Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24514) > Сторінка 313 з 409

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TLE5012BDE1200XUMA1 TLE5012BDE1200XUMA1 INFINEON INFN-S-A0002864786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, -40-125°C, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain, Push-Pull
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+243.54 грн
250+234.52 грн
500+225.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS500101TADTOBO1 SHIELDBTS500101TADTOBO1 INFINEON Infineon-High_Side_Switch_Shield_with_BTS50010-1TAD_for_Arduino-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c167f20260000 Description: INFINEON - SHIELDBTS500101TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50010-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS50010-1TAD
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS50010-1TAD
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6111.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF42772ELXUMA2 TLF42772ELXUMA2 INFINEON INFNS30266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLF42772ELXUMA2 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 5.2V bis 40Vin, 200mV Dropout, 5V bis 12Vout, 300mAout, SSOP-EP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.2V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.17 грн
250+68.27 грн
500+65.08 грн
1000+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPXUMA1 TLD5099EPXUMA1 INFINEON INFN-S-A0010061910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLD5099EPXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, 500KHZ, PG-TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 500kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.56 грн
10+131.14 грн
50+118.99 грн
100+84.94 грн
250+74.24 грн
500+65.08 грн
1000+55.09 грн
2500+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 BAT60AE6327HTSA1 INFINEON 1835968.pdf Description: INFINEON - BAT60AE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 10 V, 3 A, 370 mV, 5 A, 85 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.13 грн
500+12.63 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6327HTSA1 BAT60BE6327HTSA1 INFINEON INFNS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT60BE6327HTSA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.13 грн
500+12.70 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS12FHIV10 S70GL02GS12FHIV10 INFINEON 2785311.pdf Description: INFINEON - S70GL02GS12FHIV10 - Flash-Speicher, MirrorBit, Parallel-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, CFI, parallel, FBGA
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2148.35 грн
5+1976.74 грн
10+1844.80 грн
25+1658.16 грн
50+1492.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON INFNS13366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS1602VH6327XTSA1 - Diodenmodul, 80 V, 200 mA, 1.25 V, Einfach, SC-79, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+7.66 грн
189+4.29 грн
226+3.59 грн
500+3.27 грн
1000+2.96 грн
5000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16SH6327XTSA1 BAS16SH6327XTSA1 INFINEON INFNS13366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAS16SH6327XTSA1 - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.25 грн
500+7.74 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ASMDTOBO1 REFILD8150DC15ASMDTOBO1 INFINEON Infineon-Reference_design_REF_ILD8150_DC_1.5A_high_frequency_operation-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626d66c2b1016d73f768f820ae Description: INFINEON - REFILD8150DC15ASMDTOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4266.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1IT CY8CMBR3102-SX1IT INFINEON CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8CMBR3102-SX1IT - Kapazitiver Berührungssensor, CapSense, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.47 грн
10+105.23 грн
50+95.52 грн
100+78.92 грн
250+68.90 грн
500+66.05 грн
1000+63.90 грн
2500+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1IT CY8CMBR3102-SX1IT INFINEON CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8CMBR3102-SX1IT - Kapazitiver Berührungssensor, CapSense, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.92 грн
250+68.90 грн
500+66.05 грн
1000+63.90 грн
2500+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7523FXTMA1 2EDN7523FXTMA1 INFINEON INFN-S-A0003614819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDN7523FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.25 грн
250+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8523FXTMA1 2EDN8523FXTMA1 INFINEON INFN-S-A0016015219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 2EDN8523FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgung, 5Aout Spitze, Versorgung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.47 грн
500+52.84 грн
1000+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LBBPSA1 FS820R08A6P2LBBPSA1 INFINEON 2853081.pdf Description: INFINEON - FS820R08A6P2LBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25116.44 грн
5+24613.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7240SLXUMA4 TLE7240SLXUMA4 INFINEON INFN-S-A0011054295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE7240SLXUMA4 - Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 8 Ausgänge, 13.5V, 0.5 A, 0.0015 Ohm, SSOP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 1500µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 210mA
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.46 грн
10+222.61 грн
25+203.99 грн
50+180.40 грн
100+157.50 грн
250+149.87 грн
500+144.32 грн
1000+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K0CEAUMA1 IPD65R1K0CEAUMA1 INFINEON Infineon-IPD65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015385336909754c Description: INFINEON - IPD65R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.35 грн
17+50.19 грн
100+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4284DV18ATMA1 TLE4284DV18ATMA1 INFINEON INFNS12905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4284DV18ATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.2V bis 40V, 1.3V Dropout, 1.8Vout, 1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.2V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.3V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.3V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.27 грн
10+126.28 грн
50+114.14 грн
100+86.44 грн
250+75.63 грн
500+65.85 грн
1000+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 INFINEON Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141 Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.56 грн
10+128.71 грн
100+93.90 грн
500+73.51 грн
1000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04SG60CXTMA2 IDD04SG60CXTMA2 INFINEON Infineon-IDD04SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dcc02a0f1a63 Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.75 грн
10+109.28 грн
100+82.57 грн
500+61.64 грн
1000+55.16 грн
5000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON 2718659.pdf Description: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+456.54 грн
10+301.13 грн
100+275.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 IGW25T120FKSA1 INFINEON INFNS14051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.17 грн
10+320.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR3823AMTRPBFAUMA1 IR3823AMTRPBFAUMA1 INFINEON Infineon-IR3823AMTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a017707220c305f1c Description: INFINEON - IR3823AMTRPBFAUMA1 - Synchroner DC/DC-POL-Abwärtswandler (Buck), einstellbar, 4.5 bis 17Vin, 0.6 bis 6V/3A, PQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 17V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.19 грн
250+75.63 грн
500+72.85 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+24.12 грн
56+14.49 грн
100+9.07 грн
500+5.90 грн
1000+4.34 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.07 грн
500+5.90 грн
1000+4.34 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV53AUMA2 TLE4473GV53AUMA2 INFINEON Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31 Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Ausgangsspannung - Ausgang 2: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 300mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 42V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 180mA
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 300mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.68 грн
250+161.66 грн
500+156.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV53AUMA2 TLE4473GV53AUMA2 INFINEON Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31 Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.70 грн
10+239.61 грн
25+220.18 грн
50+194.68 грн
100+170.68 грн
250+161.66 грн
500+156.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.04 грн
10+100.38 грн
100+67.59 грн
500+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.59 грн
500+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1 BSM25GD120DN2BOSA1 INFINEON EUPCS02653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13979.66 грн
5+13496.41 грн
10+13013.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS380R12A6T4BBPSA1 FS380R12A6T4BBPSA1 INFINEON 2876455.pdf Description: INFINEON - FS380R12A6T4BBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 250 A, 1.6 V, 870 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 250A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 870W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 870W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49324.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL12G65C5XUMA2 IDL12G65C5XUMA2 INFINEON INFNS29205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+178.08 грн
500+155.59 грн
1000+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2 INFINEON INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.31 грн
10+221.80 грн
100+157.85 грн
500+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 INFINEON IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.55 грн
10+212.08 грн
100+150.56 грн
500+121.02 грн
1000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 IDK12G65C5XTMA2 INFINEON INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.85 грн
500+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60CXTMA2 INFINEON IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96 Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+150.56 грн
500+121.02 грн
1000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-M1-301FTOBO1 EVAL-M1-301FTOBO1 INFINEON 3600259.pdf Description: INFINEON - EVAL-M1-301FTOBO1 - Steuerungs-Evaluationsboard, IMC301A-F064, PMSM-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC301A-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerungs-Evaluationsboard IMC301A-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5070.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3102TTOBO2 EVALM3102TTOBO2 INFINEON 3364689.pdf Description: INFINEON - EVALM3102TTOBO2 - Evaluationsboard, IMC102T-F064, 3-Phasen-PMSM-Motor, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC102T-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC102T-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4862.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALC101TIM231TOBO1 EVALC101TIM231TOBO1 INFINEON 3166328.pdf Description: INFINEON - EVALC101TIM231TOBO1 - Evaluationsboard, IMC101T-T038 & IM231-L6S1B, Motortreiber, 3-Phasen-PMSM-Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: IMC101T-T038, IM231-L6S1B
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC101T-T038 und IM231-L6S1B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9723.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON InfineonIAUA250N04S6N006DataSheetv0100EN.pdf Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 470 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+333.50 грн
10+220.18 грн
100+161.90 грн
500+122.52 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.89 грн
10+118.18 грн
100+87.42 грн
500+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.42 грн
500+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533 Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+219.37 грн
10+164.32 грн
100+135.99 грн
500+105.98 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 INFINEON Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533 Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+135.99 грн
500+105.98 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 INFINEON INFNS17736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+204.80 грн
10+143.28 грн
100+104.42 грн
500+76.67 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8888QKXUMA1 TLE8888QKXUMA1 INFINEON INFN-S-A0003258040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE8888QKXUMA1 - Engine-Machine-System-IC, 9V bis 28V, HS CAN/LIN/MSC/SPI, LQFP-EP-100
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Engine-Machine-System-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1143.79 грн
25+1057.18 грн
50+903.49 грн
100+780.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 SPD15P10PLGBTMA1 INFINEON dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3 Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.23 грн
10+126.28 грн
100+86.61 грн
500+63.97 грн
1000+58.56 грн
5000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFI010 S25FL512SAGMFI010 INFINEON INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+607.11 грн
10+565.01 грн
25+548.02 грн
50+496.85 грн
100+434.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 INFINEON 3625764.pdf Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6445.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 INFINEON 3763994.pdf Description: INFINEON - PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 - Hauptplatine, Power-Management - Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Hauptplatine PLUS2 von PROFET
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15494.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 INFINEON 3295919.pdf Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+965.71 грн
5+836.19 грн
10+705.86 грн
50+653.19 грн
100+493.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 2EDF7175FXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.04 грн
10+142.47 грн
25+127.90 грн
50+114.25 грн
100+100.61 грн
250+95.06 грн
500+91.59 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2EDS8265HXUMA2 INFINEON 2921642.pdf Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.89 грн
10+212.89 грн
25+195.89 грн
50+172.88 грн
100+151.26 грн
250+142.93 грн
500+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 INFINEON Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511 Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+790.05 грн
5+727.72 грн
10+664.58 грн
50+589.30 грн
100+418.38 грн
250+410.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 IGO60R070D1AUMA2 INFINEON 3295918.pdf Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+854.00 грн
50+709.56 грн
100+588.37 грн
250+550.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 IGOT60R070D1AUMA3 INFINEON 3295919.pdf Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+705.86 грн
50+653.19 грн
100+493.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 IGO60R070D1AUMA2 INFINEON 3295918.pdf Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.09 грн
5+883.95 грн
10+854.00 грн
50+709.56 грн
100+588.37 грн
250+550.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 IGLD60R070D1AUMA3 INFINEON Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511 Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+664.58 грн
50+589.30 грн
100+418.38 грн
250+410.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 2EDS8165HXUMA2 INFINEON Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057 Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+157.85 грн
10+117.37 грн
50+106.85 грн
100+81.93 грн
250+71.47 грн
500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 1EDN7550BXTSA1 INFINEON 2712213.pdf Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.90 грн
22+37.72 грн
100+29.55 грн
500+24.43 грн
1000+21.72 грн
2500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TLE5012BDE1200XUMA1 INFN-S-A0002864786-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE5012BDE1200XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE5012BDE1200XUMA1 - GMR-WINKELSENSOR, -40-125°C, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Magnetfeld, max.: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: -
Sensorgehäuse/-bauform: TSOP
Magnetoresistiver Sensor: Winkelsensor
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: TSSOP
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: -
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: Open-Drain, Push-Pull
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+243.54 грн
250+234.52 грн
500+225.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SHIELDBTS500101TADTOBO1 Infineon-High_Side_Switch_Shield_with_BTS50010-1TAD_for_Arduino-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c167f20260000
SHIELDBTS500101TADTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SHIELDBTS500101TADTOBO1 - Tochterplatine, BTS50010-1TAD, High-Side-Schalter PROFET, geschützt bis 12V, Arduino-Shield
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS50010-1TAD
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS50010-1TAD
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: High-Side-Leistungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6111.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLF42772ELXUMA2 INFNS30266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLF42772ELXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLF42772ELXUMA2 - LDO-Spannungsregler, einstellbar, 5.2V bis 40Vin, 200mV Dropout, 5V bis 12Vout, 300mAout, SSOP-EP-14
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: 5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 12V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 5.2V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Adj 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 200mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 200mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.17 грн
250+68.27 грн
500+65.08 грн
1000+62.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLD5099EPXUMA1 INFN-S-A0010061910-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLD5099EPXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLD5099EPXUMA1 - LED-TREIBER, AEC-Q100, 500KHZ, PG-TSDSO
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: PG-TSDSO
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 500kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Boost, Buck, Buck-Boost, Flyback, SEPIC
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.56 грн
10+131.14 грн
50+118.99 грн
100+84.94 грн
250+74.24 грн
500+65.08 грн
1000+55.09 грн
2500+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60AE6327HTSA1 1835968.pdf
BAT60AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT60AE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 10 V, 3 A, 370 mV, 5 A, 85 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT60
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.13 грн
500+12.63 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT60BE6327HTSA1 INFNS11530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT60BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT60BE6327HTSA1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 10 V, 3 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.13 грн
500+12.70 грн
1000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
S70GL02GS12FHIV10 2785311.pdf
S70GL02GS12FHIV10
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S70GL02GS12FHIV10 - Flash-Speicher, MirrorBit, Parallel-NOR, 2 Gbit, 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit, CFI, parallel, FBGA
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: 120ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 64Pin(s)
Produktpalette: 3V Parallel NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI, parallel
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2148.35 грн
5+1976.74 грн
10+1844.80 грн
25+1658.16 грн
50+1492.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 INFNS13366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS1602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS1602VH6327XTSA1 - Diodenmodul, 80 V, 200 mA, 1.25 V, Einfach, SC-79, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 2.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 26657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+7.66 грн
189+4.29 грн
226+3.59 грн
500+3.27 грн
1000+2.96 грн
5000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16SH6327XTSA1 INFNS13366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS16SH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAS16SH6327XTSA1 - Kleinsignaldiode, Dreifach, isoliert, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 4 ns, 4.5 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 4.5A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS16
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 80V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.25 грн
500+7.74 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
REFILD8150DC15ASMDTOBO1 Infineon-Reference_design_REF_ILD8150_DC_1.5A_high_frequency_operation-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626d66c2b1016d73f768f820ae
REFILD8150DC15ASMDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFILD8150DC15ASMDTOBO1 - Referenzplatine, ILD8150, Power-Management, LED-Treiber
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzboard ILD8150
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: ILD8150
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4266.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1IT CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8CMBR3102-SX1IT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3102-SX1IT - Kapazitiver Berührungssensor, CapSense, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+142.47 грн
10+105.23 грн
50+95.52 грн
100+78.92 грн
250+68.90 грн
500+66.05 грн
1000+63.90 грн
2500+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3102-SX1IT CYPR-S-A0011122091-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8CMBR3102-SX1IT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CMBR3102-SX1IT - Kapazitiver Berührungssensor, CapSense, Induktive Näherungsschalter, 1 Kanäle, I2C, 1.71 V, 5.5 V
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Sensortyp: Induktive Näherungsschalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Schnittstelle: I2C
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: I2C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.92 грн
250+68.90 грн
500+66.05 грн
1000+63.90 грн
2500+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7523FXTMA1 INFN-S-A0003614819-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDN7523FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN7523FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V, 5A Spitzen-Ausgangsstrom, Verzögerung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.25 грн
250+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8523FXTMA1 INFN-S-A0016015219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2EDN8523FXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDN8523FXTMA1 - MOSFET-Treiber, Low-Side, 4.5V-20V Versorgung, 5Aout Spitze, Versorgung 19ns In/19ns Out, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 5A
Treiberkonfiguration: Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: Invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 19ns
Ausgabeverzögerung: 19ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.47 грн
500+52.84 грн
1000+47.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LBBPSA1 2853081.pdf
FS820R08A6P2LBBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS820R08A6P2LBBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 450 A, 1.1 V, 714 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT EDT2 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.1V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.1V
Verlustleistung Pd: 714W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 750V
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+25116.44 грн
5+24613.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7240SLXUMA4 INFN-S-A0011054295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE7240SLXUMA4
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE7240SLXUMA4 - Leistungsverteilungsschalter, Low-Side, 8 Ausgänge, 13.5V, 0.5 A, 0.0015 Ohm, SSOP-24
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 1500µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Strombegrenzung: 210mA
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3V
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+295.46 грн
10+222.61 грн
25+203.99 грн
50+180.40 грн
100+157.50 грн
250+149.87 грн
500+144.32 грн
1000+129.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R1K0CEAUMA1 Infineon-IPD65R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015385336909754c
IPD65R1K0CEAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R1K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.86ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.35 грн
17+50.19 грн
100+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4284DV18ATMA1 INFNS12905-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4284DV18ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4284DV18ATMA1 - LDO-Festspannungsregler, 3.2V bis 40V, 1.3V Dropout, 1.8Vout, 1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 1.8V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.2V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 1.8V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 1.8V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.3V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.3V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.27 грн
10+126.28 грн
50+114.14 грн
100+86.44 грн
250+75.63 грн
500+65.85 грн
1000+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD65R225C7ATMA1 Infineon-IPD65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30433e78ea82013e793234000141
IPD65R225C7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD65R225C7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.225 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.56 грн
10+128.71 грн
100+93.90 грн
500+73.51 грн
1000+66.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04SG60CXTMA2 Infineon-IDD04SG60C-DS-v02_04-en.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dcc02a0f1a63
IDD04SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD04SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 4 A, 4.5 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 4.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.75 грн
10+109.28 грн
100+82.57 грн
500+61.64 грн
1000+55.16 грн
5000+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 2718659.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+456.54 грн
10+301.13 грн
100+275.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25T120FKSA1 INFNS14051-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW25T120FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW25T120FKSA1 - IGBT, 25 A, 2.2 V, 190 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+356.17 грн
10+320.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR3823AMTRPBFAUMA1 Infineon-IR3823AMTRPBF-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46276fb756a017707220c305f1c
IR3823AMTRPBFAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR3823AMTRPBFAUMA1 - Synchroner DC/DC-POL-Abwärtswandler (Buck), einstellbar, 4.5 bis 17Vin, 0.6 bis 6V/3A, PQFN-16
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 6V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 3A
Qualifikation: -
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 17V
euEccn: NLR
DC/DC-Wandler: Modul
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 3A
Wirkungsgrad: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.19 грн
250+75.63 грн
500+72.85 грн
1000+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.12 грн
56+14.49 грн
100+9.07 грн
500+5.90 грн
1000+4.34 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 INFNS15406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS138NH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.07 грн
500+5.90 грн
1000+4.34 грн
5000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV53AUMA2 Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31
TLE4473GV53AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
productTraceability: No
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Ausgangsspannung - Ausgang 2: 5V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Ausgangsstrom - Ausgang 1: 300mA
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung - Ausgang 1: 3.3V
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 42V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsstrom - Ausgang 2: 180mA
Produktpalette: -
Ausgangsstrom, max.: 300mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SOIC
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.5V
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Ausgangsspannung, max.: -
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 300mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: N
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Anzahl der Ausgänge: 2 Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+170.68 грн
250+161.66 грн
500+156.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4473GV53AUMA2 Infineon-TLE4473-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72a5831f31
TLE4473GV53AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4473GV53AUMA2 - LDO-FESTSP.REG 5V/3.3 0.3A/0.18V SOIC-12
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 42V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 300mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 300mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+315.70 грн
10+239.61 грн
25+220.18 грн
50+194.68 грн
100+170.68 грн
250+161.66 грн
500+156.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.04 грн
10+100.38 грн
100+67.59 грн
500+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 INFNS30173-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGB20N60H3ATMA1 - IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.59 грн
500+49.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1 EUPCS02653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSM25GD120DN2BOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V
Verlustleistung Pd: 200W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: EconoPACK
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 17Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13979.66 грн
5+13496.41 грн
10+13013.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FS380R12A6T4BBPSA1 2876455.pdf
FS380R12A6T4BBPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS380R12A6T4BBPSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 250 A, 1.6 V, 870 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 250A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 870W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 870W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: HybridPACK
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke]
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 250A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+49324.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDL12G65C5XUMA2 INFNS29205-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDL12G65C5XUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDL12G65C5XUMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 600 V, 12 A, 18 nC, VSON
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: VSON
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+178.08 грн
500+155.59 грн
1000+140.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK12G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+334.31 грн
10+221.80 грн
100+157.85 грн
500+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
IDD08SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+320.55 грн
10+212.08 грн
100+150.56 грн
500+121.02 грн
1000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IDK12G65C5XTMA2 INFNS29239-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK12G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK12G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.85 грн
500+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IDD08SG60CXTMA2 IDD08SG60C_rev2.4.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a304327b897500127dd414af01a96
IDD08SG60CXTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDD08SG60CXTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen III Series, Einfach, 600 V, 8 A, 12 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 12nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen III Series
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+150.56 грн
500+121.02 грн
1000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-M1-301FTOBO1 3600259.pdf
EVAL-M1-301FTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL-M1-301FTOBO1 - Steuerungs-Evaluationsboard, IMC301A-F064, PMSM-Motor, Power-Management, Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC301A-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Steuerungs-Evaluationsboard IMC301A-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5070.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3102TTOBO2 3364689.pdf
EVALM3102TTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM3102TTOBO2 - Evaluationsboard, IMC102T-F064, 3-Phasen-PMSM-Motor, Power-Management - Motorsteuerung
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IMC102T-F064
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC102T-F064
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4862.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVALC101TIM231TOBO1 3166328.pdf
EVALC101TIM231TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALC101TIM231TOBO1 - Evaluationsboard, IMC101T-T038 & IM231-L6S1B, Motortreiber, 3-Phasen-PMSM-Motor
tariffCode: 85437090
Prozessorkern: IMC101T-T038, IM231-L6S1B
Kit-Anwendungsbereich: Motortreiber
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IMC101T-T038 und IM231-L6S1B
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-phasiger PMSM-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9723.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 InfineonIAUA250N04S6N006DataSheetv0100EN.pdf
IAUA250N04S6N006AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUA250N04S6N006AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 450 A, 470 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 470µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+333.50 грн
10+220.18 грн
100+161.90 грн
500+122.52 грн
1000+103.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+229.89 грн
10+118.18 грн
100+87.42 грн
500+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF INFN-S-A0012732208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1010NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 85 A, 0.011 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.42 грн
500+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533
IQD005N04NM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+219.37 грн
10+164.32 грн
100+135.99 грн
500+105.98 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD005N04NM6CGATMA1 Infineon-IQD005N04NM6CG-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c88ae21230188af8c9f7b0533
IQD005N04NM6CGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD005N04NM6CGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 610 A, 420 µohm, TTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.99 грн
500+105.98 грн
1000+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 INFNS17736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC047N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0047 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+204.80 грн
10+143.28 грн
100+104.42 грн
500+76.67 грн
1000+67.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8888QKXUMA1 INFN-S-A0003258040-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE8888QKXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE8888QKXUMA1 - Engine-Machine-System-IC, 9V bis 28V, HS CAN/LIN/MSC/SPI, LQFP-EP-100
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Engine-Machine-System-IC
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: LQFP-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1143.79 грн
25+1057.18 грн
50+903.49 грн
100+780.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SPD15P10PLGBTMA1 dgdl?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433c1a8752013c39ff5f2e4af3
SPD15P10PLGBTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPD15P10PLGBTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 15 A, 0.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.23 грн
10+126.28 грн
100+86.61 грн
500+63.97 грн
1000+58.56 грн
5000+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL512SAGMFI010 INFN-S-A0016580850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL512SAGMFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL512SAGMFI010 - Flash-Speicher, MirrorBit Eclipse-Architektur, Serial-NOR, 512 Mbit, 64M x 8 Bit, SPI, SOIC
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 512Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 133MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+607.11 грн
10+565.01 грн
25+548.02 грн
50+496.85 грн
100+434.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 3625764.pdf
PROF2BTS70021EPPEBTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROF2BTS70021EPPEBTOBO1 - Evaluationsboard, BTS7002-1EPP, Power-Management, Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTS7002-1EPP
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard BTS7002-1EPP
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6445.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 3763994.pdf
PROFETONE4ALLMBV1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PROFETONE4ALLMBV1TOBO1 - Hauptplatine, Power-Management - Lastschalter, High-Side-Schalter
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: -
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Leistungsschalter
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: -
Lieferumfang des Kits: Hauptplatine PLUS2 von PROFET
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: High-Side-Schalter
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+15494.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 3295919.pdf
IGOT60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+965.71 грн
5+836.19 грн
10+705.86 грн
50+653.19 грн
100+493.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDF7175FXUMA2 2921642.pdf
2EDF7175FXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDF7175FXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), NSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: NSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.04 грн
10+142.47 грн
25+127.90 грн
50+114.25 грн
100+100.61 грн
250+95.06 грн
500+91.59 грн
1000+88.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8265HXUMA2 2921642.pdf
2EDS8265HXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8265HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.89 грн
10+212.89 грн
25+195.89 грн
50+172.88 грн
100+151.26 грн
250+142.93 грн
500+138.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+790.05 грн
5+727.72 грн
10+664.58 грн
50+589.30 грн
100+418.38 грн
250+410.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 3295918.pdf
IGO60R070D1AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+854.00 грн
50+709.56 грн
100+588.37 грн
250+550.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGOT60R070D1AUMA3 3295919.pdf
IGOT60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGOT60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+705.86 грн
50+653.19 грн
100+493.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGO60R070D1AUMA2 3295918.pdf
IGO60R070D1AUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGO60R070D1AUMA2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: No
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+913.09 грн
5+883.95 грн
10+854.00 грн
50+709.56 грн
100+588.37 грн
250+550.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGLD60R070D1AUMA3 Infineon-IGLD60R070D1-DataSheet-v02_12-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016685f03f056511
IGLD60R070D1AUMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGLD60R070D1AUMA3 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 15 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, LSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.: 0.07ohm
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 5.8nC
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+664.58 грн
50+589.30 грн
100+418.38 грн
250+410.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
2EDS8165HXUMA2 Infineon-2EDF7275F-DS-v02_04-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163b08fd9203057
2EDS8165HXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDS8165HXUMA2 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side und Low-Side, GaN HEMT, 16 Pin(s), WSOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WSOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+157.85 грн
10+117.37 грн
50+106.85 грн
100+81.93 грн
250+71.47 грн
500+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDN7550BXTSA1 2712213.pdf
1EDN7550BXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDN7550BXTSA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 4.5V-20V Versorgungsspannung, 8Aout, 45ns Verzögerung, SOT-23-6
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 8A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT, IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Eingang: Nicht invertierend
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4A
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 45ns
Ausgabeverzögerung: 45ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+45.90 грн
22+37.72 грн
100+29.55 грн
500+24.43 грн
1000+21.72 грн
2500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 40 80 120 160 200 240 280 308 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 320 360 400 409  [ Наступна Сторінка >> ]