Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJ150EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 10960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.45 грн
10+50.09 грн
100+31.48 грн
500+26.23 грн
1000+22.44 грн
3000+19.47 грн
6000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ150EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 66A PPAK SO-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ152ELPVishayTrans MOSFET N-CH 40V 123A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ152ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.68 грн
500+34.63 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ152ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.28 грн
100+39.97 грн
500+29.32 грн
1000+26.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ152ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 123 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+113.56 грн
12+71.84 грн
100+47.68 грн
500+34.63 грн
1000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ152ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Auto N-Ch 40 V (D-S)
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.09 грн
10+64.23 грн
100+37.07 грн
500+28.99 грн
1000+26.37 грн
3000+23.06 грн
6000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ152ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 123A PPAK SO-8
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.82 грн
6000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ152EP-T1_GE3Vishay / SiliconixAluminium Electrolytic Capacitors - Snap In PressFit 400V 1500uF 18K Hrs Life 5pin
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ154EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 14123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.48 грн
500+42.11 грн
1000+29.82 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ154EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+64.24 грн
100+49.97 грн
500+39.74 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ154EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ154EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 243 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 243A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 14123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
11+73.85 грн
100+53.48 грн
500+42.11 грн
1000+29.82 грн
5000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ154EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs
на замовлення 11557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+78.44 грн
100+46.05 грн
500+36.52 грн
1000+33.48 грн
3000+30.10 грн
6000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ154EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 243A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
на замовлення 59368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+50.57 грн
100+28.86 грн
500+22.30 грн
1000+20.23 грн
3000+17.53 грн
6000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ158EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.70 грн
10+41.73 грн
100+28.90 грн
500+22.66 грн
1000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ160EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C AEC-Q101
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.33 грн
10+113.53 грн
100+82.15 грн
3000+69.03 грн
6000+68.07 грн
9000+66.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ160EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ160EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C, PowerPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ160EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 362A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6697 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.92 грн
10+103.36 грн
100+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ161ELP-T1_GE3VishayMOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175 DegC MOSFET
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+177.99 грн
10+111.14 грн
100+65.31 грн
500+53.09 грн
1000+45.98 грн
2500+42.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ162EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.47 грн
10+80.02 грн
100+53.82 грн
500+39.98 грн
1000+36.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ162EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+80.98 грн
100+51.91 грн
500+41.14 грн
1000+37.00 грн
3000+34.10 грн
6000+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ162EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3930 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ162EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 5000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.41 грн
10+95.84 грн
100+62.58 грн
500+43.60 грн
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ162EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ162EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 166 A, 5000 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 166A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.58 грн
500+43.60 грн
1000+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELPVishayTrans MOSFET N-CH 60V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ164ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+73.81 грн
100+49.44 грн
500+36.58 грн
1000+33.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 75A; Idm: 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 187W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 75A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ164ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.012 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ164ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+79.23 грн
100+45.84 грн
500+36.17 грн
1000+33.00 грн
3000+29.06 грн
9000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ166ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+64.62 грн
100+37.28 грн
500+29.48 грн
1000+28.65 грн
3000+24.37 грн
6000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ168ELPVishaySQJ168ELP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ168ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.87 грн
10+54.59 грн
100+36.02 грн
500+26.32 грн
1000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ168ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ168ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 24A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ168ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.23 грн
10+58.19 грн
100+33.41 грн
500+26.03 грн
1000+23.61 грн
3000+20.57 грн
6000+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.55 грн
6000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 63A; Idm: 66A; 136W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 34mΩ
Drain current: 63A
Power dissipation: 136W
Pulsed drain current: 66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Case: PowerPAK® SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 8276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.20 грн
10+74.39 грн
100+43.28 грн
500+34.03 грн
1000+31.07 грн
3000+27.27 грн
6000+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ170ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 25 V
на замовлення 6254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.17 грн
10+69.85 грн
100+46.65 грн
500+34.44 грн
1000+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.49 грн
10+125.64 грн
100+86.98 грн
500+58.93 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3Vishay SiliconixN-CHANNEL 60 V (D-S) SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L BWL
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.49 грн
10+123.05 грн
100+73.18 грн
500+58.96 грн
1000+55.09 грн
3000+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6111 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 293A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.08 грн
10+109.34 грн
100+75.89 грн
500+57.25 грн
1000+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ174EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 293 A, 0.00235 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 293A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00235ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.98 грн
500+58.93 грн
1000+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ174EP-T2-GE3VishayVishay MOSFET 60V NCH 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ176ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ180EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ180EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 248 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.23 грн
500+73.44 грн
1000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ180EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ180EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 248 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 248A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.66 грн
10+118.39 грн
100+94.23 грн
500+73.44 грн
1000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ180EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.35 грн
10+123.85 грн
100+76.63 грн
500+61.72 грн
1000+57.64 грн
3000+54.61 грн
6000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ182EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.40 грн
10+85.71 грн
100+66.88 грн
500+50.15 грн
1000+46.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ182EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 31753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.47 грн
10+100.82 грн
100+59.99 грн
500+47.77 грн
1000+45.56 грн
3000+39.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ182EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 0.005 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 395W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.80 грн
500+57.59 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ182EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5392 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ182EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ182EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 210 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.74 грн
10+114.37 грн
100+77.80 грн
500+57.59 грн
1000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ184EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+80.62 грн
100+62.85 грн
500+48.73 грн
1000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ184EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 7500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.36 грн
10+91.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ184EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ184EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+70.10 грн
100+47.43 грн
500+40.18 грн
1000+34.38 грн
3000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ184EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 7500 µohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ185ELP-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ185ELP-T1_GE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ185ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4914 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.23 грн
10+89.15 грн
100+60.28 грн
500+44.96 грн
1000+41.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ185ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4914 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.38 грн
6000+36.34 грн
9000+35.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ185ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+90.50 грн
100+54.26 грн
500+46.05 грн
1000+41.77 грн
3000+35.41 грн
6000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELPVishayTrans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSF
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
1+415.59 грн
10+367.57 грн
100+262.33 грн
500+222.98 грн
1000+188.46 грн
2000+170.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1/GE3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 66A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.96 грн
500+39.26 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 11453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.85 грн
10+63.57 грн
100+42.25 грн
500+31.06 грн
1000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.73 грн
10+67.72 грн
100+39.21 грн
500+30.72 грн
1000+27.96 грн
3000+24.44 грн
6000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ186ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 66 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 135W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.06 грн
10+81.35 грн
100+53.96 грн
500+39.26 грн
1000+33.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2325 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.43 грн
6000+24.53 грн
9000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186ELR-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.42 грн
10+77.17 грн
100+44.87 грн
500+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.92 грн
13+64.75 грн
100+51.38 грн
500+35.08 грн
1000+28.99 грн
5000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1942 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.23 грн
10+56.99 грн
100+44.32 грн
500+35.26 грн
1000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 24004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.14 грн
10+69.62 грн
100+40.45 грн
500+31.82 грн
1000+29.06 грн
3000+28.51 грн
6000+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.38 грн
500+35.08 грн
1000+28.99 грн
5000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
14+59.04 грн
100+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+49.46 грн
100+32.24 грн
500+28.37 грн
1000+24.37 грн
3000+17.19 грн
6000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ190ELP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ190ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 19.6 A, 0.05 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N Ch 20V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.67 грн
10+80.98 грн
100+47.29 грн
500+37.35 грн
1000+34.17 грн
3000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
13+65.80 грн
100+44.06 грн
500+32.38 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 60 A, 60 A, 3100 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3100µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3100µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.06 грн
500+32.38 грн
1000+27.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.97 грн
10+80.70 грн
100+62.94 грн
500+48.80 грн
1000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+145.78 грн
50+92.62 грн
100+61.45 грн
500+46.74 грн
1500+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ200EP-T1_JE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJ200EP-T1_JE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 20 V, 60 A, 3700 µohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3700µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.45 грн
500+46.74 грн
1500+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_BE3VishayMOSFETs DUAL N-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.14 грн
10+86.53 грн
100+49.43 грн
500+39.21 грн
1000+34.86 грн
3000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A, 60A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 27W, 48W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.19 грн
10+78.98 грн
100+61.45 грн
500+48.88 грн
1000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ202EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N Ch 12V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
10+93.68 грн
100+54.95 грн
500+43.56 грн
1000+39.97 грн
3000+36.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]