НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
AOB-IBRS232Amulet Technologies LLCDescription: BOARD INTERFACE ONBOARD RS232
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB003ASRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON 968A+
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2019.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB003BSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2037.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB012SRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 2702, 2702A+, 2703A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1964.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB016SRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 702A+, 866, 888A, 9378
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1878.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB028-PSRA Soldering ProductsDescription: SPARE IRON FOR 9378 PRO
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: 9378 Pro Series
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2172.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB033-PSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON WITH
Features: LED Indicator
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2254.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB034-PSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR W
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: WQ Tips, 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2480.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB0408AAFreeWave TechnologiesDescription: DIN RAIL MOUNT BRACKET ASSEMBLY
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.12 грн
10+285.33 грн
100+205.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB095A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+174.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB10B60D SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB10B65M1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11C60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11N60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB11S65L SMD N channel transistors
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.33 грн
9+127.43 грн
24+120.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB125A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.82 грн
10+251.69 грн
100+179.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.32 грн
10+90.23 грн
13+89.30 грн
34+84.65 грн
100+83.72 грн
800+81.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.19 грн
10+120.22 грн
100+82.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39.8nC
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.72 грн
10+75.19 грн
13+74.41 грн
34+70.54 грн
100+69.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1404LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1404LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB1404L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1404LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+42.50 грн
20+35.35 грн
35+31.63 грн
97+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.23 грн
12+34.11 грн
20+29.46 грн
35+26.35 грн
97+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+172.78 грн
4000+157.23 грн
8000+148.06 грн
12000+134.10 грн
20000+115.03 грн
24000+101.75 грн
100000+97.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.16 грн
65600+73.25 грн
131200+68.15 грн
196800+61.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 155200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+172.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42.8nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42.8nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 196 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/73ns
Switching Energy: 420µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 25.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB15B65M1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65MQ1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65MQ1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65MQ1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB15B65MQ1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB15S65L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 178A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1608LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB1608L SMD N channel transistors
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.19 грн
15+77.20 грн
39+73.48 грн
500+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB160A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+312.32 грн
10+197.43 грн
100+138.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.76 грн
10+158.98 грн
100+110.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB190A60CL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+89.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB190A60L SMD N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.42 грн
13+235.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB20B65M1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.03 грн
10+175.42 грн
100+128.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB20S60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB210LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB210LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB210LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2140LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9985 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2140LAlpha & Omega Semiconductor40V N-Channel AlphaSGT TM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2144LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2144LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2146LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2146LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2146LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB2146L SMD N channel transistors
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.24 грн
23+48.65 грн
62+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.67 грн
10+113.17 грн
100+90.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+79.13 грн
1600+64.65 грн
2400+61.42 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB240L SMD N channel transistors
на замовлення 505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.27 грн
12+93.02 грн
33+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+134.89 грн
1600+127.78 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.17 грн
5+186.81 грн
14+176.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 12,3mOhm; 152A; 375W; -55°C ~ 175°C; AOB2500L TAOB2500l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+127.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.60 грн
5+232.79 грн
14+212.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.62 грн
10+230.45 грн
100+164.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2502LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 106A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2502LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB254LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB254LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB254LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB256LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB256LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB256LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB256L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+268.67 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.94 грн
10+242.54 грн
100+172.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB25S65L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65L
Код товару: 173627
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+141.39 грн
1600+133.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2608LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 165W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 165W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.41 грн
3+202.85 грн
7+170.22 грн
18+160.92 грн
800+154.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2618LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2618LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2618LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB262LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB262LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB264LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB264LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB264LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 685 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB27S60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+141.76 грн
1600+133.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
на замовлення 13951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+380.74 грн
10+243.01 грн
100+173.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.36 грн
3+193.19 грн
10+179.52 грн
17+177.66 грн
100+172.08 грн
500+171.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.03 грн
10+149.60 грн
17+148.05 грн
100+143.40 грн
500+142.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7765 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB282L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB284LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB284LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5154 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB284LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB284L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 83W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+76.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB288LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB288LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 163W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.08 грн
10+102.32 грн
100+99.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 163W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+89.14 грн
10+85.27 грн
100+82.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel AlphaSGT TM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2906Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+131.39 грн
1600+126.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.45 грн
10+212.23 грн
100+150.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.43 грн
5+214.44 грн
6+191.62 грн
16+181.38 грн
100+174.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+210.36 грн
5+172.08 грн
6+159.68 грн
16+151.15 грн
100+145.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290L
Код товару: 169925
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2910LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 100V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2910LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB2910L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2910LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2918LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 82A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 82A; 300W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 82A
Power dissipation: 300W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB296LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB296LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB298LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB298LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB298LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+159.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB29S50L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.19 грн
10+270.14 грн
100+193.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 48A; 156W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 156W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22.5nC
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.46 грн
10+127.59 грн
100+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 48A; 156W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 12A
Power dissipation: 156W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 22.5nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB380A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB380A60CLALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB380A60CL THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB380A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.34 грн
10+135.11 грн
100+93.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB409L SMD P channel transistors
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.18 грн
24+46.51 грн
65+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 5A/31.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 31.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+44.59 грн
1600+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.71 грн
1600+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB410LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB410LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB411LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB411LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB411L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB411L_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB412AOS07+ TO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB412AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB412LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 75W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO263
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.47 грн
7+61.24 грн
10+54.18 грн
20+46.97 грн
54+44.42 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 75W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+76.31 грн
10+65.02 грн
20+56.37 грн
54+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+105.45 грн
10+90.77 грн
100+70.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4184ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB4184 SMD N channel transistors
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.37 грн
24+45.58 грн
66+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4184Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 12A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 166A; 417W; TO263
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 166A
Mounting: SMD
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 166A; 417W; TO263
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 166A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB42S60L SMD N channel transistors
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+482.83 грн
4+325.56 грн
10+307.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YLAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YLAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB440Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB440Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB440Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB442Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 21A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB462LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB470LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB480LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB480LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB480L_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 800V TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB482LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.47 грн
10+89.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB482LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB482LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4S60
Код товару: 170155
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 263 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 23A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/83ns
Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 9.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 82.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82400mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB5B60D SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 10A 83000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.57 грн
10+82.01 грн
100+57.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB600A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70FLAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70FLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70FLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+99.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66518LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66518L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66518LAlpha & Omega Semiconductor150V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66518LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+137.65 грн
1600+113.50 грн
2400+106.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 78nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.80 грн
10+184.33 грн
100+149.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 260W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 78nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 50W; TO263
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.17 грн
10+139.06 грн
100+96.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66620LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66620LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66620L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 36361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.83 грн
10+166.97 грн
100+116.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+94.23 грн
1600+84.63 грн
2400+84.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66914L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.08 грн
10+369.82 грн
100+285.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.47 грн
10+214.64 грн
100+152.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35.5A; 8.3W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35.5A
Power dissipation: 8.3W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.61 грн
1600+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+145.76 грн
85+145.03 грн
100+139.14 грн
250+128.18 грн
500+122.43 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+136.03 грн
10+135.35 грн
25+134.67 грн
100+129.20 грн
250+119.03 грн
500+113.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 35.5A; 8.3W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35.5A
Power dissipation: 8.3W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66918L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66919LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66920L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.17 грн
10+138.91 грн
100+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB780A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBD2VELLEMAN INSTRUMENTSDescription: VELLEMAN INSTRUMENTS - AOBD2 - Kfz-Diagnose OBD2, EOBD und JOBD Codeleser und Scanner
tariffCode: 90303100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4262.34 грн
3+4078.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOBGA.SETSRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 1
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8935.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOBGA.SET2SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 2
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBN15-15ETA-USAETA-USA 15W 15V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBN50-24ETA-USADescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOBRXN/A06+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOBRYN/A06+
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOBS30B65LNALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOBS30B65LN SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBS30B65LNAlpha & Omega Semiconductor650V, 30A Alpha IGBT TM AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBT*S717ZBASTBGA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.