Продукція > IXF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFR140N30P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 300W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Gate charge: 185nC On-state resistance: 28mΩ Polarisation: unipolar Kind of package: tube Drain current: 70A Type of transistor: N-MOSFET Case: ISOPLUS247™ Drain-source voltage: 300V Power dissipation: 300W Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR140N30P | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR140N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 82 A, 0.026 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: ISOPLUS-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR140N30P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 70A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR140N60X3 | IXYS | Description: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 ISO Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR140N60X3 | Littelfuse | MOSFETs ISOPLUS 600V 140A N-CH X3CLASS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR14N100Q2 | IXYS | MOSFETs 14 Amps 1000V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR14N100Q2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 9.5A ISOPLS247 Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR150N15 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 105A ISOPLUS247 Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR15N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR15N100P | IXYS | MOSFETs 15 Amps 1000V 1 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR15N100Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR15N100Q3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 400W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 400W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 64nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR15N100Q3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR15N100Q3 | IXYS | MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/10A | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR15N80Q | IXYS | MOSFETs 13 Amps 800V 0.6 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR15N80Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR16N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR16N120P | IXYS | MOSFETs 16 Amps 1200V 1 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR16N80P | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR16N80P | IXYS | MOSFETs Polar HiperFET Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR16N90Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247 Part Status: Obsolete Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N06 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N06 | IXYS | MOSFETs 180 Amps 60V 0.005 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N07 | ISOPLUS247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXFR180N07 | IXYS | MOSFETs 180 Amps 70V 0.006 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N07 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N085 | IXYS | MOSFETs 180 Amps 85V 0.007 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N085 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 165A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N10 | IXYS | MOSFETs 100V 165A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N15P | IXYS | MOSFETs 94 Amps 150V 0.011 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR180N15P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR18N90P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5230 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR18N90P | IXYS | MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR200N10P | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR200N10P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 133 A, 0.009 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 133 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: ISOPLUS-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR200N10P | IXYS | MOSFETs 133 Amps 100V 0.0075 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR200N10P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR20N100P | IXYS | MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR20N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR20N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 13A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR20N120P | IXYS | MOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR20N80P | IXYS | MOSFETs 10 Amps 800V 0.5 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR20N80P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 10A, 10V Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR20N80P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; 160W; ISOPLUS247™ Case: ISOPLUS247™ Drain current: 10A Power dissipation: 160W Drain-source voltage: 800V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC On-state resistance: 570mΩ | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR20N80Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR21N100Q | IXYS | MOSFET 18 Amps 1000V 0.5 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR21N100Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1KV 18A ISOPLUS247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR21N50Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR230N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 156A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 60A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR230N20T | IXYS | MOSFETs GigaMOS Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N100 | IXYS | MOSFETs 1KV 22A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N100 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 416W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N100Q3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | на замовлення 367 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR24N100Q3 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 18A; 500W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.49Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR24N100Q3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N100Q3 | IXYS | MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N100Q3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 18A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N50 | IXYS | MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N50 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N50Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 22A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N50Q | IXYS | MOSFET 22 Amps 500V 0.23 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N80P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR24N80P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; 208W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Power dissipation: 208W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.42Ω Mounting: THT Gate charge: 105nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR24N80P | IXYS | MOSFETs 14 Amps 800V 0.42 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N90P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 900V 13A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N90P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 13A; 230W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.46Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 230W Gate charge: 130nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N90P | IXYS | MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N90Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR24N90Q | IXYS | MOSFETs 22 Amps 900V 0.47W Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR25N90 | IXYS | MOSFETs 25 Amps 900V 0.32W Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR25N90 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 900V 25A ISOPLUS247 Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N100P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 290W; ISOPLUS247™ Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 197nC On-state resistance: 0.43Ω Drain current: 15A Power dissipation: 290W Drain-source voltage: 1kV Polarisation: unipolar | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR26N100P | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 1000V 15A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N100P | IXYS | MOSFETs 26 Amps 1000V 0.39 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N100P MOSFET 26 Amps 1000V 0.39 Rds Код товару: 84972
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXFR26N120P | IXYS | MOSFETs 32 Amps 1200V 0.46 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N120P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1200V 15A ISOPLUS247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N50 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 26A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N50 | IXYS | MOSFETs 24 Amps 500V 0.2 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N50Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR26N60Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR27N80Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR27N80Q | IXYS | MOSFETs 27 Amps 800V 0.35W Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR30N110P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR30N50Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR30N60P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA Power Dissipation (Max): 166W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR30N60P | IXYS | MOSFETs 600V 30A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR30N60P Код товару: 60731
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IXFR30N60P | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 15A Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 166W Gate charge: 85nC | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR32N100P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N100P | IXYS | MOSFET 32 Amps 1000V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N100Q3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 570W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N100Q3 | IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/23A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N50 | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS247 Packaging: Tube Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N50Q | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N80P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 16A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N80P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 800V 20A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N80P | IXYS | MOSFETs 20 Amps 800V 0.29 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IXFR32N80Q3 | IXYS | MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/24A | на замовлення 299 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IXFR32N80Q3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 24A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

