Продукція > SQ3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SQ30057D-106.25MHZ | PLETRONICS | 06+ ; | на замовлення 4842 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3185Q | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3226220KLB | на замовлення 162 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3245Q | IDT | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ3300 | CAN | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ3300 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3384P | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3384Q | на замовлення 964 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3384Q | 95 | на замовлення 964 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V | на замовлення 8263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 18657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3410EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V | на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418AEEV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418AEEV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3418AEEV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 36100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418AEEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418AEEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 4372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418AEEV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified | на замовлення 6308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3418EEV-T1-GE3 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3418EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3418EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3418EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 32830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 54636 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 35349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3418EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419AEEV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 59930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419AEEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419AEEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified | на замовлення 28863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419AEEV-T1_GE3 | Vishay | Automotive P-Channel 60 V D-S 175 Degree C Mosfet | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419CEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP | на замовлення 3419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EEV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 7.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP | на замовлення 3419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S) | на замовлення 33971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 72603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY | SQ3419EV-T1-GE3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3425CEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3425EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3425EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S) | на замовлення 4492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3425EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3425EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP | на замовлення 2999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3425EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3425EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 4768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 41378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 16554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | VISHAY | SQ3426AEEV-T1-GE3 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426CEEV-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEEV-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEEV-T1/GE3 | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 3564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1-BE3 | Vishay | MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1-GE3 | Vishay | MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1/GE3 | Vishay | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V | на замовлення 20813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426CEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EEV-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1"GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 224712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V | на замовлення 1713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 59981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 50770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | VISHAY | SQ3426EV-T1-GE3 SMD N channel transistors | на замовлення 2202 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 50770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 41534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3426EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 126354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A On-state resistance: 178mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -21A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 585069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.095 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.095 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 6606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A Mounting: SMD Case: TSOP6 Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A On-state resistance: 178mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 22nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -21A кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427CEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427EEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S) | на замовлення 108016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 423389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 10335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A Pulsed drain current: -21A Power dissipation: 5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 178mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1262 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A Pulsed drain current: -21A Power dissipation: 5W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 178mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 10335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3427EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3442EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3442EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3442EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456BEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456BEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456BEV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456BEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456BEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456BEV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 2199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456CEV | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3456CEV | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3456CEV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET Automotive N-Channel 30V 175C MOSFET 35mO 10V, 52mO 4.5V | на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3456CEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3456CEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3456CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3456CEV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S) Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3456CEV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3456CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3456EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_BE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_BE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S) | на замовлення 5713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 9094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 198487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 9094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3460EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3460EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | на замовлення 541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3460EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3460EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 20V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3460EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3460EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 47703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 13538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_GE3 | VISHAY | SQ3461EV-T1-GE3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3461EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3469EV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ34 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3469EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3469EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V | на замовлення 8606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3469EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3469EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V | на замовлення 2013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3469EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3469EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3481CEV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 3291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S) | на замовлення 50501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1_BE3 | VISHAY | SQ3481EV-T1-BE3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3481EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 42523 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3493EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 10808 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3493EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3493EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 4140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3493EV-T1_GE3 | VISHAY | SQ3493EV-T1-GE3 SMD P channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3493EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 11028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3493EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3495EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3495EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 14149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3495EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 2926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3495EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3495EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 14176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3585EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3585EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 22548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3585EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3585EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.57A/2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3985EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S) | на замовлення 11474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay | на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A Automotive 6-Pin TSOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3985EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified | на замовлення 116424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 7888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified | на замовлення 40364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | VISHAY | Category: Unclassified Description: SQ3987EV-T1_GE3 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 Код товару: 174743
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 6041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | Vishay | DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3987EV-T1_GE3 | Vishay | DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3989EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3989EV-T1_BE3 | Vishay Siliconix | Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3989EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3989EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 35719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3989EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6 | на замовлення 188635 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| SQ3D02457D6JFA | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600B-2JBA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600B2 | на замовлення 634 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600B2INE | на замовлення 634 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600B2JBA | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600C2 | на замовлення 15121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600C2HBA | на замовлення 489 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600C2JBA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600C2JBAPb | на замовлення 15121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600C2JBAPb10PF10PPM | на замовлення 15121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600C2JBAPb26MHZ10PF10PPM | на замовлення 15121 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3D02600L2LNA | QFN?? | на замовлення 2987 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| SQ3D02600LZLNA | EPCOS | QFN?? | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3O00800DICNC-PMC | SAMSUNG | N/A | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3U02400D6JFA | SAMSUNGEM | Ceramic SMD Crystal 24MHz 3225 �30PPM �30PPM -30 ~ +70C 12pf 60R ESR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3U02457D6 | на замовлення 1176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3U02457D6JFA | SAMSUNG | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| SQ3U02457D6JFA12PF30PPM | на замовлення 1176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3U02457D6JFA24.576MHZ12PF30PPM | на замовлення 1176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3U02600C3 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SQ3U02600C3HCA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |