НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BFU.2K.100.CZSLEMOStandard Circular Connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU06703
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU308PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU309PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU310PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.08 грн
10+30.14 грн
25+25.95 грн
50+24.09 грн
100+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.83 грн
13+25.42 грн
25+22.76 грн
100+18.58 грн
250+17.25 грн
500+16.46 грн
1000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.21 грн
500+19.07 грн
1500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
на замовлення 5376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+37.56 грн
17+24.18 грн
25+21.63 грн
50+20.08 грн
100+19.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.77 грн
28+21.66 грн
30+20.14 грн
100+18.12 грн
250+15.65 грн
500+14.95 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+21.69 грн
603+20.24 грн
647+18.87 грн
650+18.11 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 563
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.58 грн
6000+15.55 грн
9000+15.33 грн
15000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.24 грн
50+26.63 грн
100+23.21 грн
500+19.07 грн
1500+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 102845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.24 грн
13+27.13 грн
100+19.12 грн
500+18.23 грн
1000+17.26 грн
3000+16.52 грн
6000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
24+13.41 грн
27+11.91 грн
100+9.60 грн
250+8.85 грн
500+8.39 грн
1000+7.89 грн
2500+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.20 грн
500+15.35 грн
1000+10.16 грн
5000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.94 грн
12+30.98 грн
100+18.38 грн
1000+10.34 грн
2500+10.27 грн
10000+7.81 грн
20000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.48 грн
27+30.97 грн
100+21.20 грн
500+15.35 грн
1000+10.16 грн
5000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.30 грн
45+18.87 грн
100+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 4586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.34 грн
18+19.25 грн
100+13.39 грн
500+12.72 грн
1000+12.13 грн
3000+11.16 грн
9000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520R
Код товару: 191928
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,005 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.56 грн
18+18.06 грн
25+16.12 грн
100+13.06 грн
250+12.08 грн
500+11.49 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520W135NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 17968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.93 грн
22+14.11 грн
25+12.53 грн
100+10.08 грн
250+9.30 грн
500+8.83 грн
1000+8.30 грн
2500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 29371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.74 грн
23+14.98 грн
100+9.75 грн
1000+9.30 грн
2500+8.63 грн
10000+8.33 грн
50000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.76 грн
19+17.13 грн
25+15.19 грн
100+12.31 грн
250+11.37 грн
500+10.81 грн
1000+10.18 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.72 грн
47+17.78 грн
100+15.36 грн
500+12.56 грн
1000+11.09 грн
5000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.82 грн
6000+10.12 грн
9000+9.97 грн
15000+9.21 грн
21000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXPRF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+34.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.49 грн
37+16.36 грн
100+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.36 грн
500+12.56 грн
1000+11.09 грн
5000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 129000 шт:
термін постачання 41-50 дні (днів)
13+27.26 грн
21+16.94 грн
100+12.06 грн
1000+11.46 грн
3000+10.49 грн
9000+10.05 грн
24000+9.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
447+27.33 грн
725+16.84 грн
1112+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 447
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WX транзистор
Код товару: 205617
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X215NXPDescription: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 2323
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X235NXPDescription: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 2323
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 2646
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT143B
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT143B
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10.5GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
24+13.41 грн
27+11.91 грн
100+9.60 грн
250+8.85 грн
500+8.39 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXPDescription: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5mA
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.13 грн
40+21.37 грн
100+14.52 грн
500+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 5296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.96 грн
25+14.21 грн
100+9.30 грн
1000+8.93 грн
3000+8.04 грн
9000+7.74 грн
24000+7.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP SemiconductorsDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-143R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2111+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2111
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXPDescription: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.12 грн
24+13.41 грн
27+11.91 грн
100+9.60 грн
250+8.85 грн
500+8.39 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 2646
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2111+9.91 грн
Мінімальне замовлення: 2111
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXPDescription: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.81 грн
12+31.06 грн
100+18.45 грн
1000+10.42 грн
2500+10.27 грн
10000+7.89 грн
20000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2646+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 2646
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520Y115NXP USA Inc.Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.33 грн
10+55.62 грн
100+33.04 грн
500+27.61 грн
1000+23.44 грн
2500+23.07 грн
10000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YFNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.48 грн
500+31.70 грн
1000+28.48 грн
5000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+42.32 грн
25+38.11 грн
100+31.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+31.06 грн
25+30.36 грн
100+28.61 грн
250+25.87 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+32.78 грн
381+32.05 грн
390+31.32 грн
500+29.57 грн
1000+25.93 грн
3000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 373
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.43 грн
22+39.23 грн
100+34.48 грн
500+31.70 грн
1000+28.48 грн
5000+25.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 60441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.15 грн
10+45.53 грн
100+32.44 грн
500+31.10 грн
1000+29.99 грн
3000+28.05 грн
6000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+33.45 грн
374+32.70 грн
382+31.95 грн
392+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 365
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530215NXPDescription: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2446+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 2446
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2032+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 2032
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1138+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 1138
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 30454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.72 грн
14+24.47 грн
100+17.86 грн
500+17.04 грн
1000+16.30 грн
3000+15.40 грн
6000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 8250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.23 грн
31+27.55 грн
100+22.12 грн
500+18.22 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+17.49 грн
701+17.41 грн
1000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 698
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.57 грн
6000+15.53 грн
9000+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+16.50 грн
38+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.12 грн
500+18.22 грн
1000+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1138+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 1138
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.83 грн
13+25.50 грн
25+22.79 грн
100+18.59 грн
250+17.26 грн
500+16.46 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.15 грн
20+15.89 грн
25+14.14 грн
100+11.41 грн
250+10.53 грн
500+10.00 грн
1000+9.40 грн
2500+8.95 грн
5000+8.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+25.46 грн
53+15.78 грн
100+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.37 грн
13+26.61 грн
100+15.70 грн
500+12.28 грн
1000+11.16 грн
2500+9.67 грн
10000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauer-Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
13+24.65 грн
25+23.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.08 грн
14+25.24 грн
100+16.37 грн
500+14.14 грн
1000+11.53 грн
3000+9.15 грн
9000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU530
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 40
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1921+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 1921
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530R
Код товару: 99606
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.08 грн
13+27.81 грн
100+18.08 грн
500+14.21 грн
1000+11.39 грн
10000+8.71 грн
20000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530W,115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530W115NXP SemiconductorsDescription: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530W115NXPDescription: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 1461
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.89 грн
33+25.79 грн
100+17.61 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.30 грн
14+25.76 грн
100+15.33 грн
1000+8.56 грн
2500+8.41 грн
10000+6.55 грн
20000+6.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.61 грн
500+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 26998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.04 грн
100+21.51 грн
500+17.49 грн
1000+15.48 грн
6000+15.40 грн
9000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.82 грн
30+28.22 грн
100+21.95 грн
500+18.06 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1148+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 1148
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1148+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 1148
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.12 грн
9+34.77 грн
25+30.04 грн
44+25.32 грн
119+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.95 грн
500+18.06 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+18.79 грн
692+17.65 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 24V; 40mA; 450mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 24V
Collector current: 40mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT323
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+59.27 грн
14+27.91 грн
25+25.04 грн
44+21.10 грн
119+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1148+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 1148
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+22.46 грн
28+22.21 грн
100+21.17 грн
250+19.37 грн
500+18.39 грн
1000+18.17 грн
3000+17.95 грн
6000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+45.11 грн
25+37.83 грн
100+27.74 грн
250+23.93 грн
500+21.59 грн
1000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
511+23.92 грн
516+23.65 грн
523+23.37 грн
529+22.28 грн
1000+20.38 грн
3000+19.33 грн
6000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 511
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.17 грн
17+18.76 грн
25+16.68 грн
100+13.52 грн
250+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.59 грн
11+31.15 грн
100+20.09 грн
500+17.34 грн
1000+13.54 грн
3000+11.24 грн
24000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.08 грн
14+25.93 грн
100+16.74 грн
500+14.21 грн
1000+10.94 грн
2500+9.52 грн
10000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.37 грн
18+17.60 грн
25+15.38 грн
100+12.20 грн
250+11.12 грн
500+10.48 грн
1000+9.78 грн
2500+9.23 грн
5000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 1189
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550215NXPDescription: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+28.38 грн
Мінімальне замовлення: 1430
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550235NXPDescription: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2173+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 2173
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1807+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 1807
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550A215NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550A235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.06 грн
13+23.57 грн
15+18.79 грн
100+10.32 грн
110+9.97 грн
303+9.42 грн
500+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+19.12 грн
72+11.60 грн
100+8.68 грн
500+7.91 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.90 грн
28+11.24 грн
32+9.92 грн
100+7.96 грн
250+7.32 грн
500+6.93 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.71 грн
6000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 50mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
на замовлення 9182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.38 грн
21+18.91 грн
25+15.66 грн
100+8.60 грн
110+8.31 грн
303+7.85 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.88 грн
6000+6.42 грн
9000+6.32 грн
15000+5.83 грн
21000+5.76 грн
30000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.68 грн
500+7.91 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+11.39 грн
1080+11.31 грн
1364+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 1072
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+17.36 грн
33+10.44 грн
100+7.07 грн
500+6.70 грн
1000+6.40 грн
2500+6.10 грн
5000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
983+12.42 грн
1005+12.15 грн
1007+12.12 грн
1015+11.59 грн
1022+10.67 грн
3000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 983
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 18979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.69 грн
16+22.51 грн
25+18.38 грн
100+17.04 грн
250+16.30 грн
500+15.92 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.63 грн
38+22.04 грн
100+19.12 грн
500+16.12 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1354+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 1354
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550R
Код товару: 182070
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+15.29 грн
49+12.39 грн
52+11.74 грн
53+11.12 грн
100+10.08 грн
250+9.65 грн
500+9.57 грн
1000+9.51 грн
3000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
745+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 745
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.12 грн
500+16.12 грн
1000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+39.44 грн
12+26.82 грн
25+23.97 грн
100+19.53 грн
250+18.13 грн
500+17.29 грн
1000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2058+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 2058
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550W135NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1483+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 1483
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.20 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+32.94 грн
584+20.90 грн
689+17.73 грн
1000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 28196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.61 грн
14+23.49 грн
25+20.96 грн
100+17.04 грн
250+15.80 грн
500+15.05 грн
1000+14.20 грн
2500+13.55 грн
5000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 10623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.16 грн
15+23.02 грн
100+16.15 грн
500+15.33 грн
1000+14.73 грн
2500+14.21 грн
10000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.81 грн
38+22.54 грн
100+18.20 грн
500+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 717543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1559+19.57 грн
10000+17.45 грн
100000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 1559
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+14.45 грн
20000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+16.54 грн
740+16.50 грн
757+16.12 грн
763+15.42 грн
771+14.13 грн
1000+13.44 грн
3000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 738
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+35.73 грн
1000+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 854
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+22.34 грн
38+16.24 грн
40+14.78 грн
100+13.37 грн
250+12.73 грн
500+12.60 грн
1000+12.48 грн
3000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.71 грн
10+34.73 грн
25+31.19 грн
100+25.62 грн
250+23.88 грн
500+22.83 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+22.21 грн
554+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXPDescription: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
978+41.74 грн
Мінімальне замовлення: 978
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.81 грн
13+27.64 грн
100+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+15.13 грн
811+15.05 грн
878+13.91 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.10 грн
6000+15.09 грн
9000+14.88 грн
15000+13.74 грн
21000+13.61 грн
30000+13.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.23 грн
35+23.96 грн
100+20.87 грн
500+17.13 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 22699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+30.56 грн
17+20.71 грн
100+16.22 грн
250+15.55 грн
500+14.81 грн
1000+14.59 грн
3000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XAR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.03 грн
13+24.88 грн
25+22.23 грн
100+18.11 грн
250+16.80 грн
500+16.01 грн
1000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.24 грн
37+16.41 грн
38+16.25 грн
100+14.73 грн
250+13.37 грн
500+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.87 грн
500+17.13 грн
1000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XR235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143R
Dauer-Kollektorstrom: 15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.29 грн
32+9.92 грн
36+8.77 грн
100+7.02 грн
250+6.44 грн
500+6.09 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+14.85 грн
39+8.99 грн
100+6.77 грн
500+6.40 грн
1000+6.10 грн
3000+5.66 грн
6000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143R
Bauform - HF-Transistor: SOT-143R
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU550XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 30V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.59 грн
12+28.67 грн
100+14.14 грн
500+9.52 грн
1000+7.22 грн
2500+6.33 грн
5000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+37.94 грн
11+31.83 грн
100+20.69 грн
500+16.30 грн
1000+12.58 грн
2500+11.68 грн
10000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580G115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 10258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.96 грн
10+39.76 грн
25+35.72 грн
100+29.40 грн
250+27.42 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Frequency: 11GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...130
Collector current: 60mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 888 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.11 грн
10+45.01 грн
25+38.97 грн
29+38.32 грн
79+36.28 грн
100+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.56 грн
500+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Frequency: 11GHz
Collector-emitter voltage: 12V
Current gain: 60...130
Collector current: 60mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT223
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+55.09 грн
11+36.12 грн
25+32.48 грн
29+31.94 грн
79+30.23 грн
100+29.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.95 грн
2000+26.06 грн
3000+25.63 грн
5000+23.60 грн
7000+23.34 грн
10000+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.11 грн
21+39.82 грн
100+32.56 грн
500+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+67.80 грн
10+55.88 грн
100+38.03 грн
500+33.56 грн
1000+26.19 грн
2000+24.33 грн
5000+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.40 грн
10+44.65 грн
25+40.21 грн
100+33.16 грн
250+30.97 грн
500+29.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.42 грн
500+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.53 грн
10+63.41 грн
100+42.94 грн
500+37.73 грн
1000+30.14 грн
2000+28.13 грн
5000+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+67.92 грн
278+43.92 грн
279+43.84 грн
500+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 180
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.46 грн
14+62.44 грн
100+49.42 грн
500+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.06 грн
14+60.85 грн
100+49.00 грн
500+40.93 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.97 грн
10+65.11 грн
20+47.28 грн
53+44.18 грн
500+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+43.92 грн
300+40.75 грн
321+38.07 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 13067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.83 грн
10+59.82 грн
25+47.48 грн
100+42.19 грн
250+40.26 грн
500+38.62 грн
1000+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 0.2A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8.5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.17 грн
10+81.14 грн
20+56.74 грн
53+53.02 грн
500+52.09 грн
1000+51.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 16334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.67 грн
10+52.63 грн
25+47.50 грн
100+39.33 грн
250+36.82 грн
500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+48.64 грн
267+45.84 грн
288+42.50 грн
290+40.63 грн
500+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 251
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+56.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.00 грн
500+40.93 грн
1000+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GX
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GX
Код товару: 121346
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
fT: 8,5 GHz
Uceo,V: 24 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 95
Монтаж: SMD
у наявності 48 шт:
25 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 200 шт:
200 шт - очікується 20.06.2025
1+42.00 грн
10+37.80 грн
100+34.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+53.00 грн
14+45.17 грн
25+42.57 грн
100+38.05 грн
250+34.93 грн
500+33.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPТранз. Бипол. ВЧ NPN SOT223 Uceo=12V; Ic=0,2A; f=8.5GHz; Pdmax=2W; hfe=60/130
на замовлення 234 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+58.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+37.70 грн
2000+35.21 грн
3000+34.67 грн
5000+31.97 грн
7000+31.64 грн
10000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590Q115NXPDescription: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+61.77 грн
Мінімальне замовлення: 663
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590Q115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.84 грн
10+49.30 грн
25+44.49 грн
100+36.80 грн
250+34.43 грн
500+33.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 76617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
579+52.72 грн
1000+48.63 грн
10000+43.35 грн
Мінімальне замовлення: 579
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.00 грн
500+38.37 грн
1000+34.77 грн
5000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QX
Код товару: 131638
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN
Type of transistor: NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1000+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+75.55 грн
16+55.01 грн
100+46.00 грн
500+38.37 грн
1000+34.77 грн
5000+31.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+49.22 грн
15+41.58 грн
25+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
323+37.82 грн
375+32.54 грн
378+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 323
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115
Код товару: 99602
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+20.60 грн
652+18.73 грн
658+18.55 грн
693+16.99 грн
1000+13.59 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+26.71 грн
Мінімальне замовлення: 1544
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+47.66 грн
11+33.20 грн
100+21.51 грн
500+18.75 грн
1000+17.04 грн
3000+15.48 грн
6000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.57 грн
32+19.12 грн
100+16.77 грн
250+15.38 грн
500+14.02 грн
1000+12.11 грн
3000+12.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 5773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.47 грн
10+46.04 грн
100+30.02 грн
500+21.71 грн
1000+19.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.01 грн
18+47.25 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+91.37 грн
250+48.95 грн
294+41.59 грн
296+39.80 грн
500+31.76 грн
1000+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.55 грн
10+53.17 грн
100+34.99 грн
500+25.49 грн
1000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXPBFU630F.115 NPN SMD transistors
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.11 грн
39+28.46 грн
106+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.26 грн
6000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+46.53 грн
361+33.87 грн
364+33.53 грн
500+26.97 грн
1000+21.63 грн
3000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.38 грн
10+48.35 грн
100+29.02 грн
500+23.37 грн
1000+21.51 грн
3000+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+51.59 грн
14+43.67 грн
25+43.20 грн
100+30.33 грн
250+27.80 грн
500+22.26 грн
1000+19.28 грн
3000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.47 грн
10+46.20 грн
100+30.16 грн
500+21.81 грн
1000+19.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+24.38 грн
26+23.90 грн
100+22.82 грн
250+20.91 грн
500+19.87 грн
1000+19.66 грн
3000+19.45 грн
6000+19.25 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+25.74 грн
479+25.48 грн
484+25.22 грн
500+24.07 грн
1000+22.06 грн
3000+20.95 грн
6000+20.73 грн
15000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.22 грн
10+36.28 грн
100+23.22 грн
500+19.27 грн
1000+17.78 грн
3000+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+21.35 грн
575+21.25 грн
625+19.52 грн
1000+17.55 грн
2000+16.16 грн
3000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 572
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115
Код товару: 99607
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668FNXP Semiconductors BFU668F/DFP4///REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668F,115NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.04A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.57 грн
6000+15.59 грн
9000+14.92 грн
15000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 490
Übergangsfrequenz ft: 18
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+51.76 грн
20+42.82 грн
100+31.97 грн
500+24.26 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115
Код товару: 83917
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.39 грн
10+46.21 грн
100+28.72 грн
500+22.18 грн
1000+20.46 грн
3000+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 18020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.64 грн
10+42.94 грн
100+28.04 грн
500+20.29 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.97 грн
500+24.26 грн
1000+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+16.58 грн
38+16.09 грн
100+15.28 грн
250+13.93 грн
500+13.16 грн
1000+12.95 грн
3000+12.74 грн
6000+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.34 грн
23+37.65 грн
100+26.30 грн
500+19.77 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+17.33 грн
715+17.07 грн
727+16.80 грн
738+15.95 грн
1000+14.53 грн
3000+13.72 грн
6000+13.50 грн
15000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 705
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.45 грн
10+43.49 грн
100+28.29 грн
500+20.42 грн
1000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.19 грн
10+34.83 грн
100+21.88 грн
500+17.86 грн
1000+15.92 грн
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.30 грн
500+19.77 грн
1000+16.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725FNXP2007 SOT343
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F
Код товару: 85278
Додати до обраних Обраний товар

NXPТранзистори > ВЧ
Корпус: SOT-343
Частота: 55 GHz
товару немає в наявності
1+14.00 грн
10+10.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F T/RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 70GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1NXPSOT343F
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1NXP Semiconductors BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1605+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 1605
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.95 грн
10+39.45 грн
100+24.78 грн
500+19.12 грн
1000+16.59 грн
3000+13.47 грн
6000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 110GHz
Collector-emitter voltage: 2.8V
Current gain: 160...400
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 136mW
Polarisation: bipolar
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.07 грн
15+27.21 грн
57+15.97 грн
157+15.12 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1605+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 1605
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 25mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.49 грн
27+31.89 грн
100+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.81 грн
10+40.15 грн
100+26.02 грн
500+18.72 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 2.8V; 40mA; 136mW; SOT343F
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: silicon germanium transistor (SiGe)
Case: SOT343F
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Frequency: 110GHz
Collector-emitter voltage: 2.8V
Current gain: 160...400
Collector current: 40mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 136mW
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.08 грн
10+33.90 грн
57+19.16 грн
157+18.14 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1/S115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1153+10.58 грн
1171+10.42 грн
1191+10.25 грн
1210+9.73 грн
1230+8.86 грн
3000+8.37 грн
6000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 1153
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1297+23.53 грн
Мінімальне замовлення: 1297
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 27892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.45 грн
10+43.25 грн
100+28.25 грн
500+20.44 грн
1000+18.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115
Код товару: 99614
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 10364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.95 грн
60+10.13 грн
61+9.98 грн
62+9.48 грн
100+8.64 грн
250+8.16 грн
500+8.03 грн
1000+7.90 грн
3000+7.77 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.47 грн
28+30.89 грн
100+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1297+23.53 грн
10000+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 1297
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 12884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.97 грн
100+23.07 грн
500+18.60 грн
1000+16.89 грн
3000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.06 грн
6000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1586+7.69 грн
Мінімальне замовлення: 1586
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.81 грн
13+27.47 грн
100+16.82 грн
500+14.36 грн
1000+12.87 грн
2500+12.13 грн
10000+11.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.98 грн
10+36.66 грн
100+23.73 грн
500+17.03 грн
1000+15.34 грн
2000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXPDescription: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.89 грн
39+21.95 грн
100+15.03 грн
500+11.70 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+62.94 грн
21+40.32 грн
100+26.88 грн
500+19.61 грн
1000+16.46 грн
5000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+44.62 грн
18+33.70 грн
25+33.36 грн
100+22.45 грн
250+20.00 грн
500+15.81 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.88 грн
500+19.61 грн
1000+16.46 грн
5000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+34.77 грн
505+24.20 грн
507+24.10 грн
635+18.53 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.59 грн
10+38.45 грн
100+24.91 грн
500+17.91 грн
1000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+35.93 грн
487+25.08 грн
506+24.12 грн
615+19.15 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.87 грн
500+15.74 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsDescription: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 2623150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1845+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 1845
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1335000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.58 грн
100+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 4769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
14+24.65 грн
100+17.49 грн
500+15.03 грн
1000+12.20 грн
3000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+37.48 грн
32+26.80 грн
100+20.87 грн
500+15.74 грн
1000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 568150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F115NXPDescription: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2493900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2196+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 2196
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 234
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauer-Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.52 грн
10+72.74 грн
100+42.56 грн
500+33.93 грн
1000+30.44 грн
3000+27.01 грн
6000+25.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 7567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.03 грн
10+62.55 грн
100+41.59 грн
500+30.57 грн
1000+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
DC-Stromverstärkung hFE: 235
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.99 грн
6000+24.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910F115Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 227704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 9.5V 0.015A 300mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 882540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.