Продукція > SiS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 29935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 9297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.78 грн
100+39.75 грн
500+29.24 грн
1000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS10ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 2650 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 56.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 9282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 31.7A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 31.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHAN 40 V POWERPAK 1212 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.94 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
на замовлення 10032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
10+76.38 грн
100+51.19 грн
500+37.92 грн
1000+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 10054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS10DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.77 грн
6000+30.31 грн
9000+29.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 3705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 60A; Idm: 200A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 42W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 2.74mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.5A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.98mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.87 грн
10+86.88 грн
100+58.57 грн
500+43.58 грн
1000+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS176LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS176LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS176LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.20 грн
50+55.64 грн
100+46.59 грн
500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS176LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS176LDN-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 42.3A
Mounting: SMD
Gate charge: 12.6nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 42.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 10.9mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS178LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+74.65 грн
50+55.99 грн
100+46.91 грн
500+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS178LDN-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS178LDN-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS178LDN-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 70V; 45.3A
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 45.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 70V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
On-state resistance: 9.5mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS178LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 70-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3VishayMOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISS22dn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 6534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
на замовлення 7467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+102.73 грн
50+77.92 грн
100+65.60 грн
500+52.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25A/90.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 90.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 74A; Idm: 150A; 42W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® 1212-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 74A
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 70068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.27 грн
50+68.16 грн
100+57.24 грн
500+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS22LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 92.5 A, 0.00291 ohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 92.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00291ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V PowerPAK 1212-8S
на замовлення 26356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS22LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.5A (Ta), 92.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 30 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.79 грн
9000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 9904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.38 грн
10+65.44 грн
50+48.91 грн
100+40.88 грн
500+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 16435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.33 грн
9000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -50A; Idm: -200A
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 300nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 4.5mΩ
на замовлення 3584 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.06 грн
10+69.19 грн
50+47.72 грн
100+40.34 грн
500+28.77 грн
1000+27.00 грн
1500+26.00 грн
3000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS23DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS23DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+99.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60V 60A 1212-8S Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 36W
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 2941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 6265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S
на замовлення 6399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+111.71 грн
50+85.03 грн
100+71.72 грн
500+57.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26DN-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212-S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-BE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
на замовлення 16913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.84 грн
50+63.96 грн
100+53.68 грн
500+42.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 170991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.11 грн
9000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS26LDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 81.2 A, 4300 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 65A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23.7A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.44 грн
50+55.10 грн
100+46.13 грн
500+36.35 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 65A; Idm: 150A; 36W
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 48nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 65A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) 150C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS26LDN-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 50A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 7143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5100 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 7143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 12729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.73 грн
10+66.57 грн
50+49.63 грн
100+41.46 грн
500+32.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.62 грн
9000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS27DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS27DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 5600 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
на замовлення 4861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 150A; 36W
Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 75nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 25V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 2.24mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 25V Vds 21.8nC Qg Typ
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS28DN-T1-GE3VishaySISS28DN-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.13 грн
34+22.44 грн
50+21.30 грн
100+19.42 грн
250+18.35 грн
500+18.05 грн
1000+17.75 грн
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiSS28DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 10 V
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.81 грн
10+64.01 грн
50+47.78 грн
100+39.90 грн
500+31.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
на замовлення 8631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+85.97 грн
100+57.89 грн
500+43.03 грн
1000+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK N CHAN 80V
на замовлення 8520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.48 грн
6000+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS30ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8900 µohm, PowerPAK 1212-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V
на замовлення 12697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.27 грн
10+60.76 грн
100+42.49 грн
500+32.18 грн
1000+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 8250 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8250µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISS30DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 15.9A/54.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 54.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.25mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 10 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.25 грн
6000+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.