Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (25880) > Сторінка 430 з 432

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 425 426 427 428 429 430 431 432  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IAUZN04S7N049ATMA1 IAUZN04S7N049ATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.87 грн
18+48.55 грн
100+33.57 грн
500+26.46 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 IAUCN04S7N019DATMA1 INFINEON 4470067.pdf Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 IAUZN04S7N013ATMA2 INFINEON 4520219.pdf Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.06 грн
500+40.84 грн
1000+35.34 грн
5000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 IAUC120N06S5L022ATMA1 INFINEON Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1 Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.27 грн
500+61.94 грн
1000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1 IAUCN04S7L053DATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.97 грн
11+82.29 грн
100+54.83 грн
500+41.72 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON 4159881.pdf Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+226.38 грн
500+204.61 грн
1000+187.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 ISC030N12NM6ATMA1 INFINEON 4159881.pdf Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+414.88 грн
10+270.28 грн
100+226.38 грн
500+204.61 грн
1000+187.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T CY8C4013LQI-411T INFINEON 2573471.pdf Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+98.13 грн
13+71.53 грн
50+65.25 грн
100+53.63 грн
250+46.55 грн
500+44.78 грн
1000+43.09 грн
2500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 INFINEON BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+209.16 грн
10+155.80 грн
100+129.11 грн
500+105.50 грн
1000+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5ATMA1 INFINEON BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.11 грн
500+105.50 грн
1000+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+408.86 грн
10+337.42 грн
100+273.72 грн
500+225.40 грн
1000+197.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 IPT039N15N5ATMA1 INFINEON Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5 Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+273.72 грн
500+225.40 грн
1000+197.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 INFINEON Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.87 грн
500+33.25 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1 FF6MR12KM1HHPSA1 INFINEON Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16274.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.30 грн
10+142.89 грн
100+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 IPD040N08NF2SATMA1 INFINEON Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4 Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.80 грн
500+68.26 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 INFINEON IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.28 грн
10+129.11 грн
100+87.80 грн
500+68.26 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.55 грн
250+49.95 грн
500+47.96 грн
1000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 TLE4274DV33ATMA2 INFINEON 1651348.pdf Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.62 грн
11+84.18 грн
50+76.00 грн
100+57.55 грн
250+49.95 грн
500+47.96 грн
1000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+60.08 грн
20+45.19 грн
100+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1 ICL8830XUMA1 INFINEON Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.06 грн
10+117.92 грн
100+82.03 грн
500+64.50 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 IAUCN10S7N074ATMA1 INFINEON 4426399.pdf Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.03 грн
500+64.50 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 IPB80P04P407ATMA2 INFINEON 2876647.pdf Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.42 грн
10+98.13 грн
50+89.52 грн
100+73.45 грн
250+63.82 грн
500+61.38 грн
1000+59.39 грн
2500+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 2EDB8259KXUMA1 INFINEON Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987 Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.42 грн
10+98.13 грн
50+89.52 грн
100+73.45 грн
250+63.82 грн
500+61.38 грн
1000+59.39 грн
2500+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.15 грн
10+202.28 грн
100+141.16 грн
500+115.89 грн
1000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 IPB175N20NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11 Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.15 грн
10+202.28 грн
100+141.16 грн
500+115.89 грн
1000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.44 грн
500+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 IPB057N15NM6ATMA1 INFINEON Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12 Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+279.75 грн
10+181.62 грн
100+139.44 грн
500+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+290.07 грн
10+229.82 грн
100+205.72 грн
500+187.03 грн
1000+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.56 грн
10+329.67 грн
100+266.83 грн
500+219.80 грн
1000+174.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+283.19 грн
500+242.98 грн
1000+204.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 IQD016N08NM5SCATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+266.83 грн
500+219.80 грн
1000+174.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 IQD016N08NM5ATMA1 INFINEON Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+205.72 грн
500+187.03 грн
1000+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1 IQD016N08NM5CGSCATMA1 INFINEON Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.50 грн
10+330.53 грн
100+283.19 грн
500+242.98 грн
1000+204.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.72 грн
250+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1 IAUCN08S7N016TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N016T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d785ac52e80 Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+401.97 грн
10+266.83 грн
100+211.75 грн
500+175.04 грн
1000+153.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1 IAUCN08S7N019TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.33 грн
10+229.82 грн
100+172.15 грн
500+141.47 грн
1000+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON 1932448.pdf Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 64541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.76 грн
1000+4.15 грн
22500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50E65E7XKSA1 IDWD50E65E7XKSA1 INFINEON Infineon-IDWD50E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59e94e58f0 Description: INFINEON - IDWD50E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 92 A, Einfach, 2.1 V, 94 ns, 228 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 228A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 94ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+265.97 грн
10+156.66 грн
100+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXXUMA1 TLE9564QXXUMA1 INFINEON 3328501.pdf Description: INFINEON - TLE9564QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.39 грн
250+135.75 грн
500+131.33 грн
1000+127.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 INFINEON Infineon-PSOC_CONTROL_C3_MainLine_PSC3P5XD_PSC3M5XD_datasheet-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01941ab1660d7a3b Description: INFINEON - PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSOC Control C3
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 115°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+606.83 грн
10+506.99 грн
25+481.16 грн
50+430.81 грн
100+382.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1 IMT65R015M2HXUMA1 INFINEON Infineon-IMT65R015M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934dfcb7ba3ba6 Description: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+982.98 грн
50+878.40 грн
100+778.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 1ED3141MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+234.13 грн
10+151.49 грн
50+137.72 грн
100+107.90 грн
250+92.96 грн
500+81.16 грн
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 1ED3145MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.11 грн
250+85.58 грн
500+75.25 грн
1000+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 1ED3141MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.90 грн
250+92.96 грн
500+81.16 грн
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MU12FXUMA1 1ED3141MU12FXUMA1 INFINEON 4425921.pdf Description: INFINEON - 1ED3141MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.46 грн
250+58.58 грн
500+56.29 грн
1000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 1ED3145MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.80 грн
10+144.61 грн
50+129.11 грн
100+99.11 грн
250+85.58 грн
500+75.25 грн
1000+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MC12HXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1 INFINEON 4470057.pdf Description: INFINEON - 1ED3142MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+107.90 грн
250+92.96 грн
500+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQXQLA1 CYPD717339BFXQXQLA1 INFINEON 4554355.pdf Description: INFINEON - CYPD717339BFXQXQLA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+420.05 грн
10+321.06 грн
25+296.96 грн
50+262.96 грн
100+230.19 грн
250+219.12 грн
500+214.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQTXUMA1 CYPD717339BFXQTXUMA1 INFINEON 4554355.pdf Description: INFINEON - CYPD717339BFXQTXUMA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+420.05 грн
10+321.06 грн
25+296.96 грн
50+262.96 грн
100+230.19 грн
250+219.12 грн
500+214.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1 IPL60R185C7AUMA1 INFINEON Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913 Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.34 грн
500+83.92 грн
1000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF IRF7480MTRPBF INFINEON INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.82 грн
500+75.77 грн
1000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 IAUCN04S6N013TATMA1 INFINEON Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4 Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.63 грн
10+101.57 грн
100+76.87 грн
500+67.14 грн
1000+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LMRXUSA1 GS0650182LMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144 Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+442.43 грн
50+368.46 грн
100+300.28 грн
250+298.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LTRXUMA1 GS0650182LTRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144 Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+622.33 грн
50+565.89 грн
100+511.29 грн
250+500.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 INFINEON Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479 Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+407.14 грн
10+272.00 грн
100+195.39 грн
500+175.84 грн
1000+159.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N049ATMA1
IAUZN04S7N049ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N049ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 4930 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TSDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4930µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.87 грн
18+48.55 грн
100+33.57 грн
500+26.46 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7N019DATMA1 4470067.pdf
IAUCN04S7N019DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7N019DATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 60 A, 1990 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1990µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 96W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZN04S7N013ATMA2 4520219.pdf
IAUZN04S7N013ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUZN04S7N013ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 1330 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1330µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 5840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.06 грн
500+40.84 грн
1000+35.34 грн
5000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L022ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8386267f0183b275d5cd0ef1
IAUC120N06S5L022ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUC120N06S5L022ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2200 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.27 грн
500+61.94 грн
1000+54.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S7L053DATMA1
IAUCN04S7L053DATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S7L053DATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 5340 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5340µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 41W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.97 грн
11+82.29 грн
100+54.83 грн
500+41.72 грн
1000+33.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 4159881.pdf
ISC030N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+226.38 грн
500+204.61 грн
1000+187.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISC030N12NM6ATMA1 4159881.pdf
ISC030N12NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISC030N12NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 194 A, 3040 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 194A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3040µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+414.88 грн
10+270.28 грн
100+226.38 грн
500+204.61 грн
1000+187.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013LQI-411T 2573471.pdf
CY8C4013LQI-411T
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY8C4013LQI-411T - ARM-MCU, PSoC®, PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 16 MHz, 8 KB
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.a.3
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: -
Programmspeichergröße: 8KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 16MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSoC 4
RAM-Speichergröße: 2KB
MCU-Baureihe: CY8C40xx
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC 4 Family CY8C40xx Series Microcontrollers
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.13 грн
13+71.53 грн
50+65.25 грн
100+53.63 грн
250+46.55 грн
500+44.78 грн
1000+43.09 грн
2500+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC088N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+209.16 грн
10+155.80 грн
100+129.11 грн
500+105.50 грн
1000+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC088N15LS5ATMA1 BSC088N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
BSC088N15LS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC088N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 87 A, 8800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.11 грн
500+105.50 грн
1000+95.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+408.86 грн
10+337.42 грн
100+273.72 грн
500+225.40 грн
1000+197.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPT039N15N5ATMA1 Infineon-IPT039N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb229dfe6ca5
IPT039N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPT039N15N5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 190 A, 3300 µohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+273.72 грн
500+225.40 грн
1000+197.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ISZ033N03LF2SATMA1
ISZ033N03LF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ISZ033N03LF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 109 A, 3300 µohm, TSDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.87 грн
500+33.25 грн
1000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FF6MR12KM1HHPSA1
FF6MR12KM1HHPSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FF6MR12KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 140 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16274.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+208.30 грн
10+142.89 грн
100+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N08NF2SATMA1 Infineon-IPD040N08NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c81ae03fc0181b3cdad3f51b4
IPD040N08NF2SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPD040N08NF2SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 129 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StronglRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.80 грн
500+68.26 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N034-Data-Sheet-10-Infineon.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N034ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.28 грн
10+129.11 грн
100+87.80 грн
500+68.26 грн
1000+58.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgangsstrom: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Ausgang: Fest
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 40V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: -
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Bauform - LDO-Regler: TO-252 (DPAK)
rohsCompliant: YES
Eingangsspannung, min.: 4.7V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Ausgangsspannung, max.: -
Nominelle feste Ausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, min.: -
Dropout-Spannung Vdo: 700mV
Nennausgangsspannung: 3.3V
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
usEccn: EAR99
isCanonical: Y
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.55 грн
250+49.95 грн
500+47.96 грн
1000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4274DV33ATMA2 1651348.pdf
TLE4274DV33ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE4274DV33ATMA2 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.4A -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 3.3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.7V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 400mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 400mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 700mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 700mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.62 грн
11+84.18 грн
50+76.00 грн
100+57.55 грн
250+49.95 грн
500+47.96 грн
1000+46.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 23V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 8.1V
Topologie: Flyback
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
LED-Treiber: Nicht isoliert
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+60.08 грн
20+45.19 грн
100+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ICL8830XUMA1
ICL8830XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - ICL8830XUMA1 - Controller, Flyback, nicht isoliert, 8.1-23V Versorgungsspannung, -40-150°C, SOIC-8
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+38.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+185.06 грн
10+117.92 грн
100+82.03 грн
500+64.50 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN10S7N074ATMA1 4426399.pdf
IAUCN10S7N074ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN10S7N074ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 78 A, 7400 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.03 грн
500+64.50 грн
1000+50.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80P04P407ATMA2 2876647.pdf
IPB80P04P407ATMA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB80P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 7400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 9A
Treiberkonfiguration: High-Side, Low-Side, Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: Si-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 5A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 13Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 38ns
Ausgabeverzögerung: 36ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.42 грн
10+98.13 грн
50+89.52 грн
100+73.45 грн
250+63.82 грн
500+61.38 грн
1000+59.39 грн
2500+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
2EDB8259KXUMA1 Infineon-2EDB8259K-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a8d344a018ab175fa646987
2EDB8259KXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 2EDB8259KXUMA1 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, Isoliert, High-Side, Low-Side, Halbbrücke, Si-MOSFET, 13 Pin(s), LGA
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.42 грн
10+98.13 грн
50+89.52 грн
100+73.45 грн
250+63.82 грн
500+61.38 грн
1000+59.39 грн
2500+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.15 грн
10+202.28 грн
100+141.16 грн
500+115.89 грн
1000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB175N20NM6ATMA1 Infineon-IPB175N20NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197ab012a682d11
IPB175N20NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB175N20NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.0155 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+308.15 грн
10+202.28 грн
100+141.16 грн
500+115.89 грн
1000+89.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12
IPB057N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+139.44 грн
500+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N15NM6ATMA1 Infineon-IPB057N15NM6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b0194f446312e7c12
IPB057N15NM6ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPB057N15NM6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 128 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 211W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+279.75 грн
10+181.62 грн
100+139.44 грн
500+109.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+290.07 грн
10+229.82 грн
100+205.72 грн
500+187.03 грн
1000+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+404.56 грн
10+329.67 грн
100+266.83 грн
500+219.80 грн
1000+174.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+283.19 грн
500+242.98 грн
1000+204.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5SCATMA1 Infineon-IQD016N08NM5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c919c9f9d0191b6dff5a3603c
IQD016N08NM5SCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+266.83 грн
500+219.80 грн
1000+174.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5ATMA1 Infineon-IQD016N08NM5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8a44f57b018a4562cd2a01fe
IQD016N08NM5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+205.72 грн
500+187.03 грн
1000+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IQD016N08NM5CGSCATMA1
IQD016N08NM5CGSCATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IQD016N08NM5CGSCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 323 A, 1570 µohm, WHTFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 323A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: WHTFN
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1570µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+392.50 грн
10+330.53 грн
100+283.19 грн
500+242.98 грн
1000+204.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF INFN-S-A0012732659-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.72 грн
250+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N016TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N016T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c9625080601963d785ac52e80
IAUCN08S7N016TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N016TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1630 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+401.97 грн
10+266.83 грн
100+211.75 грн
500+175.04 грн
1000+153.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN08S7N019TATMA1 Infineon-IAUCN08S7N019T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c96250806019642831bb47bcc
IAUCN08S7N019TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN08S7N019TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 175 A, 1940 µohm, LHSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 175A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LHSOIC
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1940µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.33 грн
10+229.82 грн
100+172.15 грн
500+141.47 грн
1000+112.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 1932448.pdf
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SMBT2222AE6327HTSA1 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 330 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 64541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.76 грн
1000+4.15 грн
22500+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD50E65E7XKSA1 Infineon-IDWD50E65E7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018c3a59e94e58f0
IDWD50E65E7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDWD50E65E7XKSA1 - Diode mit Standard-Erholzeit, 650 V, 92 A, Einfach, 2.1 V, 94 ns, 228 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 228A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.1V
Sperrverzögerungszeit: 94ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 92A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+265.97 грн
10+156.66 грн
100+127.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9564QXXUMA1 3328501.pdf
TLE9564QXXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLE9564QXXUMA1 - Motortreiber, bürstenloser DC-Motor, AEC-Q100, 3 Ausgänge, 3V bis 28V, VQFN-48, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: VQFN
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 28V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+142.39 грн
250+135.75 грн
500+131.33 грн
1000+127.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 Infineon-PSOC_CONTROL_C3_MainLine_PSC3P5XD_PSC3M5XD_datasheet-DataSheet-v07_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c93dda25b01941ab1660d7a3b
PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PSC3M5FDS2AFQ1XQSA1 - ARM-MCU, PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers, ARM Cortex-M33F, 32 Bit, 180 MHz
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M33F
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: eLQFP-EP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 18Kanäle
Programmspeichergröße: 256KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 180MHz
euEccn: NLR
MCU-Familie: PSOC Control C3
RAM-Speichergröße: 64KB
MCU-Baureihe: PSC3M5xD
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 50I/O(s)
Anzahl der Pins: 80Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PSOC C3 Family PSC3M5xD Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: I2C, SPI, UART
Betriebstemperatur, max.: 115°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+606.83 грн
10+506.99 грн
25+481.16 грн
50+430.81 грн
100+382.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R015M2HXUMA1 Infineon-IMT65R015M2H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b001934dfcb7ba3ba6
IMT65R015M2HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IMT65R015M2HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 131 A, 650 V, 0.0132 ohm, HSOF
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0132ohm
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+982.98 грн
50+878.40 грн
100+778.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3141MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.13 грн
10+151.49 грн
50+137.72 грн
100+107.90 грн
250+92.96 грн
500+81.16 грн
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3145MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+99.11 грн
250+85.58 грн
500+75.25 грн
1000+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3141MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3141MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.90 грн
250+92.96 грн
500+81.16 грн
1000+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3141MU12FXUMA1 4425921.pdf
1ED3141MU12FXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3141MU12FXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423919
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 17V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.46 грн
250+58.58 грн
500+56.29 грн
1000+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3145MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3145MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3145MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
Treiberkonfiguration: High-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Eingang: Logik
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.80 грн
10+144.61 грн
50+129.11 грн
100+99.11 грн
250+85.58 грн
500+75.25 грн
1000+65.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED3142MC12HXUMA1 4470057.pdf
1ED3142MC12HXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - 1ED3142MC12HXUMA1 - Gate-Treiber, EiceDRIVER, 1 Kanäle, Isoliert, High-Side, IGBT, Si-MOSFET, SiC-MOSFET, 8 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Sinkstrom: 6.5A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 6A
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 15V
Eingabeverzögerung: 40ns
Ausgabeverzögerung: 40ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.90 грн
250+92.96 грн
500+81.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQXQLA1 4554355.pdf
CYPD717339BFXQXQLA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD717339BFXQXQLA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+420.05 грн
10+321.06 грн
25+296.96 грн
50+262.96 грн
100+230.19 грн
250+219.12 грн
500+214.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
CYPD717339BFXQTXUMA1 4554355.pdf
CYPD717339BFXQTXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CYPD717339BFXQTXUMA1 - USB-C- und PD-Controller, Buck-Boost, USB PD 3.1, 5-24V, -40-105°C, LGA-39
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
USB-Version: USB PD 3.1
IC-Montage: Oberflächenmontage
Stromversorgungsrolle: Source
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Datenrolle: DFP
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: LGA
Strom, lq: -
usEccn: 3A991.a.2
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5V
Anzahl der Ports: 1 Port
euEccn: NLR
USB-IC: USB-C-PD-Controller (Power Delivery) mit Buck-Boost-Wandler
Anzahl der Pins: 39Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 24V
Betriebstemperatur, max.: 105°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+420.05 грн
10+321.06 грн
25+296.96 грн
50+262.96 грн
100+230.19 грн
250+219.12 грн
500+214.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R185C7AUMA1 Infineon-IPL60R185C7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b42d65c55913
IPL60R185C7AUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPL60R185C7AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.159 ohm, VSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+115.34 грн
500+83.92 грн
1000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7480MTRPBF INFN-S-A0002298778-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7480MTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7480MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 330 A, 950 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, DirectFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.82 грн
500+75.77 грн
1000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IAUCN04S6N013TATMA1 Infineon-IAUCN04S6N013T-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8929aa4d018a1dcbe1a81ed4
IAUCN04S6N013TATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IAUCN04S6N013TATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1320 µohm, LHDSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: LHDSO
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1320µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.63 грн
10+101.57 грн
100+76.87 грн
500+67.14 грн
1000+59.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LMRXUSA1 Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
GS0650182LMRXUSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+442.43 грн
50+368.46 грн
100+300.28 грн
250+298.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GS0650182LTRXUMA1 Infineon-GS-065-018-2-L-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e516072455144
GS0650182LTRXUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+622.33 грн
50+565.89 грн
100+511.29 грн
250+500.22 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IGL65R080D2XUMA1 Infineon-IGL65R080D2-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c97a5967c0197a65b4f1d0479
IGL65R080D2XUMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGL65R080D2XUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.1 ohm, 3.3 nC, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 3.3nC
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolGaN G5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+407.14 грн
10+272.00 грн
100+195.39 грн
500+175.84 грн
1000+159.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 43 86 129 172 215 258 301 344 387 425 426 427 428 429 430 431 432  [ Наступна Сторінка >> ]