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IRFR3410TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 75 A, 1.58 V, Brücke, Modul, 52 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Modul Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.58V usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 52Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Konfiguration Diodenmodul: Brücke Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF450R17ME7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF450R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 450A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF600R17ME7B11BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD14N06S280ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 47W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD50R3K0CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD50R3K0CEAUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 26W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 13V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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T560N16TOFXPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - T560N16TOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasenanschnittsteuerung, 559A, 200mA Igt, 2Vgt, 1.26kA, 1.8kV, ModultariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 559A euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: 1.26kA Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV SCR-Modul: Phasenregelung Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: T560N16TOF Series Zündstrom, max.: 200mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Schraub Bauform - Thyristor: Modul Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IDWD100E120D7XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IDWD100E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 146 A, Einfach, 3 V, 205 ns, 329 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Durchlassstoßstrom: 329A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 3V Sperrverzögerungszeit: 205ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 146A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IKWH70N65WR6XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IKWH70N65WR6XKSA1 - IGBT, 122 A, 1.55 V, 290 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 290W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 122A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70081EPRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70081EPRXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 0.0088 Ohm, TSSOP-EP-14tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 8800µohm rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Eingangsspannung: 28V Anzahl der Pins: 14Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BTS70081EPRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BTS70081EPRXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 0.0088 Ohm, TSSOP-EP-14tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 8800µohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Strombegrenzung: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 28V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPB60R070CFD7ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPB60R070CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFL4310TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF400R07KE4HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF400R07KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 1.25kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 485A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn DC-Kollektorstrom: 485A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IM67D128BV01XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IM67D128BV01XTMA1 - Mikrofon, ungerichtet, MEMS, digital - PDM, 128dB AOP, 67dB SNR, 1.6-3.465V, TLGA-5 tariffCode: 85181000 Empfindlichkeit (dB): -37dB rohsCompliant: YES Signal-Rausch-Verhältnis (SNR): 67dB hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y IP-Schutzart: IP57 usEccn: EAR99 Mikrofon: MEMS Richtcharakteristik: Omnidirektional Versorgungsspannung, min.: 1.6V Sensorgehäuse/-bauform: TLGA euEccn: NLR Akustischer Übersteuerungspunkt (AOP): 128dB Impedanz: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 3.465V Ausgangsschnittstelle: Digital - PDM SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF600R12ME4B72BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: EconoDUAL3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF650R17IE4BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 4.15kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.15kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 930A Produktpalette: PrimePACK 2 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 930A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FF600R12ME7BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FF600R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss euEccn: NLR Verlustleistung: 20mW Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPT60T040S7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPT60T040S7XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: HSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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F3L420R12W3H7H21BPSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - F3L420R12W3H7H21BPSA1 - IGBT-Modul, 240 A, 1.47 V, 175 °C, ModultariffCode: 85359000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 240A Produktpalette: EasyPACK Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IR2101STRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 360mA Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 210mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML9303TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1EDI3026ASXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - 1EDI3026ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 20A Treiberkonfiguration: High-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: PWM usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 20A Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Gate-Treiber: Isoliert Anzahl der Pins: 20Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 60ns Ausgabeverzögerung: 60ns Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML0030TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 16641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFR3910TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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IRF9317TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML0040TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 24104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 210399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML0060TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLR120NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML6346TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML2246TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7739L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRF7739L1TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 375A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: DirectFET L8 Anzahl der Pins: 15Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITPSC3M5CC1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITPSC3M5CC1 - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, ARM, Cortex-M33, 32 Bit tariffCode: 84733020 Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorarchitektur: ARM Prozessorfamilie: PSOC C3 Anzahl der Bits: 32bit Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, Steuerkarte für digitale Leistungsregelung, Schnittstellenplatine, USB-A/C, Kurzanleitung euEccn: NLR isCanonical: Y Prozessorserie: Cortex-M33 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A991.a.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KITPSC3M5DP1 | INFINEON |
Description: INFINEON - KITPSC3M5DP1 - EVALUATIONSKIT, SYNCHR. ABWÄRTSWANDLER tariffCode: 84733020 Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1 productTraceability: No rohsCompliant: YES Prozessorhersteller: Infineon Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard mit zweifacher Abwärtsregelung, Steuerkarte C3M5 für Leistungsregelung, USB-A/C-Kabel, 24V DC-Netzadapter euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: 3A991.a.2 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IPD5N25S3430ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS T productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML5103TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: µSOIC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IAUZN04S7N020ATMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IAUZN04S7N020ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.002 ohm, TSDSON, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TSDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRFS7430TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLE4946KHTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - TLE4946KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.014 T, -0.014 T, 2.7 V, 18 VtariffCode: 85423990 Hall-Effekt-Typ: Bipolar rohsCompliant: YES Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 20mA isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Ausschaltpunkt, typ.: -0.014T Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V Sensorgehäuse/-bauform: SC-59 Bauform - Sensor: SC-59 euEccn: NLR Schaltpunkt, typ.: 0.014T Anzahl der Pins: 3 Pins Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XENSIV Series Hysterese, typ.: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IRLML9301TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| IRFR3410TRLPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.039 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.04 грн |
| 500+ | 38.56 грн |
| 1000+ | 32.29 грн |
| FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 75 A, 1.58 V, Brücke, Modul, 52 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.58V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 - Diodenmodul, 1.2 kV, 75 A, 1.58 V, Brücke, Modul, 52 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Modul
Durchlassstoßstrom: 150A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.58V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 52Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Konfiguration Diodenmodul: Brücke
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12936.92 грн |
| FF450R17ME7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF450R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF450R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 19932.82 грн |
| 5+ | 19533.97 грн |
| FF600R17ME7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 16889.42 грн |
| 5+ | 16551.99 грн |
| IPD14N06S280ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD14N06S280ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 47W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.05ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.41 грн |
| 500+ | 20.84 грн |
| 1000+ | 18.88 грн |
| IPD50R3K0CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.76 грн |
| 500+ | 11.79 грн |
| 1000+ | 10.81 грн |
| IPD50R3K0CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD50R3K0CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 2.6 A, 2.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 31.37 грн |
| 38+ | 21.79 грн |
| 100+ | 13.76 грн |
| 500+ | 11.79 грн |
| 1000+ | 10.81 грн |
| T560N16TOFXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - T560N16TOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasenanschnittsteuerung, 559A, 200mA Igt, 2Vgt, 1.26kA, 1.8kV, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 559A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.26kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: T560N16TOF Series
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - T560N16TOFXPSA1 - Thyristor-Modul, Phasenanschnittsteuerung, 559A, 200mA Igt, 2Vgt, 1.26kA, 1.8kV, Modul
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 559A
euEccn: NLR
RMS-Durchlassstrom: 1.26kA
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: Phasenregelung
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: T560N16TOF Series
Zündstrom, max.: 200mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Schraub
Bauform - Thyristor: Modul
Periodische Spitzensperrspannung: 1.6kV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8572.47 грн |
| 5+ | 8401.30 грн |
| IDWD100E120D7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD100E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 146 A, Einfach, 3 V, 205 ns, 329 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 329A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 205ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 146A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IDWD100E120D7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 146 A, Einfach, 3 V, 205 ns, 329 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 329A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 3V
Sperrverzögerungszeit: 205ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 146A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 360.36 грн |
| 10+ | 226.04 грн |
| 100+ | 189.19 грн |
| IKWH70N65WR6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKWH70N65WR6XKSA1 - IGBT, 122 A, 1.55 V, 290 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 122A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IKWH70N65WR6XKSA1 - IGBT, 122 A, 1.55 V, 290 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 122A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 WR6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 271.91 грн |
| 10+ | 150.70 грн |
| 100+ | 124.49 грн |
| BTS70081EPRXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70081EPRXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 0.0088 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 8800µohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BTS70081EPRXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 0.0088 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 8800µohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 103.43 грн |
| 250+ | 89.86 грн |
| 500+ | 78.62 грн |
| 1000+ | 70.13 грн |
| 2500+ | 68.73 грн |
| BTS70081EPRXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS70081EPRXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 0.0088 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 8800µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BTS70081EPRXUMA1 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 28V, 0.0088 Ohm, TSSOP-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 8800µohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Strombegrenzung: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 28V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.22 грн |
| 10+ | 146.60 грн |
| 50+ | 131.86 грн |
| 100+ | 103.43 грн |
| 250+ | 89.86 грн |
| 500+ | 78.62 грн |
| 1000+ | 70.13 грн |
| 2500+ | 68.73 грн |
| IPB60R070CFD7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB60R070CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPB60R070CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 31 A, 0.057 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 351.35 грн |
| 10+ | 242.42 грн |
| 100+ | 181.82 грн |
| 500+ | 168.07 грн |
| 1000+ | 126.36 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.96 грн |
| 500+ | 22.28 грн |
| 1000+ | 18.53 грн |
| FF400R07KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF400R07KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 485A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 485A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF400R07KE4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 485 A, 1.55 V, 1.25 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 1.25kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 485A
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
DC-Kollektorstrom: 485A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6512.69 грн |
| 5+ | 6382.47 грн |
| IM67D128BV01XTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IM67D128BV01XTMA1 - Mikrofon, ungerichtet, MEMS, digital - PDM, 128dB AOP, 67dB SNR, 1.6-3.465V, TLGA-5
tariffCode: 85181000
Empfindlichkeit (dB): -37dB
rohsCompliant: YES
Signal-Rausch-Verhältnis (SNR): 67dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IP-Schutzart: IP57
usEccn: EAR99
Mikrofon: MEMS
Richtcharakteristik: Omnidirektional
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: TLGA
euEccn: NLR
Akustischer Übersteuerungspunkt (AOP): 128dB
Impedanz: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Ausgangsschnittstelle: Digital - PDM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IM67D128BV01XTMA1 - Mikrofon, ungerichtet, MEMS, digital - PDM, 128dB AOP, 67dB SNR, 1.6-3.465V, TLGA-5
tariffCode: 85181000
Empfindlichkeit (dB): -37dB
rohsCompliant: YES
Signal-Rausch-Verhältnis (SNR): 67dB
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IP-Schutzart: IP57
usEccn: EAR99
Mikrofon: MEMS
Richtcharakteristik: Omnidirektional
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: TLGA
euEccn: NLR
Akustischer Übersteuerungspunkt (AOP): 128dB
Impedanz: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.465V
Ausgangsschnittstelle: Digital - PDM
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 87.63 грн |
| 12+ | 69.04 грн |
| 25+ | 62.74 грн |
| 50+ | 54.22 грн |
| 100+ | 46.68 грн |
| 500+ | 40.93 грн |
| FF600R12ME4B72BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 17335.77 грн |
| 5+ | 16035.20 грн |
| 10+ | 14734.63 грн |
| FF650R17IE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 4.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 930A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 930A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF650R17IE4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 930 A, 2 V, 4.15 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 4.15kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.15kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 930A
Produktpalette: PrimePACK 2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 930A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24738.71 грн |
| FF600R12ME7BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF600R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - FF600R12ME7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift, Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15618.33 грн |
| 5+ | 14465.18 грн |
| 10+ | 13311.21 грн |
| IPT60T040S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 585.58 грн |
| 10+ | 412.78 грн |
| 100+ | 343.98 грн |
| 500+ | 285.19 грн |
| 1000+ | 234.47 грн |
| IPT60T040S7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 412.78 грн |
| 100+ | 343.98 грн |
| 500+ | 285.19 грн |
| 1000+ | 234.47 грн |
| F3L420R12W3H7H21BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L420R12W3H7H21BPSA1 - IGBT-Modul, 240 A, 1.47 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85359000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 240A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - F3L420R12W3H7H21BPSA1 - IGBT-Modul, 240 A, 1.47 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85359000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.47V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 240A
Produktpalette: EasyPACK Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6628.99 грн |
| IR2101STRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IR2101STRPBF - IGBT/MOSFET-Treiber, High- & Low-Side, 10V-20V Versorgungsspannung, 360mAout, 150ns, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 360mA
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 210mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.85 грн |
| 250+ | 51.95 грн |
| 500+ | 49.91 грн |
| 1000+ | 46.47 грн |
| 2500+ | 44.79 грн |
| IRLML9303TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML9303TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.3 A, 0.165 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.00 грн |
| 250+ | 12.04 грн |
| 1000+ | 7.41 грн |
| 3000+ | 5.70 грн |
| 1EDI3026ASXUMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1EDI3026ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - 1EDI3026ASXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, 20 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 20A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: PWM
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 20A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Eingabeverzögerung: 60ns
Ausgabeverzögerung: 60ns
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 278.46 грн |
| 10+ | 210.48 грн |
| 25+ | 194.10 грн |
| 50+ | 171.87 грн |
| 100+ | 150.23 грн |
| 250+ | 142.51 грн |
| 500+ | 141.10 грн |
| 1000+ | 139.00 грн |
| IRLML0030TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML0030TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.027 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.18 грн |
| 500+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 10.39 грн |
| 5000+ | 8.56 грн |
| IRFR3910TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFR3910TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF9317TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRF9317TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6600 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 52.58 грн |
| 250+ | 38.49 грн |
| 1000+ | 25.78 грн |
| 2000+ | 21.69 грн |
| IRLML0040TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML0040TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.056 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.05 грн |
| 250+ | 13.27 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| 3000+ | 6.44 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 210399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 25.63 грн |
| 250+ | 16.38 грн |
| 1000+ | 10.19 грн |
| 3000+ | 7.72 грн |
| IRLML0060TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML0060TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 8.85 грн |
| IRLR120NTRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR120NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 43.65 грн |
| 500+ | 31.79 грн |
| 1000+ | 26.61 грн |
| IRLML6346TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 6.65 грн |
| IRLML2246TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.99 грн |
| 500+ | 7.83 грн |
| 1000+ | 6.56 грн |
| 5000+ | 5.15 грн |
| IRF7739L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 167.08 грн |
| 500+ | 152.86 грн |
| 1000+ | 133.38 грн |
| IRF7739L1TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF7739L1TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 375 A, 1000 µohm, DirectFET L8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 375A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: DirectFET L8
Anzahl der Pins: 15Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 322.69 грн |
| 10+ | 233.42 грн |
| 100+ | 167.08 грн |
| 500+ | 152.86 грн |
| 1000+ | 133.38 грн |
| KITPSC3M5CC1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSC3M5CC1 - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, ARM, Cortex-M33, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, Steuerkarte für digitale Leistungsregelung, Schnittstellenplatine, USB-A/C, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITPSC3M5CC1 - Evaluationskit, PSC3M5FDS2AFQ1, ARM, Cortex-M33, 32 Bit
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorarchitektur: ARM
Prozessorfamilie: PSOC C3
Anzahl der Bits: 32bit
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard PSC3M5FDS2AFQ1, Steuerkarte für digitale Leistungsregelung, Schnittstellenplatine, USB-A/C, Kurzanleitung
euEccn: NLR
isCanonical: Y
Prozessorserie: Cortex-M33
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4882.88 грн |
| KITPSC3M5DP1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - KITPSC3M5DP1 - EVALUATIONSKIT, SYNCHR. ABWÄRTSWANDLER
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard mit zweifacher Abwärtsregelung, Steuerkarte C3M5 für Leistungsregelung, USB-A/C-Kabel, 24V DC-Netzadapter
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - KITPSC3M5DP1 - EVALUATIONSKIT, SYNCHR. ABWÄRTSWANDLER
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: PSC3M5FDS2AFQ1
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard mit zweifacher Abwärtsregelung, Steuerkarte C3M5 für Leistungsregelung, USB-A/C-Kabel, 24V DC-Netzadapter
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: 3A991.a.2
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12954.94 грн |
| IPD5N25S3430ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPD5N25S3430ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 5 A, 0.37 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 66.83 грн |
| IRLML5103TRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML5103TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.6 ohm, µSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540mW
Bauform - Transistor: µSOIC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 36.61 грн |
| 37+ | 22.19 грн |
| 100+ | 14.09 грн |
| 500+ | 9.81 грн |
| 1000+ | 8.00 грн |
| 5000+ | 6.77 грн |
| IAUZN04S7N020ATMA2 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N020ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IAUZN04S7N020ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.002 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 109.75 грн |
| 12+ | 69.04 грн |
| 100+ | 46.03 грн |
| 500+ | 33.54 грн |
| 1000+ | 28.29 грн |
| IRFS7430TRL7PP |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 139.17 грн |
| 250+ | 125.66 грн |
| TLE4946KHTSA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4946KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.014 T, -0.014 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20mA
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.014T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.014T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - TLE4946KHTSA1 - Hall-Effekt-Schalter, Bipolarer Hall-Effekt-Latch, 0.014 T, -0.014 T, 2.7 V, 18 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Bipolar
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Bipolarer Hall-Effekt-Latch
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 20mA
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -0.014T
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Sensorgehäuse/-bauform: SC-59
Bauform - Sensor: SC-59
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 0.014T
Anzahl der Pins: 3 Pins
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XENSIV Series
Hysterese, typ.: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.16 грн |
| 500+ | 22.36 грн |
| 1000+ | 19.80 грн |
| 2500+ | 18.81 грн |
| IRLML9301TRPBF |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLML9301TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.41 грн |
| 500+ | 10.04 грн |
| 1000+ | 8.28 грн |
| 5000+ | 6.91 грн |






























