Продукція > SQ3

Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ30057D-106.25MHZPLETRONICS06+ ;
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3185Q
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3226220KLB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3245QIDT
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3300
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3384P
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3384Q
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+43.68 грн
100+30.27 грн
500+23.74 грн
1000+20.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+45.25 грн
100+29.71 грн
500+21.61 грн
1000+19.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+84.57 грн
10+52.40 грн
100+29.89 грн
500+23.20 грн
1000+20.99 грн
3000+18.22 грн
6000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3410EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.68 грн
10+50.18 грн
100+39.00 грн
500+31.03 грн
1000+25.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 36100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.69 грн
10+53.83 грн
100+36.38 грн
500+30.86 грн
1000+25.20 грн
3000+23.61 грн
6000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.72 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418AEEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.80 грн
22+37.69 грн
100+31.97 грн
500+27.97 грн
1000+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.82 грн
10+38.29 грн
100+26.53 грн
500+20.81 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.45 грн
6000+15.92 грн
9000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 54636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.45 грн
10+42.87 грн
100+25.40 грн
500+21.26 грн
1000+18.09 грн
3000+15.33 грн
6000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3418EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
11+27.67 грн
100+19.15 грн
500+15.01 грн
1000+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 55569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.45 грн
10+59.38 грн
100+34.03 грн
500+26.72 грн
1000+19.74 грн
3000+17.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+45.33 грн
100+26.23 грн
500+20.30 грн
1000+18.36 грн
3000+16.29 грн
6000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.061 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.51 грн
16+50.58 грн
100+34.15 грн
500+24.53 грн
1000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+45.62 грн
100+30.45 грн
500+22.09 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.73 грн
100+21.77 грн
500+15.60 грн
1000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.34 грн
6000+11.79 грн
9000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.71 грн
10+35.88 грн
100+20.37 грн
500+16.02 грн
1000+13.88 грн
3000+11.94 грн
6000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+39.11 грн
100+27.09 грн
500+21.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.81 грн
6000+16.25 грн
9000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 30512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+46.76 грн
100+26.51 грн
500+20.43 грн
1000+18.43 грн
3000+13.53 грн
9000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.09 грн
18+46.39 грн
100+31.17 грн
500+23.48 грн
1000+16.43 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.45 грн
10+45.25 грн
100+25.75 грн
500+19.95 грн
1000+18.02 грн
3000+16.78 грн
9000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
10+39.49 грн
100+27.33 грн
500+21.43 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 341 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.17 грн
500+23.48 грн
1000+16.43 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.57 грн
23+33.43 грн
25+32.67 грн
100+27.22 грн
250+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425CEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.73 грн
500+13.91 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425CEV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.39 грн
12+28.26 грн
100+15.81 грн
500+12.01 грн
1000+10.77 грн
3000+9.73 грн
6000+8.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425CEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3425CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 7.4 A, 0.06 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 2714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.85 грн
27+30.69 грн
100+19.73 грн
500+13.91 грн
1000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 3572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+46.76 грн
100+26.51 грн
500+20.43 грн
1000+20.30 грн
3000+17.19 грн
9000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.14 грн
10+46.37 грн
100+35.55 грн
500+26.37 грн
1000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3425EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.22 грн
10+46.05 грн
100+26.72 грн
500+21.47 грн
1000+18.85 грн
3000+15.60 грн
6000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 41378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.74 грн
10+44.78 грн
100+26.58 грн
500+22.23 грн
1000+18.92 грн
3000+17.05 грн
6000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.09 грн
100+31.47 грн
500+22.84 грн
1000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
10+35.73 грн
100+22.85 грн
500+19.19 грн
1000+17.81 грн
3000+16.15 грн
6000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.55 грн
25+30.36 грн
100+26.04 грн
250+23.68 грн
500+20.76 грн
1000+19.40 грн
3000+18.95 грн
6000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.09 грн
100+31.47 грн
500+22.84 грн
1000+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
467+30.36 грн
525+27.01 грн
535+26.52 грн
586+23.36 грн
1000+20.21 грн
3000+18.95 грн
6000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 467 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEEV-T1-BE3VishayMOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEEV-T1-GE3VishayMOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEEV-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEEV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.69 грн
10+33.26 грн
100+19.05 грн
500+14.98 грн
1000+13.67 грн
3000+11.60 грн
6000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1-BE3VishayMOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1-GE3VishayMOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.01 грн
500+19.00 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.25 грн
10+34.63 грн
100+22.41 грн
500+16.08 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.39 грн
21+38.74 грн
100+26.01 грн
500+19.00 грн
1000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.99 грн
44+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V
на замовлення 20813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.71 грн
10+33.58 грн
100+20.37 грн
500+15.88 грн
1000+12.91 грн
3000+12.08 грн
9000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426CEV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EEV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1"GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.92 грн
10+47.64 грн
100+36.53 грн
500+27.09 грн
1000+21.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 224712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+47.47 грн
100+28.65 грн
500+23.95 грн
1000+20.37 грн
3000+17.81 грн
6000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 59981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.41 грн
10+47.47 грн
100+28.65 грн
500+23.95 грн
1000+20.37 грн
3000+18.09 грн
6000+17.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+36.36 грн
392+36.19 грн
456+31.09 грн
459+29.80 грн
597+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 390 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 36577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.14 грн
50+50.42 грн
100+33.10 грн
500+21.91 грн
1500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 29A
Power dissipation: 5W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
12+35.23 грн
25+31.24 грн
100+28.59 грн
500+27.92 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.59 грн
10+45.02 грн
100+31.19 грн
500+24.46 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426EV-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.34 грн
21+36.54 грн
25+36.36 грн
50+34.90 грн
100+27.76 грн
250+26.49 грн
500+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]