Продукція > SQ3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 8263 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.55 грн
10+	44.11 грн
100+	30.58 грн
500+	23.97 грн
1000+	20.40 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.02 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

MOSFET 30V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 18657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.23 грн
10+	48.11 грн
100+	28.52 грн
500+	23.85 грн
1000+	20.29 грн
3000+	17.78 грн
6000+	17.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1005 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	75.30 грн
10+	45.70 грн
100+	30.00 грн
500+	21.82 грн
1000+	19.78 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3410EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 36100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.35 грн
10+	54.36 грн
100+	36.74 грн
500+	31.17 грн
1000+	25.45 грн
3000+	23.85 грн
6000+	22.73 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.32 грн
10+	50.68 грн
100+	39.39 грн
500+	31.34 грн
1000+	25.53 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3418AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 4372 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	54.34 грн
22+	38.07 грн
100+	32.29 грн
500+	28.25 грн
1000+	24.68 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQ3418AEEV-T1_GE3

MOSFETs N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6308 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.98 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.63 грн
6000+	16.08 грн
9000+	14.89 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_BE3

Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 32830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.28 грн
10+	38.67 грн
100+	26.80 грн
500+	21.01 грн
1000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 54636 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.95 грн
10+	43.30 грн
100+	25.66 грн
500+	21.47 грн
1000+	18.27 грн
3000+	15.48 грн
6000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.71 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3418EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 35349 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.94 грн
11+	27.95 грн
100+	19.34 грн
500+	15.16 грн
1000+	14.20 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 55599 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	82.16 грн
10+	51.08 грн
100+	29.28 грн
500+	23.98 грн
1000+	17.92 грн
3000+	17.64 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	46.08 грн
100+	30.75 грн
500+	22.31 грн
1000+	20.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

MOSFETs -40V Vds TSOP-6 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 24023 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	64.34 грн
10+	45.78 грн
100+	26.49 грн
500+	20.50 грн
1000+	18.55 грн
3000+	16.45 грн
6000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3419AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.061 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1273 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.20 грн
16+	51.08 грн
100+	34.49 грн
500+	24.78 грн
1000+	20.64 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

SQ3419CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4082 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.30 грн
10+	36.24 грн
100+	20.57 грн
500+	16.18 грн
1000+	14.01 грн
3000+	12.06 грн
6000+	10.74 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

на замовлення 3419 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9835 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.06 грн
10+	39.50 грн
100+	27.36 грн
500+	21.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.99 грн
6000+	16.41 грн
9000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)

на замовлення 30512 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.95 грн
10+	47.23 грн
100+	26.77 грн
500+	20.64 грн
1000+	18.62 грн
3000+	13.67 грн
9000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_BE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

341+	37.95 грн

Мінімальне замовлення: 341

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.48 грн
500+	23.72 грн
1000+	16.59 грн
5000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 29499 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.19 грн
10+	45.70 грн
100+	26.01 грн
500+	20.15 грн
1000+	18.20 грн
3000+	16.94 грн
9000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.70 грн
23+	32.62 грн
25+	31.87 грн
100+	26.55 грн
250+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 5725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.85 грн
10+	39.88 грн
100+	27.61 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

на замовлення 10001 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.64 грн
18+	46.85 грн
100+	31.48 грн
500+	23.72 грн
1000+	16.59 грн
5000+	14.99 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 358 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3419EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3425CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 3150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.85 грн
12+	28.54 грн
100+	15.97 грн
500+	12.13 грн
1000+	10.88 грн
3000+	9.83 грн
6000+	8.44 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 3572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.95 грн
10+	47.23 грн
100+	26.77 грн
500+	20.64 грн
1000+	20.50 грн
3000+	17.36 грн
9000+	16.52 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

на замовлення 60 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.55 грн
10+	44.56 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.69 грн
10+	46.83 грн
100+	35.90 грн
500+	26.63 грн
1000+	21.31 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3425EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4768 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.78 грн
10+	46.51 грн
100+	26.98 грн
500+	21.68 грн
1000+	19.03 грн
3000+	15.76 грн
6000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

MOSFETs N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 41378 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	63.37 грн
10+	45.22 грн
100+	26.84 грн
500+	22.45 грн
1000+	19.10 грн
3000+	17.22 грн
6000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.79 грн
10+	48.57 грн
100+	31.78 грн
500+	23.06 грн
1000+	20.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

на замовлення 7716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

467+	27.65 грн
525+	24.59 грн
535+	24.14 грн
586+	21.27 грн
1000+	18.40 грн
3000+	17.26 грн
6000+	16.85 грн

Мінімальне замовлення: 467

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 16554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	37.09 грн
10+	36.08 грн
100+	23.08 грн
500+	19.38 грн
1000+	17.99 грн
3000+	16.32 грн
6000+	15.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1328 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	80.79 грн
10+	48.57 грн
100+	31.78 грн
500+	23.06 грн
1000+	20.88 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3426AEEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101

на замовлення 7716 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	31.75 грн
25+	29.62 грн
100+	25.41 грн
250+	23.10 грн
500+	20.25 грн
1000+	18.93 грн
3000+	18.49 грн
6000+	18.06 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1-BE3

MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1-GE3

MOSFETs 60V N-CHANNEL (D-S)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEEV-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5595 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.23 грн
10+	33.60 грн
100+	19.24 грн
500+	15.13 грн
1000+	13.81 грн
3000+	11.71 грн
6000+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1-BE3

MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1-GE3

MOSFETs N-CHAN 60-V(D-S)175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1/GE3

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

43+	17.55 грн
44+	17.02 грн

Мінімальне замовлення: 43

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1653 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.34 грн
10+	32.25 грн
100+	20.84 грн
500+	14.95 грн
1000+	13.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.034 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	26.27 грн
500+	19.19 грн
1000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

на замовлення 1615 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	46.85 грн
21+	39.13 грн
100+	26.27 грн
500+	19.19 грн
1000+	11.92 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3426CEV-T1_GE3

MOSFETs Automotive N-Channel 60V 175C MOSFET 42mO 10V, 63mO 4.5V

на замовлення 20813 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	40.10 грн
10+	33.92 грн
100+	20.57 грн
500+	16.04 грн
1000+	13.04 грн
3000+	12.20 грн
9000+	10.67 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1"GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1"GE3 - N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET 26AK9939

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

на замовлення 1713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.48 грн
10+	48.12 грн
100+	36.89 грн
500+	27.36 грн
1000+	21.89 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_BE3

MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 224712 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.96 грн
10+	47.95 грн
100+	28.94 грн
500+	24.19 грн
1000+	20.57 грн
3000+	17.99 грн
6000+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_BE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 59981 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.96 грн
10+	47.95 грн
100+	28.94 грн
500+	24.19 грн
1000+	20.57 грн
3000+	18.27 грн
6000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 45837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	22.13 грн
1500+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.40 грн
21+	35.65 грн
25+	35.47 грн
50+	34.05 грн
100+	27.08 грн
250+	25.84 грн
500+	19.86 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 41534 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.12 грн
10+	45.47 грн
100+	31.50 грн
500+	24.70 грн
1000+	21.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3426EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 7 A, 0.042 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 45837 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	80.94 грн
50+	50.92 грн
100+	33.43 грн
500+	22.13 грн
1500+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

390+	33.11 грн
392+	32.95 грн
456+	28.31 грн
459+	27.13 грн
597+	19.31 грн

Мінімальне замовлення: 390

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 29A
Gate charge: 6.3nC

на замовлення 1738 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

9+	56.04 грн
12+	35.58 грн
25+	31.56 грн
100+	28.87 грн
500+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3426EV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.72 грн
6000+	18.90 грн
9000+	17.50 грн
30000+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4911 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.87 грн
10+	46.45 грн
100+	30.53 грн
500+	22.22 грн
1000+	20.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 126316 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	50.35 грн
10+	39.69 грн
100+	27.26 грн
500+	22.24 грн
1000+	20.22 грн
3000+	15.41 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.88 грн
6000+	18.59 грн
9000+	17.81 грн
15000+	15.90 грн
21000+	15.42 грн
30000+	14.95 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

MOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 566431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	81.18 грн
10+	49.47 грн
100+	28.73 грн
500+	22.31 грн
1000+	20.22 грн
3000+	17.50 грн
6000+	16.18 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427AEEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.095 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 6606 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	35.71 грн
500+	28.40 грн
1500+	22.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

на замовлення 5266 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	66.86 грн
50+	51.98 грн
100+	38.15 грн
500+	27.49 грн
1500+	22.94 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57638 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	82.36 грн
10+	50.08 грн
100+	32.89 грн
500+	23.94 грн
1000+	21.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3427AEEV-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 6TSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A 6-Pin TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.97 грн
11+	30.07 грн
100+	16.87 грн
500+	12.83 грн
1000+	11.50 грн
3000+	9.76 грн
6000+	8.92 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	46.28 грн
11+	27.80 грн
100+	17.89 грн
500+	12.75 грн
1000+	11.45 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEEV-T1_GE3 транзистор
Код товару: 217021

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.70 грн
10+	34.24 грн
100+	19.59 грн
500+	15.41 грн
1000+	14.15 грн
3000+	11.99 грн
6000+	11.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EEV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)

на замовлення 108016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	60.76 грн
10+	41.94 грн
100+	24.82 грн
500+	20.78 грн
1000+	17.71 грн
3000+	14.78 грн
6000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 17440 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.85 грн
10+	39.88 грн
100+	27.62 грн
500+	21.65 грн
1000+	18.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -5.3A
Power dissipation: 5W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 178mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -21A
Gate charge: 22nC

на замовлення 1196 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

7+	70.50 грн
9+	52.20 грн
25+	38.27 грн
50+	33.32 грн
100+	28.95 грн
250+	25.01 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3427EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.079 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	23.87 грн
1500+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 500

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.16 грн
6000+	16.57 грн
9000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 409702 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.95 грн
10+	47.23 грн
100+	26.77 грн
500+	20.64 грн
1000+	19.94 грн
3000+	16.94 грн
6000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3427EV-T1_GE3

на замовлення 10335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.42 грн
50+	45.15 грн
100+	30.75 грн
500+	23.87 грн
1500+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3442EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1_GE3

MOSFET 30V 7.8A 4W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2199 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3456BEV-T1_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	21.16 грн
38+	19.74 грн
50+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV

Trans MOSFET N-CH 30V 7.8A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	41.57 грн
10+	34.52 грн
100+	25.76 грн
500+	18.99 грн
1000+	14.68 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3456CEV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	45.88 грн
27+	30.91 грн
100+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

на замовлення 235 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.07 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3456CEV-T1_GE3

MOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 5129 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.69 грн
10+	49.39 грн
100+	26.77 грн
500+	18.41 грн
1000+	15.48 грн
3000+	13.94 грн
6000+	10.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3456EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 2408 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.23 грн
10+	42.90 грн
100+	25.66 грн
500+	20.15 грн
1000+	17.78 грн
3000+	14.22 грн
6000+	13.87 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_BE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -27A
Drain current: -6.8A
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	57.26 грн
10+	48.42 грн
100+	37.14 грн
500+	27.55 грн
1000+	22.04 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 137889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	18.22 грн
19+	17.48 грн
3000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7733 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.81 грн
10+	42.30 грн
100+	27.66 грн
500+	20.05 грн
1000+	18.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	38.96 грн
50+	32.46 грн
100+	27.17 грн
500+	23.11 грн
1500+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.41 грн
6000+	15.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3457EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 6338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	27.17 грн
500+	23.11 грн
1500+	20.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

на замовлення 541 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3460EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 8 A, 0.025 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	97.61 грн
13+	65.73 грн
100+	44.58 грн
500+	35.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3460EV-T1_GE3

MOSFETs 20V 8A 3.6W AEC-Q101 Qualified

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 47203 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.19 грн
10+	51.00 грн
100+	29.21 грн
500+	22.73 грн
1000+	20.57 грн
3000+	17.36 грн
6000+	16.25 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5799 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.73 грн
10+	48.95 грн
100+	34.05 грн
500+	24.80 грн
1000+	22.50 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 13518 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.69 грн
10+	51.00 грн
100+	29.21 грн
500+	22.80 грн
1000+	20.57 грн
3000+	17.92 грн
6000+	16.94 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3461EV-T1_GE3

Trans MOSFET P-CH 12V 8A Automotive 6-Pin TSOP T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469CEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469CEV-T1_GE3

Description: P-CHANNEL 22-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A TSOP-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1-GE3

MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ34

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.46 грн
10+	40.34 грн
100+	26.30 грн
500+	19.02 грн
1000+	17.19 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_BE3

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.45 грн
6000+	14.60 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.16 грн
10+	43.28 грн
100+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_GE3

MOSFET 20V 8A 5W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 2960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	49.95 грн
10+	43.30 грн
100+	25.66 грн
500+	21.47 грн
1000+	18.27 грн
3000+	15.97 грн
6000+	15.13 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3469EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481CEV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2911 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	52.47 грн
11+	31.75 грн
100+	18.20 грн
500+	14.36 грн
1000+	13.04 грн
3000+	11.02 грн
9000+	10.39 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1-GE3

MOSFET P-Channel 30V Automotive MOSFET

на замовлення 1350 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S)

на замовлення 50501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	62.80 грн
10+	41.05 грн
100+	24.54 грн
500+	20.57 грн
1000+	17.85 грн
3000+	14.92 грн
6000+	14.71 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_BE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3481EV-T1_GE3

MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 42462 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	76.95 грн
10+	47.23 грн
100+	26.77 грн
500+	20.64 грн
1000+	19.94 грн
3000+	16.94 грн
6000+	15.20 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3493EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: To Be Advised

на замовлення 10808 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	51.17 грн
18+	47.42 грн
100+	31.81 грн
500+	23.11 грн
1000+	16.87 грн
5000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 16

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4140 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.87 грн
14+	24.30 грн
100+	20.01 грн
500+	18.41 грн
1000+	17.92 грн
3000+	15.90 грн
6000+	14.64 грн

Мінімальне замовлення: 13

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

на замовлення 11028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	30.83 грн
500+	24.02 грн
1000+	16.80 грн
5000+	16.32 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3493EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	78.44 грн
10+	47.51 грн
100+	31.21 грн
500+	22.72 грн
1000+	20.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12119 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.60 грн
10+	42.60 грн
100+	27.87 грн
500+	20.22 грн
1000+	18.30 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 6791 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.36 грн
10+	32.95 грн
100+	22.03 грн
500+	19.24 грн
1000+	17.50 грн
3000+	13.67 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	50.03 грн
22+	38.23 грн
100+	29.37 грн
500+	23.87 грн
1000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.56 грн
6000+	15.61 грн
9000+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3495EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 1652 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.37 грн
500+	23.87 грн
1000+	20.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 11848 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	36.08 грн
13+	24.40 грн
25+	21.78 грн
100+	17.79 грн
250+	16.51 грн
500+	15.75 грн
1000+	14.87 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SQ3585EV-T1_GE3

Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.87 грн
6000+	14.87 грн
9000+	14.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3585EV-T1_GE3

MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10059 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	321.31 грн
10+	209.28 грн
100+	142.24 грн
500+	126.20 грн
1000+	108.07 грн
3000+	101.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

SQ3985EV-T1_BE3

MOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)

на замовлення 10474 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.19 грн
10+	33.28 грн
100+	21.82 грн
500+	19.38 грн
1000+	18.20 грн
3000+	14.08 грн
6000+	13.60 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3985EV-T1_GE3

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SQ3985EV-T1_GE3

MOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 111760 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	83.78 грн
10+	51.96 грн
100+	29.70 грн
500+	22.94 грн
1000+	20.78 грн
3000+	18.06 грн
6000+	16.66 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SQ3985EV-T1_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 7888 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	32.46 грн
500+	23.79 грн
1000+	21.47 грн
3000+	21.06 грн
6000+	20.57 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Код виробника: SQ3987EV-T1_GE3 TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Transistors
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

3000+	31.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 3377 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	79.72 грн
50+	49.78 грн
100+	32.54 грн
500+	26.89 грн
1500+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4355 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.38 грн
10+	39.96 грн
100+	24.69 грн
500+	19.71 грн
1000+	17.81 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 40364 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.18 грн
10+	40.17 грн
100+	23.78 грн
500+	19.87 грн
1000+	16.87 грн
3000+	15.27 грн
6000+	14.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Код виробника: SQ3987EV-T1_GE3 RoHS TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET Transistors
кількість в упаковці: 200 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	30.15 грн
1000+	28.84 грн

Мінімальне замовлення: 200

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3987EV-T1_GE3

TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	29.46 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_BE3

Description: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_GE3

MOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6

на замовлення 185985 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	48.97 грн
10+	36.80 грн
100+	20.78 грн
500+	15.97 грн
1000+	14.36 грн
3000+	12.27 грн
6000+	11.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_GE3

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 57000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.94 грн
6000+	12.34 грн
9000+	11.78 грн
15000+	10.47 грн
21000+	10.12 грн
30000+	9.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SQ3989EV-T1_GE3