Продукція > G3R
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET | на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R160MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 145W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R160MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R160MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 145W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V | на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET | на замовлення 377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12K | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 542W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12K | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12K | GENESIC | Description: GENESIC - G3R20MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 128 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 128A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 542W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 219nC On-state resistance: 20mΩ Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 487 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12K | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 | на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12N | GENESIC | Description: GENESIC - G3R20MT12N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, SOT-227 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 105A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 365W Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 20mΩ Technology: G3R™; SiC Drain current: 74A Pulsed drain current: 240A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 365W Type of semiconductor module: MOSFET transistor | на замовлення 105 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 105A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 15V Power Dissipation (Max): 365W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 15mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +20V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5873 pF @ 800 V | на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT17K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT17K | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 809W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V | на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT17N | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 100A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 75A, 15V Power Dissipation (Max): 523W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 15mA Supplier Device Package: SOT-227 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10187 pF @ 1000 V | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT17N | GENESIC | Description: GENESIC - G3R20MT17N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 523W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: SOT-227 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 15V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R20MT17N | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12J | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET | на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 459W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R30MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 408W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R30MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V Power Dissipation (Max): 408W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12K | GENESIC | Description: GENESIC - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 281W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12K | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V | на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R30MT12K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R30MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 155nC On-state resistance: 30mΩ Drain current: 63A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R350MT12D | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V | на замовлення 6258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET | на замовлення 2433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-source voltage: -5...15V Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.35Ω Power dissipation: 74W Technology: G3R™; SiC Drain current: 8A Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 16A Drain-source voltage: 1.2kV | на замовлення 260 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12D | GENESIC | Description: GENESIC - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12D | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12D Код товару: 199077
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R350MT12J | GENESIC | Description: GENESIC - G3R350MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET | на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R350MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R350MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R350MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 4A, 18V Power Dissipation (Max): 64W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 800 V | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Case: TO247-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: G3R™; SiC | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V | на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D Код товару: 177790
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET | на замовлення 940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GENESIC | Description: GENESIC - G3R40MT12J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 75 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 374W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 75A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 374W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA (Typ) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V | на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R40MT12J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 1200V 40M TO-263-7 G3R SIC MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 35A, 18V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 18mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2897 pF @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R40MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor | 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R40MT12K | GENESIC | Description: GENESIC - G3R40MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Mounting: THT Case: TO247-4 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 263 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12K | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V | на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R40MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V | на замовлення 2521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET | на замовлення 3133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R450MT17J | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET | на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R450MT17J | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 91W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V | на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R450MT17J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V | на замовлення 617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R450MT17J-TR | Navitas Semiconductor, Inc. | Description: 1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET | на замовлення 392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V Power Dissipation (Max): 438W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R45MT17D | GENESIC SEMICONDUCTOR | Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 438W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET | на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 43A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 438W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | на замовлення 217 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|