN7002WH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 5 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SN7002IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - SN7002IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 360mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| TDA5235XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TDA5235XUMA1 - RKE-System, HF, 902MHz-928MHz, ASK, FSK, -117dBm, 3V-3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: RKE-Systeme (schlüssellose Entriegelung mit Fernbedienung), Reifendruckkontrollsysteme (TPMS)
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 902MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: 15mA
Empfindlichkeit (dBm): -117dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 902MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Description: INFINEON - TDA5235XUMA1 - RKE-System, HF, 902MHz-928MHz, ASK, FSK, -117dBm, 3V-3.6V Versorgungsspannung, TSSOP-28
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: TSSOP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungen HF-Empfänger: RKE-Systeme (schlüssellose Entriegelung mit Fernbedienung), Reifendruckkontrollsysteme (TPMS)
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
HF-Primärfunktion: Empfänger
Frequenz, min.: 902MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Empfangsstrom: 15mA
Empfindlichkeit (dBm): -117dBm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
HF/IF-Modulation: ASK, FSK
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: -
Frequenzgang HF, max.: 928MHz
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Frequenzgang HF, min.: 902MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 928MHz
Betriebstemperatur, max.: 105°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| FS450R12OE4B81BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS450R12OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.76 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.76V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.76V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - FS450R12OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.76 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.76V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.76V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FS300R17OE4B81BPSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS300R17OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FS300R17OE4B81BPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 300 A, 1.95 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 300A
Produktpalette: EconoPACK TrenchStop
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 300A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2ED020I12F2XUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED020I12F2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, 30ns/50ns Verzögerung, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 2ED020I12F2XUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side & Low-Side, 2A, 4.5-5.5V Versorgungsspannung, 30ns/50ns Verzögerung, SOIC-36
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 2A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: -
Ausgabeverzögerung: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BFR460L3E6327XTMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR460L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 22GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BFR460L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.5 V, 22 GHz, 200 mW, 50 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSLP
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 22GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 29635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTS712204ESAXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 31628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BTS712204ESAXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
Description: INFINEON - BTS712204ESAXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, SPOC +2, 4 Ausgänge, 13.5V, 5A, 0.0095 Ohm, TSDSO-EP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 9500µohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 5A
IC-Gehäuse / Bauform: TSDSO-EP
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 13.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TSDSO-EP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 4Ausgänge
на замовлення 31628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAR8802VH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Sperrspannung: 80V
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Sperrspannung: 80V
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAR8802VH6327XTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
Sperrspannung: 80V
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
Description: INFINEON - BAR8802VH6327XTSA1 - HF/pin-Diode, Einfach, 0.6 ohm, 80 V, SC-79, 2 Pins, 0.3 pF
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
isCanonical: N
Sperrspannung: 80V
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Durchlassspannung: 1.2V
Diodenkapazität: 0.3pF
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: BAR88
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Durchlassstrom: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Widerstand bei If: 0.6ohm
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPM1111-40LQXI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1111-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 17I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYPM1111-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.75V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 12KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S1
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 17I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S1 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPM1211-40LQXI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1211-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S2
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYPM1211-40LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 128 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 128KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S2
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 20I/O(s)
Anzahl der Pins: 40Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S2 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPM1311-48LDXI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1311-48LDXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 26I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYPM1311-48LDXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 5Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 26I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPM1011-24LQXI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1011-24LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S0
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYPM1011-24LQXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 48 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 8KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S0
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S0 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CYPM1322-97BZXI |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPM1322-97BZXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - CYPM1322-97BZXI - ARM-MCU, EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0+, 32 Bit, 48 MHz, 256 KB
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 8 Bit, 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0+
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 10Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: EZ-PD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
RAM-Speichergröße: 32KB
MCU-Baureihe: Produktreihe PMG1-S3
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 97Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: EZ-PD Family PMG1-S3 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.a.2
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRL7472L1TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 341W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7779L2TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - IRF7779L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 67 A, 0.011 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRL7472L1TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRL7472L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 450 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 11Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRF7675M2TR |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRF7759L2TR |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
Description: INFINEON - AUIRF7759L2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 2300 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AUIRF7675M2TR |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AUIRF7675M2TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.047 ohm, DirectFET M2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: DirectFET M2
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7769L1TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
Description: INFINEON - IRF7769L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 375 A, 3500 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7759L2TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRF7759L2TRPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - IRF7759L2TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 160 A, 0.0018 ohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 125W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSP762TXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP762TXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 7A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 7A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: INFINEON - BSP762TXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, High-Side, 1 Ausgang, 7A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.1ohm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 7A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 10V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: SOIC
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 9140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFZ44NSTRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
Description: INFINEON - IRFZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 49 A, 0.0175 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 94W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDI60H12AHXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1EDI60H12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 120ns/125ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 120ns
Ausgabeverzögerung: 125ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 1EDI60I12AHXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1EDI60I12AHXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side, 10A, 3.3V bis 15V Versorgungsspannung, 300ns/300ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2ED020I06FIXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2ED020I06FIXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 1A, 14-18V Versorgungsspannung, 85ns/85ns Verzögerung, SOIC-18
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - 2ED020I06FIXUMA1 - IGBT-Treiber, High-Side und Low-Side, 1A, 14-18V Versorgungsspannung, 85ns/85ns Verzögerung, SOIC-18
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Eingabeverzögerung: 85ns
Ausgabeverzögerung: 85ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BAS4002ARPPE6327HTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS4002ARPPE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Baureihe BAx, Eine Phase, 40 V, 200 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS400
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BAS4002ARPPE6327HTSA1 - Brückengleichrichter, Baureihe BAx, Eine Phase, 40 V, 200 mA, SOT-143, 4 Pin(s), 790 mV
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 790mV
Bauform - Brückengleichrichter: SOT-143
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BAS400
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSC0921NDIATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSC0921NDIATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS127H6327XTSA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS127H6327XTSA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
Description: INFINEON - BSS127H6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 310 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310ohm
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS127IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSS127IXTSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
Description: INFINEON - BSS127IXTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500ohm
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| XC886CM8FFI5VACFXUMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XC886CM8FFI5VACFXUMA1 - 8-Bit-MCU, XC800 Family XC88X Series Microcontrollers, 8051, 24 MHz, 32 KB, 48 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
MCU-Familie: XC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
RAM-Speichergröße: 1.75KB
MCU-Baureihe: XC88x
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: XC800 Family XC88X Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: INFINEON - XC886CM8FFI5VACFXUMA1 - 8-Bit-MCU, XC800 Family XC88X Series Microcontrollers, 8051, 24 MHz, 32 KB, 48 Pin(s), TQFP
tariffCode: 85423190
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 10 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: 8051
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 8Kanäle
Programmspeichergröße: 32KB
Versorgungsspannung, min.: 2.3V
Betriebsfrequenz, max.: 24MHz
MCU-Familie: XC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
RAM-Speichergröße: 1.75KB
MCU-Baureihe: XC88x
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: XC800 Family XC88X Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: CAN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)