Продукція > SIH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHP28N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.117 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117ohm
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3Vishay SiliconixN-CH 650V 28A 3-Pin TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3249 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-E3VishaySIHP30N60E-E3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP30N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+381.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+448.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EVishay / SiliconixMOSFET E Series Power N-Ch. MOSFET 600V 520W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 88A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 88A
Case: TO220AB
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+145.72 грн
101+140.17 грн
104+135.41 грн
250+126.62 грн
500+114.04 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP33N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.099 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.48 грн
10+324.82 грн
50+257.51 грн
100+221.34 грн
500+185.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.06 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 100A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 100A
Case: TO220AB
On-state resistance: 98mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 278W
Gate-source voltage: ±30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 16.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3454 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 32A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.59 грн
10+290.53 грн
100+210.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3VishaySIHP35N60E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Arrow.com
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+268.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.01 грн
50+237.69 грн
100+217.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.77 грн
10+180.89 грн
25+179.20 грн
100+168.54 грн
500+152.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 43A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 43A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 183 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 100 V
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.68 грн
10+376.05 грн
50+299.96 грн
100+258.52 грн
500+218.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP38N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 313W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3576 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.66 грн
10+126.57 грн
100+87.16 грн
500+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 4.3A N-CH MOSFET
на замовлення 25427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-BE3VishayN Channel Trans MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.3A; 69W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 69W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3VishayE Series Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP4N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3VishayMOSFETs TO220 800V 4.4A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.72 грн
50+64.98 грн
100+58.18 грн
500+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.40 грн
25+63.32 грн
50+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP690N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.83 грн
10+105.43 грн
100+83.88 грн
500+66.61 грн
1000+56.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP690N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 400V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-E3Vishay / SiliconixMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
345+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.84 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 4A; Idm: 13A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 13A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP6N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 104
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N40D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.98 грн
10+101.63 грн
50+77.00 грн
100+64.80 грн
500+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5A Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.87 грн
50+104.87 грн
100+94.66 грн
500+75.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 1111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.66 грн
10+146.10 грн
50+112.21 грн
100+95.05 грн
500+77.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.52 грн
35+21.97 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP6N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.4A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 820mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30  [ Наступна Сторінка >> ]