Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25879) > Сторінка 317 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD068P03L3GATMA1 IPD068P03L3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94 Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.29 грн
50+73.59 грн
100+53.54 грн
500+39.64 грн
1000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 IPB180P04P4L02ATMA1 INFINEON INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+359.80 грн
10+237.57 грн
50+212.61 грн
200+173.44 грн
500+140.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+220.35 грн
50+142.89 грн
100+109.32 грн
500+87.92 грн
1000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.13 грн
50+84.27 грн
100+74.89 грн
500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GXKSA1 IPP100N08N3GXKSA1 INFINEON IPP_I_B100N08N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e071f53b82619 Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 IPD200N15N3GATMA1 INFINEON Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+154.08 грн
50+120.51 грн
100+102.43 грн
500+86.32 грн
1000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1 INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+393.37 грн
10+310.73 грн
50+277.16 грн
200+225.40 грн
500+207.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 IPG20N06S4L26ATMA1 INFINEON Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.28 грн
50+50.61 грн
250+42.26 грн
1000+34.53 грн
3000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 INFINEON INFNS12004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.59 грн
11+79.10 грн
100+63.61 грн
500+53.23 грн
1000+48.40 грн
5000+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 IPD50N10S3L16ATMA1 INFINEON Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.77 грн
10+107.59 грн
100+78.24 грн
500+61.62 грн
1000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPB320N20N3GATMA1 INFINEON IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+278.02 грн
10+181.62 грн
100+127.39 грн
500+96.71 грн
1000+73.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06W1E3BOMA1 FP30R06W1E3BOMA1 INFINEON Infineon-FP30R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4331e125a73 Description: INFINEON - FP30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 37 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 115W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 37A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 37A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2162.22 грн
5+2090.78 грн
10+2018.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06KE3BPSA1 FP30R06KE3BPSA1 INFINEON 2577536.pdf Description: INFINEON - FP30R06KE3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 37 A, 1.55 V, 125 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 37A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 37A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4607.63 грн
5+4265.05 грн
10+3922.46 грн
50+3507.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30I12MFXUMA1 1EDI30I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI30I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 6.2A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.91 грн
10+110.18 грн
50+100.71 грн
100+83.12 грн
250+72.01 грн
500+68.84 грн
1000+65.88 грн
2500+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30I12MFXUMA1 1EDI30I12MFXUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDI30I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 6.2A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.12 грн
250+72.01 грн
500+68.84 грн
1000+65.88 грн
2500+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1 INFINEON Infineon-BAT64SERIES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626d66c2b1016d73f85ab420ed Description: INFINEON - BAT6402VH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT64
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 108988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.72 грн
58+14.98 грн
100+11.19 грн
500+8.39 грн
1000+6.99 грн
5000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1 INFINEON INFNS29933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT6402VH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT64
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.19 грн
500+8.39 грн
1000+6.99 грн
5000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY4534 CY4534 INFINEON 3770967.pdf Description: INFINEON - CY4534 - Evaluationskit, CYPD3176-24LQXQ, Power-Management, USB-C Power Delivery (PD)-Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPD3176-24LQXQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: EZ-PD BCR-PLUS-Evaluationskit CYPD3176-24LQXQ, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3528.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.27 грн
50+65.25 грн
250+49.49 грн
1000+30.77 грн
3000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 INFINEON BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+30.47 грн
100+27.63 грн
500+24.62 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.25 грн
250+49.49 грн
1000+30.77 грн
3000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 INFINEON BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851 Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.63 грн
500+24.62 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDRATMA1 BTS3046SDRATMA1 INFINEON 2255503.pdf Description: INFINEON - BTS3046SDRATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, n-Leistungs-FET, 1 Ausgang, 0.046Ohm Durchlass, 60VLast, 10A, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.53 грн
10+171.29 грн
50+157.52 грн
100+125.49 грн
250+108.46 грн
500+94.44 грн
1000+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDLATMA1 INFINEON Infineon-BTS3028SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad9d497d4c29 Description: INFINEON - BTS3028SDLATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Kanal, 10V, 18.0A/91 mOhm Ausgang, TO252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.028ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 45A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.42 грн
50+136.00 грн
100+123.09 грн
500+104.70 грн
1000+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDLATMA1 BTS3028SDLATMA1 INFINEON Infineon-BTS3028SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad9d497d4c29 Description: INFINEON - BTS3028SDLATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Kanal, 10V, 18.0A/91 mOhm Ausgang, TO252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.028ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 45A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+123.09 грн
500+104.70 грн
1000+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3060TFATMA1 BTS3060TFATMA1 INFINEON Infineon-BTS3060TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad82020e4c19 Description: INFINEON - BTS3060TFATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, AEC-Q100, MOSFET, 1 Ausgang, 5.5V, 3A, 50 mOhm, TO-252-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.53 грн
250+59.10 грн
500+56.07 грн
1000+47.14 грн
2500+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3256DAUMA1 BTS3256DAUMA1 INFINEON Infineon-BTS3256D-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a853400b8778e Description: INFINEON - BTS3256DAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, 1 Kanal, 5.5V bis 30V, 42A / 10 mOhm Ausgang, TO252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 55A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.33 грн
10+232.40 грн
25+215.19 грн
50+183.83 грн
100+147.56 грн
250+140.18 грн
500+125.42 грн
1000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDRATMA1 BTS3046SDRATMA1 INFINEON 2255503.pdf Description: INFINEON - BTS3046SDRATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, n-Leistungs-FET, 1 Ausgang, 0.046Ohm Durchlass, 60VLast, 10A, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+125.49 грн
250+108.46 грн
500+94.44 грн
1000+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR505E6327HTSA1 BCR505E6327HTSA1 INFINEON bcr505.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407910280306 Description: INFINEON - BCR505E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR505 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+31.25 грн
48+18.25 грн
100+9.90 грн
500+8.23 грн
1000+6.69 грн
5000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 INFINEON 3257204.pdf Description: INFINEON - DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 20 A, 1.85 V, Brücke, Modul, 16 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.85V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4536.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 1EDS5663HXUMA1 INFINEON Infineon-1EDF5673K-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166c9b5b486226a Description: INFINEON - 1EDS5663HXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: GaN EiceDRIVER
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.73 грн
10+173.01 грн
50+160.96 грн
100+129.48 грн
250+112.88 грн
500+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 ISP25DP06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399 Description: INFINEON - ISP25DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+59.13 грн
25+34.60 грн
50+29.27 грн
200+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396 Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.73 грн
24+37.10 грн
100+26.68 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ISP12DP06NMXTSA1 ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP12DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06de8ae47284 Description: INFINEON - ISP12DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.20 грн
18+50.35 грн
100+38.82 грн
500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 ISP14EP15LMXTSA1 INFINEON 3624260.pdf Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+33.66 грн
41+21.09 грн
100+18.25 грн
500+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 ISP98DP10LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98 Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.75 грн
500+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 ISP98DP10LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98 Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.70 грн
48+18.25 грн
100+15.75 грн
500+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 ISP14EP15LMXTSA1 INFINEON 3624260.pdf Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.134ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.25 грн
500+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 ISP25DP06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399 Description: INFINEON - ISP25DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.27 грн
200+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 ISP650P06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280 Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMXTSA1 ISP25DP06LMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396 Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.68 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP12DP06NMXTSA1 ISP12DP06NMXTSA1 INFINEON Infineon-ISP12DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06de8ae47284 Description: INFINEON - ISP12DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.82 грн
500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 ISP26DP06NMSATMA1 INFINEON 3919296.pdf Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.83 грн
50+40.63 грн
100+30.30 грн
500+22.14 грн
1500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 INFINEON INFN-S-A0009362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.90 грн
500+23.10 грн
1000+18.67 грн
5000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 ISP26DP06NMSATMA1 INFINEON 3919296.pdf Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.30 грн
500+22.14 грн
1500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMSATMA1 ISP25DP06LMSATMA1 INFINEON INFN-S-A0009362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+55.86 грн
19+46.31 грн
100+30.90 грн
500+23.10 грн
1000+18.67 грн
5000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.85 грн
10+166.13 грн
100+120.51 грн
500+97.51 грн
1000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1 INFINEON INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.42 грн
500+107.90 грн
1000+97.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114 Description: INFINEON - BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Low-Side-Schalter, für Arduino
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTF3125J
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTF3125J
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3918.16 грн
2+3428.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3080EJDEMOBOARDTOBO1 BTF3080EJDEMOBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114 Description: INFINEON - BTF3080EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Low-Side-Schalter, für Arduino
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTF3080EJ
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTF3080EJ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3918.16 грн
2+3428.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 INFINEON Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114 Description: INFINEON - BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Low-Side-Schalter, für Arduino
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTF3035EJ
Prozessorhersteller: Infineon
Zur Verwendung mit: Mit Arduino UNO-Shield und Infineon XMC1100 kompatible Boards
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: BTF3xxxEJ
euEccn: NLR
Prozessorkern: BTF3035EJ
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3206.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 SPB11N60C3ATMA1 INFINEON INFNS11219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB11N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.56 грн
10+221.21 грн
100+156.66 грн
500+125.49 грн
1000+100.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 INFINEON INFNS16610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+215.19 грн
200+165.45 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1 SPB20N60C3ATMA1 INFINEON INFNS16610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+378.73 грн
10+251.34 грн
50+215.19 грн
200+165.45 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673KXUMA1 1EDF5673KXUMA1 INFINEON INFN-S-A0011118193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - 1EDF5673KXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, TFLGA-13
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TFLGA
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: GaN EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4959CFXHAMA1 TLE4959CFXHAMA1 INFINEON INFN-S-A0004983086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE4959CFXHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Differenzieller Geschwindigkeits- und Richtungssensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+278.02 грн
10+225.52 грн
25+216.05 грн
50+191.83 грн
100+170.43 грн
250+163.05 грн
500+155.67 грн
1000+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1 FF200R17KE3HOSA1 INFINEON INFNS28360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11087.40 грн
5+10391.90 грн
10+9695.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS820D2ELVSEXUMA2 TLS820D2ELVSEXUMA2 INFINEON 3517988.pdf Description: INFINEON - TLS820D2ELVSEXUMA2 - LDO-Festspannungsregler, 3V bis 40Vin, 100mV Dropout, 5V/200mAout, SSOP-14, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 200mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V/5V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 200mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Ausgangsspannung, max.: -V
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -V
Dropout-Spannung Vdo: 100mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.56 грн
250+36.45 грн
500+36.37 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS820D2ELVSEXUMA2 TLS820D2ELVSEXUMA2 INFINEON 3517988.pdf Description: INFINEON - TLS820D2ELVSEXUMA2 - LDO-Festspannungsregler, 3V bis 40Vin, 100mV Dropout, 5V/200mAout, SSOP-14, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V/5V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+44.33 грн
50+43.47 грн
100+39.56 грн
250+36.45 грн
500+36.37 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068P03L3GATMA1 Infineon-IPD068P03L3_G-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01232cc234f07d94
IPD068P03L3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068P03L3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 70 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+103.29 грн
50+73.59 грн
100+53.54 грн
500+39.64 грн
1000+33.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P4L02ATMA1 INFNS16956-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB180P04P4L02ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB180P04P4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 180 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+359.80 грн
10+237.57 грн
50+212.61 грн
200+173.44 грн
500+140.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 INFN-S-A0002470648-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD025N06NATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+220.35 грн
50+142.89 грн
100+109.32 грн
500+87.92 грн
1000+76.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD068N10N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.13 грн
50+84.27 грн
100+74.89 грн
500+68.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPP100N08N3GXKSA1 IPP_I_B100N08N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ddc9372011e071f53b82619
IPP100N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP100N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70 A, 0.0084 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPD200N15N3GATMA1 Infineon-IPD_BIP_200N15N3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
IPD200N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD200N15N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.02 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+154.08 грн
50+120.51 грн
100+102.43 грн
500+86.32 грн
1000+78.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB107N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB107N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0107 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+393.37 грн
10+310.73 грн
50+277.16 грн
200+225.40 грн
500+207.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N06S4L26ATMA1 Infineon-IPG20N06S4L_26-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf68dd216c28&ack=t
IPG20N06S4L26ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPG20N06S4L26ATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.021ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 33W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 33W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.28 грн
50+50.61 грн
250+42.26 грн
1000+34.53 грн
3000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N03S4L02ATMA1 INFNS12004-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD90N03S4L02ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD90N03S4L02ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 90 A, 2200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+107.59 грн
11+79.10 грн
100+63.61 грн
500+53.23 грн
1000+48.40 грн
5000+40.14 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N10S3L16ATMA1 Infineon-IPD50N10S3L_16-DS-v01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908698d3594e&ack=t
IPD50N10S3L16ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50N10S3L16ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.015 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.77 грн
10+107.59 грн
100+78.24 грн
500+61.62 грн
1000+56.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPB320N20N3GATMA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
IPB320N20N3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB320N20N3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.02 грн
10+181.62 грн
100+127.39 грн
500+96.71 грн
1000+73.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06W1E3BOMA1 Infineon-FP30R06W1E3-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4331e125a73
FP30R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 37 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 115W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 37A
Produktpalette: EasyPIM 1B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 37A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2162.22 грн
5+2090.78 грн
10+2018.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP30R06KE3BPSA1 2577536.pdf
FP30R06KE3BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FP30R06KE3BPSA1 - IGBT-Modul, PIM, 37 A, 1.55 V, 125 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 125W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 37A
Produktpalette: EconoPIM 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 37A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4607.63 грн
5+4265.05 грн
10+3922.46 грн
50+3507.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI30I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI30I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 6.2A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.91 грн
10+110.18 грн
50+100.71 грн
100+83.12 грн
250+72.01 грн
500+68.84 грн
1000+65.88 грн
2500+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
1EDI30I12MFXUMA1 INFN-S-A0001300421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDI30I12MFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI30I12MFXUMA1 - IGBT-Treiber, invertierend / nicht invertierend, 6.2A, 3.5V bis 15V, DSO-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DSO
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3.5V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 300ns
Ausgabeverzögerung: 300ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.12 грн
250+72.01 грн
500+68.84 грн
1000+65.88 грн
2500+64.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 Infineon-BAT64SERIES-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626d66c2b1016d73f85ab420ed
BAT6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6402VH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT64
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 108988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.72 грн
58+14.98 грн
100+11.19 грн
500+8.39 грн
1000+6.99 грн
5000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 INFNS29933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6402VH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 40 V, 250 mA, 750 mV, 800 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 750mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 250mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAT64
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 111278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.19 грн
500+8.39 грн
1000+6.99 грн
5000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CY4534 3770967.pdf
CY4534
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY4534 - Evaluationskit, CYPD3176-24LQXQ, Power-Management, USB-C Power Delivery (PD)-Controller
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYPD3176-24LQXQ
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Cypress
Lieferumfang des Kits: EZ-PD BCR-PLUS-Evaluationskit CYPD3176-24LQXQ, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: USB Power-Delivery (PD)-Controller Typ C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 3A991.a.3
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3528.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.27 грн
50+65.25 грн
250+49.49 грн
1000+30.77 грн
3000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851
BSC032NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+30.47 грн
100+27.63 грн
500+24.62 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 INFN-S-A0002263130-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 0.0025 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.25 грн
250+49.49 грн
1000+30.77 грн
3000+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032NE2LSATMA1 BSC032NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432ea425a4012ed8c328633851
BSC032NE2LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC032NE2LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 84 A, 2700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.63 грн
500+24.62 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDRATMA1 2255503.pdf
BTS3046SDRATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3046SDRATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, n-Leistungs-FET, 1 Ausgang, 0.046Ohm Durchlass, 60VLast, 10A, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.53 грн
10+171.29 грн
50+157.52 грн
100+125.49 грн
250+108.46 грн
500+94.44 грн
1000+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDLATMA1 Infineon-BTS3028SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad9d497d4c29
BTS3028SDLATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3028SDLATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Kanal, 10V, 18.0A/91 mOhm Ausgang, TO252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.028ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 45A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.42 грн
50+136.00 грн
100+123.09 грн
500+104.70 грн
1000+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3028SDLATMA1 Infineon-BTS3028SDL-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad9d497d4c29
BTS3028SDLATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3028SDLATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, 1 Kanal, 10V, 18.0A/91 mOhm Ausgang, TO252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.028ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 45A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+123.09 грн
500+104.70 грн
1000+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3060TFATMA1 Infineon-BTS3060TF-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aad82020e4c19
BTS3060TFATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3060TFATMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, AEC-Q100, MOSFET, 1 Ausgang, 5.5V, 3A, 50 mOhm, TO-252-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.05ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 3A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.53 грн
250+59.10 грн
500+56.07 грн
1000+47.14 грн
2500+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3256DAUMA1 Infineon-BTS3256D-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a853400b8778e
BTS3256DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3256DAUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, Low-Side, 1 Kanal, 5.5V bis 30V, 42A / 10 mOhm Ausgang, TO252-5
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.01ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 55A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 30V
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.33 грн
10+232.40 грн
25+215.19 грн
50+183.83 грн
100+147.56 грн
250+140.18 грн
500+125.42 грн
1000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3046SDRATMA1 2255503.pdf
BTS3046SDRATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS3046SDRATMA1 - Leistungsschalter, Low-Side, n-Leistungs-FET, 1 Ausgang, 0.046Ohm Durchlass, 60VLast, 10A, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.046ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 21A
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.49 грн
250+108.46 грн
500+94.44 грн
1000+79.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BCR505E6327HTSA1 bcr505.pdf?folderId=db3a30431428a373011440769fd70304&fileId=db3a30431428a3730114407910280306
BCR505E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BCR505E6327HTSA1 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: BCR505 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 51953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.25 грн
48+18.25 грн
100+9.90 грн
500+8.23 грн
1000+6.69 грн
5000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 3257204.pdf
DDB2U20N12W1RFB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - DDB2U20N12W1RFB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 20 A, 1.85 V, Brücke, Modul, 16 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.85V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: EasyBRIDGE CoolSiC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4536.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
1EDS5663HXUMA1 Infineon-1EDF5673K-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166c9b5b486226a
1EDS5663HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDS5663HXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: GaN EiceDRIVER
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.73 грн
10+173.01 грн
50+160.96 грн
100+129.48 грн
250+112.88 грн
500+98.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399
ISP25DP06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.13 грн
25+34.60 грн
50+29.27 грн
200+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMXTSA1 Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396
ISP25DP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.73 грн
24+37.10 грн
100+26.68 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ISP12DP06NMXTSA1 Infineon-ISP12DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06de8ae47284
ISP12DP06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP12DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+82.20 грн
18+50.35 грн
100+38.82 грн
500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 3624260.pdf
ISP14EP15LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.66 грн
41+21.09 грн
100+18.25 грн
500+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98
ISP98DP10LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.8021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.75 грн
500+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP98DP10LMXTSA1 Infineon-ISP98DP10LM-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7bb971ed017be30a89034a98
ISP98DP10LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP98DP10LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.55 A, 0.8021 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8021ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.70 грн
48+18.25 грн
100+15.75 грн
500+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
ISP14EP15LMXTSA1 3624260.pdf
ISP14EP15LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP14EP15LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 1.29 A, 1.1336 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.134ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.25 грн
500+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06NMXTSA1 Infineon-ISP25DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a072804fc7399
ISP25DP06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.189ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.27 грн
200+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP650P06NMXTSA1 Infineon-ISP650P06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06cc34e37280
ISP650P06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP650P06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.7 A, 0.054 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMXTSA1 Infineon-ISP25DP06LM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a0727f4cd7396
ISP25DP06LMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06LMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.68 грн
500+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP12DP06NMXTSA1 Infineon-ISP12DP06NM-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a06de8ae47284
ISP12DP06NMXTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP12DP06NMXTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.82 грн
500+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 3919296.pdf
ISP26DP06NMSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+46.83 грн
50+40.63 грн
100+30.30 грн
500+22.14 грн
1500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMSATMA1 INFN-S-A0009362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ISP25DP06LMSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.177ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.90 грн
500+23.10 грн
1000+18.67 грн
5000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP26DP06NMSATMA1 3919296.pdf
ISP26DP06NMSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP26DP06NMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.189 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.189ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.30 грн
500+22.14 грн
1500+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISP25DP06LMSATMA1 INFN-S-A0009362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ISP25DP06LMSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISP25DP06LMSATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.177 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe OptiMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 12153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+55.86 грн
19+46.31 грн
100+30.90 грн
500+23.10 грн
1000+18.67 грн
5000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1 INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+235.85 грн
10+166.13 грн
100+120.51 грн
500+97.51 грн
1000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R280P7ATMA1 INFN-S-A0002379876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPD80R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD80R280P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.28 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.42 грн
500+107.90 грн
1000+97.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114
BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTF3125EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Low-Side-Schalter, für Arduino
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTF3125J
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTF3125J
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3918.16 грн
2+3428.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3080EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114
BTF3080EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTF3080EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Low-Side-Schalter, für Arduino
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: BTF3080EJ
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: -
Prozessorfamilie: -
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTF3080EJ
euEccn: NLR
Prozessorserie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Arduino
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3918.16 грн
2+3428.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 Infineon-Demoboard_BTFxxxEJ-UserManual-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712fc897870114
BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTF3035EJDEMOBOARDTOBO1 - Demoboard, Low-Side-Schalter, für Arduino
tariffCode: 84733020
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard BTF3035EJ
Prozessorhersteller: Infineon
Zur Verwendung mit: Mit Arduino UNO-Shield und Infineon XMC1100 kompatible Boards
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Prozessorserie: -
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: BTF3xxxEJ
euEccn: NLR
Prozessorkern: BTF3035EJ
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3206.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPB11N60C3ATMA1 INFNS11219-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB11N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB11N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+336.56 грн
10+221.21 грн
100+156.66 грн
500+125.49 грн
1000+100.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1 INFNS16610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB20N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+215.19 грн
200+165.45 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3ATMA1 INFNS16610-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SPB20N60C3ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPB20N60C3ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+378.73 грн
10+251.34 грн
50+215.19 грн
200+165.45 грн
500+134.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
1EDF5673KXUMA1 INFN-S-A0011118193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1EDF5673KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDF5673KXUMA1 - MOSFET-Treiber, High-Side, 3V-3.5V Versorgungsspannung, 8Aout, 37ns Verzögerung, TFLGA-13
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: GaN HEMT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TFLGA
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: GaN EiceDRIVER
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.5V
Eingabeverzögerung: 37ns
Ausgabeverzögerung: 37ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4959CFXHAMA1 INFN-S-A0004983086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE4959CFXHAMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4959CFXHAMA1 - Hall-Effekt-Sensor, SSO, 3 Pin(s), 4 V, 16 V, -40 °C
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Differenzieller Geschwindigkeits- und Richtungssensor
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4V
Sensorgehäuse/-bauform: SSO
Bauform - Sensor: SSO
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+278.02 грн
10+225.52 грн
25+216.05 грн
50+191.83 грн
100+170.43 грн
250+163.05 грн
500+155.67 грн
1000+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE3HOSA1 INFNS28360-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FF200R17KE3HOSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF200R17KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 310A
Produktpalette: 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 310A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11087.40 грн
5+10391.90 грн
10+9695.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TLS820D2ELVSEXUMA2 3517988.pdf
TLS820D2ELVSEXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS820D2ELVSEXUMA2 - LDO-Festspannungsregler, 3V bis 40Vin, 100mV Dropout, 5V/200mAout, SSOP-14, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 200mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V/5V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsstrom, max.: 200mA
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: SSOP
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 3V
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Ausgangsspannung, max.: -V
Nominelle feste Ausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, min.: -V
Dropout-Spannung Vdo: 100mV
Nennausgangsspannung: 5V
Ausgangsspannung, nom.: 5V
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.56 грн
250+36.45 грн
500+36.37 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLS820D2ELVSEXUMA2 3517988.pdf
TLS820D2ELVSEXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLS820D2ELVSEXUMA2 - LDO-Festspannungsregler, 3V bis 40Vin, 100mV Dropout, 5V/200mAout, SSOP-14, -40°C bis 105°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 3.3V/5V 200mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 200mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+44.33 грн
50+43.47 грн
100+39.56 грн
250+36.45 грн
500+36.37 грн
1000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 312 313 314 315 316 317 318 319 320 321 322 344 387 430 432  [ Наступна Сторінка >> ]