Продукція > RGT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGT2012P-753-B-T5SusumuDescription: RES 75 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 75 kOhms
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-753-B-T5SusumuDescription: RES 75 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 75 kOhms
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
25+12.45 грн
50+10.90 грн
100+9.67 грн
500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-754-B-T5SusumuDescription: RES 750 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 750 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-754-B-T5SusumuDescription: RES 750 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 750 kOhms
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
25+12.45 грн
50+10.90 грн
100+9.67 грн
500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-7871-B-T5SusumuDescription: RES 7.87 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 7.87 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-7871-B-T5SusumuDescription: RES 7.87 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 7.87 kOhms
на замовлення 4915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
11+27.78 грн
100+14.42 грн
500+9.37 грн
1000+7.29 грн
2500+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-78R7-B-T5SusumuThin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 78.7 ohm, +/-0.1%, +/-25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8060-B-T5SusumuDescription: RES 806 OHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 806 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8061-B-T5SusumuDescription: RES 8.06 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 8.06 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8061-B-T5SusumuThin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 8.06K ohm, +/-0.1%, +/-25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8062-B-T5SusumuDescription: RES 80.6 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 80.6 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8063-B-T5SusumuDescription: RES 806 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 806 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-80R6-B-T5SusumuThin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 80.6 ohm, +/-0.1%, +/-25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-80R6-B-T5SusumuDescription: RES 80.6 OHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 80.6 Ohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-821-B-T5SusumuThin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 820 ohm, +/-0.1%, +/-25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-824-B-T5SusumuDescription: RES 820 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 820 kOhms
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
27+11.40 грн
29+10.60 грн
50+9.38 грн
100+8.87 грн
250+8.24 грн
500+7.68 грн
1000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-824-B-T5SusumuDescription: RES 820 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 820 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8251-B-T5SusumuThin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 8.25K ohm, +/-0.1%, +/-25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8251-B-T5SusumuDescription: 0805 SIZE, 0.1W, 8.25K OHM, 0.1%
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-82R5-B-T5SusumuThin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 82.5 ohm, 0.1%, 25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8662-B-T5SusumuDescription: RES 86.6 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 86.6 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8662-B-T5SusumuThin Film Resistors - SMD Thin Film Chip Resistors 0805 size, 0.1W, 86.6K ohm, +/-0.1%, +/-25ppm AEC Q200 Qualified Anti-sulfur
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-8662-B-T5SusumuDescription: RES 86.6 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Resistance: 86.6 kOhms
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
26+11.77 грн
50+10.28 грн
100+9.12 грн
500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT2012P-912-B-T5SusumuDescription: RES 9.1 KOHM 0.1% 1/10W 0805
Power (Watts): 0.1W, 1/10W
Tolerance: ±0.1%
Features: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: ±25ppm/°C
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Composition: Thin Film
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Ratings: AEC-Q200
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0805
Height - Seated (Max): 0.022" (0.55mm)
Resistance: 9.1 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20NL65GTLROHMDescription: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20NL65GTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 106 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20NL65GTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 10A, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20NL65GTLROHMDescription: ROHM - RGT20NL65GTL - IGBT, 20 A, 1.65 V, 106 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 106W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20NL65GTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 20A TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.63 грн
10+132.16 грн
100+91.34 грн
500+69.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+141.80 грн
50+93.09 грн
100+87.22 грн
300+83.03 грн
500+73.80 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.15 грн
100+170.57 грн
500+157.42 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 10A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/32ns
Test Condition: 400V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 25 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT20TM65DGC9 - IGBT, 10 A, 1.65 V, 25 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 650V 10A IGBT Field Stop Trench
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT20TM65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 10A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
50+126.55 грн
100+114.65 грн
500+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 15A IGBT Stop Trench
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.71 грн
100+93.89 грн
500+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30TM65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
50+132.06 грн
100+119.62 грн
500+91.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.25 грн
10+176.09 грн
100+124.09 грн
500+105.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.09 грн
100+201.97 грн
250+187.54 грн
500+166.12 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+131.56 грн
100+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.77 грн
100+100.89 грн
500+81.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 17A 39000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT40TM65DGC9 - IGBT, 17 A, 1.65 V, 39 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
30+140.77 грн
120+115.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.29 грн
30+313.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 20A TRNCH
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 144W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.85 грн
10+189.45 грн
100+134.10 грн
500+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NL65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 194
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 48
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGC9 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+401.96 грн
78+182.61 грн
81+175.65 грн
100+163.63 грн
250+146.92 грн
500+137.20 грн
1000+133.85 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
50+161.03 грн
100+146.55 грн
500+113.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.28 грн
53+270.61 грн
100+230.07 грн
500+182.75 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTL
Код товару: 216321
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.50 грн
10+187.64 грн
100+132.70 грн
500+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DRohmNPN Trench IGBT, Vces=650V, Ic=13A, Vce(sat)=1.65V, Pd=47W, TO-220NFM, -40...+175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.99 грн
50+163.95 грн
100+149.02 грн
500+115.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DGC9ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 13A; 23W; TO220NFM
Mounting: SMD
Power dissipation: 23W
Gate charge: 49nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 75A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 65ns
Kind of package: tube
Case: TO220NFM
Turn-off time: 210ns
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 13A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
30+147.33 грн
120+123.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.52 грн
10+504.20 грн
100+376.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+217.59 грн
71+199.56 грн
100+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 25A TRNCH
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.