Продукція > RGT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RGT30NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NL65DGTL - IGBT, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
Power - Max: 133 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Part Status: Active
Gate Charge: 32 nC
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-262
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
50+126.55 грн
100+114.65 грн
500+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.12 грн
10+135.71 грн
100+93.89 грн
500+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT30NS65DGTL - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 30 A, 1.65 V, 133 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.21 грн
10+139.81 грн
100+102.42 грн
500+86.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 30A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 133 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 15A IGBT Stop Trench
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 14A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Test Condition: 400V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 32 W
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.42 грн
50+132.16 грн
100+119.70 грн
500+91.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT30TM65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT30TM65DGC9 - IGBT, 14 A, 1.65 V, 32 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 14A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT40NL65DGTL - IGBT, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 161W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.88 грн
10+112.99 грн
100+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.25 грн
10+176.09 грн
100+124.09 грн
500+105.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NL65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 161000mW 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+218.09 грн
100+201.97 грн
250+187.54 грн
500+166.12 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 40A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+131.56 грн
100+99.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.77 грн
100+100.89 грн
500+81.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 161 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 17A 39000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220NFM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT40TM65DGC9 - IGBT, 17 A, 1.65 V, 39 W, 650 V, TO-220NFM, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220NFM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Raspberry Pi-4 PSU
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 17A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 17A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 39 W
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.98 грн
50+148.27 грн
100+134.58 грн
500+103.77 грн
1000+96.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 20A IGBT Stop Trench
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
30+140.77 грн
120+115.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247G
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/75ns
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 144 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.29 грн
30+313.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT40TS65DGC13 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 144 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.88 грн
10+355.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT40TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 20A TRNCH
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.85 грн
10+189.45 грн
100+134.10 грн
500+116.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+106.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NL65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 194
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 48
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.33 грн
10+159.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGC9 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.14 грн
10+179.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+401.96 грн
78+182.61 грн
81+175.65 грн
100+163.63 грн
250+146.92 грн
500+137.20 грн
1000+133.85 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.93 грн
50+161.03 грн
100+146.55 грн
500+113.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTL
Код товару: 216321
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.50 грн
10+187.64 грн
100+132.70 грн
500+102.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.26 грн
10+140.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 194000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+408.28 грн
53+270.61 грн
100+230.07 грн
500+182.75 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDS, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 194 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50NS65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT50NS65DGTL - IGBT, 48 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 48A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DRohmNPN Trench IGBT, Vces=650V, Ic=13A, Vce(sat)=1.65V, Pd=47W, TO-220NFM, -40...+175 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TM65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 21A TO220NFM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-220NFM
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 21 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.72 грн
50+160.63 грн
100+146.01 грн
500+112.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 25A IGBT Stop Trench
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 49 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 174 W
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.44 грн
30+147.33 грн
120+123.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247N
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT50TS65DGC13 - IGBT, 48 A, 1.65 V, 174 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
Verlustleistung: 174W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+729.12 грн
10+511.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 48A TO-247G
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 174 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Part Status: Active
Gate Charge: 49 nC
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/88ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.52 грн
10+504.20 грн
100+376.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 48A 174W 3-Pin(3+Tab) TO-247N
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+217.59 грн
71+199.56 грн
100+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 65 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT50TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 25A TRNCH
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DROHM SemiconductorIGBT Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 58 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 194 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11
Код товару: 174167
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRNCH FIELD 650V 55A TO247N
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Not For New Designs
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247N Bulk
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11ROHMDescription: ROHM - RGT60TS65DGC11 - IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 55A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.62 грн
10+204.84 грн
100+200.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBTs 650V 30A IGBT Stop Trench
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO-247G
Power - Max: 194 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Part Status: Active
Gate Charge: 58 nC
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 29ns/100ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.43 грн
10+489.25 грн
100+366.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+869.83 грн
24+602.28 грн
50+486.77 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.99 грн
54+262.59 грн
100+253.68 грн
250+237.20 грн
500+213.65 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT60TS65DGC13 - IGBT, 55 A, 1.65 V, 194 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+595.00 грн
10+412.11 грн
100+403.17 грн
500+344.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 30A TRNCH
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT60TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 55A 194W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+511.92 грн
50+506.38 грн
100+481.31 грн
600+463.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC11ROHM SemiconductorIGBT Transistors 650V 40A IGBT Stop Trench
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC11Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 58 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 79 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 234 W
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.14 грн
79+180.33 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13ROHMDescription: ROHM - RGT80TS65DGC13 - IGBT, 70 A, 1.65 V, 234 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 70A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+696.61 грн
10+483.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247G
Power - Max: 234 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Part Status: Active
Gate Charge: 79 nC
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/119ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247G
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Reverse Recovery Time (trr): 236 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+590.21 грн
10+394.30 грн
100+391.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 234W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT80TS65DGC13ROHM SemiconductorIGBTs TO247 650V 40A TRNCH
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1ROHMDescription: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
10+111.36 грн
100+76.90 грн
500+60.46 грн
1000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1ROHM SemiconductorIGBT Transistors 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-252, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1Rohm SemiconductorDescription: SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V 4A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252GE
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+96.16 грн
25+91.33 грн
100+70.39 грн
250+65.80 грн
500+58.15 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DGTL1ROHMDescription: ROHM - RGT8BM65DGTL1 - IGBT, 12 A, 1.65 V, 62 W, 650 V, TO-252GE, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252GE
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.90 грн
500+60.46 грн
1000+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-252
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.90 грн
10+127.86 грн
100+101.75 грн
500+80.80 грн
1000+68.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8BM65DTLROHM SemiconductorIGBTs 650V 4A IGBT Stop Trench
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.88 грн
100+81.85 грн
500+63.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLRohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: LPDS
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLROHM SemiconductorIGBTs 5us Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NL65DGTLROHMDescription: ROHM - RGT8NL65DGTL - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.88 грн
10+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9ROHMDescription: ROHM - RGT8NS65DGC9 - IGBT, 8 A, 1.65 V, 65 W, 650 V, TO-262, 3 Pin(s)
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-262
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.11 грн
10+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 8A 65000mW 3-Pin(2+Tab) LPDS Tube
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9Rohm SemiconductorDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A TO-262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: TO-262
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/69ns
Test Condition: 400V, 4A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Power - Max: 65 W
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
50+46.77 грн
100+41.67 грн
500+30.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RGT8NS65DGC9ROHM SemiconductorIGBTs 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 4A, FRD Built-in, TO-262, Field Stop Trench IGBT
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]