Продукція > SIH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIHP690N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP690N60E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 600V | на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 400V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 400V 6A N-CH MOSFET | на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP6N40D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 6 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 104 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: D Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.85 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 400V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V Vds 30V Vgs TO-220AB | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N40D-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO220AB Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N65E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N65E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 48nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5A Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP6N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET | на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N80E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 800V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP6N80E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 800V 5.4A N-CH MOSFET | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N80E-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N80E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP6N80E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP6N80E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 7A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP7N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET | на замовлення 5512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 18A Gate charge: 40nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 78 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: E Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB | на замовлення 6382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP8N50D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP8N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB | на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP8N50D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Mounting Type: Through Hole Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHP8N50D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB | на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP8N50D-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHP8N50D-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm | на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V | на замовлення 1967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 51A; 500W; PowerPAK® 8x8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 51A Power dissipation: 500W Case: PowerPAK® 8x8L Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 74mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 500W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm | на замовлення 2031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 600V | на замовлення 2177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR080N60E-T1-GE3-X | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR085N60EF-T1GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR085N60EF-T1GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHR085N60EF-T1GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.085 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR085N60EF-T1GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHANNEL 600V | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR100N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs | на замовлення 1900 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR100N60EF-T1GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 600V | на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR110T-E3 | на замовлення 13500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SIHR120N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 600V | на замовлення 1855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR120N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR120N60EF-T1GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 600V | на замовлення 683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHR120N60EF-T1GE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 600V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1929 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS20N50C-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 20A SUPER247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS20N50C-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs Super-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS36N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS36N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs Super-247 | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS36N50D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS36N50D-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHS36N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 36 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 446 Bauform - Transistor: TO-274AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: D Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS36N50D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V | на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS36N50D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHS36N50D-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.13 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHS90N65E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 650V Vds 30V Vgs Super-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SiHS90N65E-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS90N65E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: Super-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS90N65E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHS90N65E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247, Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 625W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V | на замовлення 233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHS90N65E-GE3-X | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU2N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 2.9A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU2N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 2.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHU2N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs TO251 800V 2.9A N-CH MOSFET | на замовлення 5586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU2N80E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU2N80E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.8A; Idm: 5A; 62.5W Case: IPAK; TO251 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed drain current: 5A Power dissipation: 62.5W Gate charge: 19.6nC Polarisation: unipolar Drain current: 1.8A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.75Ω | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO251AA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50D-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50D-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHU3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 3 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 104 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 104 Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: D Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.6 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO251 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-251AA Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50D-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50DA-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50DA-GE3 | Vishay | D Series Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU3N50DA-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) | на замовлення 2769 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU4N80AE | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHU4N80AE | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHU4N80AE-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V | на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SIHU4N80AE-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU4N80AE-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm | на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU4N80AE-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SIHU4N80AE-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |