Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16261) > Сторінка 268 з 272

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFA230N075T2 IXFA230N075T2 IXYS IXFA(P)230N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+299.90 грн
3+250.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3 IXFA60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+522.99 грн
10+364.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7 IXYS IXFA230N075T2-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+537.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2 IXTA170N075T2 IXYS IXTA(P)170N075T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 63ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+282.53 грн
3+236.03 грн
6+179.14 грн
15+169.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 IXFA3N120 IXYS IXFA3N120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+830.21 грн
3+497.52 грн
5+483.09 грн
10+466.11 грн
20+464.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI45-08A DSI45-08A IXYS DSI45-08A.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 45A; Ifsm: 410A; TO247-2; tube; 270W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+335.56 грн
10+251.31 грн
30+226.69 грн
60+213.95 грн
120+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-12AZ-TUB DSP45-12AZ-TUB IXYS DSP45-12AZ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 45A; TO268AA; Ufmax: 1.23V; Ifsm: 410A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double series
Case: TO268AA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO22-14NO1 IXYS VUO22-14NO1.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 22A; Ifsm: 100A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors
Case: V1-A-Pack
Version: module
Leads: connectors
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 22A
Leads dimensions: 2x0.5mm
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 1.12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO122-14NO7 IXYS VUO122-14NO7.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 125A; Ifsm: 1kA
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: ECO-PAC 2
Version: module
Leads: wire Ø 1.5mm
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 125A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.13V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2 IXTX600N04T2 IXYS IXTK(X)600N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3 IXYS littelfuse-discrete-igbts-ixxh75n60b3-datasheet?assetguid=65b0869f-7d80-4345-86e6-e47e8d0b05bf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 160A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 160A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Gate charge: 107nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV IXYS IXTA08N100D2HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRL IXTA08N100D2HV-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3 IXGK320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mounting: THT
Gate charge: 585nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRL IXFA10N80P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 10A; 300W; D2PAK,TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1 IXYS IXYH50N65C3H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 80nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1101.76 грн
2+699.59 грн
4+661.38 грн
30+635.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2 IXYS IXFB150N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 355nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2219.07 грн
2+1948.49 грн
5+1947.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXYP50N65C3 IXYS IXY_50N65C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRL IXYA50N65C3-TRL IXYS Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 250A
Turn-off time: 90ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1 IXYS IXYH50N65C3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZY200L340 IXYS littelfuse_power_semiconductors_product_catalog.pdf.pdf Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTY08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+426.08 грн
5+200.37 грн
14+189.33 грн
25+185.93 грн
50+182.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXTY01N100 IXYS IXTU(Y)01N100.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.04 грн
5+122.26 грн
25+110.37 грн
70+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D IXTY02N50D IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=034FFFD1-528E-4165-A830-650ADAA583E5&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-02N50D-Datasheet.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 200mA; Idm: 800mA; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 1µs
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL IXTY01N100D-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 400mA; 25W; DPAK,TO252AA; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Reverse recovery time: 1.5µs
Version: module
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL IXTY08N100D2-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; DPAK,TO252AA; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Reverse recovery time: 1µs
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P IXTY08N100P IXYS IXTA(P,Y)08N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO252; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRL IXTY08N100P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 42W
Gate charge: 11.3nC
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80E1400HB IXYS Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.4kV; 80A; TO247-3; THT; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Type of thyristor: standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLA134S PLA134S IXYS PLA134.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 350mA; max.100VAC
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Max. operating current: 350mA
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 3Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1428.18 грн
50+871.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS IXF(V,H)52N30P(S).pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Reverse recovery time: 160ns
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+689.40 грн
5+509.41 грн
10+432.15 грн
30+343.00 грн
120+333.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 IXYS IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Reverse recovery time: 115ns
Mounting: THT
Power dissipation: 320W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+757.06 грн
5+637.61 грн
10+584.97 грн
30+493.28 грн
60+475.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+843.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217S FDA217S IXYS FDA217.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+300.81 грн
3+263.20 грн
5+253.01 грн
10+236.03 грн
20+220.74 грн
50+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428N IX4428N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -1.5...1.5A
Kind of output: inverting; non-inverting
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.55 грн
10+55.53 грн
25+46.70 грн
50+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-08io1M CS22-08io1M IXYS CS22-08io1M.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30/50mA; TO220FP
Gate current: 30/50mA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 255A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+387.67 грн
6+172.35 грн
16+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2 IXTA120N04T2 IXYS IXTA(P)120N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1301GR CPC1301GR IXYS CPC1301GR.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 5kV; Uce: 350V; SO4
Mounting: SMD
Case: SO4
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+305.38 грн
5+265.74 грн
7+161.31 грн
17+152.82 грн
100+148.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-08ho7 IXYS VTO39_VVZ39.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 39A; Ifsm: 180A
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-12ho7 IXYS VTO39_VVZ39.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 39A; module
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2025NTR IXYS CPC2025N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS DSS16-01AS IXYS DSS16-01A_AR.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 16A; reel,tape; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 105W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDN614SI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -14...14A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Turn-off time: 130ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+347.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1034.10 грн
2+736.95 грн
4+697.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T IXTA60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRL IXTA60N10T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n10t-datasheet?assetguid=9c28d11f-bd7e-4749-b9d5-f5d766cb0615 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 60A; 176W; D2PAK,TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f61c8bf8-64b9-460f-b3a0-1ab92d63fb25&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtq60n10t_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 60A; 176W; TO3P; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N10T IXFK360N10T IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200PTEH IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200TEH IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2926fee0-4fd4-467d-a793-c5df74bfe655&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mixg180w1200teh%2520datasheet.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC501-14IO2 IXYS m501-12io2-18io2.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 503A; W74; Ifsm: 14.5kA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 503A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: W74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3 IXFA270N06T3 IXYS IXxx270N06T3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3 IXFP270N06T3 IXYS IXxx270N06T3-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T IXTH76P10T IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+729.63 грн
3+417.72 грн
7+394.79 грн
120+385.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T IXTH96P085T IXYS IXT_96P085T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+721.40 грн
3+417.72 грн
7+394.79 грн
120+392.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P IXYS IXT_52P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarP™
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+694.89 грн
3+400.74 грн
7+378.66 грн
60+371.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T IXTH76N25T IXYS IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO247-3; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+683.92 грн
4+305.65 грн
9+289.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T IXTH96N25T IXYS IXTH(Q,V)96N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; 625W; TO247-3; 158ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 158ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+583.34 грн
3+369.32 грн
8+348.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T IXTH44P15T IXYS IXT_44P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+672.03 грн
3+417.72 грн
7+394.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS IXTH(P)270N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 48ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+457.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2 IXFA(P)230N075T2.pdf
IXFA230N075T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.90 грн
3+250.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFA60N25X3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO263; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO263
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.99 грн
10+364.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA230N075T2-7 IXFA230N075T2-7.pdf
IXFA230N075T2-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO263-7; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 59ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA170N075T2 IXTA(P)170N075T2.pdf
IXTA170N075T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO263; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO263
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 63ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.53 грн
3+236.03 грн
6+179.14 грн
15+169.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA3N120 IXFA3N120.pdf
IXFA3N120
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+830.21 грн
3+497.52 грн
5+483.09 грн
10+466.11 грн
20+464.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DSI45-08A DSI45-08A.pdf
DSI45-08A
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 45A; Ifsm: 410A; TO247-2; tube; 270W
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: rectifying
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+335.56 грн
10+251.31 грн
30+226.69 грн
60+213.95 грн
120+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSP45-12AZ-TUB DSP45-12AZ.pdf
DSP45-12AZ-TUB
Виробник: IXYS
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 45A; TO268AA; Ufmax: 1.23V; Ifsm: 410A
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 410A
Max. forward voltage: 1.23V
Power dissipation: 270W
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 45A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double series
Case: TO268AA
Type of diode: rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO22-14NO1 VUO22-14NO1.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 22A; Ifsm: 100A
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: FASTON connectors
Case: V1-A-Pack
Version: module
Leads: connectors
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 22A
Leads dimensions: 2x0.5mm
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 100A
Max. forward voltage: 1.12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VUO122-14NO7 VUO122-14NO7.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.4kV; If: 125A; Ifsm: 1kA
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: ECO-PAC 2
Version: module
Leads: wire Ø 1.5mm
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 125A
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. forward impulse current: 1kA
Max. forward voltage: 1.13V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTX600N04T2 IXTK(X)600N04T2.pdf
IXTX600N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; PLUS247™; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXXH75N60B3 littelfuse-discrete-igbts-ixxh75n60b3-datasheet?assetguid=65b0869f-7d80-4345-86e6-e47e8d0b05bf
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 160A; 750W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 160A
Power dissipation: 750W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 300A
Gate charge: 107nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV IXTA08N100D2HV.pdf
IXTA08N100D2HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263HV
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263HV
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2HV-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixta08n100d2hv-datasheet?assetguid=23b14127-6bd0-4c59-8a5b-b6c34e880015
IXTA08N100D2HV-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXGK320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGK320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; TO264
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 320A
Power dissipation: 1.7kW
Case: TO264
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.2kA
Mounting: THT
Gate charge: 585nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA10N80P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixf-10n80p-datasheet?assetguid=a565a5d2-4577-4a3a-8c98-1b06bc0768c1
IXFA10N80P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 800V; 10A; 300W; D2PAK,TO263; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Gate charge: 40nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3H1 IXYH50N65C3H1.pdf
IXYH50N65C3H1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 142ns
Gate charge: 80nC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1101.76 грн
2+699.59 грн
4+661.38 грн
30+635.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFB150N65X2 IXFB150N65X2.pdf
IXFB150N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Power dissipation: 1.56kW
Case: PLUS264™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 17mΩ
Reverse recovery time: 260ns
Gate charge: 355nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2219.07 грн
2+1948.49 грн
5+1947.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP50N65C3 IXY_50N65C3.pdf
IXYP50N65C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXYA50N65C3-TRL
IXYA50N65C3-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 132A; 600W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 132A
Power dissipation: 600W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 250A
Turn-off time: 90ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXYH50N65C3D1 IXYH50N65C3D1.pdf
IXYH50N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 250A
Turn-on time: 56ns
Turn-off time: 145ns
Gate charge: 86nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZY200L340 littelfuse_power_semiconductors_product_catalog.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: Discrete semicon. modules - Unclass.
Description: Accessories: cable with crimped terminals
Type of accessories for semiconductors: cable with crimped terminals
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTY08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 325nC
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+426.08 грн
5+200.37 грн
14+189.33 грн
25+185.93 грн
50+182.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100 IXTU(Y)01N100.pdf
IXTY01N100
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.1A; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.04 грн
5+122.26 грн
25+110.37 грн
70+107.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY02N50D media?resourcetype=datasheets&itemid=034FFFD1-528E-4165-A830-650ADAA583E5&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-02N50D-Datasheet.PDF
IXTY02N50D
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 200mA; Idm: 800mA; 25W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 25W
Case: TO252
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 1µs
Pulsed drain current: 0.8A
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY01N100D-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-01n100d-datasheet?assetguid=90f68c0c-66ed-4288-bfb0-3c2769323c27
IXTY01N100D-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 1kV; 400mA; 25W; DPAK,TO252AA; 1.5us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 80Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Reverse recovery time: 1.5µs
Version: module
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100D2-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100-datasheet?assetguid=5f3f8653-b9a5-4c21-928a-8f26a664dbdc
IXTY08N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 60W; DPAK,TO252AA; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Reverse recovery time: 1µs
Gate-source voltage: 20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P IXTA(P,Y)08N100P.pdf
IXTY08N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 42W; TO252; 750ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 750ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTY08N100P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-08n100p-datasheet?assetguid=c03e6d51-d539-4f4a-ad31-08df60c8fd6a
IXTY08N100P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 800mA; 42W; DPAK,TO252AA; 750ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 20Ω
Reverse recovery time: 750ns
Power dissipation: 42W
Gate charge: 11.3nC
Drain current: 0.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CMA80E1400HB
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 1.4kV; 80A; TO247-3; THT; tube
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.4kV
Load current: 80A
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Type of thyristor: standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLA134S PLA134.pdf
PLA134S
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl max: 50mA; 350mA; max.100VAC
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
Kind of output: MOSFET
Body dimensions: 8.38x6.35x3.3mm
Contacts configuration: SPST-NO
Insulation voltage: 3.75kV
Turn-on time: 5ms
Switched voltage: max. 100V AC; max. 100V DC
Max. operating current: 350mA
Turn-off time: 5ms
Control current max.: 50mA
On-state resistance: 3Ω
Type of relay: solid state
на замовлення 213 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1428.18 грн
50+871.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXF(V,H)52N30P(S).pdf
IXFH52N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Reverse recovery time: 160ns
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+689.40 грн
5+509.41 грн
10+432.15 грн
30+343.00 грн
120+333.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH56N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Reverse recovery time: 115ns
Mounting: THT
Power dissipation: 320W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+757.06 грн
5+637.61 грн
10+584.97 грн
30+493.28 грн
60+475.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf
IXFH50N30Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+843.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217S FDA217.pdf
FDA217S
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.81 грн
3+263.20 грн
5+253.01 грн
10+236.03 грн
20+220.74 грн
50+204.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428N IX4426-27-28.pdf
IX4428N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -1.5...1.5A
Kind of output: inverting; non-inverting
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.55 грн
10+55.53 грн
25+46.70 грн
50+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-08io1M CS22-08io1M.pdf
CS22-08io1M
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30/50mA; TO220FP
Gate current: 30/50mA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 255A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+387.67 грн
6+172.35 грн
16+163.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2 IXTA(P)120N04T2.pdf
IXTA120N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1301GR CPC1301GR.pdf
CPC1301GR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 5kV; Uce: 350V; SO4
Mounting: SMD
Case: SO4
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+305.38 грн
5+265.74 грн
7+161.31 грн
17+152.82 грн
100+148.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-08ho7 VTO39_VVZ39.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 39A; Ifsm: 180A
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-12ho7 VTO39_VVZ39.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 39A; module
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2025NTR CPC2025N.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS DSS16-01A_AR.pdf
DSS16-01AS
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 16A; reel,tape; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 105W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDN614SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -14...14A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Turn-on time: 140ns
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Turn-off time: 130ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+347.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFK(X)360N10T.pdf
IXFX360N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1034.10 грн
2+736.95 грн
4+697.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTA60N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n10t-datasheet?assetguid=9c28d11f-bd7e-4749-b9d5-f5d766cb0615
IXTA60N10T-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 60A; 176W; D2PAK,TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10T media?resourcetype=datasheets&itemid=f61c8bf8-64b9-460f-b3a0-1ab92d63fb25&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtq60n10t_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 60A; 176W; TO3P; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N10T IXFK(X)360N10T.pdf
IXFK360N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200PTEH
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200TEH media?resourcetype=datasheets&itemid=2926fee0-4fd4-467d-a793-c5df74bfe655&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mixg180w1200teh%2520datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC501-14IO2 m501-12io2-18io2.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 503A; W74; Ifsm: 14.5kA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 503A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: W74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3 IXxx270N06T3-DTE.pdf
IXFA270N06T3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3 IXxx270N06T3-DTE.pdf
IXFP270N06T3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T IXT_76P10T_HV.pdf
IXTH76P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+729.63 грн
3+417.72 грн
7+394.79 грн
120+385.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T IXT_96P085T.pdf
IXTH96P085T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+721.40 грн
3+417.72 грн
7+394.79 грн
120+392.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXT_52P10P.pdf
IXTH52P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarP™
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+694.89 грн
3+400.74 грн
7+378.66 грн
60+371.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf
IXTH76N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO247-3; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+683.92 грн
4+305.65 грн
9+289.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T IXTH(Q,V)96N25T.pdf
IXTH96N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; 625W; TO247-3; 158ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 158ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+583.34 грн
3+369.32 грн
8+348.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T IXT_44P15T.pdf
IXTH44P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+672.03 грн
3+417.72 грн
7+394.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXTH(P)270N04T4.pdf
IXTH270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 48ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+457.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.