Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25964) > Сторінка 429 з 433

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.22 грн
500+97.34 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON 4395759.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.17 грн
500+39.70 грн
1000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 IAUCN04S7L053DAUMA1 INFINEON 4256789.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.40 грн
500+37.80 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 IAUCN04S7L053DAUMA1 INFINEON 4256789.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.46 грн
13+65.60 грн
100+48.40 грн
500+37.80 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON 4470068.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+179.36 грн
10+115.48 грн
100+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 IAUCN04S7N024DATMA1 INFINEON 4470068.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1 IAUCN04S7N056DAUMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.22 грн
500+41.22 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1 IAUCN04S7N056DAUMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.76 грн
11+79.03 грн
100+54.22 грн
500+41.22 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.92 грн
500+79.85 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+59.30 грн
500+43.50 грн
1000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1 IAUZN04S7N049ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.94 грн
500+25.17 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1 IAUZN04S7N026ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.72 грн
15+55.94 грн
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677 Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.41 грн
10+88.45 грн
100+59.30 грн
500+43.50 грн
1000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 INFINEON 4470067.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.58 грн
10+138.41 грн
100+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 IAUC120N06S5L022ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.82 грн
10+117.12 грн
100+80.18 грн
500+58.94 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON 4520219.pdf Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.92 грн
14+58.64 грн
100+46.68 грн
500+38.86 грн
1000+33.63 грн
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1 IAUZN04S7N026ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1 IAUCN10S5L094DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+162.16 грн
10+121.21 грн
100+99.92 грн
500+79.85 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.20 грн
11+76.99 грн
100+56.76 грн
500+45.55 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1 IAUCN04S7N056DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.76 грн
500+45.55 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1 IAUZN04S7N049ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.39 грн
18+46.19 грн
100+31.94 грн
500+25.17 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 INFINEON 4470067.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON 4520219.pdf Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.68 грн
500+38.86 грн
1000+33.63 грн
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 IAUC120N06S5L022ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.18 грн
500+58.94 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON 4395759.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.67 грн
11+78.30 грн
100+52.17 грн
500+39.70 грн
1000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON 4159881.pdf Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+215.40 грн
500+194.69 грн
1000+178.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON 4159881.pdf Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+394.76 грн
10+257.17 грн
100+215.40 грн
500+194.69 грн
1000+178.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T CY8C4013LQI-411T INFINEON 2573471.pdf Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.37 грн
13+68.06 грн
50+62.08 грн
100+51.03 грн
250+44.30 грн
500+42.61 грн
1000+41.00 грн
2500+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 INFINEON BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.02 грн
10+148.24 грн
100+122.85 грн
500+100.39 грн
1000+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 INFINEON BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+122.85 грн
500+100.39 грн
1000+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+389.02 грн
10+321.05 грн
100+260.44 грн
500+214.46 грн
1000+188.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+260.44 грн
500+214.46 грн
1000+188.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.79 грн
500+31.64 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1 FF6MR12KM1HHPSA1 INFINEON 4018771.pdf Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20108.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.20 грн
10+135.95 грн
100+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.54 грн
500+64.95 грн
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.46 грн
10+122.85 грн
100+83.54 грн
500+64.95 грн
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.76 грн
250+47.53 грн
500+45.63 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
11+80.10 грн
50+72.32 грн
100+54.76 грн
250+47.53 грн
500+45.63 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.17 грн
20+43.00 грн
100+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.08 грн
10+112.20 грн
100+78.05 грн
500+61.37 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.05 грн
500+61.37 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.94 грн
10+93.37 грн
50+85.18 грн
100+69.89 грн
250+60.72 грн
500+58.41 грн
1000+56.51 грн
2500+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.94 грн
10+93.37 грн
50+85.18 грн
100+69.89 грн
250+60.72 грн
500+58.41 грн
1000+56.51 грн
2500+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.20 грн
10+192.46 грн
100+134.32 грн
500+110.27 грн
1000+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+293.20 грн
10+192.46 грн
100+134.32 грн
500+110.27 грн
1000+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+132.68 грн
500+104.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+266.18 грн
10+172.81 грн
100+132.68 грн
500+104.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.00 грн
10+218.67 грн
100+195.74 грн
500+177.96 грн
1000+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.93 грн
10+313.68 грн
100+253.89 грн
500+209.14 грн
1000+165.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+269.45 грн
500+231.19 грн
1000+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+253.89 грн
500+209.14 грн
1000+165.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+195.74 грн
500+177.96 грн
1000+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+373.46 грн
10+314.50 грн
100+269.45 грн
500+231.19 грн
1000+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.42 грн
250+76.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1 IAUCN08S7N016TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N016T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d785ac52e80 Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+382.47 грн
10+253.89 грн
100+201.47 грн
500+166.55 грн
1000+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L015ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L015-datasheet-10-Infineon-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275dfda0ef4
IAUC120N06S5L015ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L015ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1500 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+130.22 грн
500+97.34 грн
1000+82.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 4395759.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.17 грн
500+39.70 грн
1000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 4256789.pdf
IAUCN04S7L053DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.40 грн
500+37.80 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DAUMA1 4256789.pdf
IAUCN04S7L053DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.46 грн
13+65.60 грн
100+48.40 грн
500+37.80 грн
1000+32.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 4470068.pdf
IAUCN04S7N024DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+179.36 грн
10+115.48 грн
100+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N024DATMA1 4470068.pdf
IAUCN04S7N024DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N024DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 2490 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2490µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 72W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+79.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1
IAUCN04S7N056DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.22 грн
500+41.22 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DAUMA1
IAUCN04S7N056DAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DAUMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+118.76 грн
11+79.03 грн
100+54.22 грн
500+41.22 грн
1000+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1
IAUCN10S5L094DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.92 грн
500+79.85 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677
IAUC60N10S5L110ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.30 грн
500+43.50 грн
1000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1
IAUZN04S7N049ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.94 грн
500+25.17 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1
IAUZN04S7N026ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.72 грн
15+55.94 грн
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 Infineon-IAUC60N10S5L110-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b9370c4677
IAUC60N10S5L110ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC60N10S5L110ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.41 грн
10+88.45 грн
100+59.30 грн
500+43.50 грн
1000+36.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 4470067.pdf
IAUCN04S7N019DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+214.58 грн
10+138.41 грн
100+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1
IAUC120N06S5L022ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+181.82 грн
10+117.12 грн
100+80.18 грн
500+58.94 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 4520219.pdf
IAUZN04S7N013ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.92 грн
14+58.64 грн
100+46.68 грн
500+38.86 грн
1000+33.63 грн
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N026ATMA1
IAUZN04S7N026ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N026ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 2690 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2690µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S5L094DATMA1
IAUCN10S5L094DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S5L094DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 9400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 94W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+162.16 грн
10+121.21 грн
100+99.92 грн
500+79.85 грн
1000+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1
IAUCN04S7N056DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+112.20 грн
11+76.99 грн
100+56.76 грн
500+45.55 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N056DATMA1
IAUCN04S7N056DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N056DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5590 µohm
tariffCode: 85412900
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
euEccn: NLR
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5590µohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.76 грн
500+45.55 грн
1000+36.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1
IAUZN04S7N049ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+68.39 грн
18+46.19 грн
100+31.94 грн
500+25.17 грн
1000+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 4470067.pdf
IAUCN04S7N019DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 4520219.pdf
IAUZN04S7N013ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.68 грн
500+38.86 грн
1000+33.63 грн
5000+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1
IAUC120N06S5L022ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.18 грн
500+58.94 грн
1000+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 4395759.pdf
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.67 грн
11+78.30 грн
100+52.17 грн
500+39.70 грн
1000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 4159881.pdf
ISC030N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+215.40 грн
500+194.69 грн
1000+178.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 4159881.pdf
ISC030N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+394.76 грн
10+257.17 грн
100+215.40 грн
500+194.69 грн
1000+178.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T 2573471.pdf
CY8C4013LQI-411T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.37 грн
13+68.06 грн
50+62.08 грн
100+51.03 грн
250+44.30 грн
500+42.61 грн
1000+41.00 грн
2500+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC088N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+199.02 грн
10+148.24 грн
100+122.85 грн
500+100.39 грн
1000+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC088N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.85 грн
500+100.39 грн
1000+90.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+389.02 грн
10+321.05 грн
100+260.44 грн
500+214.46 грн
1000+188.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+260.44 грн
500+214.46 грн
1000+188.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1
ISZ033N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.79 грн
500+31.64 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1 4018771.pdf
FF6MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20108.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.20 грн
10+135.95 грн
100+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+95.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+83.54 грн
500+64.95 грн
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+192.46 грн
10+122.85 грн
100+83.54 грн
500+64.95 грн
1000+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.76 грн
250+47.53 грн
500+45.63 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.11 грн
11+80.10 грн
50+72.32 грн
100+54.76 грн
250+47.53 грн
500+45.63 грн
1000+44.16 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.17 грн
20+43.00 грн
100+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.08 грн
10+112.20 грн
100+78.05 грн
500+61.37 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.05 грн
500+61.37 грн
1000+48.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.94 грн
10+93.37 грн
50+85.18 грн
100+69.89 грн
250+60.72 грн
500+58.41 грн
1000+56.51 грн
2500+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+126.94 грн
10+93.37 грн
50+85.18 грн
100+69.89 грн
250+60.72 грн
500+58.41 грн
1000+56.51 грн
2500+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.20 грн
10+192.46 грн
100+134.32 грн
500+110.27 грн
1000+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11
IPB175N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.20 грн
10+192.46 грн
100+134.32 грн
500+110.27 грн
1000+84.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12
IPB057N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.68 грн
500+104.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12
IPB057N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+266.18 грн
10+172.81 грн
100+132.68 грн
500+104.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.00 грн
10+218.67 грн
100+195.74 грн
500+177.96 грн
1000+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+384.93 грн
10+313.68 грн
100+253.89 грн
500+209.14 грн
1000+165.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+269.45 грн
500+231.19 грн
1000+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+253.89 грн
500+209.14 грн
1000+165.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+195.74 грн
500+177.96 грн
1000+160.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+373.46 грн
10+314.50 грн
100+269.45 грн
500+231.19 грн
1000+194.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.42 грн
250+76.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N016T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d785ac52e80
IAUCN08S7N016TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.47 грн
10+253.89 грн
100+201.47 грн
500+166.55 грн
1000+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 424 425 426 427 428 429 430 431 432 433  [ Наступна Сторінка >> ]