Продукція > AOB

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
AOB-IBRS232Amulet Technologies LLCDescription: BOARD INTERFACE ONBOARD RS232
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB003ASRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON 968A+
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2040.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB003BSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 968A+, 701A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2066.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB012SRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON AOYUE
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 2702, 2702A+, 2703A+
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1992.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB016SRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR T
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 702A+, 866, 888A, 9378
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1726.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB028-PSRA Soldering ProductsDescription: SPARE IRON FOR 9378 PRO
Packaging: Retail Package
For Use With/Related Products: 9378 Pro Series
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2203.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB033-PSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON WITH
Features: LED Indicator
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Included, Not Specified
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2234.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB034-PSRA Soldering ProductsDescription: REPLACEMENT SOLDERING IRON FOR W
Packaging: Bag
For Use With/Related Products: WQ Tips, 9378 Pro
Voltage - Input: 24V
Type: Iron
Tip Type: Not Included
Workstand: Not Included
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2515.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB0408AAFreeWave TechnologiesDescription: DIN RAIL MOUNT BRACKET ASSEMBLY
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V
на замовлення 2910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.32 грн
10+289.34 грн
100+208.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB095A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 38A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+176.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB095A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17.4nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 163W 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 20A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 10ns/72ns
Switching Energy: 260µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 17.4 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A
Power - Max: 163 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 82W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 40A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 82W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 17.4nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 20A 150000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 10A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 10A; 75W; TO263
Mounting: SMD
Case: TO263
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 75W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB10T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1100LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11C60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11N60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11N60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 198W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.37 грн
5+124.98 грн
9+107.69 грн
24+102.19 грн
500+98.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 198W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 198W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 768 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+182.85 грн
5+155.75 грн
9+129.23 грн
24+122.62 грн
500+117.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 198W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB125A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB125A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2993 pF @ 100 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.34 грн
10+255.23 грн
100+182.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N60FDLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39.8nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.79 грн
10+91.50 грн
13+89.61 грн
34+84.89 грн
800+81.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.7A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7.7A
Power dissipation: 40W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39.8nC
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+84.89 грн
10+76.25 грн
13+74.67 грн
34+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.83 грн
10+119.64 грн
100+82.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12N65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB12T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2028 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1404LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1404LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB1404L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1404LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 15A/220A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+43.10 грн
20+35.84 грн
35+32.07 грн
97+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+199.84 грн
4000+181.86 грн
8000+171.25 грн
12000+155.10 грн
20000+133.04 грн
24000+117.68 грн
100000+113.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 155200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+39.79 грн
12+34.59 грн
20+29.87 грн
35+26.73 грн
97+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2297 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 263200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.35 грн
65600+73.42 грн
131200+68.32 грн
196800+62.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+199.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB14N50LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; Idm: 56A; 278W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42.8nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 30A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 196 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/73ns
Switching Energy: 420µJ (on), 110µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 25.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 167000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 83.3W; TO263
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 15A
Power dissipation: 83.3W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB15B65M1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 30A 214mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 317 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/116ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65MQ1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 15A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/94ns
Switching Energy: 290µJ (on), 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 32 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 214 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65MQ1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB15B65MQ1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15B65MQ1Alpha & Omega SemiconductorAlpha IGBT and Soft and Fast Recovery Anti-Parallel Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 717 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB15S65L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB15S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 841 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 12A/178A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 178A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 178A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB1608LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB1608L SMD N channel transistors
на замовлення 503 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.76 грн
15+78.29 грн
39+74.52 грн
500+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB160A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.72 грн
10+200.21 грн
100+140.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB160A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2340 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB190A60CL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 1724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.22 грн
100+112.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60CLAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+198.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 208W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 208W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB190A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20B65M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB20B65M1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 40A 227000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20C60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3607 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 266W; TO263
Case: TO263
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 530mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.74 грн
10+177.88 грн
100+129.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB20S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 80A; 266W; TO263
Case: TO263
Gate charge: 19.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
On-state resistance: 530mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 266W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB210LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB210LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB210LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2140LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Ta), 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9985 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2140LAlpha & Omega Semiconductor40V N-Channel AlphaSGT TM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2144LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2144LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5225 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2146LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3830 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2146LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.23 грн
5+59.07 грн
10+51.03 грн
23+49.71 грн
62+46.97 грн
800+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2146LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2146LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 47.5W; TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO263
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.03 грн
9+47.40 грн
10+42.53 грн
23+41.42 грн
62+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 176W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 82A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.44 грн
5+102.19 грн
12+79.39 грн
33+74.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V
на замовлення 4539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.67 грн
10+114.76 грн
100+91.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 20A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3510 pF @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+80.24 грн
1600+65.56 грн
2400+62.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB240LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 82A; 176W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 82A
On-state resistance: 2.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.32 грн
5+127.34 грн
12+95.27 грн
33+89.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.79 грн
1600+129.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LALPHA&OMEGATransistor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 12,3mOhm; 152A; 375W; -55°C ~ 175°C; AOB2500L TAOB2500l
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+131.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.53 грн
5+236.07 грн
14+214.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 11.5/152A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 152A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.69 грн
10+233.69 грн
100+166.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 152A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+153.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2500LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 107A; 375W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 107A
On-state resistance: 6.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 97nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+296.28 грн
5+189.44 грн
14+178.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2502LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 106A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3010 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2502LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB254LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 32A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB254LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB254LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 4.2A/32A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB256LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB256LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13.5A; 83W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB256LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB256LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 13.5A; 83W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 13.5A
Power dissipation: 83W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+269.32 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; Idm: 104A; 357W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 104A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.28 грн
10+245.95 грн
100+175.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65L
Код товару: 173627
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; Idm: 104A; 357W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 357W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 104A
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1278 pF @ 100 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.37 грн
1600+134.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB25S65LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2606LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 13A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4050 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2608LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2608LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 11A/72A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2995 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB260L SMD N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.97 грн
7+172.62 грн
18+163.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB260LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2618LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2618LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/23A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 41.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2618LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB262LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB262LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB264LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB264LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB264LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 668 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10830 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 110A; 250W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 147nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270ALAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 75V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB270LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 21.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10350 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+269.19 грн
3+233.13 грн
7+172.62 грн
18+163.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 17A; 40W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 17A
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 40W
Gate charge: 26nC
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.33 грн
3+187.08 грн
7+143.85 грн
18+135.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+143.75 грн
1600+135.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+117.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1294 pF @ 100 V
на замовлення 13951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.10 грн
10+246.43 грн
100+175.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB27S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 224 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11135 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.27 грн
3+195.91 грн
10+182.05 грн
17+180.16 грн
100+174.50 грн
500+173.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB280LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; 166.5W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 110A
On-state resistance: 2.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 166.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+157.21 грн
10+151.71 грн
17+150.13 грн
100+145.42 грн
500+144.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 272.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7765 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.52 грн
10+99.99 грн
13+87.72 грн
35+83.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 82A; 136W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 82A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 58nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.43 грн
5+95.11 грн
10+83.32 грн
13+73.10 грн
35+69.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB282LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB284LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB284LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 16A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5154 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB284LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB284L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+42.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3142 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB286L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB286LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+78.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB288LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB288LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 93.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 163W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.40 грн
10+86.47 грн
100+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 163W; TO263
Case: TO263
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 163W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 93nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.65 грн
10+103.76 грн
100+100.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel AlphaSGT TM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2904Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2906Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+151.97 грн
1600+146.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.12 грн
10+215.22 грн
100+152.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.32 грн
5+174.50 грн
6+162.71 грн
16+153.28 грн
100+147.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 250W; TO263
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 126nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.99 грн
5+217.46 грн
6+195.25 грн
16+183.93 грн
100+177.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9550 pF @ 50 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB290L
Код товару: 169925
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2910LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 100V 6A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2910LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB2910L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2910LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2918LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB2918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 267W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB292LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB292L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB296LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 100V 9.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2785 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB296LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB298LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB298LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB298LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+161.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB29S50L THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 29A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1312 pF @ 100 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.10 грн
10+273.94 грн
100+196.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB29S50LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 48A; 156W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Gate charge: 22.5nC
On-state resistance: 0.36Ω
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 12A; Idm: 48A; 156W; TO263
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 156W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Gate charge: 22.5nC
On-state resistance: 0.36Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB360A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 100 V
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.33 грн
10+129.38 грн
100+89.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB380A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB380A60CLALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB380A60CL THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB380A60CLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955 pF @ 100 V
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.40 грн
10+137.01 грн
100+94.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB403LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB405LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB409L SMD P channel transistors
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.66 грн
24+47.16 грн
65+44.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 5A/31.5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 31.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2953 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.57 грн
1600+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB409LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 31.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.83 грн
1600+38.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB410LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB410LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7950 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB411LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB411LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB411L SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB411L_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB412AOS07+ TO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB412AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB412LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB414 SMD N channel transistors
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.36 грн
20+57.16 грн
54+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 6.6A/51A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+106.93 грн
10+92.05 грн
100+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB414_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 45A D2PAK
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB416LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 105A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4184ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB4184 SMD N channel transistors
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.75 грн
24+46.22 грн
66+43.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4184Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 12A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB418LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AOSTO-263
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB420LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB428LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 166A; 417W; TO263
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 166A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37A; Idm: 166A; 417W; TO263
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37A
On-state resistance: 109mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 417W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 40nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 166A
Mounting: SMD
Case: TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 37A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2154 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB42S60L SMD N channel transistors
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+489.62 грн
4+330.14 грн
10+312.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB42S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YLAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB430YLAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB432LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB434LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436AOTO-263
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB436LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438AOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438AO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438LAOSOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB438LAO07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB440Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB440Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB440Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB442Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 21A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB462LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 7A/35A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB470LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 10A/100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB480LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB480LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB480L_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 800V TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB482LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+90.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB482LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 105A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB482LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4S60
Код товару: 170155
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4S60LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB4S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 263 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B60DAlpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 82400mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B60DALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB5B60D SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B60DAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 600V 23A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 98 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/83ns
Switching Energy: 140µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 9.4 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 23 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 82.4 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B65M1Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 5A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.98V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 8.5ns/106ns
Switching Energy: 80µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 60Ohm, 15V
Gate Charge: 14 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A
Power - Max: 83 W
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.34 грн
10+83.16 грн
100+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOB5B65M1Alpha & Omega SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 10A 83000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB600A60L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO263
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70FLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70FLAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70FLAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB600A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+100.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66518LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66518L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66518LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66518LAlpha & Omega Semiconductor150V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+139.59 грн
1600+115.09 грн
2400+108.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 260W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 30 V
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.01 грн
10+186.92 грн
100+151.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LAlpha & Omega Semiconductor60V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66613LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 60V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 260W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+40.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+125.50 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66616L SMD N channel transistors
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.06 грн
19+60.09 грн
51+56.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 30 V
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.29 грн
10+141.02 грн
100+97.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66616LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 41600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66620LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66620L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66620LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+95.55 грн
1600+85.82 грн
2400+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66811LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: FET N CHANNEL 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5750 pF @ 40 V
на замовлення 36361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.56 грн
10+169.31 грн
100+118.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66914L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 6V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12500 pF @ 50 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.03 грн
10+375.02 грн
100+289.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66914LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+146.11 грн
85+145.38 грн
100+139.48 грн
250+128.49 грн
500+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66916L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+158.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+126.36 грн
1600+118.26 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+157.34 грн
10+156.55 грн
25+155.76 грн
100+149.44 грн
250+137.67 грн
500+131.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+148.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66916LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6180 pF @ 50 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.20 грн
10+217.66 грн
100+154.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66918L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66918LAlpha & Omega SemiconductorN Channel Trench Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66919LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 10W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.29 грн
10+140.86 грн
100+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOB66920L SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB66920LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 22.5A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB780A70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: LINEAR IC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB7S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70LAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 700V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOB9N70LAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 9A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 236W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBD2VELLEMAN INSTRUMENTSDescription: VELLEMAN INSTRUMENTS - AOBD2 - Kfz-Diagnose OBD2, EOBD und JOBD Codeleser und Scanner
tariffCode: 90303100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4322.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOBGA.SETSRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 1
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9060.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOBGA.SET2SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK BGA NOZZLE SET 2
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: BGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBN15-05ETA-USASwitching Power Supplies 15W 5V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBN15-15ETA-USAETA-USA 15W 15V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBN15-3.3ETA-USASwitching Power Supplies 15W 3.3V 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBN50-24ETA-USADescription: AC/DC CONVERTER 24V 50W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOBRXN/A06+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOBRYN/A06+
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOBS30B65LNALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOBS30B65LN SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBS30B65LNAlpha & Omega Semiconductor650V, 30A Alpha IGBT TM AEC-Q101 Qualified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOBT*S717ZBASTBGA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.