Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16121) > Сторінка 268 з 269

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXFH52N30P IXFH52N30P IXYS IXF(V,H)52N30P(S).pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Reverse recovery time: 160ns
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+667.16 грн
5+492.98 грн
10+418.21 грн
30+331.94 грн
120+322.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXFH56N30X3 IXYS IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Reverse recovery time: 115ns
Mounting: THT
Power dissipation: 320W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+732.64 грн
5+617.04 грн
10+566.10 грн
30+477.37 грн
60+460.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3 IXYS IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+816.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217S FDA217S IXYS FDA217.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+291.11 грн
3+254.71 грн
5+244.85 грн
10+228.41 грн
20+213.62 грн
50+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428N IX4428N IXYS IX4426-27-28.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -1.5...1.5A
Kind of output: inverting; non-inverting
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.98 грн
10+53.73 грн
25+45.19 грн
50+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-08io1M CS22-08io1M IXYS CS22-08io1M.pdf Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30/50mA; TO220FP
Gate current: 30/50mA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 255A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+375.17 грн
6+166.79 грн
16+157.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2 IXTA120N04T2 IXYS IXTA(P)120N04T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1301GR CPC1301GR IXYS CPC1301GR.pdf Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 5kV; Uce: 350V; SO4
Mounting: SMD
Case: SO4
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+295.53 грн
5+257.17 грн
7+156.11 грн
17+147.89 грн
100+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-08ho7 IXYS VTO39_VVZ39.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 39A; Ifsm: 180A
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-12ho7 IXYS VTO39_VVZ39.pdf Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 39A; module
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2025NTR IXYS CPC2025N.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS DSS16-01AS IXYS DSS16-01A_AR.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 16A; reel,tape; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 105W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDN614SI IXYS IXDD614CI-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -14...14A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 140ns
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Turn-off time: 130ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFX360N10T IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1000.74 грн
2+713.17 грн
4+674.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T IXTA60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRL IXTA60N10T-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n10t-datasheet?assetguid=9c28d11f-bd7e-4749-b9d5-f5d766cb0615 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 60A; 176W; D2PAK,TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10T IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=f61c8bf8-64b9-460f-b3a0-1ab92d63fb25&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtq60n10t_datasheet.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 60A; 176W; TO3P; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N10T IXFK360N10T IXYS IXFK(X)360N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200PTEH IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200TEH IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2926fee0-4fd4-467d-a793-c5df74bfe655&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mixg180w1200teh%2520datasheet.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC501-14IO2 IXYS m501-12io2-18io2.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 503A; W74; Ifsm: 14.5kA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 503A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: W74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3 IXFA270N06T3 IXYS IXxx270N06T3-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3 IXFP270N06T3 IXYS IXxx270N06T3-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T IXTH76P10T IXYS IXT_76P10T_HV.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+706.10 грн
3+404.24 грн
7+382.06 грн
120+373.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T IXTH96P085T IXYS IXT_96P085T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+698.13 грн
3+404.24 грн
7+382.06 грн
120+379.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXTH52P10P IXYS IXT_52P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarP™
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+672.47 грн
3+387.81 грн
7+366.45 грн
60+359.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T IXTH76N25T IXYS IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO247-3; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+661.85 грн
4+295.79 грн
9+280.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T IXTH96N25T IXYS IXTH(Q,V)96N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; 625W; TO247-3; 158ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 158ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+564.52 грн
3+357.41 грн
8+337.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T IXTH44P15T IXYS IXT_44P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+650.35 грн
3+404.24 грн
7+382.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXTH270N04T4 IXYS IXTH(P)270N04T4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 48ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+442.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50 IXTH8P50 IXYS IXT_8P50.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P IXTH20P50P IXYS IXT_20P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 406ns
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50P IXTH10P50P IXYS IXT_10P50P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXTH90P10P IXYS IXT_90P10P.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Power dissipation: 462W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 144ns
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2 IXTH16N20D2 IXYS IXTH(T)16N20D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 607ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N30P IXTH88N30P IXYS IXTH88N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N15 IXTH88N15 IXYS IXTH88N15.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 88A; 400W; TO247-3; 150ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 88A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXTH10P60 IXYS IXT_10P60.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTP08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.53 грн
8+131.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA08N100D2 IXYS IXTA(P,Y)08N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+344.20 грн
7+134.75 грн
20+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708CTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.48 грн
11+39.11 грн
33+28.43 грн
91+26.87 грн
2000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708ZTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.97 грн
13+33.85 грн
54+17.34 грн
149+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720CTR IXYS CPC3720.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.36 грн
19+22.68 грн
25+20.71 грн
59+15.94 грн
162+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXTA10P50P IXYS IXT_10P50P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+430.91 грн
3+313.86 грн
9+296.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T IXYS IXTA96P085T-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+622.04 грн
4+297.43 грн
9+281.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T IXTA32P05T IXYS IXT_32P05T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 26ns
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+297.30 грн
9+116.67 грн
23+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P IXTA36N30P IXYS IXTA36N30P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+383.13 грн
5+230.88 грн
10+216.09 грн
50+212.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P IXTA52P10P IXYS IXT_52P10P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+524.71 грн
3+344.26 грн
8+325.37 грн
150+318.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065T IXTA28P065T IXYS IXT_28P065T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+339.78 грн
8+126.53 грн
21+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100P IXTA2N100P IXYS IXTA(P,Y)2N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.65 грн
7+152.00 грн
17+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 IXTA4N70X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.54 грн
9+108.46 грн
24+102.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P IXTA3N50P IXYS IXTA3N50P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7 IXTA340N04T4-7 IXYS IXTA340N04T4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 43ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRL IXTA10P50P-TRL IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 10A; 300W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV IXTA1N170DHV IXYS IXTA(H)1N170DHV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 290W
Case: TO263HV
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 30ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV IXTA1N200P3HV IXYS IXTA(H)1N200P3HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 2.3µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085T IXTA24P085T IXYS IXT_24P085T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -24A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P IXTA36P15P IXYS IXT_36P15P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV IXTA3N120HV IXYS IXTA3N120HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P IXTA06N120P IXYS IXTA(P)06N120P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 42W
Case: TO263
On-state resistance: 34Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH52N30P IXF(V,H)52N30P(S).pdf
IXFH52N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO247-3
Reverse recovery time: 160ns
Mounting: THT
Power dissipation: 400W
Gate charge: 110nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; Polar™
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 73mΩ
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+667.16 грн
5+492.98 грн
10+418.21 грн
30+331.94 грн
120+322.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH56N30X3 IXF_56N30X3.pdf 300VProductBrief.pdf
IXFH56N30X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 56A; 320W; TO247-3
Reverse recovery time: 115ns
Mounting: THT
Power dissipation: 320W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 27mΩ
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+732.64 грн
5+617.04 грн
10+566.10 грн
30+477.37 грн
60+460.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH50N30Q3 IXFH50N30Q3_IXFT50N30Q3.pdf
IXFH50N30Q3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 50A; 690W; TO247-3; 250ns
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 690W
Gate charge: 65nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+816.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDA217S FDA217.pdf
FDA217S
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+291.11 грн
3+254.71 грн
5+244.85 грн
10+228.41 грн
20+213.62 грн
50+198.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IX4428N IX4426-27-28.pdf
IX4428N
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: low-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...35V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Output current: -1.5...1.5A
Kind of output: inverting; non-inverting
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+76.98 грн
10+53.73 грн
25+45.19 грн
50+39.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CS22-08io1M CS22-08io1M.pdf
CS22-08io1M
Виробник: IXYS
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor: standard; 800V; Ifmax: 25A; 16A; Igt: 30/50mA; TO220FP
Gate current: 30/50mA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 16A
Max. load current: 25A
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Type of thyristor: standard
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 255A
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+375.17 грн
6+166.79 грн
16+157.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA120N04T2 IXTA(P)120N04T2.pdf
IXTA120N04T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO263; 35ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 35ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC1301GR CPC1301GR.pdf
CPC1301GR
Виробник: IXYS
Category: Optocouplers - analog output
Description: Optocoupler; SMD; Ch: 1; OUT: Darlington; Uinsul: 5kV; Uce: 350V; SO4
Mounting: SMD
Case: SO4
Collector-emitter voltage: 350V
CTR@If: 1000-8000%@1mA
Kind of output: Darlington
Insulation voltage: 5kV
Type of optocoupler: optocoupler
Number of channels: 1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.53 грн
5+257.17 грн
7+156.11 грн
17+147.89 грн
100+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-08ho7 VTO39_VVZ39.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 800V; If: 39A; Ifsm: 180A
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 0.8kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VVZ39-12ho7 VTO39_VVZ39.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase controlled bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: half-controlled; Urmax: 1.2kV; If: 39A; module
Version: module
Max. forward impulse current: 180A
Gate current: 25/50mA
Max. forward voltage: 1.6V
Mechanical mounting: screw
Leads: wire Ø 0.75mm
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Load current: 39A
Case: ECO-PAC 1
Type of bridge rectifier: half-controlled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC2025NTR CPC2025N.pdf
Виробник: IXYS
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO x2; Icntrl max: 50mA; 120mA; OptoMOS
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO x2
Control current max.: 50mA
Max. operating current: 120mA
Switched voltage: max. 400V AC; max. 400V DC
Manufacturer series: OptoMOS
Relay variant: 1-phase; current source
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMT
Case: SO8
Body dimensions: 9.35x3.81x2.18mm
Insulation voltage: 1.5kV
Turn-on time: 2ms
Turn-off time: 1ms
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS16-01AS DSS16-01A_AR.pdf
DSS16-01AS
Виробник: IXYS
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SMD; 100V; 16A; reel,tape; 105W
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.1kV
Load current: 16A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.64V
Max. load current: 35A
Max. forward impulse current: 230A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 105W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXDN614SI IXDD614CI-DTE.pdf
IXDN614SI
Виробник: IXYS
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; low-side,gate driver; SO8-EP; -14÷14A; Ch: 1; 4.5÷35V
Mounting: SMD
Supply voltage: 4.5...35V
Output current: -14...14A
Type of integrated circuit: driver
Kind of output: non-inverting
Operating temperature: -40...125°C
Turn-on time: 140ns
Kind of package: tube
Case: SO8-EP
Turn-off time: 130ns
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Number of channels: 1
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+322.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10T IXFK(X)360N10T.pdf
IXFX360N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1000.74 грн
2+713.17 грн
4+674.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTA60N10T
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO263
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA60N10T-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n10t-datasheet?assetguid=9c28d11f-bd7e-4749-b9d5-f5d766cb0615
IXTA60N10T-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 60A; 176W; D2PAK,TO263; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ60N10T media?resourcetype=datasheets&itemid=f61c8bf8-64b9-460f-b3a0-1ab92d63fb25&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtq60n10t_datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; 100V; 60A; 176W; TO3P; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 59ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK360N10T IXFK(X)360N10T.pdf
IXFK360N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 360A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 360A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 525nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200PTEH
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MIXG180W1200TEH media?resourcetype=datasheets&itemid=2926fee0-4fd4-467d-a793-c5df74bfe655&filename=littelfuse%2520power%2520semiconductors%2520mixg180w1200teh%2520datasheet.pdf
Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: X2PT
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Collector current: 195A
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCC501-14IO2 m501-12io2-18io2.pdf
Виробник: IXYS
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.4kV; 503A; W74; Ifsm: 14.5kA
Max. forward impulse current: 14.5kA
Gate current: 250mA
Type of semiconductor module: thyristor
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.4kV
Electrical mounting: screw
Load current: 503A
Kind of package: bulk
Semiconductor structure: double series
Case: W74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFA270N06T3 IXxx270N06T3-DTE.pdf
IXFA270N06T3
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO263; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP270N06T3 IXxx270N06T3-DTE.pdf
IXFP270N06T3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 47ns
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76P10T IXT_76P10T_HV.pdf
IXTH76P10T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -76A; 298W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -76A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 197nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 70ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+706.10 грн
3+404.24 грн
7+382.06 грн
120+373.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96P085T IXT_96P085T.pdf
IXTH96P085T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+698.13 грн
3+404.24 грн
7+382.06 грн
120+379.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH52P10P IXT_52P10P.pdf
IXTH52P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarP™
на замовлення 134 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+672.47 грн
3+387.81 грн
7+366.45 грн
60+359.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH76N25T IXTA(H,I,P,Q)76N25T.pdf
IXTH76N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 76A; 460W; TO247-3; 148ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 76A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 148ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 234 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+661.85 грн
4+295.79 грн
9+280.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH96N25T IXTH(Q,V)96N25T.pdf
IXTH96N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 96A; 625W; TO247-3; 158ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 96A
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 114nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 158ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 216 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+564.52 грн
3+357.41 грн
8+337.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH44P15T IXT_44P15T.pdf
IXTH44P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -44A; 298W; 140ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -44A
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: TrenchP™
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+650.35 грн
3+404.24 грн
7+382.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH270N04T4 IXTH(P)270N04T4.pdf
IXTH270N04T4
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 48ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+442.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH8P50 IXT_8P50.pdf
IXTH8P50
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -8A; 180W; TO247-3; 400ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -8A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH20P50P IXT_20P50P.pdf
IXTH20P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -20A; 460W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 406ns
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50P IXT_10P50P.pdf
IXTH10P50P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH90P10P IXT_90P10P.pdf
IXTH90P10P
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO247-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Power dissipation: 462W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 144ns
Technology: PolarP™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2 IXTH(T)16N20D2.pdf
IXTH16N20D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 16A; 695W; TO247-3; 607ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 16A
Power dissipation: 695W
Case: TO247-3
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 607ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N30P IXTH88N30P-DTE.pdf
IXTH88N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 88A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH88N15 IXTH88N15.pdf
IXTH88N15
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 88A; 400W; TO247-3; 150ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 88A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60 IXT_10P60.pdf
IXTH10P60
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -600V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 135nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTP08N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO220AB
On-state resistance: 21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.53 грн
8+131.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA08N100D2 IXTA(P,Y)08N100D2.pdf
IXTA08N100D2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO263
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+344.20 грн
7+134.75 грн
20+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708.pdf
CPC3708CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 2267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+65.48 грн
11+39.11 грн
33+28.43 грн
91+26.87 грн
2000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708.pdf
CPC3708ZTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 691 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.97 грн
13+33.85 грн
54+17.34 грн
149+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720.pdf
CPC3720CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
на замовлення 317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.36 грн
19+22.68 грн
25+20.71 грн
59+15.94 грн
162+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P IXT_10P50P.pdf
IXTA10P50P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+430.91 грн
3+313.86 грн
9+296.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA96P085T IXTA96P085T-dte.pdf
IXTA96P085T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -96A; 298W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -96A
Power dissipation: 298W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 55ns
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+622.04 грн
4+297.43 грн
9+281.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA32P05T IXT_32P05T.pdf
IXTA32P05T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -32A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 26ns
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.30 грн
9+116.67 грн
23+110.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36N30P IXTA36N30P-DTE.pdf
IXTA36N30P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+383.13 грн
5+230.88 грн
10+216.09 грн
50+212.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA52P10P IXT_52P10P.pdf
IXTA52P10P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -52A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.71 грн
3+344.26 грн
8+325.37 грн
150+318.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA28P065T IXT_28P065T.pdf
IXTA28P065T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -28A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 31ns
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+339.78 грн
8+126.53 грн
21+119.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA2N100P IXTA(P,Y)2N100P.pdf
IXTA2N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 86W; TO263; 800ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 86W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 800ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+176.65 грн
7+152.00 грн
17+143.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA4N70X2 ixty2n65x2.pdf
IXTA4N70X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.54 грн
9+108.46 грн
24+102.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N50P IXTA3N50P-DTE.pdf
IXTA3N50P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO263; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+73.44 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA340N04T4-7 IXTA340N04T4.pdf
IXTA340N04T4-7
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO263-7; 43ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 480W
Case: TO263-7
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 256nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 43ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA10P50P-TRL littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634
IXTA10P50P-TRL
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 10A; 300W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Drain current: 10A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N170DHV IXTA(H)1N170DHV.pdf
IXTA1N170DHV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO263HV; 30ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 290W
Case: TO263HV
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 30ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA1N200P3HV IXTA(H)1N200P3HV.pdf
IXTA1N200P3HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO263HV; 2.3us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 125W
Case: TO263HV
On-state resistance: 40Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 2.3µs
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA24P085T IXT_24P085T.pdf
IXTA24P085T
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -24A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA36P15P IXT_36P15P.pdf
IXTA36P15P
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 228ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA3N120HV IXTA3N120HV.pdf
IXTA3N120HV
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO263HV; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO263HV
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA06N120P IXTA(P)06N120P.pdf
IXTA06N120P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.6A; 42W; TO263; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 42W
Case: TO263
On-state resistance: 34Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 900ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.