Продукція > SQ3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 8263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.46 грн
10+	43.20 грн
100+	29.94 грн
500+	23.48 грн
1000+	19.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.09 грн
10+	47.11 грн
100+	27.92 грн
500+	23.35 грн
1000+	19.87 грн
3000+	17.41 грн
6000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.74 грн
10+	44.75 грн
100+	29.38 грн
500+	21.37 грн
1000+	19.37 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.98 грн
10+	49.63 грн
100+	38.57 грн
500+	30.69 грн
1000+	25.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 36100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.95 грн
10+	53.23 грн
100+	35.98 грн
500+	30.52 грн
1000+	24.92 грн
3000+	23.35 грн
6000+	22.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	53.21 грн
22+	37.28 грн
100+	31.62 грн
500+	27.66 грн
1000+	24.17 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_GE3

MOSFETs N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.44 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.26 грн
6000+	15.75 грн
9000+	14.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 32830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.32 грн
10+	37.87 грн
100+	26.24 грн
500+	20.58 грн
1000+	17.51 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 54636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.91 грн
10+	42.40 грн
100+	25.13 грн
500+	21.03 грн
1000+	17.89 грн
3000+	15.16 грн
6000+	14.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.26 грн
11+	27.37 грн
100+	18.94 грн
500+	14.85 грн
1000+	13.91 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 56230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	19.86 грн
3000+	17.27 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 24023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.01 грн
10+	44.83 грн
100+	25.94 грн
500+	20.07 грн
1000+	18.16 грн
3000+	16.11 грн
6000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.99 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.061 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	68.74 грн
16+	50.02 грн
100+	33.77 грн
500+	24.26 грн
1000+	20.21 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.20 грн
10+	45.12 грн
100+	30.11 грн
500+	21.85 грн
1000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3419CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	58.07 грн
10+	35.49 грн
100+	20.14 грн
500+	15.84 грн
1000+	13.72 грн
3000+	11.81 грн
6000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.62 грн
6000+	16.07 грн
9000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 30512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.35 грн
10+	46.25 грн
100+	26.22 грн
500+	20.21 грн
1000+	18.23 грн
3000+	13.38 грн
9000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.09 грн
10+	38.68 грн
100+	26.79 грн
500+	21.00 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 29499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	44.75 грн
100+	25.47 грн
500+	19.73 грн
1000+	17.82 грн
3000+	16.59 грн
9000+	15.29 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.78 грн
23+	32.69 грн
25+	31.94 грн
100+	26.61 грн
250+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.85 грн
10+	39.05 грн
100+	27.03 грн
500+	21.20 грн
1000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.48 грн
18+	45.88 грн
100+	30.83 грн
500+	23.23 грн
1000+	16.25 грн
5000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	38.04 грн

Мінімальне замовлення: 341

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.83 грн
500+	23.23 грн
1000+	16.25 грн
5000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3425CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	45.88 грн
12+	27.95 грн
100+	15.64 грн
500+	11.88 грн
1000+	10.65 грн
3000+	9.63 грн
6000+	8.26 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 3572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.35 грн
10+	46.25 грн
100+	26.22 грн
500+	20.21 грн
1000+	20.07 грн
3000+	17.00 грн
9000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.46 грн
10+	43.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.54 грн
10+	45.86 грн
100+	35.16 грн
500+	26.08 грн
1000+	20.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.60 грн
10+	45.54 грн
100+	26.42 грн
500+	21.23 грн
1000+	18.64 грн
3000+	15.43 грн
6000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 41378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.05 грн
10+	44.28 грн
100+	26.29 грн
500+	21.98 грн
1000+	18.71 грн
3000+	16.86 грн
6000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.11 грн
10+	47.56 грн
100+	31.12 грн
500+	22.58 грн
1000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.11 грн
10+	47.56 грн
100+	31.12 грн
500+	22.58 грн
1000+	20.45 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

на замовлення 7716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.82 грн
25+	29.69 грн
100+	25.46 грн
250+	23.15 грн
500+	20.30 грн
1000+	18.97 грн
3000+	18.53 грн
6000+	18.10 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

на замовлення 7716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

467+	27.71 грн
525+	24.65 грн
535+	24.20 грн
586+	21.31 грн
1000+	18.44 грн
3000+	17.30 грн
6000+	16.89 грн

Мінімальне замовлення: 467

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.32 грн
10+	35.33 грн
100+	22.60 грн
500+	18.98 грн
1000+	17.62 грн
3000+	15.98 грн
6000+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1-BE3

MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1-GE3

MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.09 грн
10+	32.90 грн
100+	18.84 грн
500+	14.82 грн
1000+	13.52 грн
3000+	11.47 грн
6000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1-BE3

MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1-GE3

MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.23 грн
10+	31.58 грн
100+	20.41 грн
500+	14.64 грн
1000+	13.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.73 грн
500+	18.79 грн
1000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.88 грн
21+	38.31 грн
100+	25.73 грн
500+	18.79 грн
1000+	11.68 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

MOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V

на замовлення 20813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	39.27 грн
10+	33.21 грн
100+	20.14 грн
500+	15.70 грн
1000+	12.77 грн
3000+	11.95 грн
9000+	10.45 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	17.59 грн
44+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.30 грн
10+	47.12 грн
100+	36.12 грн
500+	26.80 грн
1000+	21.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 224712 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.80 грн
10+	46.95 грн
100+	28.33 грн
500+	23.69 грн
1000+	20.14 грн
3000+	17.62 грн
6000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.49 грн
21+	35.73 грн
25+	35.56 грн
50+	34.13 грн
100+	27.14 грн
250+	25.90 грн
500+	19.90 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.00 грн
10+	44.53 грн
100+	30.84 грн
500+	24.19 грн
1000+	20.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

SQ3426EV-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 1738 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

5+	66.17 грн
32+	36.69 грн
88+	34.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 47952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.26 грн
16+	49.86 грн
100+	32.74 грн
500+	21.67 грн
1000+	18.16 грн
5000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	33.19 грн
392+	33.03 грн
456+	28.37 грн
459+	27.19 грн
597+	19.35 грн

Мінімальне замовлення: 390

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.29 грн
6000+	18.51 грн
9000+	17.14 грн
30000+	15.92 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.80 грн
10+	46.95 грн
100+	28.33 грн
500+	23.69 грн
1000+	20.14 грн
3000+	17.89 грн
6000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

на замовлення 47952 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	21.67 грн
1000+	18.16 грн
5000+	15.77 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	45.49 грн
100+	29.90 грн
500+	21.76 грн
1000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 126316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.31 грн
10+	38.87 грн
100+	26.70 грн
500+	21.78 грн
1000+	19.80 грн
3000+	15.09 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.98 грн
6000+	16.90 грн
9000+	16.19 грн
15000+	14.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

MOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 566431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	79.50 грн
10+	48.45 грн
100+	28.13 грн
500+	21.85 грн
1000+	19.80 грн
3000+	17.14 грн
6000+	15.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.095 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	34.97 грн
500+	27.81 грн
1500+	22.05 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

на замовлення 5266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.48 грн
50+	50.90 грн
100+	37.36 грн
500+	26.92 грн
1500+	22.46 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 16968 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.27 грн
10+	45.49 грн
100+	29.90 грн
500+	21.76 грн
1000+	19.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A 6-Pin TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	47.95 грн
11+	29.44 грн
100+	16.52 грн
500+	12.56 грн
1000+	11.27 грн
3000+	9.56 грн
6000+	8.74 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.32 грн
11+	27.22 грн
100+	17.52 грн
500+	12.49 грн
1000+	11.22 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3 транзистор
Код товару: 217021

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.52 грн
10+	33.53 грн
100+	19.19 грн
500+	15.09 грн
1000+	13.86 грн
3000+	11.74 грн
6000+	11.54 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 108016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.50 грн
10+	41.06 грн
100+	24.31 грн
500+	20.35 грн
1000+	17.34 грн
3000+	14.47 грн
6000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	23.37 грн
1500+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.78 грн
6000+	16.22 грн
9000+	15.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 409702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.35 грн
10+	46.25 грн
100+	26.22 грн
500+	20.21 грн
1000+	19.53 грн
3000+	16.59 грн
6000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	63.09 грн
50+	44.21 грн
100+	30.11 грн
500+	23.37 грн
1500+	18.37 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

SQ3427EV-T1-GE3 SMD P channel transistors

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

4+	94.84 грн
37+	32.35 грн
100+	30.57 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 17440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.85 грн
10+	39.05 грн
100+	27.04 грн
500+	21.20 грн
1000+	18.04 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1_GE3

MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	21.21 грн
38+	19.78 грн
50+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.50 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3456CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

MOSFET Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V

на замовлення 5759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.76 грн
10+	32.11 грн
100+	20.82 грн
500+	16.39 грн
1000+	13.11 грн
3000+	11.06 грн
9000+	10.04 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.71 грн
10+	33.80 грн
100+	25.22 грн
500+	18.60 грн
1000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	44.93 грн
27+	30.27 грн
100+	20.63 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQ3456EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 2408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.94 грн
10+	42.01 грн
100+	25.13 грн
500+	19.73 грн
1000+	17.41 грн
3000+	13.93 грн
6000+	13.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.07 грн
10+	47.41 грн
100+	36.37 грн
500+	26.98 грн
1000+	21.59 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.15 грн
50+	31.78 грн
100+	26.60 грн
500+	22.63 грн
1500+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.05 грн
6000+	15.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.60 грн
500+	22.63 грн
1500+	19.87 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 137889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	17.84 грн
19+	17.12 грн
3000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.36 грн
10+	41.42 грн
100+	27.09 грн
500+	19.64 грн
1000+	17.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.59 грн
13+	64.36 грн
100+	43.65 грн
500+	35.13 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1_GE3

MOSFETs 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 47203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	49.94 грн
100+	28.61 грн
500+	22.26 грн
1000+	20.14 грн
3000+	17.00 грн
6000+	15.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.20 грн
10+	47.93 грн
100+	33.34 грн
500+	24.29 грн
1000+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.22 грн
10+	49.94 грн
100+	28.61 грн
500+	22.33 грн
1000+	20.14 грн
3000+	17.55 грн
6000+	16.59 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3469CEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469CEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ34

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.11 грн
6000+	14.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.06 грн
10+	39.50 грн
100+	25.75 грн
500+	18.62 грн
1000+	16.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.67 грн
10+	42.38 грн
100+	27.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.91 грн
10+	42.40 грн
100+	25.13 грн
500+	21.03 грн
1000+	17.89 грн
3000+	15.64 грн
6000+	14.82 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.38 грн
11+	31.09 грн
100+	17.82 грн
500+	14.06 грн
1000+	12.77 грн
3000+	10.79 грн
9000+	10.17 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1-GE3

MOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 50501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.49 грн
10+	40.20 грн
100+	24.03 грн
500+	20.14 грн
1000+	17.48 грн
3000+	14.61 грн
6000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 42462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.35 грн
10+	46.25 грн
100+	26.22 грн
500+	20.21 грн
1000+	19.53 грн
3000+	16.59 грн
6000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.33 грн
14+	23.79 грн
100+	19.60 грн
500+	18.02 грн
1000+	17.55 грн
3000+	15.57 грн
6000+	14.34 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 11028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.19 грн
500+	23.52 грн
1000+	16.45 грн
5000+	15.98 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.81 грн
10+	46.52 грн
100+	30.56 грн
500+	22.25 грн
1000+	20.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

на замовлення 10808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	50.10 грн
18+	46.44 грн
100+	31.15 грн
500+	22.63 грн
1000+	16.52 грн
5000+	16.39 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	48.99 грн
22+	37.44 грн
100+	28.76 грн
500+	23.37 грн
1000+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.20 грн
6000+	15.28 грн
9000+	14.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	28.76 грн
500+	23.37 грн
1000+	19.60 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.13 грн
10+	41.72 грн
100+	27.29 грн
500+	19.80 грн
1000+	17.92 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.46 грн
10+	32.27 грн
100+	21.58 грн
500+	18.84 грн
1000+	17.14 грн
3000+	13.38 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5609 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.62 грн
10+	32.54 грн
25+	29.20 грн
100+	24.00 грн
250+	22.38 грн
500+	21.39 грн
1000+	20.25 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3585EV-T1_GE3

MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	314.64 грн
10+	204.93 грн
100+	139.28 грн
500+	123.58 грн
1000+	105.83 грн
3000+	99.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ3985EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 10474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.65 грн
10+	32.58 грн
100+	21.37 грн
500+	18.98 грн
1000+	17.82 грн
3000+	13.79 грн
6000+	13.31 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3985EV-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3985EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 114108 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	51.38 грн
10+	39.34 грн
100+	25.47 грн
500+	19.73 грн
1000+	17.82 грн
3000+	16.59 грн
6000+	14.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	29.52 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 5649 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	65.40 грн
50+	45.80 грн
100+	29.23 грн
500+	23.67 грн
1500+	21.17 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.90 грн
10+	39.13 грн
100+	24.18 грн
500+	19.30 грн
1000+	17.44 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.00 грн
10+	39.34 грн
100+	23.28 грн
500+	19.46 грн
1000+	16.52 грн
3000+	14.95 грн
6000+	13.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.78 грн
500+	23.30 грн
1000+	21.03 грн
3000+	20.62 грн
6000+	20.14 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.66 грн
6000+	12.08 грн
9000+	11.54 грн
15000+	10.25 грн
21000+	9.91 грн
30000+	9.73 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 59721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.84 грн
10+	34.10 грн
100+	22.12 грн
500+	15.90 грн
1000+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_GE3