Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (24636) > Сторінка 387 з 411

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 IKD06N60RC2ATMA1 INFINEON 3180285.pdf Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.21 грн
15+57.07 грн
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.37 грн
18+47.12 грн
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 INFINEON Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.75 грн
100+34.54 грн
500+27.41 грн
1000+23.05 грн
5000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2 INFINEON Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.54 грн
500+27.41 грн
1000+23.05 грн
5000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 TLE824533SAAUMA1 INFINEON INFN-S-A0001300163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLE824533SAAUMA1 - LEISTUNGSSCHALTER HIGH/LOW-SIDE, 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.25ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 17V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2024.49 грн
10+1405.30 грн
25+1313.21 грн
50+1149.92 грн
100+993.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.60 грн
10+174.33 грн
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 IDK08G65C5XTMA2 INFINEON INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON 4162914.pdf Description: INFINEON - IKP20N65F5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.6 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+255.73 грн
10+185.84 грн
100+115.94 грн
500+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 IPP023N10N5XKSA1 INFINEON 4425947.pdf Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+409.50 грн
10+232.71 грн
100+197.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1 IAUCN10S7N040ATMA1 INFINEON 4426401.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.47 грн
10+153.77 грн
100+112.65 грн
500+87.81 грн
1000+69.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 INFINEON Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270 Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.54 грн
500+85.52 грн
1000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 IGD08N120S7ATMA1 INFINEON 4406523.pdf Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.97 грн
10+146.37 грн
100+115.94 грн
500+90.10 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CY15B256Q-SXAT INFINEON CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+665.24 грн
10+619.19 грн
25+599.45 грн
50+543.66 грн
100+489.85 грн
250+474.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 IPB95R130PFD7ATMA1 INFINEON 4162919.pdf Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.32 грн
10+389.77 грн
100+285.34 грн
500+232.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 IPB95R130PFD7ATMA1 INFINEON 4162919.pdf Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+389.77 грн
100+285.34 грн
500+232.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3CM615PNTOBO2 EVALM3CM615PNTOBO2 INFINEON 3600262.pdf Description: INFINEON - EVALM3CM615PNTOBO2 - Evaluationsboard, IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF, 3-Phasen-Motorsteuerung, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8656.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 INFINEON 4520223.pdf Description: INFINEON - TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 - DEVELOPMENT BOARDS AND EVALUATION KITS
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8605.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 S25FL064LABMFM013 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
10+104.43 грн
50+102.79 грн
100+93.92 грн
250+82.46 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 S25FL064LABMFM013 INFINEON INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.59 грн
10+104.43 грн
50+102.79 грн
100+93.92 грн
250+82.46 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.79 грн
14+62.49 грн
100+44.73 грн
500+30.54 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 BSC0503NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.73 грн
500+30.54 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 INFINEON BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.79 грн
250+78.28 грн
1000+60.32 грн
3000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 INFINEON BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39 Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.19 грн
500+94.68 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.01 грн
50+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 BSC070N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 INFINEON BSC079N03LSCG.pdf Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.41 грн
30+28.29 грн
100+22.20 грн
500+16.42 грн
1000+13.81 грн
5000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 INFINEON INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+16.42 грн
1000+13.81 грн
5000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1 BSC0704LSATMA1 INFINEON 3049652.pdf Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.22 грн
19+45.06 грн
100+36.67 грн
500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 BSP315PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-040T-MS CY8CPROTO-040T-MS INFINEON Infineon-CY8CPROTO-040T-MS_release_notes-UserManual-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019466a755f979fd Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T-MS - Prototyping-Kit CY8C4046LQI-T452, mehrere Sensoren, kapazitiv/induktiv/Flüssigkeitsstand/Hover Touch
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Prototyping-Kit mit mehreren Sensoren
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Multi-Sense-Steuerplatine PSOC 4000T, induktives Tastenfeld-2/4 & Flüssigkeitsstandssensor/Hover Touch-Exp.-Board
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Kapazitive/induktive/Flüssigkeitsstandserkennung, Hover-Touch-Technologie
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4046LQI-T452
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4957.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 BSZ033NE2LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820 Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.38 грн
500+32.15 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 IPT65R040CFD7XTMA1 INFINEON 3968268.pdf Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.06 грн
5+598.63 грн
10+494.20 грн
50+400.11 грн
100+315.06 грн
250+308.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 IPT65R040CFD7XTMA1 INFINEON 3968268.pdf Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+494.20 грн
50+400.11 грн
100+315.06 грн
250+308.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 ISZ113N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4032189.pdf Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+95.39 грн
500+71.24 грн
1000+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 ISZ113N10NM5LF2ATMA1 INFINEON 4032189.pdf Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.71 грн
10+132.39 грн
100+95.39 грн
500+71.24 грн
1000+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF IRFH5110TRPBF INFINEON INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.05 грн
14+59.37 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFINEON INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 XMC1301T038F0032ABXUMA1 INFINEON infineon-xmc1300-ab-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - XMC1301T038F0032ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.94 грн
250+70.48 грн
500+68.30 грн
1000+62.94 грн
2500+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 TLE9241QUXUMA1 INFINEON 3760040.pdf Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+590.41 грн
25+498.31 грн
50+425.30 грн
100+355.23 грн
250+312.94 грн
500+302.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 TLE9241QUXUMA1 INFINEON 3760040.pdf Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+717.86 грн
10+590.41 грн
25+498.31 грн
50+425.30 грн
100+355.23 грн
250+312.94 грн
500+302.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV30E65D2XKSA1 IDV30E65D2XKSA1 INFINEON Infineon-IDV30E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4f02e53ec6 Description: INFINEON - IDV30E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.2 V, 42 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.88 грн
10+90.45 грн
100+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5XKSA1 INFINEON IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+766.38 грн
5+615.08 грн
10+462.95 грн
50+406.21 грн
100+352.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 FF6MR20W2M1HB70BPSA1 INFINEON 4421298.pdf Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18962.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 FF8MR12W1M1HB11BPSA1 INFINEON 4068208.pdf Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8879.98 грн
5+8170.34 грн
10+7459.87 грн
50+6788.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 INFINEON Infineon-FF3MR20KM1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18a8bcde381a Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23608.95 грн
5+23136.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 FF4MR12W2M1HB11BPSA1 INFINEON Infineon-FF4MR12W2M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bed1b75ed4ec7 Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 170 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15865.39 грн
5+15547.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 FF6MR12W2M1HB11BPSA1 INFINEON 4068210.pdf Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9851.93 грн
5+9654.58 грн
10+9457.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 FF8MR12W1M1HB70BPSA1 INFINEON 4068209.pdf Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10110.14 грн
5+9437.50 грн
10+8764.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2 IPP90R1K2C3XKSA2 INFINEON 83206.pdf Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+153.77 грн
10+110.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N03S4L03AKSA1 INFINEON 2354662.pdf Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.42 грн
10+190.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64215-28PVXCT CY7C64215-28PVXCT INFINEON 2309550.pdf Description: INFINEON - CY7C64215-28PVXCT - USB-Schnittstelle, USB-Device-Controller, USB 2.0, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Anschlüsse: 8Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Device-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 12Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.94 грн
10+260.67 грн
25+238.47 грн
50+211.51 грн
100+186.07 грн
250+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET CY15B016Q-SXET INFINEON CYPR-S-A0010746036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - CY15B016Q-SXET - FRAM, 16kB, SPI, 16MHz, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.19 грн
10+173.50 грн
25+167.75 грн
50+152.71 грн
100+136.74 грн
250+133.21 грн
500+129.69 грн
1000+126.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR20KM1HPHPSA1 FF4MR20KM1HPHPSA1 INFINEON 4018766.pdf Description: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+33187.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 IPZA60R016CM8XKSA1 INFINEON 4379506.pdf Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1147.10 грн
5+1040.21 грн
10+933.31 грн
50+794.87 грн
100+666.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON 3811997.pdf Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+204.75 грн
500+181.73 грн
1000+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 IPTC063N15NM5ATMA1 INFINEON 3811997.pdf Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+425.95 грн
10+285.34 грн
100+204.75 грн
500+181.73 грн
1000+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S3L12ATMA1 IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON 2849599.pdf Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+193.24 грн
250+135.68 грн
1000+101.55 грн
3000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 51.7W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 11.7A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RC2ATMA1 3180285.pdf
IKD06N60RC2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKD06N60RC2ATMA1 - IGBT, 11.7 A, 2 V, 51.7 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 11.7A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+96.21 грн
15+57.07 грн
100+38.89 грн
500+28.86 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+109.37 грн
18+47.12 грн
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+38.89 грн
500+28.18 грн
1000+23.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+43.75 грн
100+34.54 грн
500+27.41 грн
1000+23.05 грн
5000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD15N06S2L64ATMA2 Infineon-IPD15N06S2L_64-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b4334ab35afe&ack=t
IPD15N06S2L64ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD15N06S2L64ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 19 A, 0.047 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+34.54 грн
500+27.41 грн
1000+23.05 грн
5000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE824533SAAUMA1 INFN-S-A0001300163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLE824533SAAUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE824533SAAUMA1 - LEISTUNGSSCHALTER HIGH/LOW-SIDE, 150°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.25ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 4.3A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 3Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High, Aktiv-Low
Leistungsschaltertyp: High-Side, Low-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 17V
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2024.49 грн
10+1405.30 грн
25+1313.21 грн
50+1149.92 грн
100+993.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+265.60 грн
10+174.33 грн
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDK08G65C5XTMA2 INFN-S-A0003614924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDK08G65C5XTMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDK08G65C5XTMA2 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V Series, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+121.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 4162914.pdf
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP20N65F5XKSA1 - IGBT, 42 A, 1.6 V, 125 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 42A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+255.73 грн
10+185.84 грн
100+115.94 грн
500+87.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 4425947.pdf
IPP023N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+409.50 грн
10+232.71 грн
100+197.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N040ATMA1 4426401.pdf
IAUCN10S7N040ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N040ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 142W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+238.47 грн
10+153.77 грн
100+112.65 грн
500+87.81 грн
1000+69.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 Infineon-IGD08N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb76e273270
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 106W
Dauerkollektorstrom: 24A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+108.54 грн
500+85.52 грн
1000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGD08N120S7ATMA1 4406523.pdf
IGD08N120S7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGD08N120S7ATMA1 - IGBT, 24 A, 1.65 V, 106 W, 1.2 kV, TO-252, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT 7 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 24A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+175.97 грн
10+146.37 грн
100+115.94 грн
500+90.10 грн
1000+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B256Q-SXAT CYPR-S-A0002475405-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B256Q-SXAT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B256Q-SXAT - FRAM, 256kB, SPI, 40MHz, 2V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 40MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+665.24 грн
10+619.19 грн
25+599.45 грн
50+543.66 грн
100+489.85 грн
250+474.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 4162919.pdf
IPB95R130PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+535.32 грн
10+389.77 грн
100+285.34 грн
500+232.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB95R130PFD7ATMA1 4162919.pdf
IPB95R130PFD7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+389.77 грн
100+285.34 грн
500+232.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EVALM3CM615PNTOBO2 3600262.pdf
EVALM3CM615PNTOBO2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVALM3CM615PNTOBO2 - Evaluationsboard, IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF, 3-Phasen-Motorsteuerung, Power-Management
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management - Motorsteuerung
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Infineon
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard IFCM15P60GD, IRS44273LTRPBF
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: 3-Phasen-Motor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8656.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 4520223.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TPM9673FW2624RPIEBTOBO1 - DEVELOPMENT BOARDS AND EVALUATION KITS
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8605.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFM013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
Bauform - Speicherbaustein: SOIC
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
IC-Schnittstelle: SPI
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
Taktfrequenz: 108MHz
euEccn: NLR
Speicherkonfiguration Flash: 8M x 8 Bit
Speichergröße: 64Mbit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.59 грн
10+104.43 грн
50+102.79 грн
100+93.92 грн
250+82.46 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL064LABMFM013 INFN-S-A0016744824-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
S25FL064LABMFM013
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S25FL064LABMFM013 - Flash-Speicher, Serial-NOR, 64MB, 8M x 8 Bit, SPI, 108MHz, SOIC-8
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Serial-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 64Mbit
usEccn: 3A991.b.1.a
Zugriffszeit: -
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: 108MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 3V Serial NOR Flash Memories
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 8M x 8 Bit
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+117.59 грн
10+104.43 грн
50+102.79 грн
100+93.92 грн
250+82.46 грн
500+80.35 грн
1000+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+102.79 грн
14+62.49 грн
100+44.73 грн
500+30.54 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0503NSIATMA1 INFN-S-A0001299545-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0503NSIATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0503NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 88 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+44.73 грн
500+30.54 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC060N10NS3GATMA1 BSC060N10NS3+Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1aab7f90133a
BSC060N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC060N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 90 A, 6000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+102.79 грн
250+78.28 грн
1000+60.32 грн
3000+54.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC077N12NS3GATMA1 BSC077N12NS3++Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7b3afe37d39
BSC077N12NS3GATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC077N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 98 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 31098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+110.19 грн
500+94.68 грн
1000+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+111.01 грн
50+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC070N10LS5ATMA1 Infineon-BSC070N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdc41b1c2214d
BSC070N10LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC070N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 79 A, 7000 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 11801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+91.27 грн
250+79.35 грн
1000+62.31 грн
3000+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCG.pdf
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+37.41 грн
30+28.29 грн
100+22.20 грн
500+16.42 грн
1000+13.81 грн
5000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 INFNS13688-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC079N03LSCGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 6600 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+16.42 грн
1000+13.81 грн
5000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0704LSATMA1 3049652.pdf
BSC0704LSATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0704LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.0077 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+64.22 грн
19+45.06 грн
100+36.67 грн
500+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP315PH6327XTSA1 INFNS19451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP315PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP315PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.17 A, 0.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+16.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CPROTO-040T-MS Infineon-CY8CPROTO-040T-MS_release_notes-UserManual-v03_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b019466a755f979fd
CY8CPROTO-040T-MS
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8CPROTO-040T-MS - Prototyping-Kit CY8C4046LQI-T452, mehrere Sensoren, kapazitiv/induktiv/Flüssigkeitsstand/Hover Touch
tariffCode: 85437090
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Leiterplatte: Prototyping-Kit mit mehreren Sensoren
euEccn: NLR
Lieferumfang des Kits: Multi-Sense-Steuerplatine PSOC 4000T, induktives Tastenfeld-2/4 & Flüssigkeitsstandssensor/Hover Touch-Exp.-Board
isCanonical: Y
Unterart Anwendung: Kapazitive/induktive/Flüssigkeitsstandserkennung, Hover-Touch-Technologie
hazardous: false
Verwendeter IC / verwendetes Modul: CY8C4046LQI-T452
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+4957.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon-BSZ033NE2LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624eeb2bc7014f1820c4931820
BSZ033NE2LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSZ033NE2LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 40 A, 2700 µohm, TSDSON-FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 30W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TSDSON-FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.38 грн
500+32.15 грн
1000+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 3968268.pdf
IPT65R040CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+703.06 грн
5+598.63 грн
10+494.20 грн
50+400.11 грн
100+315.06 грн
250+308.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1 3968268.pdf
IPT65R040CFD7XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+494.20 грн
50+400.11 грн
100+315.06 грн
250+308.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 4032189.pdf
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+95.39 грн
500+71.24 грн
1000+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 4032189.pdf
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ113N10NM5LF2ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0113 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+195.71 грн
10+132.39 грн
100+95.39 грн
500+71.24 грн
1000+56.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5110TRPBF INFN-S-A0012812984-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5110TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 114W
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1100T016F0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.05 грн
14+59.37 грн
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1100T016F0064ABXUMA1 INFN-S-A0002364739-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
XMC1100T016F0064ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1100T016F0064ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC™, XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 64 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 6Kanäle
Programmspeichergröße: 64KB
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: XMC
RAM-Speichergröße: 16KB
MCU-Baureihe: XMC11xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 14I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1100 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, I2S, LIN, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XMC1301T038F0032ABXUMA1 infineon-xmc1300-ab-datasheet-en.pdf
XMC1301T038F0032ABXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - XMC1301T038F0032ABXUMA1 - ARM-MCU, XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 32 MHz, 32 KB
tariffCode: 85423990
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 32KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 38Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
RAM-Speichergröße: 16KB
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
ADC-Kanäle: 16Kanäle
MCU-Familie: XMC
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: XMC13xx
Produktpalette: XMC1000 Family XMC1300 Series Microcontrollers
usEccn: 3A991.a.2
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Schnittstellen: I2C, I2S, SPI, UART
ADC-Auflösung: 12 Bit
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 34I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
euEccn: NLR
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+80.94 грн
250+70.48 грн
500+68.30 грн
1000+62.94 грн
2500+61.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 3760040.pdf
TLE9241QUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+590.41 грн
25+498.31 грн
50+425.30 грн
100+355.23 грн
250+312.94 грн
500+302.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9241QUXUMA1 3760040.pdf
TLE9241QUXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9241QUXUMA1 - IC ÜBERTRAGUNGSSTEUERUNG, 150°C, TQFP-48
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Automatikgetriebesteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
IC-Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+717.86 грн
10+590.41 грн
25+498.31 грн
50+425.30 грн
100+355.23 грн
250+312.94 грн
500+302.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDV30E65D2XKSA1 Infineon-IDV30E65D2-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624933b87501493c4f02e53ec6
IDV30E65D2XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDV30E65D2XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 2.2 V, 42 ns, 180 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220FP
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 2.2V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+194.88 грн
10+90.45 грн
100+84.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDW30G65C5XKSA1 IDW30G65C5_Final_Datasheet_v_2_1.pdf?folderId=db3a304314dca38901151224afae0c96&fileId=db3a30433899edae0138a4b3a2b221ca
IDW30G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW30G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ, Einfach, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+766.38 грн
5+615.08 грн
10+462.95 грн
50+406.21 грн
100+352.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR20W2M1HB70BPSA1 4421298.pdf
FF6MR20W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 160 A, 2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+18962.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB11BPSA1 4068208.pdf
FF8MR12W1M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+8879.98 грн
5+8170.34 грн
10+7459.87 грн
50+6788.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 Infineon-FF3MR20KM1H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b18a8bcde381a
F3L6MR20W2M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - F3L6MR20W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Drei-Ebenen-Wechselrichter, n-Kanal, 155 A, 2 kV, 8700 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 27Pin(s)
Produktpalette: EasyPACK 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+23608.95 грн
5+23136.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR12W2M1HB11BPSA1 Infineon-FF4MR12W2M1H_B11-DataSheet-v00_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bed1b75ed4ec7
FF4MR12W2M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 170 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+15865.39 грн
5+15547.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12W2M1HB11BPSA1 4068210.pdf
FF6MR12W2M1HB11BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 145 A, 1.2 kV, 5400 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+9851.93 грн
5+9654.58 грн
10+9457.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF8MR12W1M1HB70BPSA1 4068209.pdf
FF8MR12W1M1HB70BPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF8MR12W1M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 8100 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+10110.14 грн
5+9437.50 грн
10+8764.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R1K2C3XKSA2 83206.pdf
IPP90R1K2C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+153.77 грн
10+110.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80N03S4L03AKSA1 2354662.pdf
IPP80N03S4L03AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP80N03S4L03AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0023 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+229.42 грн
10+190.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64215-28PVXCT 2309550.pdf
CY7C64215-28PVXCT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C64215-28PVXCT - USB-Schnittstelle, USB-Device-Controller, USB 2.0, 3 V, 5.25 V, SSOP, 28 Pin(s)
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB 2.0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
Anzahl der Anschlüsse: 8Anschlüsse
euEccn: NLR
USB-IC: USB-Device-Controller
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Übertragungsrate: 12Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+314.94 грн
10+260.67 грн
25+238.47 грн
50+211.51 грн
100+186.07 грн
250+174.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY15B016Q-SXET CYPR-S-A0010746036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CY15B016Q-SXET
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY15B016Q-SXET - FRAM, 16kB, SPI, 16MHz, 3V bis 3.6V Versorgungsspannung, SOIC-8
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 16MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+184.19 грн
10+173.50 грн
25+167.75 грн
50+152.71 грн
100+136.74 грн
250+133.21 грн
500+129.69 грн
1000+126.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FF4MR20KM1HPHPSA1 4018766.pdf
FF4MR20KM1HPHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+33187.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZA60R016CM8XKSA1 4379506.pdf
IPZA60R016CM8XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPZA60R016CM8XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 123 A, 0.016 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 521W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1147.10 грн
5+1040.21 грн
10+933.31 грн
50+794.87 грн
100+666.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 3811997.pdf
IPTC063N15NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+204.75 грн
500+181.73 грн
1000+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC063N15NM5ATMA1 3811997.pdf
IPTC063N15NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPTC063N15NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 122 A, 5100 µohm, HDSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+425.95 грн
10+285.34 грн
100+204.75 грн
500+181.73 грн
1000+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB70N10S3L12ATMA1 2849599.pdf
IPB70N10S3L12ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB70N10S3L12ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 70 A, 0.0118 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
на замовлення 7336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+193.24 грн
250+135.68 грн
1000+101.55 грн
3000+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 41 82 123 164 205 246 287 328 369 382 383 384 385 386 387 388 389 390 391 392 410 411  [ Наступна Сторінка >> ]