Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25950) > Сторінка 429 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR11682STRPBF IR11682STRPBF INFINEON 1904417.pdf Description: INFINEON - IR11682STRPBF - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, 8.6V bis 18V, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 8.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.83 грн
250+107.49 грн
500+102.92 грн
1000+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1 IAUZN04S7L046ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.27 грн
18+50.16 грн
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1 IAUZN04S7L046ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9 Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.18 грн
13+69.73 грн
100+46.07 грн
500+33.37 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N06S5L140ATMA1 IAUZ30N06S5L140ATMA1 INFINEON Infineon-IAUZ30N06S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f471819e61b6 Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.27 грн
500+29.15 грн
1000+22.34 грн
5000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.07 грн
500+33.37 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.96 грн
11+81.83 грн
100+54.52 грн
500+39.72 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.52 грн
500+39.72 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON 4398288.pdf Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.54 грн
500+38.98 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON 4398288.pdf Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.19 грн
12+80.40 грн
100+53.54 грн
500+38.98 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.96 грн
10+201.01 грн
100+140.53 грн
500+113.97 грн
1000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1 IAUC120N06S5N011ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.53 грн
500+113.97 грн
1000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.25 грн
10+181.44 грн
100+141.42 грн
500+105.71 грн
1000+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.42 грн
500+105.71 грн
1000+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON 4395759.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.66 грн
500+43.11 грн
1000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 IAUCN04S7L053DAUMA1 INFINEON 4256789.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.56 грн
500+41.05 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 IAUCN04S7L053DAUMA1 INFINEON 4256789.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+105.84 грн
13+71.24 грн
100+52.56 грн
500+41.05 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON 4470068.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.78 грн
10+125.41 грн
100+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON 4470068.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1 IAUCN04S7N056DAUMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.88 грн
500+44.76 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1 IAUCN04S7N056DAUMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.96 грн
11+85.83 грн
100+58.88 грн
500+44.76 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.51 грн
500+86.72 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.39 грн
500+47.24 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1 IAUZN04S7N049ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1 IAUZN04S7N026ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.83 грн
15+60.75 грн
100+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.31 грн
10+96.06 грн
100+64.39 грн
500+47.24 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 INFINEON 4470067.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+233.03 грн
10+150.31 грн
100+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 IAUC120N06S5L022ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.45 грн
10+127.19 грн
100+87.07 грн
500+64.01 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON 4520219.pdf Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+87.87 грн
14+63.68 грн
100+50.70 грн
500+42.20 грн
1000+36.52 грн
5000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1 IAUZN04S7N026ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+176.10 грн
10+131.63 грн
100+108.51 грн
500+86.72 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+121.85 грн
11+83.60 грн
100+61.64 грн
500+49.47 грн
1000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.64 грн
500+49.47 грн
1000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1 IAUZN04S7N049ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.27 грн
18+50.16 грн
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 INFINEON 4470067.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON 4520219.pdf Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.70 грн
500+42.20 грн
1000+36.52 грн
5000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 IAUC120N06S5L022ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.07 грн
500+64.01 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON 4395759.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.30 грн
11+85.03 грн
100+56.66 грн
500+43.11 грн
1000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON 4159881.pdf Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.92 грн
500+211.43 грн
1000+193.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON 4159881.pdf Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+428.70 грн
10+279.28 грн
100+233.92 грн
500+211.43 грн
1000+193.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T CY8C4013LQI-411T INFINEON 2573471.pdf Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+101.39 грн
13+73.91 грн
50+67.42 грн
100+55.42 грн
250+48.10 грн
500+46.27 грн
1000+44.52 грн
2500+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 INFINEON BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+216.13 грн
10+160.98 грн
100+133.41 грн
500+109.02 грн
1000+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 INFINEON BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.41 грн
500+109.02 грн
1000+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+422.47 грн
10+348.65 грн
100+282.83 грн
500+232.90 грн
1000+204.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+282.83 грн
500+232.90 грн
1000+204.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.29 грн
500+34.36 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1 FF6MR12KM1HHPSA1 INFINEON Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16816.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.24 грн
10+147.64 грн
100+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.72 грн
500+70.53 грн
1000+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.01 грн
10+133.41 грн
100+90.72 грн
500+70.53 грн
1000+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.46 грн
250+51.61 грн
500+49.55 грн
1000+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+117.40 грн
11+86.98 грн
50+78.54 грн
100+59.46 грн
250+51.61 грн
500+49.55 грн
1000+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+62.08 грн
20+46.69 грн
100+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.22 грн
10+121.85 грн
100+84.76 грн
500+66.65 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.76 грн
500+66.65 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IR11682STRPBF 1904417.pdf
IR11682STRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR11682STRPBF - Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller, 8.6V bis 18V, NSOIC-8
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Sekundärseitiger Synchrongleichrichter-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: NSOIC
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Versorgungsspannung, min.: 8.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+112.83 грн
250+107.49 грн
500+102.92 грн
1000+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1 Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd
IAUZN04S7L046ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.27 грн
18+50.16 грн
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7L046ATMA1 Infineon-IAUZN04S7L046-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92416ca50192a79ecf4a6acd
IAUZN04S7L046ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7L046ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4640 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4640µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N06S5N050ATMA1 Infineon-IAUZ40N06S5N050-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f47191a561b9
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 4000 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae
IAUC41N06S5L100ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.18 грн
13+69.73 грн
100+46.07 грн
500+33.37 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ30N06S5L140ATMA1 Infineon-IAUZ30N06S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f471819e61b6
IAUZ30N06S5L140ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZ30N06S5L140ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.0112 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 33W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TSDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0112ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.27 грн
500+29.15 грн
1000+22.34 грн
5000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae
IAUC41N06S5L100ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC41N06S5L100ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 41 A, 7900 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0079ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.07 грн
500+33.37 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.96 грн
11+81.83 грн
100+54.52 грн
500+39.72 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
IAUC60N06S5L073ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5L073ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.52 грн
500+39.72 грн
1000+32.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 4398288.pdf
IAUC60N06S5N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.54 грн
500+38.98 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 4398288.pdf
IAUC60N06S5N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N06S5N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.19 грн
12+80.40 грн
100+53.54 грн
500+38.98 грн
1000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c
IAUC120N06S5N011ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+305.96 грн
10+201.01 грн
100+140.53 грн
500+113.97 грн
1000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N011ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N011-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7fb5929e017fc1a9d3fd122c
IAUC120N06S5N011ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5N011ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1120 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1120µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.53 грн
500+113.97 грн
1000+100.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4
IAUC120N06S5L015ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+239.25 грн
10+181.44 грн
100+141.42 грн
500+105.71 грн
1000+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4
IAUC120N06S5L015ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.42 грн
500+105.71 грн
1000+89.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 4395759.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.66 грн
500+43.11 грн
1000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 4256789.pdf
IAUCN04S7L053DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.56 грн
500+41.05 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 4256789.pdf
IAUCN04S7L053DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+105.84 грн
13+71.24 грн
100+52.56 грн
500+41.05 грн
1000+34.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 4470068.pdf
IAUCN04S7N024DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.78 грн
10+125.41 грн
100+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 4470068.pdf
IAUCN04S7N024DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1
IAUCN04S7N056DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.88 грн
500+44.76 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1
IAUCN04S7N056DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.96 грн
11+85.83 грн
100+58.88 грн
500+44.76 грн
1000+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1
IAUCN10S5L094DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.51 грн
500+86.72 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677
IAUC60N10S5L110ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.39 грн
500+47.24 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1
IAUZN04S7N049ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1
IAUZN04S7N026ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+89.83 грн
15+60.75 грн
100+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677
IAUC60N10S5L110ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.31 грн
10+96.06 грн
100+64.39 грн
500+47.24 грн
1000+39.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 4470067.pdf
IAUCN04S7N019DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.03 грн
10+150.31 грн
100+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1
IAUC120N06S5L022ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.45 грн
10+127.19 грн
100+87.07 грн
500+64.01 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 4520219.pdf
IAUZN04S7N013ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+87.87 грн
14+63.68 грн
100+50.70 грн
500+42.20 грн
1000+36.52 грн
5000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1
IAUZN04S7N026ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1
IAUCN10S5L094DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+176.10 грн
10+131.63 грн
100+108.51 грн
500+86.72 грн
1000+78.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1
IAUCN04S7N056DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+121.85 грн
11+83.60 грн
100+61.64 грн
500+49.47 грн
1000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1
IAUCN04S7N056DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.64 грн
500+49.47 грн
1000+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1
IAUZN04S7N049ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.27 грн
18+50.16 грн
100+34.69 грн
500+27.34 грн
1000+21.65 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 4470067.pdf
IAUCN04S7N019DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 4520219.pdf
IAUZN04S7N013ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.70 грн
500+42.20 грн
1000+36.52 грн
5000+33.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1
IAUC120N06S5L022ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.07 грн
500+64.01 грн
1000+55.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 4395759.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.30 грн
11+85.03 грн
100+56.66 грн
500+43.11 грн
1000+34.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 4159881.pdf
ISC030N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+233.92 грн
500+211.43 грн
1000+193.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 4159881.pdf
ISC030N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+428.70 грн
10+279.28 грн
100+233.92 грн
500+211.43 грн
1000+193.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T 2573471.pdf
CY8C4013LQI-411T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+101.39 грн
13+73.91 грн
50+67.42 грн
100+55.42 грн
250+48.10 грн
500+46.27 грн
1000+44.52 грн
2500+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC088N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+216.13 грн
10+160.98 грн
100+133.41 грн
500+109.02 грн
1000+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC088N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.41 грн
500+109.02 грн
1000+98.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+422.47 грн
10+348.65 грн
100+282.83 грн
500+232.90 грн
1000+204.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+282.83 грн
500+232.90 грн
1000+204.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1
ISZ033N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+44.29 грн
500+34.36 грн
1000+27.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1
FF6MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16816.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+215.24 грн
10+147.64 грн
100+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+90.72 грн
500+70.53 грн
1000+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+209.01 грн
10+133.41 грн
100+90.72 грн
500+70.53 грн
1000+60.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.46 грн
250+51.61 грн
500+49.55 грн
1000+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.40 грн
11+86.98 грн
50+78.54 грн
100+59.46 грн
250+51.61 грн
500+49.55 грн
1000+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+62.08 грн
20+46.69 грн
100+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.22 грн
10+121.85 грн
100+84.76 грн
500+66.65 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.76 грн
500+66.65 грн
1000+52.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433  [ Наступна Сторінка >> ]