Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25138) > Сторінка 314 з 419

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSP752RXUMA2 BSP752RXUMA2 INFINEON 2333303.pdf Description: INFINEON - BSP752RXUMA2 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, 1 Ausgang, 2.2V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.02ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 2.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.99 грн
10+119.66 грн
50+110.46 грн
100+90.91 грн
250+79.61 грн
500+77.46 грн
1000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RXUMA1 BSP742RXUMA1 INFINEON 2333310.pdf Description: INFINEON - BSP742RXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, Active-Low, 1 Ausgang, 16V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.35ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.09 грн
10+105.43 грн
50+96.23 грн
100+79.26 грн
250+68.78 грн
500+66.20 грн
1000+64.12 грн
2500+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IM828XCCXKMA1 IM828XCCXKMA1 INFINEON Infineon-IM828-XCC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b0174583d4d6d430c Description: INFINEON - IM828XCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7175.40 грн
5+6505.14 грн
10+5834.04 грн
50+5309.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818SCCXKMA1 IM818SCCXKMA1 INFINEON Infineon-IM818-SCC-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1 Description: INFINEON - IM818SCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 8 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS Maxi
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Maxi
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1907.86 грн
5+1690.30 грн
10+1471.90 грн
50+1365.99 грн
100+1149.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818LCCXKMA1 IM818LCCXKMA1 INFINEON 3215559.pdf Description: INFINEON - IM818LCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 20 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi IM818 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3052.58 грн
5+2622.47 грн
10+2191.53 грн
50+1994.59 грн
100+1803.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6E6327FTSA1 INFINEON INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.12 грн
50+24.52 грн
250+20.58 грн
1000+17.48 грн
7500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 BGA725L6E6327FTSA1 INFINEON INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.52 грн
250+20.58 грн
1000+17.48 грн
7500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 BSP296NH6327XTSA1 INFINEON INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.62 грн
200+20.67 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB814E6327GR1HTSA1 BB814E6327GR1HTSA1 INFINEON 1849682.html Description: INFINEON - BB814E6327GR1HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 46.5 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 46.5pF
Produktpalette: BB814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.80 грн
500+10.18 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 BBY6602VH6327XTSA1 INFINEON 1849688.html Description: INFINEON - BBY6602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 71.5 pF, 50 mA, 12 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 71.5pF
Produktpalette: BBY66
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.58 грн
500+15.85 грн
1000+12.12 грн
5000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB844E6327HTSA1 BB844E6327HTSA1 INFINEON 2354697.pdf Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.24 грн
500+12.04 грн
1000+9.61 грн
5000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB914E6327HTSA1 BB914E6327HTSA1 INFINEON 2580921.pdf Description: INFINEON - BB914E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.40 грн
500+13.91 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 BBY5602VH6327XTSA1 INFINEON fundamentals-of-power-semiconductors Description: INFINEON - BBY5602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 10 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.79 грн
500+8.47 грн
1000+7.75 грн
5000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI5012BE1000XUMA1 TLI5012BE1000XUMA1 INFINEON INFN-S-A0001299759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLI5012BE1000XUMA1 - GMR-Winkelsensor, SPI-kompatibel, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.75 грн
10+225.09 грн
25+212.54 грн
50+188.81 грн
100+168.55 грн
250+161.38 грн
500+153.49 грн
1000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+287.85 грн
10+212.54 грн
100+158.99 грн
500+128.21 грн
1000+116.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 IPT026N10N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7 Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+158.99 грн
500+128.21 грн
1000+116.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.64 грн
10+112.97 грн
100+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHV020 S80KS2562GABHV020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+528.85 грн
10+492.03 грн
25+456.88 грн
50+390.06 грн
100+353.60 грн
250+346.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHB020 S80KS2562GABHB020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+623.40 грн
10+573.20 грн
25+548.93 грн
50+496.51 грн
100+448.99 грн
250+438.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHM020 S80KS2562GABHM020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.03 грн
10+523.83 грн
25+507.09 грн
50+450.67 грн
100+408.83 грн
250+400.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHI020 S80KS2562GABHI020 INFINEON CYPR-S-A0013771847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+534.70 грн
10+474.46 грн
25+425.92 грн
50+363.64 грн
100+323.48 грн
250+311.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 S80KS2562GABHA020 INFINEON 3681666.pdf Description: INFINEON - S80KS2562GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.11 грн
10+427.60 грн
25+413.37 грн
50+365.97 грн
100+332.80 грн
250+326.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0053 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.95 грн
10+171.54 грн
100+124.68 грн
500+97.90 грн
1000+79.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL04I06PTTOBO1 EVAL6EDL04I06PTTOBO1 INFINEON Infineon-Evaluationboard_6EDL04I06PT-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029b1924102ff Description: INFINEON - EVAL6EDL04I06PTTOBO1 - Evaluationsboard, 6EDL04I06PT, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 6EDL04I06PT
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 6EDL04I06PT
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8605.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 ISO2H823V25XUMA1 INFINEON INFN-S-A0001304186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+797.45 грн
10+621.73 грн
25+577.38 грн
50+509.72 грн
100+431.06 грн
250+409.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 ISO2H823V25XUMA1 INFINEON INFN-S-A0001304186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+431.06 грн
250+409.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSGATMA1 INFINEON BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.55 грн
16+54.22 грн
100+37.99 грн
500+28.52 грн
1000+22.16 грн
5000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 BSC340N08NS3GATMA1 INFINEON 1648213.pdf Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 860159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.29 грн
17+49.37 грн
100+37.15 грн
500+26.81 грн
1000+21.02 грн
5000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 207460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.99 грн
50+24.77 грн
250+15.65 грн
1000+12.82 грн
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 BSC014N04LSATMA1 INFINEON INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.15 грн
50+88.70 грн
250+69.37 грн
1000+44.52 грн
3000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+17.41 грн
100+8.37 грн
250+6.49 грн
1000+5.48 грн
7500+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 BSS159NH6906XTSA1 INFINEON INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS159NH6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+27.20 грн
50+25.77 грн
250+24.35 грн
1000+18.34 грн
22500+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 F3L25R12W1T4B27BOMA1 INFINEON Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063 Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2875.18 грн
5+2785.65 грн
10+2695.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.35 грн
10+94.56 грн
100+74.39 грн
500+56.64 грн
1000+45.47 грн
5000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+267.77 грн
50+183.26 грн
250+129.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 IRF60SC241ARMA1 INFINEON 3934170.pdf Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 945µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 IRF60SC241ARMA1 INFINEON 3934170.pdf Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+298.73 грн
10+257.73 грн
100+197.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF IRF6717MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012838021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+183.26 грн
250+129.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF IRF6644TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.09 грн
250+101.25 грн
1000+74.90 грн
2000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF IRF6668TRPBF INFINEON INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.37 грн
500+65.74 грн
1000+56.02 грн
5000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF IRF6775MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.39 грн
500+56.64 грн
1000+45.47 грн
5000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206 IRF60DM206 INFINEON INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.67 грн
10+168.19 грн
100+122.17 грн
500+80.03 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBF IRF6795MTRPBF INFINEON INFN-S-A0012826699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF INFINEON INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF IRF6617TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.70 грн
500+76.61 грн
1000+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+91.69 грн
1000+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF IRF6665TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 42W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.57 грн
500+61.46 грн
1000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF IRF6712STRPBF INFINEON INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF IRF6616TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 0.0037 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.72 грн
500+104.90 грн
1000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF IRF6617TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.44 грн
10+111.29 грн
100+88.70 грн
500+76.61 грн
1000+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 ITS42K5DLDFXUMA1 INFINEON Infineon-ITS42K5D-LD-F-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e5300f0d5546a Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.17 грн
10+84.51 грн
50+80.08 грн
100+70.16 грн
250+61.40 грн
500+59.39 грн
1000+57.67 грн
2500+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 ITS42K5DLDFXUMA1 INFINEON Infineon-ITS42K5D-LD-F-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e5300f0d5546a Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.16 грн
250+61.40 грн
500+59.39 грн
1000+57.67 грн
2500+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-343072-EVAL-M2B CYBLE-343072-EVAL-M2B INFINEON 3920461.pdf Description: INFINEON - CYBLE-343072-EVAL-M2B - Evaluationsboard, CYW20835, Bluetooth Low Energy, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYBLE-343072-EVAL, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3145.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920835M2EVB-01 CYW920835M2EVB-01 INFINEON 3812110.pdf Description: INFINEON - CYW920835M2EVB-01 - Evaluationskit, CYW20835, Bluetooth Low Energy-Modul, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920835M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4522.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 CY8C5888AXQ-LP096 INFINEON CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY8C5888AXQ-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C58LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2527.92 грн
5+2287.76 грн
10+2046.77 грн
25+1839.19 грн
50+1545.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 BSS139H6327XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 207460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.77 грн
250+15.65 грн
1000+12.82 грн
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 41249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.17 грн
16+54.56 грн
100+37.24 грн
500+26.57 грн
1000+20.94 грн
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 BSS139H6906XTSA1 INFINEON INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 41249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+26.57 грн
1000+20.94 грн
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4400F100K512BAXQMA1 XMC4400F100K512BAXQMA1 INFINEON INFN-S-A0006625521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC4400F100K512BAXQMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 512 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 80KB
MCU-Baureihe: XMC4400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 75I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+642.65 грн
10+586.58 грн
25+579.05 грн
50+530.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327XTMA1 BFR380L3E6327XTMA1 INFINEON INFN-S-A0009690681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR380L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 380 mW, 80 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+17.57 грн
81+10.38 грн
103+8.15 грн
500+7.12 грн
1000+6.30 грн
5000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752RXUMA2 2333303.pdf
BSP752RXUMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP752RXUMA2 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, 1 Ausgang, 2.2V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.02ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 2.2V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.99 грн
10+119.66 грн
50+110.46 грн
100+90.91 грн
250+79.61 грн
500+77.46 грн
1000+74.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RXUMA1 2333310.pdf
BSP742RXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP742RXUMA1 - Intelligenter Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, Active-High, Active-Low, 1 Ausgang, 16V, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.35ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+143.09 грн
10+105.43 грн
50+96.23 грн
100+79.26 грн
250+68.78 грн
500+66.20 грн
1000+64.12 грн
2500+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IM828XCCXKMA1 Infineon-IM828-XCC-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4627448fb2b0174583d4d6d430c
IM828XCCXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM828XCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), MOSFET, 1.2 kV, 35 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423190
IPM-Leistungsbaustein: MOSFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 35A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7175.40 грн
5+6505.14 грн
10+5834.04 грн
50+5309.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818SCCXKMA1 Infineon-IM818-SCC-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0165f9e925ca2ea1
IM818SCCXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM818SCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 8 A, 2.5 kV, DIP, CIPOS Maxi
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: CIPOS Maxi
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 8A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1907.86 грн
5+1690.30 грн
10+1471.90 грн
50+1365.99 грн
100+1149.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IM818LCCXKMA1 3215559.pdf
IM818LCCXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM818LCCXKMA1 - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 1.2 kV, 20 A, 2.5 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85412900
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 20A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 1.2kV
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: CIPOS Maxi IM818 Series
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3052.58 грн
5+2622.47 грн
10+2191.53 грн
50+1994.59 грн
100+1803.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA725L6E6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.12 грн
50+24.52 грн
250+20.58 грн
1000+17.48 грн
7500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BGA725L6E6327FTSA1 INFNS19149-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BGA725L6E6327FTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGA725L6E6327FTSA1 - IC, HF-Verstärker, 20dB Verstärkung / 0.65dB Rauschzahl, 1.55-1.615GHz, 1.5V-3.6V Versorgung, DFN-6
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Rauschmaß, typ.: 0.65dB
Bauform - HF-IC: DFN
Verstärkung: 20dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Frequenz, min.: 1.55GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.615GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 40299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.52 грн
250+20.58 грн
1000+17.48 грн
7500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSP296NH6327XTSA1 INFNS26384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP296NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP296NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.329 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.329ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.62 грн
200+20.67 грн
500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB814E6327GR1HTSA1 1849682.html
BB814E6327GR1HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB814E6327GR1HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, Varicap, 46.5 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 46.5pF
Produktpalette: BB814
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.80 грн
500+10.18 грн
1000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY6602VH6327XTSA1 1849688.html
BBY6602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY6602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 71.5 pF, 50 mA, 12 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 12V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 71.5pF
Produktpalette: BBY66
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.58 грн
500+15.85 грн
1000+12.12 грн
5000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB844E6327HTSA1 2354697.pdf
BB844E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB844E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.24 грн
500+12.04 грн
1000+9.61 грн
5000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BB914E6327HTSA1 2580921.pdf
BB914E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BB914E6327HTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 45 pF, 50 mA, 18 V, 125 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 18V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 50mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Kapazität: 45pF
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.40 грн
500+13.91 грн
1000+12.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BBY5602VH6327XTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BBY5602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BBY5602VH6327XTSA1 - Diode mit variabler Kapazität, 43 pF, 20 mA, 10 V, 150 °C, SC-79, 2 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 10V
euEccn: NLR
Durchlassstrom, max.: 20mA
Anzahl der Pins: 2 Pins
Kapazität: 43pF
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 19960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.79 грн
500+8.47 грн
1000+7.75 грн
5000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLI5012BE1000XUMA1 INFN-S-A0001299759-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLI5012BE1000XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLI5012BE1000XUMA1 - GMR-Winkelsensor, SPI-kompatibel, 3V bis 5.5V, SOIC-8
tariffCode: 90318080
rohsCompliant: YES
Sensortyp: GMR-Winkelsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Magnetfeld, max.: 0.05T
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Sensorgehäuse/-bauform: SOIC
Magnetoresistive Sensortechnologie: GMR-Sensor (Giant Magneto Resistance)
Bauform - Sensor: SOIC
euEccn: NLR
Magnetfeld, min.: 0.03T
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Ausgangsschnittstelle: SPI
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.75 грн
10+225.09 грн
25+212.54 грн
50+188.81 грн
100+168.55 грн
250+161.38 грн
500+153.49 грн
1000+148.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+287.85 грн
10+212.54 грн
100+158.99 грн
500+128.21 грн
1000+116.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT026N10N5ATMA1 Infineon-IPT026N10N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016ac029615332f7
IPT026N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT026N10N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 202 A, 0.0022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+158.99 грн
500+128.21 грн
1000+116.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 INFNS30358-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPI086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI086N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0074 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.64 грн
10+112.97 грн
100+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHV020 3681666.pdf
S80KS2562GABHV020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHV020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+528.85 грн
10+492.03 грн
25+456.88 грн
50+390.06 грн
100+353.60 грн
250+346.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHB020 3681666.pdf
S80KS2562GABHB020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHB020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+623.40 грн
10+573.20 грн
25+548.93 грн
50+496.51 грн
100+448.99 грн
250+438.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHM020 3681666.pdf
S80KS2562GABHM020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHM020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+574.03 грн
10+523.83 грн
25+507.09 грн
50+450.67 грн
100+408.83 грн
250+400.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHI020 CYPR-S-A0013771847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S80KS2562GABHI020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHI020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+534.70 грн
10+474.46 грн
25+425.92 грн
50+363.64 грн
100+323.48 грн
250+311.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHA020 3681666.pdf
S80KS2562GABHA020
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S80KS2562GABHA020 - DRAM, HyperRAM, 256 Mbit, 32M x 8 Bit, 200 MHz, FBGA, 24 Pin(s)
tariffCode: 85423231
DRAM-Ausführung: HyperRAM
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 256Mbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 200MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+471.11 грн
10+427.60 грн
25+413.37 грн
50+365.97 грн
100+332.80 грн
250+326.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 INFNS09574-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80N06S2L07ATMA3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0053 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.95 грн
10+171.54 грн
100+124.68 грн
500+97.90 грн
1000+79.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL6EDL04I06PTTOBO1 Infineon-Evaluationboard_6EDL04I06PT-ApplicationNotes-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304340155f3d014029b1924102ff
EVAL6EDL04I06PTTOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL6EDL04I06PTTOBO1 - Evaluationsboard, 6EDL04I06PT, IGBT-Gate-Treiber
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: 6EDL04I06PT
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard 6EDL04I06PT
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: IGBT-Gate-Treiber
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8605.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 INFN-S-A0001304186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ISO2H823V25XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+797.45 грн
10+621.73 грн
25+577.38 грн
50+509.72 грн
100+431.06 грн
250+409.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ISO2H823V25XUMA1 INFN-S-A0001304186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ISO2H823V25XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISO2H823V25XUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 8 Ausgang, 3.6V, 1A, 0.21 Ohm, VQFN-EP-70
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.21ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 1A
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 8Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 3.6V
Anzahl der Pins: 70Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+431.06 грн
250+409.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ097N04LSGATMA1 BSZ097N04LSG_rev1.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643be1d53068c
BSZ097N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ097N04LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0081 ohm, PG-TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PG-TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0081ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.55 грн
16+54.22 грн
100+37.99 грн
500+28.52 грн
1000+22.16 грн
5000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSC340N08NS3GATMA1 1648213.pdf
BSC340N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 860159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.29 грн
17+49.37 грн
100+37.15 грн
500+26.81 грн
1000+21.02 грн
5000+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 207460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.99 грн
50+24.77 грн
250+15.65 грн
1000+12.82 грн
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N04LSATMA1 INFN-S-A0009690710-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC014N04LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC014N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.15 грн
50+88.70 грн
250+69.37 грн
1000+44.52 грн
3000+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 INFNS19476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS123NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 mA, 2.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 146887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+17.41 грн
100+8.37 грн
250+6.49 грн
1000+5.48 грн
7500+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BSS159NH6906XTSA1 INFNS19227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS159NH6906XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS159NH6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 1.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 32385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+27.20 грн
50+25.77 грн
250+24.35 грн
1000+18.34 грн
22500+15.13 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
F3L25R12W1T4B27BOMA1 Infineon-F3L25R12W1T4_B27-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499b0c934063
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L25R12W1T4B27BOMA1 - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 45 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 45A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 215W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 215W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 19Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Vierfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 45A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2875.18 грн
5+2785.65 грн
10+2695.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.35 грн
10+94.56 грн
100+74.39 грн
500+56.64 грн
1000+45.47 грн
5000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description INFN-S-A0012838021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6717MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+267.77 грн
50+183.26 грн
250+129.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 3934170.pdf
IRF60SC241ARMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 945µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60SC241ARMA1 3934170.pdf
IRF60SC241ARMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60SC241ARMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 363 A, 0.000945 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 363A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 945µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+298.73 грн
10+257.73 грн
100+197.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6717MTRPBF description INFN-S-A0012838021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6717MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6717MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 38 A, 950 µohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+183.26 грн
250+129.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6644TRPBF INFN-S-A0012826693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6644TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6644TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.0103 ohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.09 грн
250+101.25 грн
1000+74.90 грн
2000+67.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6668TRPBF INFN-S-A0012827008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6668TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6668TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.015 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.37 грн
500+65.74 грн
1000+56.02 грн
5000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6775MTRPBF INFN-S-A0012837979-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6775MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6775MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 28 A, 0.047 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.39 грн
500+56.64 грн
1000+45.47 грн
5000+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF60DM206 INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF60DM206
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 8265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.67 грн
10+168.19 грн
100+122.17 грн
500+80.03 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6795MTRPBF INFN-S-A0012826699-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6795MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6795MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 160 A, 0.0014 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 75W
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6712STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 36W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: DirectFET SQ
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6617TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.70 грн
500+76.61 грн
1000+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6662TRPBF INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6662TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+91.69 грн
1000+81.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6665TRPBF INFN-S-A0012838751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6665TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6665TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19 A, 0.053 ohm, DirectFET SH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 42W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.57 грн
500+61.46 грн
1000+38.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6712STRPBF INFN-S-A0012826367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6712STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6712STRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 68 A, 0.0038 ohm, DirectFET SQ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 36W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6616TRPBF INFN-S-A0012838295-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6616TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6616TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 106 A, 0.0037 ohm, DirectFET MX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MX
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.72 грн
500+104.90 грн
1000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6617TRPBF INFN-S-A0012826316-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6617TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6617TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.0062 ohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET ST
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.44 грн
10+111.29 грн
100+88.70 грн
500+76.61 грн
1000+59.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 Infineon-ITS42K5D-LD-F-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e5300f0d5546a
ITS42K5DLDFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.17 грн
10+84.51 грн
50+80.08 грн
100+70.16 грн
250+61.40 грн
500+59.39 грн
1000+57.67 грн
2500+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ITS42K5DLDFXUMA1 Infineon-ITS42K5D-LD-F-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4624e24005f014e5300f0d5546a
ITS42K5DLDFXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ITS42K5DLDFXUMA1 - Leistungsschalter, PMOS, High-Side, 2 Ausgänge, 4.5V bis 42V, 250mA/2.5 Ohm Ausgang, TSON-10
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 2.5ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 250mA
IC-Gehäuse / Bauform: SON
MSL: MSL 2A - 4 Wochen
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 42V
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+70.16 грн
250+61.40 грн
500+59.39 грн
1000+57.67 грн
2500+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYBLE-343072-EVAL-M2B 3920461.pdf
CYBLE-343072-EVAL-M2B
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYBLE-343072-EVAL-M2B - Evaluationsboard, CYW20835, Bluetooth Low Energy, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYBLE-343072-EVAL, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3145.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CYW920835M2EVB-01 3812110.pdf
CYW920835M2EVB-01
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYW920835M2EVB-01 - Evaluationskit, CYW20835, Bluetooth Low Energy-Modul, SoC, Wireless-Kommunikation
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: CYW20835
Kit-Anwendungsbereich: Drahtlose Kommunikation
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Basisplatine CYW9BTM2BASE1, Bluetooth-Funkkarte CYW920835M2IPA1, USB-Kabel, Kurzanleitung
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: 5A992.c
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4522.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C5888AXQ-LP096 CYPR-S-A0011122087-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY8C5888AXQ-LP096
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C5888AXQ-LP096 - PROGRAMMIERBARES SOC, 80MHZ, TQFP-100
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit, 20 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M3
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Programmspeichergröße: 256KB
MPU-Familie: PSoC 5LP
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 80MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 5
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: CY8C58xx
CPU-Geschwindigkeit: 80MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 62I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
MPU-Baureihe: CY8C58LP
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: CAN, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Bauform - MPU: TQFP
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Prozessorarchitektur: ARM Cortex-M3
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2527.92 грн
5+2287.76 грн
10+2046.77 грн
25+1839.19 грн
50+1545.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6327XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 207460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.77 грн
250+15.65 грн
1000+12.82 грн
3000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6906XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 41249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.17 грн
16+54.56 грн
100+37.24 грн
500+26.57 грн
1000+20.94 грн
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSS139H6906XTSA1 INFNS19226-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS139H6906XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS139H6906XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 100 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SIPMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 41249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+26.57 грн
1000+20.94 грн
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
XMC4400F100K512BAXQMA1 INFN-S-A0006625521-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC4400F100K512BAXQMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC4400F100K512BAXQMA1 - ARM-MCU, XMC4000 Family XMC4400 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M4, 32 Bit, 120 MHz, 512 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M4
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 24Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 3.13V
Betriebsfrequenz, max.: 120MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC4000
RAM-Speichergröße: 80KB
MCU-Baureihe: XMC4400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 75I/O(s)
Anzahl der Pins: 100Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC4000 Family XMC4400 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN, Ethernet, I2C, I2S, SPI, UART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+642.65 грн
10+586.58 грн
25+579.05 грн
50+530.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BFR380L3E6327XTMA1 INFN-S-A0009690681-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR380L3E6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR380L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 380 mW, 80 mA, TSLP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: TSLP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 6V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 14GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.57 грн
81+10.38 грн
103+8.15 грн
500+7.12 грн
1000+6.30 грн
5000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 309 310 311 312 313 314 315 316 317 318 319 328 369 410 419  [ Наступна Сторінка >> ]