Продукція > BFU

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BFU.2K.100.CZSLEMOStandard Circular Connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU06703
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU308PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU309PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU310PHILIPS
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.14 грн
500+18.20 грн
1500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 30mA; 450mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 30mA
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Current gain: 60...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 10GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXPDescription: NXP - BFU520AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.31 грн
50+25.41 грн
100+22.14 грн
500+18.20 грн
1500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 8945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.20 грн
24+12.80 грн
27+11.36 грн
100+9.16 грн
250+8.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.53 грн
2500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.83 грн
27+11.86 грн
1000+9.83 грн
2500+9.35 грн
5000+9.01 грн
10000+6.55 грн
20000+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.77 грн
27+29.55 грн
100+20.23 грн
500+14.65 грн
1000+9.70 грн
5000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520AVLNXPDescription: NXP - BFU520AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.23 грн
500+14.65 грн
1000+9.70 грн
5000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520R
Код товару: 191928
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,005 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
18+17.23 грн
25+15.38 грн
100+12.46 грн
250+11.53 грн
500+10.96 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauerkollektorstrom: 5mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.91 грн
45+18.08 грн
100+14.42 грн
500+12.72 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.78 грн
100+18.64 грн
500+17.41 грн
1000+14.88 грн
3000+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520RNXPDescription: NXP - BFU520R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauerkollektorstrom: 5mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU520
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.42 грн
500+12.72 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520W135NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 17968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.97 грн
22+13.46 грн
25+11.95 грн
100+9.62 грн
250+8.88 грн
500+8.42 грн
1000+7.92 грн
2500+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.55 грн
26+12.41 грн
100+8.60 грн
500+8.12 грн
1000+7.78 грн
2500+7.51 грн
5000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.01 грн
6000+9.36 грн
9000+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.11 грн
18+18.06 грн
100+12.56 грн
500+11.95 грн
1000+11.47 грн
3000+9.90 грн
6000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXPDescription: NXP - BFU520WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.81 грн
19+15.83 грн
25+14.05 грн
100+11.38 грн
250+10.52 грн
500+10.00 грн
1000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.56 грн
45+16.77 грн
57+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520WX транзистор
Код товару: 205617
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 2323
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X215NXPDescription: NXP - BFU520X215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X235NXPDescription: NXP - BFU520X235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520X235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2323+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 2323
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.20 грн
24+12.57 грн
27+11.15 грн
100+9.00 грн
250+8.29 грн
500+7.87 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2644+12.24 грн
10000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2644
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2644+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 2644
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XARNXPDescription: NXP - BFU520XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 450 mW, 5 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 60hFE
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 450mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 5mA
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+27.80 грн
40+20.39 грн
100+13.86 грн
500+10.65 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXPDescription: NXP - BFU520XRR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.83 грн
27+11.86 грн
100+8.19 грн
500+7.78 грн
1000+7.37 грн
3000+6.90 грн
6000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP SemiconductorsDescription: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT-143R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2111+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2111
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 20dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.20 грн
24+12.80 грн
27+11.36 грн
100+9.16 грн
250+8.44 грн
500+8.01 грн
1000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXPDescription: NXP - BFU520XRVL - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2793+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 2793
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2111+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 2111
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XRVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2644+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 2644
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2644+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 2644
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.88 грн
12+27.72 грн
100+15.50 грн
500+11.74 грн
1000+9.49 грн
2500+8.60 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520Y115NXP USA Inc.Description: DUAL NPN WIDEBAND RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband si silicon RF trans
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.25 грн
10+50.41 грн
100+28.88 грн
500+22.87 грн
1000+20.35 грн
2500+19.12 грн
10000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YFNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 14dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 40104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.73 грн
10+39.65 грн
25+31.54 грн
100+28.68 грн
250+26.35 грн
500+25.81 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.23 грн
6000+24.65 грн
9000+24.35 грн
15000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.26 грн
25+36.66 грн
100+34.77 грн
250+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
368+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 368
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXPDescription: NXP - BFU520YX - Bipolarer HF-Transistor, Zweifach npn, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 30 mA, SOT-363
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 30mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP USA Inc.Description: RF TRANS 2 NPN 12V 10GHZ 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+38.91 грн
25+35.00 грн
100+28.87 грн
250+26.96 грн
500+25.82 грн
1000+24.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
687+47.08 грн
1000+43.41 грн
Мінімальне замовлення: 687
В кошику  од. на суму  грн.
BFU520YXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.05A 450mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530215NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2032+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 2032
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530215NXPDescription: NXP - BFU530215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2446+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 2446
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.11 грн
500+17.38 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
698+18.54 грн
701+18.46 грн
1000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 698
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.18 грн
38+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB BFU530AR TBFU530ar
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXPDescription: NXP - BFU530AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.48 грн
31+26.29 грн
100+21.11 грн
500+17.38 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
14+22.49 грн
25+20.09 грн
100+16.40 грн
250+15.22 грн
500+14.51 грн
1000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1138+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 1138
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
16+20.02 грн
100+14.61 грн
500+14.06 грн
1000+13.66 грн
3000+12.84 грн
6000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1138+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 1138
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.61 грн
6000+13.69 грн
9000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin TO-236AB T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.04 грн
13+24.42 грн
100+14.41 грн
500+11.27 грн
1000+10.24 грн
2500+8.88 грн
10000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXPDescription: NXP - BFU530AVL - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.37 грн
53+15.05 грн
100+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
на замовлення 6830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.04 грн
20+15.16 грн
25+13.49 грн
100+10.88 грн
250+10.05 грн
500+9.54 грн
1000+8.97 грн
2500+8.54 грн
5000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530R
Код товару: 99606
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauer-Kollektorstrom: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1921+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 1921
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXPDescription: NXP - BFU530R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143B
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143B
Bauform - HF-Transistor: SOT-143B
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU530
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 40
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1169+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 1169
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
13+23.52 грн
25+21.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.35 грн
14+23.16 грн
100+15.02 грн
500+12.97 грн
1000+10.58 грн
3000+8.40 грн
9000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.88 грн
12+28.11 грн
100+15.70 грн
500+12.02 грн
1000+10.72 грн
2500+9.63 грн
10000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530W,115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 433MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 1214
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530W115NXP SemiconductorsDescription: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530W115NXPDescription: NXP - BFU530W115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 1461
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.63 грн
14+23.63 грн
100+14.06 грн
1000+7.85 грн
2500+7.72 грн
10000+6.01 грн
20000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.81 грн
500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXPDescription: NXP - BFU530WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 10 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.90 грн
32+25.65 грн
100+16.81 грн
500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1148+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 1148
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.00 грн
30+26.92 грн
100+20.95 грн
500+17.23 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
650+19.92 грн
692+18.71 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 650
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.20 грн
10+43.05 грн
25+36.10 грн
100+26.47 грн
250+22.83 грн
500+20.61 грн
1000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1148+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 1148
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.48 грн
28+27.17 грн
100+25.90 грн
250+23.70 грн
500+22.49 грн
1000+22.22 грн
3000+21.96 грн
6000+21.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 24836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+24.69 грн
18+18.06 грн
100+14.00 грн
500+13.66 грн
1000+13.25 грн
3000+12.08 грн
6000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXPDescription: NXP - BFU530WX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.95 грн
500+17.23 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
511+25.36 грн
516+25.07 грн
523+24.78 грн
529+23.62 грн
1000+21.61 грн
3000+20.50 грн
6000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 511
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXPBFU530WX NPN SMD transistors
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+40.25 грн
44+27.12 грн
100+26.12 грн
119+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1148+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 1148
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.32 грн
11+28.58 грн
100+18.43 грн
500+15.91 грн
1000+12.43 грн
3000+10.31 грн
24000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
18+16.64 грн
25+14.82 грн
100+12.02 грн
250+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRNXP USA Inc.Description: RF SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143R T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.65dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRRNXPDescription: NXP - BFU530XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 40 mA, SOT-143R
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143R
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU530XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.35 грн
14+23.79 грн
100+15.36 грн
500+13.04 грн
1000+10.04 грн
2500+8.74 грн
10000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.12 грн
18+16.79 грн
25+14.67 грн
100+11.64 грн
250+10.61 грн
500+10.00 грн
1000+9.33 грн
2500+8.81 грн
5000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 16.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU530XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550215NXPDescription: NXP - BFU550215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1430+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 1430
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1189+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 1189
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1807+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 1807
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550235NXPDescription: NXP - BFU550235 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2173+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2173
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550A215NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550A235NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.42 грн
6000+5.99 грн
9000+5.90 грн
15000+5.43 грн
21000+5.37 грн
30000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.24 грн
72+11.07 грн
100+8.28 грн
500+7.54 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1072+12.07 грн
1080+11.99 грн
1364+9.49 грн
Мінімальне замовлення: 1072
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
29+10.50 грн
32+9.26 грн
100+7.42 грн
250+6.82 грн
500+6.47 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.21 грн
6000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550ARNXPDescription: NXP - BFU550AR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.28 грн
500+7.54 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TO-236AB T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+15.93 грн
33+9.58 грн
100+6.49 грн
500+6.14 грн
1000+5.87 грн
2500+5.60 грн
5000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550AVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1354+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 1354
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.24 грн
500+15.38 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.70 грн
49+15.16 грн
52+14.36 грн
53+13.61 грн
100+12.33 грн
250+11.80 грн
500+11.71 грн
1000+11.63 грн
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
745+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 745
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.03 грн
14+22.63 грн
25+20.21 грн
100+16.48 грн
250+15.30 грн
500+14.58 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXPDescription: NXP - BFU550R - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.32 грн
38+21.03 грн
100+18.24 грн
500+15.38 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 18979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.24 грн
16+20.65 грн
25+16.86 грн
100+15.64 грн
250+14.95 грн
500+14.61 грн
1000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 5129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
983+13.17 грн
1005+12.88 грн
1007+12.85 грн
1015+12.29 грн
1022+11.31 грн
3000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 983
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550RNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.69 грн
6000+13.77 грн
9000+13.58 грн
15000+12.55 грн
21000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550R
Код товару: 182070
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550VLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550VLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550VLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2058+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 2058
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550W135NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON RF TRANSIST
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 8075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1483+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 1483
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.44 грн
500+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 717543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1559+20.75 грн
10000+18.50 грн
100000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 1559
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXPDescription: NXP - BFU550WF - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.07 грн
41+19.60 грн
100+15.77 грн
500+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+34.93 грн
584+22.16 грн
689+18.80 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 371
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
15+20.34 грн
25+18.11 грн
100+14.74 грн
250+13.66 грн
500+13.01 грн
1000+12.27 грн
2500+11.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WFNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.83 грн
17+19.16 грн
100+13.38 грн
500+12.77 грн
1000+12.29 грн
2500+11.68 грн
5000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
854+37.89 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 854
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+27.33 грн
38+19.87 грн
40+18.08 грн
100+16.35 грн
250+15.57 грн
500+15.41 грн
1000+15.26 грн
3000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.39 грн
10+33.14 грн
25+29.76 грн
100+24.45 грн
250+22.78 грн
500+21.78 грн
1000+21.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+23.54 грн
554+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 550
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 18dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SC-70
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+45.88 грн
10+34.78 грн
25+28.13 грн
100+22.87 грн
250+22.39 грн
500+20.14 грн
1000+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
738+17.53 грн
740+17.50 грн
757+17.09 грн
763+16.35 грн
771+14.98 грн
1000+14.24 грн
3000+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 738
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550WXNXPDescription: NXP - BFU550WX - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
978+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 978
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.08 грн
500+15.98 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 22699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.04 грн
17+19.00 грн
100+14.88 грн
250+14.27 грн
500+13.59 грн
1000+13.38 грн
3000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
14+21.52 грн
25+19.23 грн
100+15.65 грн
250+14.52 грн
500+13.84 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXPDescription: NXP - BFU550XAR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 50 mA, SOT-143B
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SOT-143B
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.41 грн
37+22.06 грн
100+18.08 грн
500+15.98 грн
1000+14.54 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XAR
на замовлення 50 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+24.76 грн
37+20.08 грн
38+19.88 грн
100+18.02 грн
250+16.36 грн
500+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT-143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75db @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XARNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143B T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
807+16.04 грн
811+15.95 грн
878+14.75 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 807
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XR235NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Verlustleistung: 450
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Bauform - Transistor: SOT-143R
Dauer-Kollektorstrom: 15
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 21.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.7dB @ 900MHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.59 грн
32+9.47 грн
36+8.37 грн
100+6.70 грн
250+6.14 грн
500+5.81 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXPDescription: NXP - BFU550XRR - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 450 mW, 15 mA, SOT-143R
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95
DC-Stromverstärkung hFE: 95
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 450
Verlustleistung: 450
Bauform - Transistor: SOT-143R
Bauform - HF-Transistor: SOT-143R
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: BFU550XR
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 15
Übergangsfrequenz: 11
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 4257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+13.62 грн
39+8.24 грн
100+6.21 грн
500+5.87 грн
1000+5.60 грн
3000+5.19 грн
6000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRRNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW 4-Pin SOT-143R T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRR215NXP USA Inc.Description: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.90 грн
14+23.87 грн
100+11.74 грн
500+7.92 грн
1000+6.08 грн
2500+5.33 грн
5000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XRVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-143R
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143R
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XVLNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.08A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XVLNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-143B
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU550XVLNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.81 грн
11+29.21 грн
100+18.98 грн
500+14.95 грн
1000+11.54 грн
2500+10.72 грн
10000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580G115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.99 грн
500+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXPCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 60mA; 1W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 60mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Current gain: 60...130
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 11GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 11GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580GXNXPDescription: NXP - BFU580GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 11 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU580G
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 11GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.18 грн
22+37.92 грн
100+30.99 грн
500+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.96 грн
14+59.58 грн
100+47.16 грн
500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.58 грн
10+38.00 грн
100+27.11 грн
500+25.94 грн
1000+24.99 грн
2000+23.76 грн
5000+22.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.88 грн
2000+26.01 грн
3000+25.59 грн
5000+23.58 грн
7000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXPDescription: NXP - BFU580QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10.5 GHz, 1 W, 30 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 95hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BFU580Q
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.16 грн
500+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 10.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
на замовлення 7931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+39.35 грн
25+35.44 грн
100+29.23 грн
250+27.31 грн
500+26.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU580QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.1A 1000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.49 грн
2000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GX
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.25 грн
15+53.21 грн
100+43.89 грн
500+39.28 грн
1000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GX
Код товару: 121346
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-223
fT: 8,5 GHz
Uceo,V: 24 V
Ucbo,V: 24 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 95
Монтаж: SMD
у наявності 84 шт:
4 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+42.00 грн
10+37.80 грн
100+34.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 BFU590GX TBFU590g
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+147.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXPDescription: NXP - BFU590GX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8.5 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8.5GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.89 грн
500+39.28 грн
1000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590GXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8.5GHZ SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8.5GHz
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590Q115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590Q115NXPDescription: NXP - BFU590Q115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
663+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 663
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.27 грн
17+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QX
Код товару: 131638
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.36 грн
10+46.56 грн
25+36.66 грн
100+33.32 грн
250+31.75 грн
500+30.45 грн
1000+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.57 грн
19+40.89 грн
25+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+43.21 грн
304+42.60 грн
309+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXPDescription: NXP - BFU590QX - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-89
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-89 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 6.5dB
Power - Max: 2W
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 80mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU590QXNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 16V 0.3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+21.84 грн
652+19.86 грн
658+19.66 грн
693+18.01 грн
1000+14.41 грн
3000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.45 грн
18+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.16 грн
32+23.40 грн
100+20.52 грн
250+18.81 грн
500+17.15 грн
1000+14.82 грн
3000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1544+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 1544
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+39.65 грн
100+25.86 грн
500+18.70 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115
Код товару: 99602
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXPDescription: NXP - BFU610F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 15 GHz, 136 mW, 10 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 15GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 15GHz
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.73 грн
11+30.46 грн
100+19.73 грн
500+17.21 грн
1000+15.64 грн
3000+14.20 грн
6000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU610F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 23.5dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 15GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+96.87 грн
250+51.90 грн
294+44.09 грн
296+42.20 грн
500+33.67 грн
1000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 134
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.24 грн
6000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.48 грн
10+44.36 грн
100+26.63 грн
500+21.44 грн
1000+19.73 грн
3000+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+49.33 грн
361+35.91 грн
364+35.55 грн
500+28.59 грн
1000+22.93 грн
3000+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 263
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB ~ 22.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.49 грн
10+50.74 грн
100+33.39 грн
500+24.32 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.03A 200mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.12 грн
14+53.43 грн
25+52.85 грн
100+37.10 грн
250+34.01 грн
500+27.23 грн
1000+23.59 грн
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFU630F,115NXPDescription: NXP - BFU630F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 200 mW, 30 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.16 грн
10+33.29 грн
100+21.30 грн
500+17.68 грн
1000+16.32 грн
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115
Код товару: 99607
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.83 грн
26+29.24 грн
100+27.92 грн
250+25.58 грн
500+24.31 грн
1000+24.05 грн
3000+23.80 грн
6000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 15852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
475+27.29 грн
479+27.02 грн
484+26.74 грн
500+25.52 грн
1000+23.38 грн
3000+22.21 грн
6000+21.98 грн
15000+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 475
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
572+22.64 грн
575+22.53 грн
625+20.70 грн
1000+18.61 грн
2000+17.13 грн
3000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 572
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXPDescription: NXP - BFU660F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 21 GHz, 225 mW, 60 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 60mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 21GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.06A 225mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU660F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 21dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 21GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.97 грн
10+44.08 грн
100+28.78 грн
500+20.81 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668FNXP Semiconductors BFU668F/DFP4///REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668F,115NXP SemiconductorsBipolar Transistors - BJT NPN wideband silicon RF transistor
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU668F,115NXP USA Inc.Description: TRANSISTOR NPN SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 5.5V 0.1A 490mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 18020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+40.98 грн
100+26.75 грн
500+19.36 грн
1000+17.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 90
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 490
Übergangsfrequenz ft: 18
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 5.5
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 70
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.39 грн
20+40.86 грн
100+30.51 грн
500+23.15 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 5.5V 18GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB ~ 18.5dB
Power - Max: 230mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 2V
Frequency - Transition: 18GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.7dG @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
6000+14.88 грн
9000+14.24 грн
15000+12.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115
Код товару: 83917
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors Single NPN 18GHz
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.59 грн
10+42.40 грн
100+26.35 грн
500+20.35 грн
1000+18.78 грн
3000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU690F,115NXPDescription: NXP - BFU690F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 5.5 V, 18 GHz, 490 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 5.5
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 490
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 70
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.51 грн
500+23.15 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.09 грн
500+18.86 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.28 грн
38+19.68 грн
100+18.69 грн
250+17.04 грн
500+16.10 грн
1000+15.85 грн
3000+15.59 грн
6000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.38 грн
10+31.96 грн
100+20.07 грн
500+16.39 грн
1000+14.61 грн
3000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 9240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
10+41.49 грн
100+27.00 грн
500+19.48 грн
1000+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXPDescription: NXP - BFU710F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 43 GHz, 136 mW, 2 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 43GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.90 грн
23+35.92 грн
100+25.09 грн
500+18.86 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 20407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
705+18.37 грн
715+18.09 грн
727+17.81 грн
738+16.91 грн
1000+15.41 грн
3000+14.55 грн
6000+14.31 грн
15000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 705
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 43GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 43GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.85dB ~ 1.45dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU710F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.01A 136mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725FNXP2007 SOT343
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F
Код товару: 85278
Додати до обраних Обраний товар

NXPТранзистори > ВЧ
Корпус: SOT-343
Частота: 55 GHz
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+10.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F T/RNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors TAPE-7 TNS-RFSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70GHZ 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 70GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors RF NPN Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1NXP Semiconductors BFU725F/DFP4//N1/REEL 7 Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1NXPSOT343F
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.61 грн
10+34.47 грн
100+22.33 грн
500+16.06 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1605+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 1605
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXPBFU725F/N1.115 NPN SMD transistors
на замовлення 595 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+81.25 грн
58+20.32 грн
159+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343 Reverse Pinning
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 24dB
Power - Max: 136mW
Current - Collector (Ic) (Max): 40mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.04A 136mW 4-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1605+20.16 грн
Мінімальне замовлення: 1605
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXPDescription: NXP - BFU725F/N1,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 136 mW, 25 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 25mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.94 грн
10+37.14 грн
100+21.17 грн
500+16.32 грн
1000+14.47 грн
3000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU725F/N1/S115NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.82 грн
10+40.24 грн
100+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115
Код товару: 99614
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1298+24.93 грн
10000+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 1298
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1134+11.41 грн
1152+11.24 грн
1170+11.06 грн
1189+10.49 грн
1208+9.56 грн
3000+9.03 грн
6000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 1134
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 197mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 2V
Frequency - Transition: 55GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 1896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1298+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 1298
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.03A 197mW 4-Pin DFP T/R
на замовлення 7114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.51 грн
59+12.60 грн
60+12.42 грн
61+11.79 грн
100+10.75 грн
250+10.16 грн
500+10.00 грн
1000+9.84 грн
3000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730F,115NXPDescription: NXP - BFU730F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 55 GHz, 197 mW, 5 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 55GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.94 грн
28+29.47 грн
100+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors SiGe:C MMIC Transistor
на замовлення 5571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.61 грн
13+25.20 грн
100+15.43 грн
500+13.18 грн
1000+11.81 грн
2500+11.13 грн
10000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXPDescription: NXP - BFU730LXZ - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 3 V, 53 GHz, 160 mW, 30 mA, SOT-883C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 205hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160mW
Bauform - Transistor: SOT-883C
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 53GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.14 грн
10+34.99 грн
100+22.64 грн
500+16.25 грн
1000+14.64 грн
2000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1586+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 1586
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 3V 53GHZ DFN1006C-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Gain: 15.8dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 205 @ 2mA, 3V
Frequency - Transition: 53GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.75dB @ 6GHz
Supplier Device Package: DFN1006C-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU730LXZNXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 3V 0.03A 160mW 3-Pin DFN_C T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
340+38.09 грн
487+26.59 грн
506+25.57 грн
615+20.31 грн
1000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 340
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.06 грн
21+38.47 грн
100+25.65 грн
500+18.71 грн
1000+15.70 грн
5000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+34.10 грн
100+22.11 грн
500+15.89 грн
1000+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.58 грн
18+41.23 грн
25+40.81 грн
100+27.47 грн
250+24.46 грн
500+19.34 грн
1000+13.30 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXPDescription: NXP - BFU760F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 45 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 155hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 70mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 45GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.65 грн
500+18.71 грн
1000+15.70 грн
5000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 45GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU760F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+36.87 грн
505+25.66 грн
507+25.55 грн
635+19.65 грн
1000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 351
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+33.95 грн
100+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 477000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors 4-pin Dual-Emitter Microwave Transistor
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.31 грн
11+29.92 грн
100+17.75 грн
500+14.75 грн
1000+12.56 грн
3000+9.83 грн
9000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.46 грн
500+17.75 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 70MA 4DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 1335000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXPDescription: NXP - BFU768F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 110 GHz, 220 mW, 70 mA, SOT-343F
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 330hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauerkollektorstrom: 70mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: BFU768F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.06 грн
26+31.30 грн
100+22.46 грн
500+17.75 грн
1000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
на замовлення 568150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2258+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 2258
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsDescription: BFU768F - NPN WIDEBAND SILICON G
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 110GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 1.2dB @ 5GHz ~ 5.9GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 2623150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1845+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 1845
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.07A 220mW 4-Pin(3+Tab) DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F115NXPDescription: NXP - BFU768F115 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2493900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2196+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 2196
В кошику  од. на суму  грн.
BFU768F115NXP USA Inc.Description: NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM R
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.1dB
Power - Max: 220mW
Current - Collector (Ic) (Max): 70mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 155 @ 10mA, 2V
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Verlustleistung: 234
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: SOT-343F
Dauer-Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4-DFP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXPDescription: NXP - BFU790F,115 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 2.8 V, 25 GHz, 234 mW, 100 mA, SOT-343F
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 235
DC-Stromverstärkung hFE: 235
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 234
Verlustleistung: 234
Bauform - Transistor: SOT-343F
Bauform - HF-Transistor: SOT-343F
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 2.8
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 2.8
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP SemiconductorsTrans RF BJT NPN 2.8V 0.1A 234mW 4-Pin DFP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
на замовлення 6110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.37 грн
10+62.26 грн
100+35.91 грн
500+28.20 грн
1000+25.67 грн
3000+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU790F,115NXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 2.8V 25GHZ 4-DFP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 234mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 2.8V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 235 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.78 грн
10+58.88 грн
100+39.14 грн
500+28.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910F115Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
на замовлення 227704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
на замовлення 882540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4157+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 4157
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP SemiconductorsRF Bipolar Transistors NPN wideband silicon germanium RF trans
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFU910FXNXP USA Inc.Description: RF TRANS NPN 9.5V SOT343F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-343F
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9.5V
Supplier Device Package: 4-DFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.