Продукція > IXYS > Всі товари виробника IXYS (16043) > Сторінка 268 з 268

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 260 263 264 265 266 267 268
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CPC3982TTR CPC3982TTR IXYS CPC3982.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.15A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 380Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.62 грн
13+32.15 грн
100+23.13 грн
500+18.21 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708CTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+42.39 грн
13+33.62 грн
100+28.70 грн
500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603CTR IXYS CPC5603.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+54.75 грн
11+39.69 грн
100+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703CTR IXYS CPC3703.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.18 грн
10+50.60 грн
50+38.38 грн
100+34.20 грн
250+29.44 грн
500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3701CTR CPC3701CTR IXYS CPC3701.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.00 грн
10+42.73 грн
100+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5602CTR CPC5602CTR IXYS CPC5602.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.00 грн
10+45.68 грн
50+35.92 грн
100+32.56 грн
250+28.54 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3902ZTR CPC3902ZTR IXYS CPC3902.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.4A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.95 грн
10+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708ZTR IXYS CPC3708.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.48 грн
10+49.53 грн
100+38.38 грн
500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720CTR IXYS CPC3720.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+62.70 грн
13+33.13 грн
25+30.34 грн
100+26.73 грн
250+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730CTR IXYS CPC3730.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.47 грн
11+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 IXYS IXTA(P)3N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+275.54 грн
10+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXTH50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.02 грн
10+646.21 грн
30+606.02 грн
120+556.00 грн
270+529.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXTT50P10 IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+731.24 грн
3+600.28 грн
10+538.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2 IXYS IXTQ470P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2 IXTA90N055T2 IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 37ns
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N65X3 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet?assetguid=d4c565e9-7fdb-4ff8-bc54-16d1603a6ce2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 90A; Idm: 150A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTH80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.13 грн
5+476.45 грн
10+432.17 грн
30+416.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTP80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+496.32 грн
5+400.19 грн
10+360.83 грн
50+349.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA80N075L2 IXYS IXTA(H,P)80N075L2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1057.12 грн
5+851.22 грн
10+750.35 грн
25+657.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-12NO7 IXYS VUO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 175A; Ifsm: 1.8kA
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 175A
Max. forward impulse current: 1.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Max. forward voltage: 1.39V
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO160-12NO7 IXYS VBO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 160A; Ifsm: 2.8kA
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 160A
Max. forward impulse current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100P IXFH20N100P IXYS IXF_20N100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT20N100P IXFT20N100P IXYS IXF_20N100P.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3982TTR CPC3982.pdf
CPC3982TTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.15A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 380Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.62 грн
13+32.15 грн
100+23.13 грн
500+18.21 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708CTR CPC3708.pdf
CPC3708CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.8W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT89
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+42.39 грн
13+33.62 грн
100+28.70 грн
500+26.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5603CTR CPC5603.pdf
CPC5603CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 415V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 415V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.75 грн
11+39.69 грн
100+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3703CTR CPC3703.pdf
CPC3703CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.36A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.36A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.18 грн
10+50.60 грн
50+38.38 грн
100+34.20 грн
250+29.44 грн
500+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3701CTR CPC3701.pdf
CPC3701CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.6A; 1.1W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT89
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.00 грн
10+42.73 грн
100+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC5602CTR CPC5602.pdf
CPC5602CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.00 грн
10+45.68 грн
50+35.92 грн
100+32.56 грн
250+28.54 грн
500+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3902ZTR CPC3902.pdf
CPC3902ZTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.4A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.95 грн
10+47.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3708ZTR CPC3708.pdf
CPC3708ZTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 2.5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.48 грн
10+49.53 грн
100+38.38 грн
500+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3720CTR CPC3720.pdf
CPC3720CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.13A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.70 грн
13+33.13 грн
25+30.34 грн
100+26.73 грн
250+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
CPC3730CTR CPC3730.pdf
CPC3730CTR
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.14A; 1.4W; SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT89
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.47 грн
11+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N50D2 IXTA(P)3N50D2.pdf
IXTP3N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.07µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 24ns
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.54 грн
10+189.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH50P10 IXT_50P10.pdf
IXTH50P10
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO247-3; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+816.02 грн
10+646.21 грн
30+606.02 грн
120+556.00 грн
270+529.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTT50P10 IXT_50P10.pdf
IXTT50P10
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+731.24 грн
3+600.28 грн
10+538.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2.pdf
IXTQ470P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Gate charge: 88nC
Reverse recovery time: 400ns
Drain current: 42A
Drain-source voltage: 500V
Power dissipation: 830W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA90N055T2 IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf
IXTA90N055T2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO263; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Case: TO263
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 37ns
Power dissipation: 150W
Drain current: 90A
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH90N65X3 littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh90n65x3-datasheet?assetguid=d4c565e9-7fdb-4ff8-bc54-16d1603a6ce2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 650V; 90A; Idm: 150A; 960W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 960W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 175ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTH80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO247-3; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO247-3
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.13 грн
5+476.45 грн
10+432.17 грн
30+416.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTP80N075L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO220AB; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO220AB
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+496.32 грн
5+400.19 грн
10+360.83 грн
50+349.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTA80N075L2 IXTA(H,P)80N075L2.pdf
IXTA80N075L2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 357W; TO263; 160ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1057.12 грн
5+851.22 грн
10+750.35 грн
25+657.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VUO160-12NO7 VUO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Three phase diode bridge rectifiers
Description: Bridge rectifier: three-phase; Urmax: 1.2kV; If: 175A; Ifsm: 1.8kA
Type of bridge rectifier: three-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 175A
Max. forward impulse current: 1.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Max. forward voltage: 1.39V
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VBO160-12NO7 VBO160-12NO7.pdf LFPCN250701_PWS-x screw.pdf
Виробник: IXYS
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.2kV; If: 160A; Ifsm: 2.8kA
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 160A
Max. forward impulse current: 2.8kA
Electrical mounting: screw
Version: module
Leads: M6 screws
Case: PWS-E
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFH20N100P IXF_20N100P.pdf
IXFH20N100P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT20N100P IXF_20N100P.pdf
IXFT20N100P
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 26 52 78 104 130 156 182 208 234 260 263 264 265 266 267 268